JP2014220735A - 出力回路および電圧信号出力方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】出力ノードNoutと、VDDとNout間に直列に接続されたPTr1,PTr2と、GNDとNout間に直列に接続されたNTr1,NTr2と、PTr2,NTr2のゲートが接続する第1および第2バイアスノードN5,N6に第1および第2バイアス電圧を出力するバイアス電圧生成回路6,7,8A,8Bと、第1バイアス電圧の変動を抑制するN5に接続された第1バイアス電圧安定回路11Aと、第2バイアス電圧の変動を抑制するN6に接続された第2バイアス電圧安定回路11Bと、第1および第2バイアス電圧を変動させる信号変化を検出して、第1および前記第2バイアス電圧安定回路の動作を制御する制御回路12,13と、を有する出力回路。
【選択図】図4
Description
実施形態によれば、バイアス電圧の変動を適切に抑制する、低耐圧のトランジスタをカスコード接続した高電圧の出力回路が開示される。
図1は、一般的な出力回路の構成を示す図である。
なお、バイアス電圧生成回路6の出力するバイアス電圧の設定については、トランジスタの耐圧に応じて適宜設定すればよい。
バイアス電圧生成回路6は、分圧回路7と、バイアス電圧出力回路8と、を有する。分圧回路7は、高電位側電源端子2と低電位側電源端子3との間直列に接続された抵抗R1、NTr3、PTr3、NTr4、PTr4および抵抗R2を有する。R1とNTr3の接続ノードがノードN8、PTr3とNTr4の接続ノードがノードN7、PTr4と抵抗R2の接続ノードがノードN9である。ここでは抵抗R1の抵抗値と抵抗R2の抵抗値が等しく、PMOSトランジスタおよびNMOSトランジスタの閾値は共にVthであるとする。分圧回路7は、ノードN7から中心分電圧VDD/2を、ノードN8から第1分電圧VDD/2+2Vthを、ノードN9から第2分電圧VDD/2−2Vthを出力する。
図3において、破線Pはバイアス電圧出力回路の復帰力(駆動力)が強い場合のバイアスノードの電圧変動を、実線Qは復帰力(駆動力)が弱い場合のバイアスノードの電圧変動を、示す。
第1実施形態の出力回路を形成する各トランジスタの耐圧は、電源電圧VDD(例えば、10V)の半分=VDD/2+α(例えば5.5V)が限界で、ドレイン−ソース間にVDD相当の電圧が印加されると破壊されるという前提とする。
第1実施形態の出力回路は、出力部1と、バッファ4および5と、分圧回路7と、第1バイアス電圧出力回路8Aと、第2バイアス電圧出力回路8Bと、を有する。第1実施形態の出力回路は、さらに、第1バイアス電圧安定回路11Aと、第2バイアス電圧安定回路11Bと、リエントリ入力回路12と、制御回路13と、を有する。分圧回路7、第1バイアス電圧出力回路8Aおよび第2バイアス電圧出力回路8Bは、バイアス電圧生成回路6を形成する。
図5の(A)のように、入力もしくは出力動作時、端子BUSが0V〜VDD間で遷移し、そのAC変動成分は、出力回路上のPTr2、NTr2のゲート−ドレイン間容量を介して、バイアスノードN5およびN6への正(+)方向の変動として伝わる。
第2実施形態の出力回路は、出力端子OUTの電圧変動の検出に、出力部1の前段のバッファ4および5の出力を用いる。
図4に示した第1実施形態の出力回路において、第1および第2バイアス電圧安定回路11Aおよび11BのPTr11、NTr12、PTr13およびNTr14は、スイッチとして作用する。また、NTr11、PTr12、NTr13およびPTr14は、バイアスノードN5およびN6に対し電圧変動が発生した際に、VDD電源から電流を供給、もしくはGNDに電流をシンクする動作をする「電流源」であるといえる。そのため、NTr11、PTr12、NTr13およびPTr14は、図7に示すように、電流源31〜34で表すことができる。
