JP2014222691A - 窒化物半導体テンプレートおよびその製造方法、並びに窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
基板と、前記基板上に、III族原料と塩素系ガスとから生成されるIII族原料ガスおよび窒素原子を含有するV族原料ガスにより成長された窒化物半導体層と、を備え、前記窒化物半導体層における塩素の平均濃度が、8.20×1016cm−3以下である、窒化物半導体テンプレートが提供される。
前記窒化物半導体層における塩素の最大濃度が、5.00×1017cm−3以下である、第1の態様の窒化物半導体テンプレートが提供される。
窒素ガスおよび/または水素ガスに対してアルゴンガスを体積流量の割合で1%以上含むキャリアガスと共に、III族原料と塩素系ガスとから生成されるIII族原料ガスおよび窒素原子を含有するV族原料ガスを基板上に供給し、前記基板上に窒化物半導体層を成長させる工程を有する、窒化物半導体テンプレートの製造方法が提供される。
第1または第2の態様の窒化物半導体テンプレート上に窒化物半導体からなる発光部を備える、窒化物半導体発光素子が提供される。
以下、本発明の一実施形態について説明をする。
まず、本実施形態に係る窒化物半導体テンプレートについて図1を用いて説明をする。図1は、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体テンプレートの断面図である。
すなわち、本実施形態のテンプレート1は、基板11と、バッファ層12と、窒化物半導体層13とを順に積層させた構造を有しており、窒化物半導体層13における塩素の平均濃度が、8.20×1016cm−3以下となっている。
本実施形態のテンプレート1は、例えば図3に示すようなハイドライド気相成長装置30(HVPE装置30)を用いて製造される。ここで、テンプレート1の製造方法の説明に先立ち、テンプレート1の製造に用いるHVPE装置30について説明をする。図3は、本発明の一実施形態で好適に用いられるハイドライド気相成長装置30の概略構成図である。
次に、図3に示すHVPE装置30を用いて上述のテンプレート1を製造する方法について説明をする。
まず、基板11を反応炉31内に搬入し、成長部31bに位置するサセプタ33に載置する。
続いて、原料部ヒータ32aによって反応炉31の原料部31aを加熱する。同時に、成長部ヒータ32bによって反応炉31の成長部31bを加熱する。これにより、基板11を所定の温度(例えば600℃以下、または1000℃以上)とする。
次に、バッファ層12上に所定の厚さの窒化物半導体層13を気相成長させて形成する。窒化物半導体層13の気相成長の際、基板11上を、N2ガスおよび/またはH2ガスに対してArガスを体積流量の割合で1%以上含む不活性ガスの雰囲気とする。本実施形態では、所定の不活性ガス雰囲気とするため、各原料ガス(例えば、III族原料ガスやV族原料ガスなど)と共に供給するキャリアガスとして、N2ガスおよび/またはH2ガスに対してArガスを体積流量の割合で1%以上含む不活性ガスを用いる。なお、以下では、Arガスを体積流量の割合を、単にArガスの割合ともいう。
Arガスは、N2ガスやH2ガスなどと同様に不活性であり、キャリアガスとして用いられることがある。しかし、本発明者らの知見によれば、HVPE法により気相成長する場合において、Arガスは、キャリアガスとして作用するだけでなく、気相成長される窒化物半導体層13へのClの混入を抑制する作用を示すことがわかった。具体的には、図4に示すように、キャリアガスにおけるArガスの割合を増加させることにより、窒化物半導体層13におけるClの濃度を低減できることがわかった。図4は、キャリアガスにおけるArガスの割合と、窒化物半導体テンプレートの窒化物半導体層におけるClの平均濃度との相関を示す図である。図4において、横軸は、気相成長の際に基板に供給されるキャリアガスにおけるArガスの割合を示しており、Arガスの割合は、N2ガスおよび/またはH2ガスの体積流量に対するArガスの体積流量の割合となっている。また、縦軸は、気相成長される窒化物半導体層におけるClの平均濃度を示す。図4に示すように、Arガスの割合を1%以上とすると、Clの平均濃度を8.20×1016cm−3以下に低減できることが示されている。また、Arガスの割合を2%以上とすると、Clの平均濃度を5.00×1016cm−3以下に低減できることが示されている。一方、Arガスを含有させないと、Clの平均濃度は高く、1.20×1017cm−3程度となることが示されている。ArガスがClの混入を抑制するメカニズムは定かではないが、以下のように推測される。Arは、周期表においてClと隣同士であり、電子配置や大きさがClと類似している。このArが、基板11付近でClと共存することにより、基板11付近での実効的なCl濃度を低減させる。そして、基板11付近でのCl濃度が低下することによって、気相成長される窒化物半導体層13などへのClの混入が低減されることになる。
