JP2014203759A - 照明用光源及び照明装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】発光素子の発光時に温度の上昇を低減できる照明用光源を提供する。【解決手段】照明用光源であって、発光素子と、発光素子を発光させるための駆動回路とを備え、駆動回路は、交流電圧を直流電圧に変換する直流電源回路と、カレントトランスCTを含み、直流電源回路から出力された直流電圧を高周波交流電圧に変換する自励式インバータ回路と、直列接続されたインダクタL1およびコンデンサを含み、自励式インバータ回路の出力に接続される共振回路とを有し、カレントトランスCTは、照明用光源を構成する部品のうち、発光素子の発光中に発熱する部品である発熱部品の近傍に配置される。【選択図】図8

Description

本発明は、照明用光源及び照明装置に関し、特に、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)を用いた電球形LEDランプ及びこれを用いた照明装置に関する。
発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)は、高効率及び長寿命であることから、従来から知られる、蛍光灯及び白熱電球のような照明装置等の各種装置における新しい光源として期待されている。このLEDを用いた照明用光源の研究開発が進められている。また、これに伴い、LEDを駆動するための駆動回路の開発も進められている(例えば、特許文献1を参照)。
米国特許第7701153号明細書
しかしながら、このような発光ダイオードを用いた照明装置では、発光ダイオードの発熱に伴う、温度の上昇を低減することが望まれている。このような温度の上昇は、照明装置の劣化の原因となるため、照明装置の寿命が縮まる。
そこで本発明は、発光素子の発光時に温度の上昇を低減できる照明用光源を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る照明用光源は、照明用光源であって、発光素子と、前記発光素子を発光させるための駆動回路とを備え、前記駆動回路は、カレントトランスを有する自励式インバータ回路と、前記自励式インバータ回路の出力に接続される共振回路とを備え、前記カレントトランスは、前記照明用光源を構成する部品のうち、前記発光素子の発光中に発熱する部品である発熱部品の近傍に配置される。
例えば、前記カレントトランスは、前記発熱部品に近接して配置される、又は前記カレントトランスの一部が前記発熱部品に当接して配置されてもよい。
例えば、前記発熱部品は、前記発光素子であり、前記カレントトランスは、前記発光素子の近傍に配置されてもよい。
例えば、前記発熱部品は、前記駆動回路を構成する回路部品のうち、前記発光素子の発光中に発熱する回路部品であってもよい。
例えば、前記自励式インバータ回路は、スイッチング素子を有し、前記共振回路は、インダクタとコンデンサとを有し、前記発熱部品は、前記スイッチング素子および前記インダクタのいずれか一方であってもよい。
例えば、前記駆動回路は、複数の回路部品によって構成され、第一の基板の主面上に設けられ、前記カレントトランスは、前記第一の基板の主面上において、前記カレントトランス以外のいずれの回路部品よりも前記発光素子に近い位置に配置されてもよい。
例えば、前記発光素子は、主面が前記第一の基板の主面と略垂直となる第二の基板上に設けられ、前記カレントトランスは、前記第一の基板の主面上の、前記第二の基板に近い側の端部に配置されてもよい。
例えば、前記発光素子は、主面が前記第一の基板の主面と略平行となる第二の基板上に設けられ、前記第一の基板の主面に垂直な方向から見た場合に、前記カレントトランスは、前記第一の基板の主面上の、前記第二の基板上の前記発光素子が設けられる領域と重なる領域に配置されてもよい。
また、本発明の一態様に係る照明装置は、上記いずれかの態様に係る照明用光源を備える。
本発明の照明用光源によれば、発光素子の発光時に温度の上昇を低減できる。
本実施の形態に係る電球形ランプの側面図である。 本実施の形態に係る電球形ランプの分解斜視図である。 本実施の形態に係る電球形ランプの断面図である。 本実施の形態に係る駆動回路の回路構成を示す図である。 カレントトランスの一次巻線のインダクタンスの温度特性を示す図である。 共振回路の共振周波数と、共振回路から出力される電流との関係を示す図である。 カレントトランスの温度が上昇した場合の、共振回路に入力される交流電圧の周波数の変化を示す図である。 カレントトランスが駆動回路を構成する発熱部品の近傍に配置される場合の部品の配置例を示す図である。 カレントトランスがLEDの近傍に配置される場合の部品の配置例を示す図である。 カレントトランスが、第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子とそれぞれ当接する場合を示す図である。 回路基板と、基板とが略平行に配置される場合の電球形ランプの分解斜視図である。 図11の構成における、カレントトランスと、LEDとの位置関係を説明するための図である。 本実施の形態に係る照明装置の概略断面図である。
