JP2014208585A - シリカ粒子、シリカ粒子の製造方法、及び、表面改質シリカ粒子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
きる製造方法を提供することを解決すべき課題とする。
【解決手段】ウラン及びトリウムの含有量がそれぞれ1.0ppb以下、ナトリウム及び
カリウムの含有量がそれぞれ500ppm以下、体積平均粒径が2nm〜200nmであ
り、真密度が2.1g/cm3以上である。アルコキシドから製造されたシリカ粒子はα
線源の量や、粒径については満足できるものが製造できるものの、吸湿性が十分でないこ
とが明らかになった。水ガラスから製造したシリカ粒子はウランなどのα線源が除去され
ておらずα線の発生は避けられなかった。本願発明では純度が高い金属ケイ素をアルカリ
溶液に溶解させて水性シリカゾルを製造した。
【選択図】なし
Description
に関し、詳しくはナノメートルオーダーのシリカ粒子、シリカ粒子の製造方法、及び、表
面改質シリカ粒子の製造方法に関する。
。樹脂中にシリカ粒子を含有・分散させることにより樹脂組成物に対して耐熱性を向上し
たり、物理的強度を向上したりできる。
セスを微細化することにより体積効率の向上、消費電力の低減、動作速度の向上などの性
能向上が期待できる。
を確保する必要がある。そうすることにより半導体素子の耐久性を向上することができる
。例えば、半導体素子を保護するために樹脂組成物にて封止することなどが行われるが、
その樹脂組成物の熱的特性、機械的特性が半導体素子の耐久性に直接影響することになる
。
することがあるが、半導体素子を製造するプロセスの微細化に伴い、樹脂組成物に分散す
るシリカ粒子の粒径も小さくすることが求められている。例えば数nm〜十数nmのオー
ダーのプロセスで加工された半導体素子に対しては、同様に数nm〜数十nmの粒径をも
つシリカ粒子を採用することが求められる。
ラスを原料として製造する方法(特許文献1)や、シリカ前駆体としてのアルコキシドを
原料にするものなどが知られている。
きくなっている。例えば半導体素子としてメモリ素子を例に挙げると、メモリ素子は電荷
の蓄積の有無により記憶するデータの種類を保持するが、微細化によって、蓄積される電
荷の大きさも小さくなって、外部から照射されるα線によって変化する程度の電荷によっ
てデータの種類が変化していまい、結果、予期しないデータの変化が生じてしまう。また
、半導体素子に流れる電流の大きさも小さくなるため、α線により生じる電流(ノイズ)
が信号の大きさと比べても相対的に大きくなってしまい誤動作が危惧される。そのために
、半導体素子を封止する樹脂組成物についてもα線生成量が少ないことが求められる。
素などの精製が容易なケイ素化合物を製造し、その後、高純度のケイ素化合物からシリカ
粒子を製造する方法が採用されていた。例えば金属ケイ素を酸化してシリカ粒子を得る方
法からはサブマイクロメートルからマイクロメートルオーダーのシリカ粒子を好適に得る
ことが可能になり、アルコキシドを経由した方法からはナノメートルから数十ナノメート
ルオーダーのものが好適に得られた。
分散させた後の特性を評価した。その結果、高い純度をもちナノメートルオーダーのシリ
カ粒子については物理的特性が充分でない場合があることを見出した。
高い物理的特性をもつシリカ粒子及び表面改質シリカ粒子を製造できる製造方法を提供す
ることを解決すべき課題とする。
ウラン及びトリウムの含有量がそれぞれ1.0ppb以下、
ナトリウム及びカリウムの含有量がそれぞれ500ppm以下、
体積平均粒径が2nm〜200nmであり、
真密度が2.1g/cm3以上である。
小さくしたり、ウランやトリウムなどの不純物の濃度を低減したシリカ粒子を得ようとす
ると、金属ケイ素に対して純度を高くした後、その純度が高い金属ケイ素からアルコキシ
ドを生成することにより純度が高いシリカを得る方法、金属ケイ素から四塩化ケイ素など
の精製操作が容易なケイ素化合物を生成し、生成したケイ素化合物の純度を向上すること
により、ウランなどのα線源の量を低くした後にシリカを得る方法により、純度が高いシ
リカ粒子を製造していた。
や、粒径については満足できるものが製造できるものの、吸水性が十分でないことが明ら
かになった。吸水性が高いと、雰囲気中の水分を吸い、樹脂などに分散させたときの安定
性が充分で無いことがあった。とはいっても、水ガラスから製造したシリカ粒子はウラン
などのα線源が除去されておらずα線の発生は避けられなかった。ここで、水ガラスの状
態でナトリウムなどのイオン性物質や、ウランなどのα線源を除去することは困難であっ
たため、天然に存在するシリカから水ガラスを製造してシリカ粒子を製造する場合には純
度が高いシリカ粒子を得ることは困難であった。
