JP6174371B2 - Crystal device - Google Patents
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Description
本発明は、例えば電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。 The present invention relates to a crystal device used in, for example, an electronic apparatus.
水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。例えば、矩形状の基板の上面の一辺に沿って設けられた一対の電極パッドに導電性接着剤を介して実装された水晶素子と、基板の上面に接合部材を介して接合され、水晶素子を気密封止するための蓋体と、を備えた水晶振動子が提案されている(例えば、下記特許文献1参照)。接合部材は、ガラスが用いられ、熱を印加することで、蓋体と基板の上面とを接合することができる。また、水晶デバイスを構成する基板の下面の四隅には、外部端子が設けられており、電子機器等のマザーボードに実装されている。
The crystal device generates a specific frequency by using the piezoelectric effect of the crystal element. For example, a crystal element mounted on a pair of electrode pads provided along one side of the upper surface of a rectangular substrate via a conductive adhesive, and bonded to the upper surface of the substrate via a bonding member, A crystal resonator provided with a lid for hermetically sealing has been proposed (see, for example,
上述した水晶デバイスは、小型化が顕著であるが、基板に導電性接着剤を用いて実装する水晶素子も小型化になっている。このような水晶デバイスに熱を印加すると、熱膨張係数の差異によって、基板が反ってしまうことがあり、基板を介して導電性接着剤にも応力がかかることになる。また、導電性接着剤に応力がかかることによって、導電性接着剤にかかる応力が直線的に水晶素子の励振用電極に伝播する。よって、導電性接着剤にかかる応力を十分に低減できず、水晶素子の発振周波数が変動してしまう虞があった。 The above-described quartz device is remarkably miniaturized, but the quartz element mounted on the substrate using a conductive adhesive is also downsized. When heat is applied to such a crystal device, the substrate may be warped due to the difference in thermal expansion coefficient, and stress is applied to the conductive adhesive via the substrate. Further, when stress is applied to the conductive adhesive, the stress applied to the conductive adhesive is linearly propagated to the excitation electrode of the crystal element. Therefore, the stress applied to the conductive adhesive cannot be sufficiently reduced, and the oscillation frequency of the crystal element may fluctuate.
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、安定して水晶素子の発振周波数を出力することが可能な水晶デバイスを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides a crystal device capable of stably outputting the oscillation frequency of a crystal element.
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、上面及び下面が同一形状である矩形状の基板と、基板の上面の四隅に設けられた電極パッドと、基板の下面の四隅に設けられた、それぞれが平面透視して重なる四隅の電極パッドと電気的に接続された電極端子と、基板上であって、対角に位置する電極パッドのそれぞれに設けられた一対の導電性接着剤と、基板上であって、一対の導電性接着剤に跨って設けられ、励振用電極を有する水晶素子と、基板上の外縁に沿って設けられた、水晶素子を封止した封止蓋体と、を備え、電極パッド及び電極端子は矩形状であり、平面視して、励振用電極側を向いている電極パッド及び電極端子のすべての角に面取り部が設けられていることを特徴とするものである。 A quartz crystal device according to one aspect of the present invention includes a rectangular substrate having the same shape on the upper surface and the lower surface, electrode pads provided at the four corners of the upper surface of the substrate, and four corners on the lower surface of the substrate, An electrode terminal electrically connected to the electrode pads at the four corners that overlap each other when seen through the plane, a pair of conductive adhesives provided on each of the electrode pads that are diagonally located on the substrate, and on the substrate A quartz element provided across a pair of conductive adhesives and having an excitation electrode, and a sealing lid provided along the outer edge on the substrate and sealing the quartz element , The electrode pad and the electrode terminal have a rectangular shape and are characterized in that chamfered portions are provided at all corners of the electrode pad and the electrode terminal facing the excitation electrode in a plan view .