以下、本実施の形態に係る照明用光源及び照明装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置や接続形態、及び、工程(ステップ)や工程の順序などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。
以下の実施の形態では、照明用光源の一例として、電球形LEDランプ(LED電球)について説明する。
(電球形ランプの全体構成)
まず、本実施の形態に係る電球形ランプ1の全体構成について、図1及び図2を用いて説明する。図1は、本実施の形態に係る電球形ランプの側面図である。また、図2は、本実施の形態に係る電球形ランプの分解斜視図である。
図1に示すように、本実施の形態に係る電球形ランプ1は、電球形蛍光灯又は白熱電球の代替品となる電球形LEDランプであって、グローブ10と筐体60と口金70とによって外囲器が構成されている。
図2に示すように、電球形ランプ1は、グローブ10と、LEDモジュール20と、LEDモジュール20を支持する支持台30と、LEDモジュール20(LED22)を駆動する駆動回路40と、駆動回路40を保持する回路ホルダ50と、駆動回路40を囲むように構成された筐体60と、外部から電力を受電する口金70とを備える。
以下、電球形ランプ1の各構成部材について、図2を参照しながら、図3を用いて詳細に説明する。図3は、本実施の形態に係る電球形ランプの断面図である。
なお、図3において、紙面上下方向に沿って描かれた一点鎖線は電球形ランプのランプ軸J(中心軸)を示しており、本実施の形態において、ランプ軸Jは、グローブ軸と一致している。また、ランプ軸Jとは、電球形ランプ1を照明装置(不図示)のソケットに取り付ける際の回転中心となる軸であり、口金70の回転軸と一致している。
(グローブ)
図3に示すように、グローブ10は、LEDモジュール20を覆う透光性カバーであって、LEDモジュール20から放出される光をランプ外部に取り出すように構成されている。したがって、グローブ10の内面に入射したLEDモジュール20の光は、グローブ10を透過してグローブ10の外部へと取り出される。
グローブ10は、開口部11を有する中空の回転体であり、本実施の形態では、開口部11が絞られた略半球状に構成されている。図3に示すように、グローブ10の開口部11は支持台30に当接している。開口部11と支持台30と筐体60とは、シリコーン樹脂等の接着剤(不図示)によって固着される。
グローブ10は、内部のLEDモジュール20を視認できるように透明であってもよく、また、グローブ10に光拡散機能を持たせて透明でなくてもよい。グローブ10に光拡散機能を持たせる場合、例えば、シリカや炭酸カルシウム等の光拡散材を含有する樹脂や白色顔料等をグローブ10の内面又は外面の全面に塗布することによって乳白色の光拡散膜を形成すればよい。
グローブ10の材質としては、シリカガラス等のガラス材、又は、アクリル(PMMA)やポリカーボネート(PC)等の樹脂材等を用いることができる。なお、グローブ10の形状としては、白熱電球と同様のものを用いてもよい。
(LEDモジュール)
LEDモジュール20は、発光素子を有する発光モジュールであって、白色等の所定の色(波長)の光を放出する。図3に示すように、LEDモジュール20は、支持台30に載置されており、駆動回路40から供給される電力によって発光する。
図2及び図3に示すように、LEDモジュール20は、基板21(第二の基板)と、基板21に実装されたLED22とを備える。本実施の形態におけるLEDモジュール20は、SMD(Surface Mount Device)型のLED22を用いて構成されている。
基板21は、LED22を実装するための実装基板である。基板21は、例えば、アルミナ等のセラミックスからなるセラミックス基板、樹脂基板又はメタルベース基板であり、平面視形状が略矩形又は円形の板状基板を用いることができる。
基板21は、裏面が支持台30の表面と面接触するようにして支持台30に取り付けられる。図2に示すように、基板21の表面の2箇所には、給電部として電極端子23が形成されている。
なお、図示されていないが、電極端子23の各々には、駆動回路40から導出されるリード線が半田接続される。また、基板21の表面には、電極端子23と複数のLED22とを電気的に接続するための金属配線がパターン形成されている。
基板21の表面上には、複数個のLED22が実装されている。図2に示すように、本実施の形態では、8個のLED22と、1個のゼロ抵抗素子とが実装されている。なお、ゼロ抵抗素子の代りに、LED22を実装してもよい。
各LED22は、発光素子の一例であって、所定の電力により発光する。本実施の形態におけるLED22は、SMD型の発光素子であり、例えば、凹部を有する樹脂製の容器と、凹部の中に実装されたLEDチップと、凹部内に封入された封止部材(蛍光体含有樹脂)とを備える。
LEDチップとしては、例えば、通電されれば青色光を発する青色LEDチップを用いることができる。この場合、封止部材としては、YAG系の黄色蛍光体粒子が含有されたシリコーン樹脂を用いることができる。これにより、LEDチップが発した青色光の一部は封止部材に含まれる黄色蛍光体粒子によって黄色光に波長変換され、黄色蛍光体粒子に吸収されなかった青色光と黄色蛍光体粒子によって波長変換された黄色光とが混ざって白色光となって出射される。