シリカ粒子までは要求されても、更に吸水性が低いシリカ粒子まで得ようとする要求は存
在せず、これらの性質を両立させることは行われてはいなかった。
からケイ酸またはケイ酸塩を経由してシリカ粒子を製造することにより高い純度と低い吸
湿性とが両立された高い物理的特性が実現できることを見出し本願発明を完成した。
m以下である、及び/又は(3)ウラン及びトリウムの含有量が0.5ppb以下である
との性質を持つことが望ましい。
(4)上記課題を解決する本発明のシリカ粒子の製造方法は、(1)〜(3)のうちの何
れかに記載のシリカ粒子を製造する方法であって、
金属ケイ素及びケイ素化合物の何れかであるケイ素含有物を5質量%以上残してアルカ
リ溶液に溶解させてアルカリ性ケイ酸塩溶液を製造するアルカリ性ケイ酸塩溶液製造工程
と、得られたアルカリ性ケイ酸塩溶液から水性シリカゾルを形成する水性シリカゾル形成
工程とを有する。
水ガラスに相当する溶液を得るのであるが、アルカリ溶液にケイ素含有物をすべて溶解さ
せるのではなく途中で中断することにより溶解していないケイ素含有物に不純物を濃縮さ
せ、製造したナノシリカに含まれるウランやトリウムの含有量を低減することができる。
ることが出来る。
(5)ケイ素含有物として金属ケイ素を採用すること。金属ケイ素は精製が容易であるか
らである。
(6)前記アルカリ溶液は揮発性のアルカリ性物質を主成分とする。揮発性のアルカリ性
物質(例えばアンモニア)を採用すると、その後のアルカリ性物質の除去が容易になり、
最終的に製造されるシリカ粒子中に残存するアルカリ性物質を低減できる。
(7)上記課題を解決する本発明の表面改質シリカ粒子の製造方法は、上述のシリカ粒子
の製造方法において、前記水性シリカゾルに対して、シランカップリング剤およびオルガ
ノシラザンによって表面処理する表面処理工程を持ち、
該シランカップリング剤は、3つのアルコキシ基と、フェニル基、ビニル基、エポキシ
基、メタクリル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、イソシアネート基、又はアク
リル基と、を持ち、
該シランカップリング剤と該オルガノシラザンとのモル比は、該シランカップリング剤
:該オルガノシラザン=1:2〜1:10である。
(8)前記表面処理工程は、前記シリカ粒子を前記シランカップリング剤で処理する第1
の処理工程と、
前記シリカ粒子を前記オルガノシラザンで処理する第2の処理工程と、を持ち、
該第2の処理工程は、該第1の処理工程後に行う。
、高い機械的特性が求められる用途(半導体封止用樹脂組成物など)に適用するのに好適
なものになっている。
方法について実施形態に基づき以下詳細に説明を行う。
本実施形態のシリカ粒子は真密度が2.1g/cm3以上であり、望ましくは2.2g
/cm3以上である。本明細書における真密度の測定は、40℃、相対湿度80%の雰囲
気下に72時間静置した後、真比重計(真密度計)を用いて算出した。また、吸湿性はカ
ールフィッシャー水分量測定、熱重量測定から求めた。測定前には単位表面積当たり4μm
olになるようにヘキサメチルジシラザンを用いて表面処理を行う。
/cm3かそれ以下であり、9%程度の吸湿性の値を示し、明確に識別できる。シランを
経由して製造されたシリカ粒子は結晶構造が密で無いために吸湿性が高いことが推認され
る。ここで、後に説明する本実施形態のシリカ粒子の製造方法により製造しうるものも本
実施形態のシリカ粒子の1つである。
且つ、ナトリウム及びカリウムの含有量がそれぞれ500ppm以下である。ウラン及び
トリウムの含有量はそれぞれ0.5ppb以下であることが望ましい。また、ナトリウム
及びカリウムの含有量がそれぞれ250ppm以下であることが望ましい。つまり、α線
の発生量とイオン性物質の存在量が制限されていることを意味する。このような範囲は特
に純度の向上を行わない場合には到底達成し得ない値である。
粒径の測定はレーザ散乱法にて測定したものである。望ましい体積平均粒径の下限として
5nm、3nm、2nmが採用できる。望ましい体積平均粒径の上限として100nm
、 150nm、200nmが採用できる。
本実施形態のシリカ粒子の製造方法は上述した本実施形態のシリカ粒子を製造する方法
である。本製造方法はアルカリ性ケイ酸塩溶液製造工程と水性シリカゾル形成工程とを有
する。
性ケイ酸塩溶液を製造する工程である。ケイ素含有物は溶解前の全体の質量を基準として
5%以上残して溶解させる。5%以上残るように制御する方法としては溶解温度、溶解時
間、アルカリ溶液の量などを制御することで実現できる。ケイ素含有物は金属ケイ素及び
ケイ素化合物の何れかである。アルカリ溶液としてはアルカリ性物質の水溶液であること