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、矩形状の基板と、基板の上面の四隅に設けられた電極パッドと、基板の下面の四隅に設けられた、それぞれが平面透視して重なる四隅の電極パッドと電気的に接続された電極端子とを備えている。このようにすることにより、基板の上面と下面との熱膨張係数を近似させることになるので、熱を印加することによる基板の反りを低減することができる。よって、基板を介して導電性接着剤にかかる応力が水晶素子に伝わることを低減し、安定して水晶素子の発振周波数を出力することが可能になる。 A quartz crystal device according to one aspect of the present invention includes a rectangular substrate, electrode pads provided at the four corners of the upper surface of the substrate, and electrodes at the four corners provided at the four corners of the lower surface of the substrate, each overlapping in plan view. An electrode terminal electrically connected to the pad is provided. By doing so, the coefficient of thermal expansion between the upper surface and the lower surface of the substrate is approximated, so that the warpage of the substrate due to the application of heat can be reduced. Therefore, it is possible to reduce the stress applied to the conductive adhesive through the substrate to the crystal element, and to stably output the oscillation frequency of the crystal element.
本実施形態における水晶デバイスは、図1及び図2に示されているように、基板110と、基板110の上面に接合された水晶素子120と、水晶素子120を気密封止するための蓋体130と、を含んでいる。このような水晶デバイスは、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the crystal device according to the present embodiment includes a
基板110は、矩形状であり、上面で実装された水晶素子120を実装するための実装部材として機能するものである。基板110の上面の四隅には、水晶素子120を接合するための電極パッド111が設けられ、基板110の下面の四隅には、電極端子112が設けられている。また、四つの電極端子112の内の二つが、水晶素子120と電気的に接続されて、水晶素子120の入出力端子として用いられる。
The
基板110は、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板110は、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板110の内部には、上面に設けられた電極パッド111と下面の電極端子112とを電気的に接続するためのビア導体113がそれぞれ設けられている。
The
電極パッド111は、図3に示すように、基板110の上面の四隅に設けられている。電極パッド111は、基板110に設けられたビア導体113を介して、電極パッド111と平面視して重なる位置に設けられた電極端子112と電気的に接続されている。電極端子112は、基板110の下面の四隅に、基板110の外周縁に沿って設けられている。
The
電極パッド111は、第一電極パッド111a、第二電極パッド111b、第三電極パッド111c及び第四電極パッド111dによって構成されている。また、電極端子112は、第一電極端子112a、第二電極端子112b、第三電極端子112c及び第四電極端子112dによって構成されている。ビア導体113は、第一ビア導体113a、第二ビア導体113b、第三ビア導体113c及び第四ビア導体113dによって構成されている。第一電極パッド111aと第一電極端子112aとは、基板110に設けられた第一ビア導体113aとにより接続されており、第二電極パッド111bと第二電極端子112bとは、基板110に設けられた第二ビア導体113bとにより接続されている。また、第三電極パッド111cと第三電極端子112cとは、基板110に設けられた第三ビア導体113cとにより接続されており、第四電極パッド111dと第四電極端子112dとは、基板110に設けられた第四ビア導体113dとにより接続されている。
The
基板110の電極パッド111は、図2に示すように、水晶素子120を実装するために用いられている。電極端子112は、外部の実装基板上に実装するための外部端子として用いられている。また、基板110の電極端子112は、水晶素子120を実装するために用いて、電極パッド111は、外部の実装基板上に実装するための外部端子として用いられるように使用しても構わない。このようにすることで、基板110を上下面のどちらに水晶素子120を実装してもよいため、取り扱いが簡便であり、水晶デバイスの生産性を向上させることができる。
The
また、電極パッド111及び電極端子112は、基板110に沿って設けられた形状となっている。ここでパッケージ110を平面視したときの長辺の寸法が、1.2〜2.5mmであり、短辺の寸法が、1.0〜2.0mmである場合を例にして、電極パッド111及び電極端子112の大きさを説明する。電極パッド111及び電極端子112の長辺の長さは、0.40〜0.90mmであり、短辺の長さは、0.30〜0.60mmとなっている。
The
また、電極パッド111と電極端子112とが、それぞれ平面視して重なる位置に配置され、重なる位置にある電極パッド111と電極端子112が電気的に接続されている。このようにすることにより、基板110の上面と下面との熱膨張係数が近似することになるので、基板110の反りを低減することができる。また、仮に、基板110が反ったとしても、水晶素子120を対角にて保持することにより、水晶素子120にかかる応力を両保持により均等にすることができる。よって、導電性接着剤140にかかる応力が水晶素子120に伝わることにより生じる水晶素子120の発振周波数の変動を低減することができる。