(支持台)
支持台30(モジュールプレート)は、LEDモジュール20を支持する支持部材であり、LEDモジュール20が載置される平板部31と、当該平板部31に立設された側壁部32とを有する。本実施の形態における支持台30は、平板部31を底部とし側壁部32を周部とするキャップ状部材であり、図3に示すように、回路ホルダ50を覆うように構成されている。また、支持台30は、グローブ10の開口部11を塞ぐように構成されている。
平板部31(平面部)は、円板状であり、ランプ軸Jと直交する平面を主面としている。平板部31のグローブ10側の主面は、LEDモジュール20が載置される載置面31aである。本実施の形態において、載置面31aは、凹部のない平面のみで構成されている。これにより、支持台30を容易に加工することができるので、低コストで支持台30を作製することができる。
また、平板部31には、第1貫通孔33a及び第2貫通孔33bが2つずつ設けられている。第1貫通孔33aには、平板部31の駆動回路側の主面からグローブ側の主面に向かって回路ホルダ50のモジュール基板保持部56が挿通される。また、第2貫通孔33bには、平板部31の駆動回路側の主面からグローブ側の主面に向かって、回路ホルダ50のモジュール基板規制部57と駆動回路40から導出されるリード線とが挿通される。
側壁部32は、平板部31から駆動回路側に向けて突出するようにして平板部31の周囲に設けられる。本実施の形態における側壁部32は、全周に段差を有するように構成されており、直径の小さい径小部32aと直径の大きい径大部32bとを有する。つまり、径小部32aと径大部32bとの直径差によって側壁部32の段差が構成されている。側壁部32の段部(径大部32bの上面)には、グローブ10の開口部11が当接している。これにより、グローブ10の開口部11が塞がれている。
径大部32bは、筐体60の開口部に接続される部分である。径大部32bの外周面が筐体60の内周面に接することで支持台30が筐体60に接続される。これにより、支持台30に伝導したLEDモジュール20の熱を筐体60に直接伝導させることができる。
このように、支持台30は、LEDモジュール20(LED22)で発生する熱を放熱させるための放熱部材(ヒートシンク)としても機能する。なお、効率良く熱伝導させるために、支持台30は、アルミニウム(Al)、銅(Cu)又は鉄(Fe)等を主成分とする金属材料又は熱伝導率の高い樹脂材料によって構成することが好ましい。本実施の形態において、支持台30は、アルミニウムによって構成されている。
このように構成される支持台30は、径大部32bの開口部の端部を筐体60の凸部61の上面に当接させることで位置決めされて、筐体60に固定される。
(駆動回路)
駆動回路(回路ユニット)40は、LEDモジュール20(LED22)を発光(点灯)させるための点灯回路(電源回路)であって、LEDモジュール20に所定の電力を供給する。駆動回路40は、例えば、口金70から供給される交流電力を直流電力に変換し、当該直流電力をLEDモジュール20に供給する。
駆動回路40は、LEDモジュールを駆動させるための複数の回路素子(不図示)によって構成され、回路基板41の主面上に設けられる。なお、以下の説明では、回路素子を回路部品とも記載する。
回路基板41は、一方の面(半田面)に銅箔等の金属配線がパターニングされたプリント基板(PCB基板)である。回路基板41に実装された複数の回路素子は、金属配線によって互いに電気的に接続されている。また、回路基板41には、回路素子のリード線(脚)が挿入される貫通孔が複数形成されている。
本実施の形態において、回路基板41は、当該回路基板41の主面の法線がランプ軸Jと略直交する姿勢(縦置き配置)で回路ホルダ50に取り付けられている。つまり、回路基板41は、当該回路基板41の主面が回路ホルダ50の平板部51の主面に対して略垂直となる姿勢で回路ホルダ50に保持されている。また、回路基板41の回路ホルダ側の端部は、回路ホルダ50の平板部51の裏面に当接している。なお、本実施の形態における回路基板41は、回路ホルダ50にのみ接触しており、回路ホルダ50によってのみ保持されている。
回路基板41は、縦置き配置であっても大きな実装面積が得られるように、筐体60の第2開口部60bから第1開口部60aに向かって幅広となるように構成されている。また、回路基板41の周縁には、凸部(段差部)41aが形成されている。凸部41aは、回路基板41の主面を平面視したときの輪郭線が段差状となるように横方向に突出する部分であり、回路基板41の横方向の両側に対向するようにして形成されている。回路ホルダ50に回路基板41が保持される際、凸部41aは、回路ホルダ50における回路基板保持部54の係止爪54aに係止される。
また、回路ホルダ50を平面視したときに、駆動回路40は、回路ホルダ50に隠れるように配置されている。具体的に、少なくとも回路基板41は、回路ホルダ50の平板部51に覆われるように配置されている。
回路素子(回路部品)は、例えば、電解コンデンサやセラミックコンデンサ等の容量素子、抵抗器等の抵抗素子、整流回路素子、コイル素子、チョークコイル(チョークトランス)、ノイズフィルタ、ダイオード又は集積回路素子等の半導体素子等である。回路素子の多くは、回路基板41の一方の主面に実装されている。なお、駆動回路の回路構成の詳細については、後述する。