が望ましい。アルカリ性物質としては揮発性の化合物を用いる(特に主成分とすることが
望ましい。)ことが望ましい。例えばアンモニア、第一級アミン、第二級アミン、第三級
アミン、やナトリウム、カリウム、リチウム、アンモニウムからなる無機塩基化合物及び
無機塩の中から選択される1以上の化合物である。アルカリ溶液のアルカリ性物質として
アンモニアを採用し、ケイ素含有物として金属ケイ素を採用する場合には、最終的に製造
するシリカの質量を基準として3〜15%程度の濃度になるようにすることが望ましい。
また、0.5%〜2.0%程度のアンモニアを加えることが望ましい。
カを形成した後に溶解させることができる。特に非晶質のシリカを用いた方が溶解性が向
上できる。また、結晶性のシリカであっても、溶解性を向上することを目的としてアモル
ファス化して溶解性を向上して用いることができる。
る方法が採用できる。VMC法は比表面積が大きい(粒子状)であり且つアモルファス状
のシリカを得ることができる。VMC法は、酸素を含む雰囲気中でバーナーにより化学炎
を形成し、この化学炎中に金属ケイ素粉末を粉塵雲が形成される程度の量投入し、爆燃を
起こして球状の酸化物粒子を得る方法である。アルミニウムの含有量について調製を行う
場合には前述の精製工程においてケイ素含有物に対してアルミニウムの含有量を制御する
か、本工程においてアルカリ性ケイ酸塩溶液中のアルミニウムの含有量を調整することに
より行う。
を採用することができる。精製工程は常法を採用することが出来る。特に精製工程は金属
ケイ素におけるα線源(ウラン、トリウム)の量を低減することに特に有効な工程である
。精製の方法は特に限定されない。例えば、精製が容易なケイ素化合物を経由して行う方
法、ゾーンメルティング法、単結晶を析出させる方法などが挙げられる。また、これらの
方法を複数回行ったり、組み合わせたりすることもできる。
含む)から水性シリカゾルを形成する工程である。アルカリ性ケイ酸塩溶液に対して酸を
添加することによりコロイドシリカが生成する。例えばpHは2〜9が好ましい。特にp
H4〜7が好ましい。このpH4〜7のシリカゾルは、アルカリ性ケイ酸塩溶液を陽イオ
ン交換樹脂又は陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂で処理し、pH2〜5の酸性シリカ
ゾルを製造した後、アルカリ金属水酸化物水溶液、アンモニア水、アミン、第4級アンモ
ニウム水酸化物水溶液などの塩基を添加し、pHを4〜7に調整することにより製造出来
る。このゾルは製造後直ちに用いることが好ましい。
〜50質量%が好ましい。そして生成したコロイダルシリカの粒子径は、BET法による
比表面積又はシアーズ法による比表面積からの換算粒子径で4〜30nmにすることが例
示できる。シアーズ法は、アナレティカル・ケミストリー(ANALYTICAL CH
EMISTRY)第28巻第12号(1956年12月)第1981頁に説明されている
様に、水酸化ナトリウムを用いた滴定による比表面積から換算される粒子径の測定方法で
ある。
酸塩を添加するアルミン酸添加工程を有することが出来る。アルミン酸を添加することに
より水分散品としての安定性が向上する。アルミン酸及び/又はアルミン酸塩の添加はア
ルカリ溶液(アルミン酸アルカリ水溶液)を添加することで行うことができる。使用する
アルミン酸塩としてはアルミン酸ナトリウム、アルミン酸カリウム、アルミン酸第4級ア
ンモニウム、アルミン酸グアニジンなどの水溶液を用いることが出来るが、工業薬品とし
て市販されているアルミン酸ナトリウム水溶液が特に好ましい。アルミン酸ナトリウム水
溶液のNa2 O/Al2 O3 モル比は1.2〜2.0が好ましい。
〜80℃、好ましくは5〜60℃で行なうことが出来る。攪拌はサタケ式、ファウドラー
式、ディスパー型攪拌機、ホモミキサーなどにより行なうことが出来るが、攪拌速度は強
い方が好ましい。添加するアルミン酸アルカリ水溶液はAl2O3 濃度0.5〜10重量
%で用いるのが好ましい。アルミン酸アルカリ水溶液の添加時間は長くても差しつかえな
いが、通常10分以内がよい。
)の添加量は、添加後のシリカゾルのAl2O3 /SiO2 モル比で0.0006を越え
るが、0.004以下が好ましい。特に0.0008を越えるが、0.004以下が好ま
しい。得られるシリカゾルはpHが5〜11であり、6〜10が好ましい。
℃、特に100〜200℃が好ましい。加熱時間は0.5〜20時間が好ましい。この加
熱にはSUS製やガラス製の装置及び加圧装置を使用することが出来る。
との接触を行うことが可能であり、その時の温度は0〜60℃で使用できるが、特に5〜
50℃が好ましい。陽イオン交換樹脂としては水素型強酸性陽イオン交換樹脂が好ましく