Moreover, the
また、本発明の水晶デバイスに構成されている基板110は、上面及び下面に設けられている電極パッド111と電極端子112が平面透視して重なる位置に設けられている。また、基板110の上面及び下面は、基板110の長辺の中間点を通る軸線に対して左右対称となっている。この基板110を製造装置に搬入させる際に、整列治具に整列させると、基板110の上面及び下面の確認や基板110の方向の確認を画像処理で確認する必要がない。仮に、従来の水晶デバイスで使用されている基板を用いた場合、製造装置に搬入する際に、整列治具に基板を整列させると、基板の上面及び下面の確認や基板の方向の確認を画像処理等で行う必要があり、生産性が低下してしまう。このようにすることで、整列させた基板110を画像処理で確認する必要がないので、水晶デバイスの生産性を向上させることができる。
In addition, the
ここで、基板110の作製方法について説明する。基板110がアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、電極パッド111又は電極端子112となる部位にニッケルメッキ又、金メッキ、銀パラジウム等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。
Here, a method for manufacturing the
水晶素子120は、図2に示されているように、導電性接着剤140を介して電極パッド111上に接合されている。水晶素子120は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。
As shown in FIG. 2, the
水晶素子120は、図2に示されているように、水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに励振用電極122及び引き出し電極123を被着させた構造を有している。励振用電極122は、水晶素板121の上下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。励振用電極122は、上面に第一励振用電極122aと、下面に第二励振用電極122bを備えている。引き出し電極123は、励振用電極122から水晶素板121の向かい合う辺に向かってそれぞれ延出されている。引き出し電極123は、上面に第一引き出し電極123aと、下面に第二引き出し電極123bとを備えている。第一引き出し電極123aは、第一励振用電極122aから引き出されており、水晶素板121の一方の辺に向かって延出するように設けられている。第二引き出し電極123bは、第二励振用電極122bから引き出されており、水晶素板121の他方の辺に向かって延出するように設けられている。
As shown in FIG. 2, the
ここで、水晶素子120の動作について説明する。水晶素子120は、外部からの交番電圧が引き出し電極123から励振用電極122を介して水晶素板121に印加されると、水晶素板121が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
Here, the operation of the
ここで、水晶素子120の作製方法について説明する。まず、水晶素子120は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板121の外周の厚みを薄くし、水晶素板121の外周部と比べて水晶素板121の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子120は、水晶素板121の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極122、引き出し電極123を形成することにより作製される。
Here, a manufacturing method of the
水晶素子120の基板110への接合方法について説明する。まず、導電性接着剤140は、例えばディスペンサによって電極パッド111上に塗布される。水晶素子120は、導電性接着剤140上に搬送され、導電性接着剤140上に載置される。そして導電性接着剤140は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子120は、電極パッド111に接合される。
A method for bonding the
水晶素子120の第一引き出し電極123a及び第二引き出し電極123bは、第一電極パッド111a及び第三電極パッド111cと接合される。これによって、第一電極端子112aと第三電極端子112cが水晶素子120と電気的に接続されることになる。また、水晶素子120の外形寸法が異なる場合においても、図3に示すように、電極パッド111に実装することができる。よって、水晶素子120の引き出し電極123が電極パッド111の上面に位置する場合には、外形寸法が異なる水晶素子を使用することができる。よって、外形寸法が異なる水晶素子の実装に合わせた電極パッドを形成した基板の設計をやり直す必要がない。
The first extraction electrode 123a and the second extraction electrode 123b of the
また、水晶素子120の第一引き出し電極123a及び第二引き出し電極123bと、第一電極パッド111a及び第三電極パッド111cとが接合している箇所を軸として傾いても、水晶素子120の接合していない角が第二電極パッド111b又は第四電極パッド111cに接触するので、基板110の上面に水晶素子120の接合していない角が接触することを抑制することできる。仮に、水晶素子120の接合していない角が基板110に接触した状態で、落下試験等を行うと、水晶素子120の接合していない角が欠けてしまう虞がある。このようにすることで、水晶素子120の角が欠けてしまうことを抑え、水晶素子120の発振周波数が変動することを低減することができる。
In addition, even if the first lead electrode 123a and the second lead electrode 123b of the
導電性接着剤140は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。
The
封止蓋体130は、矩形状の封止基部130aと、封止枠部130bとで構成されており、封止基部130aの下面と封止枠部130bの内側側面とで収容空間Kが形成されている。封止枠部130bは、封止基部130aの下面に収容空間Kを形成するためのものである。封止枠部130bは、封止基部130aの下面の外縁に沿って設けられている。
The sealing