駆動回路40とLEDモジュール20とは、一対のリード線(出力側リード線)によって電気的に接続されている。また、駆動回路40と口金70とは、一対のリード線(入力側リード線)によって電気的に接続されている。これら4本のリード線は、例えば合金銅リード線であり、合金銅からなる芯線と当該芯線を被覆する絶縁性の樹脂被膜とからなる。
出力側リード線は、LEDモジュール20を点灯させるための電力を、駆動回路40からLEDモジュールに供給するための電線であり、支持台30に設けられた第2貫通孔33bに挿通されてLEDモジュール側(グローブ10内)に引き出される。なお、出力側リード線は、一端(芯線)がLEDモジュール20の基板21の電極端子23と半田接続されており、他端(芯線)が回路基板41の金属配線と半田接続されている。
また、入力側リード線は、LEDモジュール20を点灯させるための電力を、口金70から駆動回路40に供給するための電線である。入力側リード線は、一端(芯線)が口金70(シェル部又はアイレット部)と電気的に接続されており、他端(芯線)が回路基板41の電力入力部(金属配線)と半田等によって電気的に接続されている。
(回路ホルダ)
回路ホルダ50は、駆動回路40を保持するための保持部材であり、少なくとも一部が支持台30と駆動回路40との間に配置されるように構成されている。回路ホルダ50は、筐体60に固定されている。
本実施の形態における回路ホルダ50は、キャップ状の絶縁部材(絶縁キャップ部材)によって構成されており、支持台30と駆動回路40との間に配置される平板部51と、平板部51に立設された側壁部52と、平板部51の側方に設けられた切り欠き部53とを有する。このように構成される回路ホルダ50は、例えば、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等の絶縁性樹脂材料等を用いて、樹脂成型によって一体成形されている。
平板部51(平面部)は、板状であり、ランプ軸Jと直交する平面を主面としている。図3に示すように、回路ホルダ50の平板部51と支持台30の平板部31とは所定の間隔をあけて対面するよう配置されている。
側壁部52は、平板部51の周縁から駆動回路側に向けて突出するようにして設けられている。本実施の形態では、対向する一対の側壁部52として構成されている。回路ホルダ50は、側壁部52の駆動回路側の端部を筐体60の凸部61の上面に当接させることで位置決めされて筐体60に固定される。側壁部52の外周面には、筐体60の係止部62に係止される爪部52aが設けられている。
また、本実施の形態における側壁部52は、外周面に段差を有するように構成されており、直径の小さい径小部と直径の大きい径大部を有する。図3に示すように、回路ホルダ50における側壁部52と支持台30における側壁部32とは、各々の段差が組み合うように配置されている。これにより、回路ホルダ50と支持台30との位置合わせを行うことができ、回路ホルダ50と支持台30との間に空隙を設けることができる。
切り欠き部53は、回路ホルダ50(平板部51)と支持台30(平板部31)との間の空隙と、筐体60における回路ホルダ50よりも駆動回路側に空間領域とを、空間的に接続するために設けられる。切り欠き部53は、所定形状の一部が切り欠かれた領域であり、本実施の形態では、有底円筒形状のキャップ状部材における周部を含む一部分を、対向するようにして切り欠いた2つの領域である。つまり、本実施の形態において、切り欠き部53は、平板部51の周囲のうち側壁部52が形成されていない部分であって、対向する2箇所に設けられている。
このように構成することにより、支持台30に伝導したLEDモジュール20の熱を筐体60内の空間領域へと対流によって伝導させることができるので、LEDモジュール20で発生する熱を効率良く放熱することができる。
平板部51には、回路基板41を保持するための一対の回路基板保持部54と、保持された回路基板41が主面垂直方向に移動することを規制するための一対の回路基板規制部55とが設けられている。
一対の回路基板保持部54の各々は、例えば、平板部51の駆動回路側の主面から駆動回路側に突出するように設けられた突出部である。一対の回路基板保持部54は、回路基板41の側面を当該回路基板41の主面水平方向から挟み込むように構成されている。また、一対の回路基板保持部54の各々の先端には係止爪54aが形成されており、係止爪54aは回路基板41の凸部41aと係止するように構成されている。
具体的に、係止爪54aには、回路基板41の凸部41aを挟み込む凹部が形成されている。このように凹部を形成することによって、回路基板41を保持するだけではなく、回路基板41の主面垂直方向の動きを規制することができる。さらに、係止爪54a(凹部)によって、回路基板41の横滑りも規制することができる。
一対の回路基板規制部55の各々は、例えば、平板部51の駆動回路側の主面から駆動回路側に突出するように設けられた凸部である。一対の回路基板規制部55は、回路基板41を当該回路基板41の主面垂直方向から挟み込むように構成されている。これにより、回路基板41の主面垂直方向の動きを規制することができるので、回路ホルダ50に保持された回路基板41の横滑りを抑制することができる。