最後に、反応炉31内の加熱を停止し、降温させて、HVPE装置30からテンプレート1を搬出する。
次に、上述のテンプレート1を用いて形成される発光素子20について、図2を用いて説明をする。図2は、本発明の一実施形態に係る発光素子の断面図である。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
以上、本発明の一実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
本実施例では、図3に示すHVPE装置を用いて、図1に示すようなテンプレートを製造した。すなわち、厚さ50μm、直径100mmのサファイア基板上に、バッファ層として窒化アルミニウム(AlN)層を30nm成長させ、バッファ層上に、窒化物半導体層としてn型窒化ガリウム(GaN)層を6μm成長させて、実施例1〜4および比較例1〜3のテンプレートを製造した。実施例1〜4では、キャリアガスにおけるArガスの割合を適宜変更し、Clの平均濃度が異なるn型GaN層を気相成長させた。また、比較例1〜3では、Arガスを含まないキャリアガスを用いた以外は、実施例1〜4と同様に製造した。なお、比較例1〜3のテンプレートは、同一の成長条件で製造した。
まず、反応炉内のサセプタ上にサファイア基板を載置し、反応炉内の原料部を900℃に加熱すると同時に成長部を1100℃に加熱した。
次に、得られたテンプレート上に発光部を形成し、図2に示すような発光素子を製造した。すなわち、得られたテンプレートのn型GaN層上に、MOVPE法により発光部としてn型GaN層(厚さ3μm)、InGaN/GaNからなる6ペアの多重量子井戸層、およびp型AlGaN層とp型GaNコンタクト層とからなるp型半導体層(厚さ400nm)を成長させた。その後、p型半導体層上にNi/Au電極を形成した。また、成長させた表面をRIE(Reactive Ion Etching)により部分的に除去し、テンプレートのGaN層の一部を露出させてTi/Al電極を形成し、その後、チップ化等を行うことにより、実施例1〜4および比較例1〜3の窒化物半導体発光素子を得た。
得られた窒化物半導体テンプレートについて、n型GaN層のCl濃度を測定し、評価した。また、テンプレートを用いて製造された発光素子について発光特性を評価した。具体的には、以下に示すように評価した。
実施例1〜4および比較例1〜3の窒化物半導体テンプレートについて、そのn型GaN層におけるCl濃度を測定した。具体的には、2次イオン質量分析(SIMS: Secondary Ion Mass Spectrometry)により、n型GaN層の厚さ方向に複数箇所のCl濃度を測定した。そして、得られた複数のCl濃度からClの平均濃度を算出した。また、Clの最大濃度を測定した。
実施例1〜4および比較例1〜3のテンプレートを用いて製造された発光素子について、20mA通電時の光出力を測定し、算出された相対光出力から、その発光効率を評価した。なお、比較例1の光出力を1として、相対光出力を算出した。
実施例1〜4、比較例1〜3の評価結果について、以下の表2に示す。
11 基板
12 バッファ層
13 窒化物半導体層
20 窒化物半導体発光素子
21 発光部
Claims (4)
- 基板と、
前記基板上に、III族原料と塩素系ガスとから生成されるIII族原料ガスおよび窒素原子を含有するV族原料ガスにより成長された窒化物半導体層と、を備え、
前記窒化物半導体層における塩素の平均濃度が、8.20×1016cm−3以下である
ことを特徴とする窒化物半導体テンプレート。 - 前記窒化物半導体層における塩素の最大濃度が、5.00×1017cm−3以下である
ことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体テンプレート。 - 窒素ガスおよび/または水素ガスに対してアルゴンガスを体積流量の割合で1%以上含むキャリアガスと共に、III族原料と塩素系ガスとから生成されるIII族原料ガスおよび窒素原子を含有するV族原料ガスを基板上に供給し、前記基板上に窒化物半導体層を成長させる工程を有する
ことを特徴とする窒化物半導体テンプレートの製造方法。 - 請求項1または2に記載の窒化物半導体テンプレート上に窒化物半導体からなる発光部を備える
ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
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