言い換えれば、第1および第2バイアス電圧安定回路11Aおよび11Bは、それぞれVDD電源から電流を供給、もしくはGNDに電流をシンクする2個の電流源で、第1および第2制御信号により動作状態が制御されるものであれよいといえる。また、バイアス電圧生成回路6は、アイドル状態において、バイアスノードN5およびN6の電圧を維持するのであればどのような構成でもよいといえる。
さらに、図1および図2に示した出力回路では、バイアス電圧生成回路の対策のみでは対応しきれなかった電圧変動を抑制するため、補助的に大面積を要するバイパスコンデンサを使用していた。第1および第2実施形態、およびその変形例においても、バイパスコンデンサは必要に応じて設けられるが、必要な容量値を大幅に削減できる。これにより、回路面積の増大を抑制できる。
2 高電位電源
3 低電位電源
4、5 バッファ
6 バイアス電圧生成回路
7 分圧回路
8 バイアス電圧出力回路
8A 第1バイアス電圧出力回路
8B 第2バイアス電圧出力回路
11A 第1バイアス電圧安定回路
11B 第2バイアス電圧安定回路
12 リエントリ入力回路
13 制御回路
Claims (8)
- 高電位側電源と出力ノードとの間に直列に接続され、前記高電位側電源の側に接続される第1PMOSトランジスタと前記出力ノード側に接続される第2PMOSトランジスタと、
低電位側電源と前記出力ノードとの間に直列に接続され、前記低電位側電源の側に接続される第1NMOSトランジスタと前記出力ノード側に接続される第2NMOSトランジスタと、
前記第2PMOSトランジスタのゲート端子に接続される第1バイアスノードに第1バイアス電圧を出力し、前記第2NMOSトランジスタのゲート端子に接続される第2バイアスノードに第2バイアス電圧を出力するバイアス電圧生成回路と、
前記第1バイアスノードに接続され、前記第1バイアス電圧の変動を抑制する第1バイアス電圧安定回路と、
前記第2バイアスノードに接続され、前記第2バイアス電圧の変動を抑制する第2バイアス電圧安定回路と、
前記第1バイアス電圧および前記第2バイアス電圧を変動させる信号変化を検出して、前記第1バイアス電圧安定回路および前記第2バイアス電圧安定回路の動作を制御する制御回路と、を備えることを特徴とする出力回路。 - 前記第1バイアス電圧安定回路は、
前記高電位側電源から前記第1バイアスノードに電流を供給する第1電流源と、
前記第1バイアスノードから前記低電位側電源に電流をシンクする第2電流源と、
前記第1電流源を動作させる第1スイッチと、
前記第2電流源を動作させる第2スイッチと、を備え、
前記第2バイアス電圧安定回路は、
前記高電位側電源から前記第2バイアスノードに電流を供給する第3電流源と、
前記第2バイアスノードから前記低電位側電源に電流をシンクする第4電流源と、
前記第3電流源を動作させる第3スイッチと、
前記第4電流源を動作させる第4スイッチと、を備える、ことを特徴とする請求項1に記載の出力回路。 - 前記第1スイッチは、一端が前記高電位側電源に接続され、ゲートに前記制御回路からの第1制御信号が印加される第5PMOSトランジスタであり、
前記第1電流源は、前記第5PMOSトランジスタと前記第1バイアスノードとの間に接続され、ゲートに第1電圧が印加される第5NMOSトランジスタであり、
前記第2スイッチは、一端が前記低電位側電源に接続され、ゲートに前記制御回路からの第2制御信号が印加される第6NMOSトランジスタであり、
前記第2電流源は、前記第6PMOSトランジスタと前記第2バイアスノードとの間に接続され、ゲートに第2電圧が印加される第6NMOSトランジスタであり、
前記第3スイッチは、一端が前記高電位側電源に接続され、ゲートに前記制御回路からの第1制御信号が印加される第7PMOSトランジスタであり、
前記第3電流源は、前記第7PMOSトランジスタと前記第2バイアスノードとの間に接続され、ゲートに第3電圧が印加される第7NMOSトランジスタであり、