本実施の形態において、一対の回路基板規制部55は、2箇所に設けられている。つまり、4つの回路基板規制部55(凸部)が設けられている。なお、一対の回路基板規制部55は、1箇所だけに設けてもよい。1箇所だけに回路基板規制部55を設けた場合であっても、回路基板41の横滑りを抑制することができる。また、一対の回路基板規制部55(凸部)は、3箇所以上に設けてもよい。これにより、回路基板41の横滑りを効果的に抑制することができる。
また、平板部51には、LEDモジュール20(基板21)を保持するための2つのモジュール基板保持部56と、LEDモジュール20(基板21)の水平方向の動きを規制するための2つのモジュール基板規制部57とが設けられている。このように、回路ホルダ50は、回路基板41を保持するだけではなく、基板21を保持するための保持部材としても機能する。
モジュール基板保持部56の各々は、平板部51のグローブ側の主面からグローブ側に突出するように設けられており、モジュール基板保持部56の各々には、基板21の短辺に係止する係止爪56aが形成されている。具体的には、2つのモジュール基板保持部56は、基板21の対向する2つの短辺を挟むように設けられている。また、係止爪56aは、基板21の短辺の端部表面に当接するように構成されている。基板21の表面が係止爪56aで押さえつけられることで、基板21が支持台30に保持される。
また、モジュール基板規制部57の各々は、平板部51のグローブ側の主面からグローブ側に突出するように設けられており、モジュール基板規制部57の各々には、基板21が支持台30に載置されたときに基板21の側面に当接する平面部57aが形成されている。具体的には、2つのモジュール基板規制部57は、基板21の対向する2つの長辺を挟むように設けられている。基板21の側面が2つの平面部57aによって挟まれることにより、基板21の横滑りを防止することができる。
さらに、モジュール基板規制部57の各々には、駆動回路40とLEDモジュール20とを接続するリード線(出力側リード線)を、回路ホルダ50の駆動回路側からグローブ側へと引き出すための挿通孔が設けられている。本実施の形態では、一方のモジュール基板規制部57の挿通孔には、2本の出力側リード線のうちの一方の出力側リード線が挿通され、他方のモジュール基板規制部57の挿通孔には、他方の出力側リード線が挿通される。
また、モジュール基板規制部57の各々には、挿入孔を挿通させてグローブ側に引き出した出力側リード線の動きを規制するリード線規制部としてスリット57bが設けられている。このように、本実施の形態におけるモジュール基板規制部57は、基板21の横滑りを防止するだけではなく、出力側リード線を保持する機能も兼ねている。
スリット57bは、溝状に形成されており、駆動回路40とLEDモジュール20とを接続するリード線を挟み込むように構成されている。スリット57bの溝幅は、リード線の線幅よりも僅かに小さくなるように構成されている。これにより、出力側リード線をスリット57b内に押し込むことによって、出力側リード線をスリット57bに固定することができる。したがって、出力側リード線と電極端子23との半田付けを容易に行うことができる。また、出力側リード線の動きを規制することで、出力側リード線と電極端子23との半田接続部分における応力負荷を大幅に低減できるので、出力リード線と電極端子23との間の断線不良を防止できる。なお、一例として、スリット57bの溝幅は1.1mmであり、出力リード線の線幅は1.23mmである。
また、モジュール基板規制部57の各々には、2つのスリット57bが設けられている。本実施の形態において、各モジュール基板規制部57における2つのスリット57bのスリット方向が異なっており、例えば、スリット方向(溝が切られた方向)が略直交するように設けられている。なお、スリット57bは、2つではなく、3つ以上設けられていてもよい。
(筐体)
図3に示すように、筐体60は、駆動回路40、支持台30及び回路ホルダ50を囲むように構成されており、筐体60の内部に所定の空間領域が存在する。本実施の形態における筐体60は、外郭部材(外郭筐体)であり、筐体60の外面はランプ外部(大気中)に露出している。また、図2に示すように、筐体60には、凸部61及び係止部62が設けられている。
筐体60は、グローブ側の開口部である第1開口部60aと、口金側の開口部である第2開口部60bと、第1開口部60aと第2開口部60bとの間に位置する本体部60cとによって構成されている。筐体60は、漏斗状(ラッパ状)であり、第1開口部60aの開口が第2開口部60bの開口よりも大きくなるように構成されている。
第1開口部60aは、内径及び外径が一定である略円筒部材によって構成されている。図3に示すように、第1開口部60aは、支持台30の側壁部32との接続部分であり、具体的には、第1開口部60aの内周面と側壁部32(径大部32b)の外周面とが面接触している。これにより、LEDモジュール20で発生した熱を、支持台30を介して筐体60に効率良く伝導させることができる。
また、第1開口部60aは、支持台30によって開口が塞がれるように構成されている。すなわち、筐体60の第1開口部60aは、支持台30によって蓋されている。