封止基部130a及び封止枠部130bは、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなり、一体的に形成されている。このような封止蓋体130は、真空状態にある収容空間K又は窒素ガスなどが充填された収容空間Kを気密的に封止するためのものである。具体的には、封止蓋体130は、所定雰囲気で、基板110の上面に載置され、基板110の上面と封止蓋体130の封止枠部130bの下面との間に設けられた接合部材150とが熱が印加されることで、溶融接合される。
The sealing base portion 130a and the sealing frame portion 130b are made of, for example, an alloy containing at least one of iron, nickel, and cobalt, and are integrally formed. Such a sealing
接合部材150は、図2に示すように、封止枠部130bの下面から基板110上にかけて設けられている。接合部材150は、例えば、ガラスの場合には、350℃〜400℃で溶融する鉛フリーガラスである例えばバナジウムを含有した低融点ガラスから構成されている。鉛フリーガラスは、バインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。接合部材150は、例えば、ガラスフリットペーストがスクリーン印刷法で塗布され乾燥することで設けられる。
As shown in FIG. 2, the
接合部材150は、例えば、絶縁性樹脂の場合には、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂から構成されている。封止枠部130bの下面と基板110の上面との間に設けられた接合部材150の厚みは、30〜100μmとなっている。
For example, in the case of an insulating resin, the
接合部材150は、例えば、金錫の場合には、接合部材150の層の厚みは、10〜40μmであり、例えば、成分比率が、金が70〜80%、錫が20〜30%のものを使用しても良い。また、接合部材150は、例えば、銀ロウの場合には、接合部材150の層の厚みは、10〜40μmであり、例えば、成分比率が、銀が70〜80%、銅が20〜30%のものを使用しても良い。
For example, when the joining
本実施形態における水晶デバイスは、矩形状の基板110と、基板110の上面の四隅に設けられた電極パッド111と、基板110の下面の四隅に設けられた、それぞれが平面透視して重なる四隅の電極パッド111と電気的に接続された電極端子112とを備えている。このようにすることにより、基板110の上面と下面との熱膨張係数を近似させることになるので、熱を印加することによる基板110の反りを低減することができる。よって、基板110を介して導電性接着剤140にかかる応力が水晶素子120に伝わることを低減し、安定して水晶素子120の発振周波数を出力することが可能となる。
The quartz crystal device according to the present embodiment includes a
また、本実施形態における水晶デバイスは、基板110の上面の四隅に設けられている電極パッド111と、基板110の下面の四隅に設けられている電極端子112と、を有し、電極パッド111と電極端子112とが、それぞれ平面視して重なる位置に配置され、それぞれが電気的に接続されている。このようにすることによって、外形寸法が異なる水晶素子を使用しても、その実装に合わせた電極パッドを形成した基板の設計をやり直す必要がない。よって、水晶デバイスの生産性を向上させることができる。
In addition, the crystal device according to the present embodiment includes
(第一変形例)
以下、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図5に示されているように、水晶素子220が励振用電極222から水晶素板221の一辺にそれぞれ延出するようにして設けられている引き出し電極223を備えている点において、本実施形態と異なる。
(First modification)
Hereinafter, the crystal device according to the first modification of the present embodiment will be described. Note that, in the quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment, the same portions as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. As shown in FIG. 5, the crystal device according to the first modification of the present embodiment is provided such that the
本実施形態の第一変形例においては、電極パッド111と接続されている水晶素子220の一端を基板110の上面と接続した固定端とし、他端を基板110の上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて水晶素子220が基板110上に固定されている。
In the first modification of the present embodiment, one end of the
また、水晶素子220の引き出し電極223は、第一電極パッド111a及び第二電極パッド111bと接合される。これによって、第一電極端子112aと第二電極端子112bが水晶素子220と電気的に接続されることになる。また、水晶素子220の実装位置が異なる場合においても、図5に示すように、電極パッド111に実装することができる。よって、実装位置が異なる水晶素子220を使用しても、その実装に合わせた電極パッドを形成した基板の設計をやり直す必要がない。よって、水晶デバイスの生産性を向上させることができる。
In addition, the
また、水晶素子220の引き出し電極223と、電極パッド111とが接合している箇所を軸として傾いても、水晶素子220の自由端の角が第三電極パッド111c又は第四電極パッド111cに接触するので、基板110の上面に水晶素子220の接合していない角が接触することを抑制することできる。仮に、水晶素子220の接合していない角が基板110に接触した状態で、落下試験等を行うと、水晶素子220の接合していない角が欠けてしまう虞がある。このようにすることで、水晶素子220の角が欠けてしまうことを抑え、水晶素子220の発振周波数が変動することを低減することができる。
Further, even when the
(第二変形例)