、市販の工業製品として容易に入手される。その例としては商品名アンバーライトIR−
120Bが挙げられる。陰イオン交換樹脂としては水酸基型強塩基性陰イオン交換樹脂が
好ましく、市販の工業製品として容易に入手される。その例としては商品名アンバーライ
トIRA−410が挙げられる。
リカゾルを通液させることにより好ましく行なうことが出来、シリカゾルのカラムを通過
させる速度は1時間当りの空間速度1〜10程度が好ましい。シリカゾルと陽イオン交換
樹脂及び陰イオン交換樹脂との接触においては、はじめに陽イオン交換樹脂と接触し、次
いで陰イオン交換樹脂と接触するのが好ましく、このシリカゾルを再び陽イオン交換樹脂
と接触させると更に好ましい。
2 濃度で通液することが出来るが、希釈して通液した場合や、得られたシリカゾルのSi
O2 濃度が低下した場合には、蒸発法や微細多孔性膜を用いる方法などの方法で濃縮する
ことによりSiO2 濃度を高めることが出来る。イオン交換樹脂への接触により得られた
酸性シリカゾルのpHは2〜5である。
表面処理工程は、上述の方法にて得られたシリカ粒子に対して、式(1):−OSiX
1X2X3で表される官能基と、式(2):−OSiY1Y2Y3で表される官能基とが
表面に結合した表面改質シリカ粒子を得る工程である。以下、式(1)で表される官能基
を第1の官能基と呼び、式(2)で表される官能基を第2の官能基と呼ぶ。
ミノ基、ウレイド基、メルカプト基、イソシアネート基、又はアクリル基である。X2、
X3は、それぞれ、−OSiR3又は−OSiY4Y5Y6である。Y4はRである。Y
5、Y6は、それぞれ、R又は−OSiR3である。
OSiY4Y5Y6である。
子の表面にRを多く持つ。第1の官能基および第2の官能基に含まれるR(炭素数1〜3
のアルキル基)が多い程、本発明の表面改質シリカ粒子は凝集し難い。
数が最小となる。また、X2およびX3がそれぞれ−OSiY4Y5Y6であり、かつ、
Y5、Y6がそれぞれ−OSiR3である場合に、Rの数が最大となる。
数が最小となる。また、Y2およびY3がそれぞれ−OSiY4Y5Y6であり、かつ、
Y5、Y6がそれぞれ−OSiR3である場合に、Rの数が最大となる。
まれるRの数は、RとX1との存在数比や、表面改質シリカ粒子の粒径や用途に応じて適
宜設定すれば良い。
X3、Y2、Y3、Y5、及びY6の何れかと−O−にて結合しても良い。例えば、第1
の官能基のX2、X3、Y5、及びY6の何れかが、この第1の官能基に隣接する第1の
官能基のX2、X3、Y5、及びY6の何れかと−O−にて結合していても良い。同様に
、第2の官能基のY2、Y3、Y5、及びY6の何れかが、この第2の官能基に隣接する
第2の官能基のY2、Y3、Y5、及びY6の何れかと−O−にて結合していても良い。
さらには、第1の官能基のX2、X3、Y5、及びY6の何れかが、この第1の官能基に
隣接する第2の官能基のY2、Y3、Y5、及びY6の何れかと−O−にて結合していて
も良い。
:12〜1:60であれば、表面改質シリカ粒子の表面にX1とRとがバランス良く存在
する。このため、第1の官能基と第2の官能基との存在数比が1:12〜1:60である
表面改質シリカ粒子は、樹脂に対する親和性および凝集抑制効果に特に優れる。また、X
1が表面改質シリカ粒子の単位表面積(nm2)あたり0.5〜2.5個であれば、表面
改質シリカ粒子の表面に充分な数の第1の官能基が結合し、第1の官能基および第2の官
能基に由来するRもまた充分な数存在する。したがってこの場合にも、樹脂に対する親和
性および表面改質シリカ粒子の凝集抑制効果が充分に発揮される。
0個であるのが好ましい。この場合には、表面改質シリカ粒子の表面に存在するX1の数
とRの数とのバランスが良くなり、樹脂に対する親和性および表面改質シリカ粒子の凝集
抑制効果との両方がバランス良く発揮される。
部が第1の官能基または第2の官能基で置換されているのが好ましい。第1の官能基と第
2の官能基との和が、表面改質シリカ粒子の単位表面積(nm2)あたり2.0個以上で
あれば、本発明の表面改質シリカ粒子において、シリカ粒子の表面に存在していた水酸基
のほぼ全部が第1の官能基または第2の官能基で置換されているといえる。
って確認できる。詳しくは、本発明の表面改質シリカ粒子の赤外線吸収スペクトルを固体
拡散反射法で測定すると、2962±2cm−1にC−H伸縮振動の極大吸収がある。
ことによって再度分散可能である。詳しくは、本発明の表面改質シリカ粒子をメチルエチ
ルケトンに分散させたものに、発振周波数39kHz、出力500Wの超音波を照射する
ことで、本発明の表面改質シリカ粒子を実質的に一次粒子にまで分散できる。このときの
超音波照射時間は10分間以下で良い。本発明の表面改質シリカ粒子が一次粒子にまで分