第2開口部60bは、略円筒部材によって構成されており、図3に示すように、第2開口部60bには口金70が外嵌される。本実施の形態では、第2開口部60bには口金70と螺合するための螺合部が形成されており、口金70は第2開口部60bにねじ込まれることによって筐体60(第2開口部60b)に固定される。このように口金70を筐体60に固定することによって、第2開口部60bが口金70によって塞がれる。すなわち、筐体60の第2開口部60bは、口金70によって蓋されている。
本体部60cは、第1開口部60a側から第2開口部60b側に向かって内径及び外径が漸次変化する略円筒部材によって構成されている。本体部60cの内面には、3つの凸部61と2つの係止部62が設けられている。
図3に示すように、筐体60と支持台30と口金70とで囲まれる空間領域内には、回路ホルダ50と駆動回路40(回路基板41)が配置されている。当該空間領域は、回路ホルダ50の平板部51によって第1空間領域と第2空間領域に仕切られている。すなわち、筐体60は、第1空間領域と第2空間領域とを有する。第1空間領域は、回路ホルダ50の平板部51を基準として支持台側の空間領域であって、回路ホルダ50(平板部51)と支持台30(平板部31)との間の空隙である。また、第2空間領域は、回路ホルダ50の平板部51を基準として駆動回路側(口金側)の空間領域であり、第1空間領域よりも容積が大きい。
凸部61は、本体部60cの内面から内方に向かって突出するようにリブ状に形成されている。また、凸部61は、段差状に形成されており、第1開口部60a側に面する異なる2つの平面を有する。図3に示すように、凸部61の一方の平面には、支持台30の側壁部32(径大部32b)の開口部端縁が当接し、凸部61の他方の平面には、回路ホルダ50の側壁部52の端縁が当接する。これにより、支持台30及び回路ホルダ50と筐体60との位置決めを行うことができる。
係止部62は、回路ホルダ50の爪部52aが係止されるように構成されている。回路ホルダ50を回転させて回路ホルダ50の爪部52aを筐体60の係止部62に引っ掛けて係止させることで回路ホルダ50を筐体60に固定することができる。
このように構成される筐体60は、例えばPBT等の絶縁性樹脂材料等を用いて、樹脂成型によって一体成形されている。
(口金)
口金70は、LEDモジュール20(LED22)を発光させるための電力をランプ外部から受電する受電部である。口金70は、例えば、照明器具のソケットに取り付けられる。これにより、口金70は、電球形ランプ1を点灯させる際に、照明器具のソケットから電力を受けることができる。口金70には、例えば商用の交流電力が供給される。本実施の形態における口金70は二接点によって交流電力を受電し、口金70で受電した電力は、一対の入力側リード線を介して駆動回路40の電力入力部に入力される。
口金70は、金属製の有底筒体形状であって、例えば、外周面が雄ネジとなっているシェル部と、シェル部に絶縁部を介して装着されるアイレット部とによって構成することができる。口金70の外周面には、照明器具のソケットに螺合させるための螺合部が形成されている。また、口金70の内周面には、筐体60の螺合部に螺合させるための螺合部が形成されている。
口金70の種類は、特に限定されるものではないが、本実施の形態では、ねじ込み型のエジソンタイプ(E型)の口金を用いている。例えば、口金70として、E27形等が挙げられる。
(駆動回路の回路構成)
次に、本実施の形態に係る駆動回路40の回路構成について、図4を用いて説明する。図4は、本実施の形態に係る駆動回路40の回路構成を示す図である。
図4に示すように、本実施の形態に係る駆動回路40は、LED22を点灯させるためのLED用駆動回路(LED点灯回路)であって、第1の整流回路110と、インバータ120と、インバータ制御回路130と、第2の整流回路140とを備える。なお、同図には、駆動回路40に商用電源を供給するAC電源と、駆動回路40から直流電源が供給されるLED22も示されている。なお、上述のように本実施の形態では、8個のLED22が設けられるが、図4では、1つのLED22のみが図示されている。
図4に示すように、本実施の形態に係る駆動回路40は、LED22を点灯させるためのLED用駆動回路(LED点灯回路)であって、第1の整流回路110と、インバータ120と、インバータ制御回路130と、第2の整流回路140とを備える。
駆動回路40は、交流電圧の入力を受けるための入力端子P1及びP2を有している。入力端子P1及びP2は、AC電源に接続されるとともに、第1の整流回路110の入力端に接続されている。例えば、駆動回路40の入力端子P1及びP2には、壁スイッチを通じて商用の交流電源が接続される。なお、商用の交流電源とは、商用100Vの交流電源、つまり家庭用のAC電源である。また、入力端子P1及びP2は、例えば、交流電源が供給されるソケットに取り付けられる、図1〜図3に示した電球形ランプ1の口金70等である。
また、駆動回路40は、直流電圧を出力するための出力端子P3及びP4を有している。出力端子P3及びP4は、LED22に接続されるとともに、第2の整流回路140の出力端に接続されている。高電位側の出力端子P3は、LED22のアノード側に接続されており、低電位側の出力端子P4は、LED22のカソード側に接続されている。LED22は、駆動回路40から供給される直流電圧によって点灯する。なお、本実施の形態において、LED22と並列にコンデンサC9及び抵抗器R9が接続されている。