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、図6に示されているように、電極パッド211及び電極端子212は矩形状であり、平面視して、励振用電極122と重なる位置にある電極パッド211及び電極端子212に面取り部214が設けられている点において本実施形態と異なる。
(Second modification)
Hereinafter, the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment will be described. Note that, in the quartz crystal device according to the first modification of the present embodiment, the same portions as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. In the crystal device according to the second modification of the present embodiment, as shown in FIG. 6, the
面取り部214は、励振用電極122側を向いている角に、電極パッド211の一辺から一辺と隣接する一辺にかけて横断するようにして直線状に設けられている。このようにすることによって、励振用電極122と電極パッド211との間で十分な距離が確保できているため、励振用電極122と電極パッド211との接触を低減することができる。
The chamfered
また、電極パッド211及び電極端子212は、基板210に沿って設けられた形状となっている。ここで基板210を平面視したときの長辺の寸法が、1.2〜2.5mmであり、短辺の寸法が、1.0〜2.0mmである場合を例にして、電極パッド211及び電極端子212の大きさを説明する。電極パッド211及び電極端子212の長辺の長さは、0.40〜0.90mmであり、短辺の長さは、0.30〜0.60mmとなっている。また、面取り部214は、矩形状の電極パッド211及び電極端子212の角を三角形状に除去したものであり、電極パッド211及び電極端子212を平面視したときの縦寸法と平行となる寸法が0.05〜0.15mmであり、平面視したときの横寸法が0.05〜0.15mmである。また、面取り部214が設けられた電極パッド211及び電極端子212は、矩形状の電極パッド211及び電極端子212に比べて、その面積が97〜99%となるように形成されている。
Further, the
本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、電極パッド211及び電極端子212は矩形状であり、電極パッド211及び電極端子212に面取り部214が設けられている。このようにすることによって、励振用電極122と電極パッド211との間で十分な距離が確保できているため、励振用電極122と電極パッド211との接触を低減することができる。よって、水晶デバイスは、水晶素子120の発振周波数が変動することを低減することができる。
In the crystal device according to the second modification of the present embodiment, the
(第三変形例)
以下、本実施形態の第三変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第三変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第三変形例における水晶デバイスは、図7に示されているように、四つの電極パッド311には、第一凸部314が設けられ、四つの電極端子312には、第二凸部315が設けられている点において本実施形態と異なる。
(Third modification)
Hereinafter, the quartz crystal device according to the third modification of the present embodiment will be described. Note that, in the quartz crystal device according to the third modification of the present embodiment, the same parts as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. As shown in FIG. 7, in the quartz device according to the third modification of the present embodiment, the four
第一凸部314は、各電極パッド311の上面には、基板310の短辺方向と平行となるように延出して設けられる。第一凸部314は、基板310の短辺に沿った同一直線状に設けられている。このようにすることによって、水晶素子120の引き出し電極123を第一凸部314に接触させながら電極パッド311に実装する際に、水晶素子120が傾くことなく安定した状態で実装することができる。
The first
第二凸部315は、各電極端子312の下面に、基板310の短辺方向に沿って延びるように設けられる。第二凸部315は、基板310の短辺に沿った同一直線状に設けられている。電極端子312が、外部の実装基板上に実装するため外部端子として用いられる際に、第二凸部315によって、電極端子312の表面積を大きくすることができるので、外部の実装基板上との接合強度を向上させることができる。
The second
本実施形態の第三変形例における水晶デバイスは、四つの電極パッド311上には、第一凸部314が設けられていることによって、水晶素子120の引き出し電極123を第一凸部314に接触させながら電極パッド311に実装する場合に、水晶素子120が傾くことなく安定した状態で実装することができる。このようにすることで、安定して水晶素子120の発振周波数を出力することが可能となる。また、四つの電極端子312の下面には、第二凸部315が設けられていることによって、外部の実装基板上に実装するため外部端子として用いられる際に、第二凸部315によって、電極端子312の表面積を大きくすることができるので、外部の実装基板上との接合強度を向上させることができる。
The quartz crystal device according to the third modified example of the present embodiment has the first
尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記の実施形態では、電極パッド111と電極端子112とが基板110内に設けられたビア導体113によって電気的に接続されていたが、基板の側面に配線パターンを設けて、電極パッド111と電極端子112とを電気的に接続すするようにしても構わない。また、上記の実施形態の第一変形例では、水晶素子は、AT用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。
In addition, it is not limited to this embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. In the above embodiment, the
また、水晶素子120は、水晶素板121の外周の厚みを薄くし、水晶素板121の外周部と比べて水晶素板121の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を用いても構わない。また、水晶素子120のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板121とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板121とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板121とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板121が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。
In addition, the
また、本実施形態では、基板110の上面には、封止用導体パターンがない場合を説明したが、基板110の上面に封止用導体パターンを設けても構わない。この封止用導体パターンは、封止蓋体130と接合部材150を介して接合する際に、接合部材131の濡れ性をよくする役割を果たしている。
In this embodiment, the case where the upper surface of the
また、接合部材150が導電性部材を使用した際に、封止用導体パターンは、基板110の内部に形成されたビア導体(図示せず)及び配線パターン(図示せず)により少なくとも一つの電極パッド111及び少なくとも一つの電極端子112に接続されている。少なくとも一つの電極パッド111及び少なくとも一つの電極端子112は、外部の実装基板上のグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。そのため、封止用導体パターンに接合される封止蓋体130がグランドに接続されることとなり、封止蓋体130による収容空間K内のシールド性が向上する。封止用導体パターンは、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、基板110の上面の外周縁を環状に囲む形態で施すことによって、例えば10μm〜25μmの厚みに形成されている。
In addition, when the
110、210、310・・・基板
111、211、311・・・電極パッド
112、212、312・・・電極端子
113、213、313・・・ビア導体
120、220・・・水晶素子
121、221・・・水晶素板
122、222・・・励振用電極
123、223・・・引き出し電極
130・・・封止蓋体
131・・・封止基部
132・・・封止枠部
140・・・導電性接着剤
150・・・接合部材
K・・・収容空間
110, 210, 310 ...
Claims (2)
前記基板の上面の四隅に設けられた電極パッドと、
前記基板の下面の四隅に設けられた、それぞれが平面透視して重なる前記四隅の電極パッドと電気的に接続された電極端子と、
前記基板上であって、対角に位置する電極パッドのそれぞれに設けられた一対の導電性接着剤と、
前記基板上であって、前記一対の導電性接着剤に跨って設けられ、励振用電極を有する水晶素子と、
前記基板上の外縁に沿って設けられた、前記水晶素子を封止した封止蓋体と、を備え、
前記電極パッド及び前記電極端子は矩形状であり、
平面視して、前記励振用電極側を向いている前記電極パッド及び前記電極端子のすべての角に面取り部が設けられていることを特徴とする水晶デバイス。 A rectangular substrate having the same top and bottom surfaces ;
Electrode pads provided at the four corners of the upper surface of the substrate;
Electrode terminals provided at the four corners of the lower surface of the substrate, each electrically connected to the electrode pads at the four corners that overlap each other in plan view,
A pair of conductive adhesives provided on each of the electrode pads located diagonally on the substrate;
A quartz crystal element provided on the substrate and straddling the pair of conductive adhesives and having an excitation electrode ;
Provided along the outer edge on said substrate, and a sealing lid that seals the crystal element,
The electrode pad and the electrode terminal are rectangular.
A crystal device, wherein chamfered portions are provided at all corners of the electrode pad and the electrode terminal facing the excitation electrode in a plan view .
前記電極パッドには、第一凸部が設けられ、前記電極端子には、第二凸部が設けられていることを特徴とする水晶デバイス。A crystal device, wherein the electrode pad is provided with a first protrusion, and the electrode terminal is provided with a second protrusion.
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