散したか否かは、粒度分布を測定することで確認できる。詳しくは、この表面改質シリカ
粒子のメチルエチルケトン分散材料をマイクロトラック装置等の粒度分布測定装置で測定
し、表面改質シリカ粒子の粒度分布があれば、本発明の表面改質シリカ粒子が一次粒子に
まで分散したといえる。
されていない表面改質シリカ粒子として提供できる。この場合、液状媒体の持ち込みがな
いために、樹脂材料用のフィラーとして好ましく用いられる。
ため、本発明の表面改質シリカ粒子は、電子部品用の表面改質シリカ粒子に適用できる。
グ剤およびオルガノシラザンによってシリカ粒子を表面処理する工程(表面処理工程)を
持つ。シランカップリング剤は、3つのアルコキシ基と、フェニル基、ビニル基、エポキ
シ基、メタクリル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、イソシアネート基、又はア
クリル基(すなわち上記のX1)とを持つ。
ランカップリング剤に由来する官能基で置換される。シランカップリング剤に由来する官
能基は式(3);−OSiX1X4X5で表される。式(3)で表される官能基を第3の
官能基と呼ぶ。第3の官能基におけるX1は式(1)で表される官能基におけるX1と同
じである。X4、X5は、それぞれ、アルキコキシ基である。オルガノシラザンで表面処
理することで、第3の官能基のX4、X5がオルガノシラザンに由来する−OSiY1Y
2Y3(式(2)で表される官能基、第2の官能基)で置換される。シリカ粒子の表面に
存在する水酸基の全てが第3の官能基で置換されていない場合には、シリカ粒子の表面に
残存する水酸基が第2の官能基で置換される。このため、表面処理された表面改質シリカ
粒子の表面には、式(1):−OSiX1X2X3で表される官能基(すなわち第1の官
能基)と、式(2):−OSiY1Y2Y3で表される官能基と(すなわち第2の官能基
)が結合する。なお、シランカップリング剤とオルガノシラザンとのモル比は、シランカ
ップリング剤:オルガノシラザン=1:2〜1:10であるため、得られた表面改質シリ
カ粒子における第1の官能基と第2の官能基との存在数比は理論上1:12〜1:60と
なる。
同時に表面処理しても良い。または、先ずシリカ粒子をシランカップリング剤で表面処理
し、次いでオルガノシラザンで表面処理しても良い。または、先ずシリカ粒子をオルガノ
シラザンで表面処理し、次いでシランカップリング剤で表面処理し、さらにその後にオル
ガノシラザンで表面処理しても良い。何れの場合にも、シリカ粒子の表面に存在する水酸
基全てが第2の官能基で置換されないように、オルガノシラザンの量を調整すれば良い。
なお、シリカ粒子の表面に存在する水酸基は、全てが第3の官能基で置換されても良いし
、一部のみが第3の官能基で置換され、他の部分が第2の官能基で置換されても良い。第
3の官能基に含まれるX4、X5は、全て第2の官能基で置換されるのが良い。
第2のシランカップリング剤としては、3つのアルコキシ基と、1つのアルキル基とを持
つものを用いることができる。この場合には、第3の官能基に含まれるX4、X5が、第
2のシランカップリング剤に由来する第4の官能基で置換される。第4の官能基は式(4
);−OSiY1X6X7で表される。Y1は第2の官能基におけるY1と同じRであり
、X6、X7はそれぞれアルコキシ基または水酸基である。第4の官能基に含まれるX6
、X7は、オルガノシラザンに由来する第2の官能基で置換されるか、または、別の第4
の官能基で置換される。この場合には、表面改質シリカ粒子の表面に存在するRの量をさ
らに多くする事ができる。なお、オルガノシラザンの一部を、第2のシランカップリング
剤に置き換える場合、第2のシランカップリング剤で表面処理した後に、再度オルガノシ
ラザンで表面処理する必要がある。第4の官能基に含まれるX6、X7を、最終的にはオ
ルガノシラザンに由来する第2の官能基で置換するためである。
1の官能基に含まれるX4、X5は、オルガノシラザンに由来する第2の官能基で置換さ
れるか、第2のシランカップリング剤に由来する第4の官能基で置換される。X4、X5
が第4の官能基で置換された場合、第4の官能基に含まれるX6、X7は、第2の官能基
で置換されるか、別の第4の官能基によって置換される。第4の官能基に含まれるX6、
X7が別の第4の官能基によって置換された場合、第4の官能基に含まれるX6、X7は
、第2の官能基で置換される。このため第2のシランカップリング剤は、第1のカップリ
ング剤及びオルガノシラザンのみで表面処理する場合(オルガノシラザンを第2のシラン
カップリング剤で置き換えなかった場合)に設定されるオルガノシラザンの量(a)mo
lに対して、最大限5a/3mol置き換えることができる。この場合に必要になるオル