以下、本実施の形態に係る駆動回路40の各構成要素について、詳細に説明する。
まず、第1の整流回路110について説明する。第1の整流回路110(DB1)は、4つのダイオードで構成されるブリッジ型全波整流回路であって、入力側の2端子は入力端子P1及びP2を介してAC電源に接続され、出力側の2端子は平滑コンデンサC1及びC2等に接続されている。なお、平滑コンデンサC1及びC2は、第1の整流回路110の出力電圧を安定化させるために設けられており、例えば、電解コンデンサである。なお、ここでは、2つの平滑コンデンサC1及びC2が用いられている例を示すが、一つの平滑コンデンサが、第1の整流回路110の2つの出力側の端子の間に接続されていてもよい。
AC電源と第1の整流回路110とを接続する配線には、電流ヒューズ素子FS(15Ω)が直列に挿入されている。また、第1の整流回路110の電圧出力端の負極とインバータ制御回路130とを接続する配線には、スイッチングノイズを除去するノイズフィルタNF(1mH)が挿入されている。
第1の整流回路110は、例えば壁スイッチを通じて、商用の交流電源から交流電圧(例えば、50又は60Hz)を受けて、当該交流電圧を全波整流して直流電圧を出力する。第1の整流回路110から出力される直流電圧は、平滑コンデンサC1及びC2によって平滑化されて直流の入力電圧Vinとなる。入力電圧Vinは、インバータ120及びインバータ制御回路130に供給される。
次に、インバータ120について説明する。インバータ120(INV)は、LED22を駆動するための電力を出力する。本実施の形態では、インバータ120は、直流電圧を交流電圧に変換する。例えば、インバータ120は、直流電圧を数十kHzの交流電圧に変換する。
このインバータ120は、第1のスイッチング素子Q1と、第1のスイッチング素子Q1に直列に接続された第2のスイッチング素子Q2と、カレントトランスCTと、インダクタL1と、コンデンサC5、C6及びC8と、抵抗器R5、R6、R7及びR8と、ダイオードD2及びD3とを備える。
本実施の形態において、インバータ120は、ハーフブリッジ形の自励インバータであって、交互にスイッチング動作を行う第1のスイッチング素子Q1と第2のスイッチング素子Q2とからなる直列回路が直流電源に接続されて構成されている。また、本実施の形態において、第1のスイッチング素子Q1及び第2のスイッチング素子Q2は、バイポーラ形トランジスタである。なお、本実施の形態において、自励インバータとは、カレントトランス及び複数のスイッチング素子を用いて、フィードバックのかかるインバータをいう。
第1のスイッチング素子Q1のコレクタは、第1の整流回路110の直流電圧出力端の正極及びコンデンサC5に接続されている。第1のスイッチング素子Q1のエミッタは、抵抗器R5を介して、第2のスイッチング素子Q2のコレクタ及びカレントトランスCTのコイルに接続されている。また、第1のスイッチング素子Q1のベースは、抵抗器R7を介してカレントトランスCTのコイルに接続されている。
第2のスイッチング素子Q2のコレクタは、抵抗器R5を介して第1のスイッチング素子Q1のエミッタ及びカレントトランスCTのコイルに接続されている。第2のスイッチング素子Q2のエミッタは、抵抗器R6を介して、第1の整流回路110の直流電圧出力端の負極と、カレントトランスCTのコイルと、コンデンサC6及びC8とに接続されている。また、第2のスイッチング素子Q2のベースは、抵抗器R8を介してカレントトランスCTのコイルに接続されている。
カレントトランスCT(駆動トランス)は、一次巻線(入力巻線)及び二次巻線(出力巻線)からなる巻線コイルによって構成されている。
インダクタL1は、チョークインダクタであって、一端がカレントトランスCTの出力側に接続されており、他端が第2の整流回路140の入力側に接続されている。また、コンデンサC5は、一端が第1の整流回路110の直流電圧出力端の正極に接続され、他端が第2の整流回路140の入力側に接続されている。コンデンサC6は、一端が第1の整流回路110の直流電圧出力端の負極に接続され、他端が第2の整流回路140の入力側に接続されている。コンデンサC8は、一端が第1の整流回路110の直流電圧出力端の負極に接続され、他端がインダクタL1の他端に接続されている。
ダイオードD2は、カソードが第1の整流回路110の直流電圧出力端の正極及びコンデンサC5に接続され、アノードがカレントトランスCTのコイルと、抵抗器R5を介して第1のスイッチング素子Q1のエミッタとに接続されている。ダイオードD3は、カソードがカレントトランスCTのコイルに接続され、アノードが第1の整流回路110の直流電圧出力端の負極と、抵抗器R6を介して第2のスイッチング素子Q2のエミッタと、カレントトランスCTのコイルと、コンデンサC6及びC8とに接続されている。