前記第4スイッチは、一端が前記低電位側電源に接続され、ゲートに前記制御回路からの第2制御信号が印加される第8NMOSトランジスタであり、
前記第4電流源は、前記第8PMOSトランジスタと前記第2バイアスノードとの間に接続され、ゲートに前記第1電圧が印加される第8NMOSトランジスタである、ことを特徴とする請求項2に記載の出力回路。 - 前記バイアス電圧生成回路は、
前記第1電圧(中心分電圧)、前記第3電圧(第1分電圧)および前記第2電圧(第2分電圧)を出力する分圧回路と、
前記高電位側電源と前記第1バイアスノードとの間に接続され、ゲートに前記第1電圧が印加される第3NMOSトランジスタおよび前記低電位側電源と前記第1バイアスノードとの間に接続され、ゲートに前記第2電圧が印加される第3PMOSトランジスタを有し、前記第1バイアスノードに前記第1バイアス電圧を出力する第1バイアス電圧出力回路と、
前記高電位側電源と前記第2バイアスノードとの間に接続され、ゲートに前記第3電圧が印加される第4NMOSトランジスタおよび前記低電位側電源と前記第2バイアスノードとの間に接続され、ゲートに前記第1電圧が印加される第4PMOSトランジスタを有し、前記第2バイアスノードに前記第2バイアス電圧を出力する第2バイアス電圧出力回路と、を備えることを特徴とする請求項3に記載の出力回路。 - 前記制御回路は、
前記出力ノードの電圧変動を検出して、高レベルシフト変動信号を生成する第1リエントリ入力信号回路と、
前記出力ノードの電圧変動を検出して、低レベルシフト変動信号を生成する第2リエントリ入力信号回路と、
前記高レベルシフト変動信号の変化エッジに対応するパルス状の前記第1制御信号を生成する第1制御部と、
前記低レベルシフト変動信号の変化エッジに対応するパルス状の前記第2制御信号を生成する第2制御部と、を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の出力回路。 - 前記第1リエントリ入力信号回路は、
降圧用PMOSトランジスタと、
前記高電位側電源電圧と、前記高電位側電源電圧と前記低電位側電源電圧の中間電圧との間の電源電圧で動作し、閾値電圧が高く設定されたインバータと、を備え、
前記第2リエントリ入力信号回路は、
降圧用NMOSトランジスタと、
前記中間電圧と、前記低電位側電源電圧との間の電源電圧で動作し、閾値電圧が低く設定されたインバータと、を備えることを特徴とする請求項5に記載の出力回路。 - 前記制御回路は、
前記第1PMOSトランジスタのゲートに印加される高レベルシフト出力信号の変化エッジに対応するパルス状の前記第1制御信号を生成する第1制御部と、
前記第1NMOSトランジスタのゲートに印加される低レベルシフト出力信号の変化エッジに対応するパルス状の前記第2制御信号を生成する第2制御部と、を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の出力回路。 - カスコード接続した2個のPMOSトランジスタおよび2個のNMOSトランジスタのうちの1個のPMOSトランジスタのゲートに第1バイアス電圧を印加し、1個のNMOSトランジスタのゲートに第2バイアス電圧を印加し、他の1個のPMOSトランジスタおよび1個のNMOSトランジスタのゲートに出力信号を印加して、トランジスタの耐圧以上の振幅の信号を出力する電圧信号出力方法であって、
前記第1バイアス電圧および前記第2バイアス電圧を変動させる信号変化を検出して、第1制御信号および第2制御信号を生成し、
前記第1バイアス電圧を供給する第1バイアスノードおよび前記第2バイアス電圧を供給する第2バイアスノードと、高電位側電源および低電位側電源との間のインピーダンスを低下させる第1バイアス電圧安定回路および第2バイアス電圧安定回路を、前記第1制御信号および前記第2制御信号に応じて一時的にアクティブにする、ことを特徴とする電圧信号出力方法。
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