ガノシラザンの量は、8a/3molである。
ないが、比較的炭素数の小さなものが好ましく、炭素数1〜12であることが好ましい。
アルコキシ基の加水分解性を考慮すると、アルコキシ基はメトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、ブトキシ基の何れかであることがより好ましい。
メトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)
エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシ
ドキシプロピルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリロ
キシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3
−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメ
トキシシランが挙げられる。
ング剤に由来するアルコキシ基を、上述した第2の官能基で置換できるものであれば良い
が、分子量の小さなものを用いるのが好ましい。具体的には、テトラメチルジシラザン、
ヘキサメチルジシラザン、ペンタメチルジシラザン等が挙げられる。
シシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシ
ルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン等が挙げられる。
グ剤の重合を抑制するため、重合禁止剤を加えても良い。重合禁止剤としては、3,5−
ジブチル−4−ヒドロキシトルエン(BHT)、p−メトキシフェノール(メトキノン)
等の一般的なものを用いることができる。
い。固形化工程は、表面処理後の表面改質シリカ粒子を鉱酸で沈殿させ、沈殿物を水で洗
浄・乾燥して、表面改質シリカ粒子の固形物を得る工程である。上述したように、一般的
なシリカ粒子は非常に凝集し易いため、一旦固形化したシリカ粒子を再度分散するのは非
常に困難である。しかし、本発明の表面改質シリカ粒子は凝集し難いため、固形化しても
凝集し難く、また、例え凝集しても再分散し易い。なお、上述したように、表面改質シリ
カ粒子を水で洗浄することで、電子部品等の用途に用いられる表面改質シリカ粒子を容易
に製造できる。なお、洗浄工程においては、表面改質シリカ粒子の抽出水(詳しくは、シ
リカ粒子を121℃で24時間浸漬した水)の電気伝導度が50μS/cm以下となるま
で、洗浄を繰り返すのが好ましい。
が望ましい。鉱酸はそのまま用いても良いが、鉱酸水溶液として用いるのが好ましい。鉱
酸水溶液における鉱酸の濃度は0.1質量%以上が望ましく、0.5質量%以上が更に望
ましい。鉱酸水溶液の量は、洗浄対象である表面改質シリカ粒子の質量を基準として6〜
12倍程度にすることができる。
改質シリカ粒子を鉱酸水溶液に浸漬後、撹拌することが望ましい。また、浸漬した状態で
1時間から24時間、更には72時間程度放置することができる。放置する際には撹拌を
継続することもできるし、撹拌しないこともできる。鉱酸含有液中にて洗浄する際には常
温以上に加熱することもできる。
する水はアルカリ金属などのイオンを含まない(例えば質量基準で1ppm以下)ことが
望ましい。例えば、イオン交換水、蒸留水、純水などである。水による洗浄は鉱酸水溶液
による洗浄と同じく、表面改質シリカ粒子を分散、懸濁させた後、ろ過することもできる
し、ろ取した表面改質シリカ粒子に対して水を継続的に通過させることによっても可能で
ある。水による洗浄の終了時期は、上述した抽出水の電気伝導度で判断しても良いし、表
面改質シリカ粒子を洗浄した後の排水中のアルカリ金属濃度が1ppm以下になった時点
としても良いし、抽出水のアルカリ金属濃度が5ppm以下になった時点としても良い。
なお、水で洗浄する際には常温以上に加熱することもできる。
真空)下に放置する等である。
子に対して、水よりも沸点が高い水系有機溶媒を添加後、その水系有機溶媒に溶解可能な
混合材料を混合し、水を除去する方法を用いることができる。水系有機溶媒としてはプロ
ピレングリコールモノメチルエーテル(プロピレングリコール−1−メチルエーテル、沸
点119℃程度;プロピレングリコール−2−メチルエーテル、沸点130℃程度)、ブ
タノール(沸点117.7℃)、N−メチル−2−ピロリドン(沸点204℃程度)、γ
−ブチロラクトン(沸点204℃程度)などが例示できる。
び水よりも高いので、最終的に表面改質シリカ粒子と共に残存することになる。混合材料
はそのまま、又は、反応することで高分子にすることもできる。混合材料は、表面改質シ
リカ粒子を分散するマトリクスを形成することもできる。混合材料は、含水した表面改質
シリカ粒子に対して水系有機溶媒を添加した状態で、分散乃至溶解できる化合物である。
混合材料は高分子であっても低分子であっても良い。混合材料は、エポキシ基、オキセタ
ン基、水酸基、ブロックされたイソシアネート基、アミノ基、ハーフエステル基、アミッ
ク基、カルボキシ基、及び炭素-炭素二重結合基を化学構造中に有することが望ましい。
これらの官能基は好適な反応条件を設定することで互いに結合可能な官能基(重合性官能
基)であり、混合材料の分子量を向上できる。好適な反応条件としては単純に加熱や光照
射を行ったり、熱や光照射によりラジカルやイオン(アニオン、カチオン)などの反応性
種を生成したり、それらの官能基間を結合する反応開始剤(重合開始剤)を添加して加熱
や光照射を行うことなどである。重合反応に際して必要な化合物を硬化剤として添加した
り、その反応に対する触媒を添加することもできる。
能基により修飾した高分子材料が好ましいものとして挙げられる。例えば、硬化前の、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などのプレポリマーが好適である。
合乃至分散した状態とすることができる。
本実施形態のフィラー含有組成物は上述の表面改質シリカ粒子と樹脂材料(及び/又は
樹脂材料前駆体、以下「樹脂材料等」と記載する)とを混合したものである。表面改質シ
リカ粒子と樹脂材料等との混合比は特に限定しないが、表面改質シリカ粒子の量が多い方
が熱的安定性に優れたものになる。
属材料の含有量、Na、Kなどのイオン性物質の量などを好適に制御することが容易なた
め水による抽出物により電気伝導性を示すことがなくなり電子機器に好適に用いることが
できる。
剤との混合物である。硬化剤は硬化直前に混合しても良い。樹脂材料等としてはその種類
は特に限定しない。例えば、エポキシ基、オキセタン基、水酸基、ブロックされたイソシ
アネート基、アミノ基、ハーフエステル基、アミック基、カルボキシ基及び炭素-炭素二
重結合基を化学構造中に有することが望ましい。これらの官能基は好適な反応条件を設定
することで互いに結合可能な官能基(重合性官能基)であり、適正な反応条件を選択する
ことにより樹脂材料等を硬化させることができる。硬化させるための好適な反応条件とし
ては単純に加熱や光照射を行ったり、熱や光照射によりラジカルやイオン(アニオン、カ
チオン)などの反応性種を生成したり、それらの官能基間を結合する反応開始剤(重合開
始剤)を添加して加熱や光照射を行うことなどである。重合反応に際して必要な化合物を
硬化剤として添加したり、その反応に対する触媒を添加することもできる。
官能基により修飾した高分子材料が好ましいものとして挙げられる。例えば、硬化前の、
エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などのプレポリマーが好適である。特に熱的
安定性の高いものにする場合にはエポキシ樹脂を主体として組成物を構成することが望ま
しい。
トリウムが70ppb、ウランが30ppb、ナトリウムが10ppm、アルミニウム
が500ppm、カリウムが50ppm、鉄が100ppmである金属ケイ素100質量部
、イオン交換水2000質量部、5%水酸化ナトリウム水溶液5質量部の混合溶液を加熱攪拌した(アルカリ性ケイ酸塩溶液製造工程及び水性シリカゾル形成工程)。
部であった。溶解した金属ケイ素は水性シリカゾルとなった。得られた水性シリカゾルは
トリウムが0.2ppb、ウランが0.1ppb、ナトリウムが10ppm、アルミニウ
ムが20ppm、カリウム及び鉄が1ppm未満(検出限界以下)、体積平均粒径が5n
mであった。得られた水性シリカゾルのSEM写真を図1〜3に示す。
130ppm、アルミニウムが3600ppm、カリウムが300ppm、鉄が600p
pmであった。真比重は2.2g/cm3であり、吸湿性2%だった。
が分かった。
水酸化ナトリウム水溶液に代えて5%アンモニア水溶液を用いた以外は試験例1と同様
の試験を行った。
水酸化ナトリウム水溶液に代えて5%水酸化カリウム水溶液を用いた以外は試験例1と
同様の試験を行った。
水酸化ナトリウム水溶液に加えて5%アンモニア水溶液を用いた以外は試験例1と同様
の試験を行った。
金属ケイ素のトリウム及びウランのそれぞれの含有量を1.0ppb以下にした以外は
試験例1と同様の試験を行った。
金属ケイ素のトリウム及びウランのそれぞれの含有量を1.0ppb以下にした以外は
試験例2と同様の試験を行った。
金属ケイ素のトリウム及びウランのそれぞれの含有量を1.0ppb以下にした以外は
試験例3と同様の試験を行った。
金属ケイ素のトリウム及びウランのそれぞれの含有量を1.0ppb以下にした以外は
試験例4と同様の試験を行った。
原料に試験例1で得られた水性シリカゾル(体積平均粒径5nm)を10質量部添加し
た以外は試験例1と同様の試験を行った。
原料に試験例9で得られた水性シリカゾル(体積平均粒径10nm)を10質量部添加
した以外は試験例1と同様の試験を行った。
金属ケイ素を反応開始後、2時間おきに3分の1ずつ添加した以外は試験例4と同様の
試験を行った。
水酸化ナトリウム水溶液の量を100質量部にした以外は試験例1と同様の試験を行っ
た。
水酸化ナトリウム水溶液に代えて5%水酸化カリウム水溶液を用いた以外は試験例12
と同様の試験を行った。
金属ケイ素のトリウム及びウランのそれぞれの含有量を1000ppb以上にした以外
は試験例1と同様の試験を行った。
テトラメチルオルトシリケート100質量部、純水1200質量部を混合して第1液を
得た。1%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド1質量部、純水1800質量部を混合
して第2液とした。第2液を加熱撹拌しながら第1液を一定速度で添加した。
試験例9で得られた水性シリカゾル100重量部と1%アルミン酸ナトリウム水溶液2重量部
を混合し、80℃、72h加熱した。得られた水性シリカゾルに含まれるアルミニウムは
反応前後で1ppm未満から1200ppmへ増加していた。
各試験例にて得られたシリカ粒子について表1に示す。U、Th、Na、Kの量はIC
P−MSにて測定した。粒子径はBET比表面積から算出した。また、試験例1及び試験
例15について熱重量分析(加熱速度:5℃/分)の結果を図4に示した。
下になった。なお、原料のウラン及びトリウム濃度が1000ppbを超えていても得ら
れた水性シリカゾル中のウラン濃度は10ppb、トリウム濃度は1ppbであり、十分
効果的なウラン及びトリウム除去が可能であった。
した試験例12、Kを大量に添加した試験例13以外では両者共に低い値を示した。従っ
て、NaやKの量を必要な程度にまで低くすることにより目標とするNa、Kの濃度を実
現することが可能であることが分かった。
であった(試験例9、10)。両者の結果から添加した水性シリカゾルの粒径に応じて得
られる水性シリカゾルの粒径も変化することが分かった。なお、アルコキシド法よりも小
さな粒径をもつ水性シリカゾルが得られた。また、アルコキシド法にて得られた試験例1
4の水性シリカゾルは吸湿性が9%である、その他の水性シリカゾルよりも大きな吸水性
を示した。
の濃度より低くなった。
Claims (8)
- ウラン及びトリウムの含有量がそれぞれ1.0ppb以下、
ナトリウム及びカリウムの含有量がそれぞれ500ppm以下、
体積平均粒径が2nm〜200nmであり、
真密度が2.1g/cm3以上であるシリカ粒子。 - ナトリウム及びカリウムの含有量が250ppm以下である請求項1に記載のシリカ粒
子。 - ウラン及びトリウムの含有量が0.5ppb以下である請求項2に記載のシリカ粒子。
- 請求項1〜3のうちの何れか1項に記載のシリカ粒子を製造する方法であって、
金属ケイ素及びケイ素化合物の何れかであるケイ素含有物を5質量%以上残してアルカ
リ溶液に溶解させてアルカリ性ケイ酸塩溶液を製造するアルカリ性ケイ酸塩溶液製造工程
と、得られたアルカリ性ケイ酸塩溶液から水性シリカゾルを形成する水性シリカゾル形成
工程を有することを特徴とするシリカ粒子の製造方法。 - 前記ケイ素含有物は金属ケイ素である請求項4に記載のシリカ粒子の製造方法。
- 前記アルカリ溶液は揮発性のアルカリ性物質を主成分とする請求項4又は5に記載のシ
リカ粒子の製造方法。 - 請求項4〜6の何れか1項に記載のシリカ粒子の製造方法において、
前記水性シリカゾルに対して、シランカップリング剤およびオルガノシラザンによって
表面処理する表面処理工程を持ち、
該シランカップリング剤は、3つのアルコキシ基と、フェニル基、ビニル基、エポキシ
基、メタクリル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、イソシアネート基、又はアク
リル基と、を持ち、
該シランカップリング剤と該オルガノシラザンとのモル比は、該シランカップリング剤
:該オルガノシラザン=1:2〜1:10であることを特徴とする表面改質したシリカ粒
子の製造方法。 - 前記表面処理工程は、
前記シリカ粒子を前記シランカップリング剤で処理する第1の処理工程と、
前記シリカ粒子を前記オルガノシラザンで処理する第2の処理工程と、を持ち、
該第2の処理工程は、該第1の処理工程後に行う請求項7に記載の表面改質シリカ粒子
の製造方法。
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