このように構成されるインバータ120は、第1のスイッチング素子Q1及び第2のスイッチング素子Q2の直列回路の両端間に(インバータ120の入力端に)所定の入力電圧Vinが印加されるとともに、インバータ制御回路130から起動制御信号(トリガ信号)が供給されることによって動作する。具体的には、カレントトランスCTの誘起に基づく自励発振によって第1のスイッチング素子Q1と第2のスイッチング素子Q2とが交互にオンオフ動作を行うことにより、インダクタL1とコンデンサC8との直列共振による交流の二次電圧が誘起され、この電圧が第2の整流回路140に供給される。
次に、インバータ120を起動するためのインバータ制御回路130について説明する。インバータ制御回路130(TRG)は、インバータ120を起動するように構成されている。本実施の形態において、インバータ制御回路130は、インバータ120の動作を開始したあと停止する。インバータ制御回路130により動作を開始したインバータ120は、カレントトランスCTとインバータ120を構成する各素子により動作を維持する。具体的には、磁気飽和カレントトランスであるカレントトランスCTが、第1のスイッチング素子Q1及び第2のスイッチング素子Q2のオンオフに応じて磁気飽和することにより、第1のスイッチング素子Q1及び第2のスイッチング素子Q2を制御する。よって、インバータ120は、インバータ制御回路130により動作を開始した後、当該動作を維持する。
インバータ制御回路130は、抵抗器R1、R2及びR3と、当該抵抗器R1に直列に接続されたコンデンサC3と、抵抗器R1とコンデンサC3との接続点に接続されたトリガダイオードTDとを有する。
抵抗器R1は、抵抗器R2を介して第1の整流回路110の直流電圧出力端の正極に接続されるとともに、コンデンサC3を介して第1の整流回路110の直流電圧出力端の負極に接続されている。コンデンサC3は、トリガダイオードTDの導通を制御するためのコンデンサであって、高電位側が抵抗器R1に接続され、低電位側が第1の整流回路110の直流電圧出力端の負極に接続されている。なお、インバータ制御回路130において、抵抗器R1とコンデンサC3とは、時定数回路を構成している。抵抗器R3は、コンデンサC3と並列に接続されている。なお、以下では、第1の整流回路110の直流電圧出力端の正極を第1の整流回路110の高電位側直流電圧出力端と記載し、第1の整流回路110の直流電圧出力端の負極を第1の整流回路110の低電位側直流電圧出力端と記載する場合がある。
また、トリガダイオードTDは、トリガ素子であって、規定の電圧(ブレークオーバー電圧)を超える電圧がかかった場合に導通してコンデンサC3の電荷をスイッチング素子Q2のベースに放電して短時間スイッチ素子Q2をオンさせる。本実施の形態では、トリガダイオードTDは、コンデンサC3に保持される電圧値によってブレークオーバーして導通状態となる。そして、トリガダイオードTDは、インバータ120の制御端子である第2のスイッチング素子Q2のベースに接続されており、トリガダイオードTDが導通状態となることによってインバータ120の動作が開始する。
すなわち、第2のスイッチング素子Q2がインバータ制御回路130によってオンすることにより初めてインバータ120に電流が流れ始める。第2のスイッチング素子Q2がターンオンのときに流れた負荷電流によって、カレントトランスCTの二次コイルに電圧が誘起され、第2のスイッチング素子Q2がオンを維持するとともに第1のスイッチング素子Q1のオフを維持する。
第2のスイッチング素子Q2がオンを維持しているときには、第1の整流回路110の高電位側直流電圧出力端からノイズフィルタNF、コンデンサC5、第2の整流回路140、LED22、インダクタL1、カレントトランスCTの1次巻線、第2のスイッチング素子Q2、及び、抵抗器R6を介して、インダクタL1で制限された電流が流れる。この電流によってカレントトランスCTのコアが磁気飽和し、その2次巻線出力電圧がゼロになる。そのため、第2のスイッチング素子Q2のベース・エミッタ間蓄積電荷が放電する。この蓄積電荷がなくなると、第2のスイッチング素子Q2がターンオフする。
第2のスイッチング素子Q2がターンオフすると、インダクタL1に流れていた電流によってインダクタL1に蓄積されていたエネルギーがダイオードD2を介してC5とLED22に放電される。その放電電流によって、カレントトランスCTの磁気飽和は解除され、また、カレントトランスCTの第1のスイッチング素子Q1側2次巻線に第1のスイッチング素子Q1のベース電位を正にする電圧が発生すると共に、カレントトランスCTの第2のスイッチング素子Q2側2次巻線に第2のスイッチング素子Q2のベースを負にする電圧が発生する。
インダクタL1の蓄積エネルギーがなくなると、ダイオードD2電流がなくなると共に、コンデンサC5及びC6の蓄積エネルギーが第1のスイッチング素子Q1を介して放電する。また、第1の整流回路110の高電位側直流電圧出力端から、ノイズフィルタNFと、第1のスイッチング素子Q1と、カレントトランスCTと、インダクタL1と、コンデンサC8、LED22およびコンデンサC6とを介して、第1の整流回路110の低電位側直流電圧出力端に電流が流れる。
この電流により、インダクタL1及びコンデンサC8にエネルギーが蓄積されると共にカレントトランスCTの2次巻線に第1のスイッチング素子Q1をオンに維持し、第2のスイッチング素子Q2をオフに維持する電圧が発生する。
その後、カレントトランスCTの磁気飽和が発生すると、第1のスイッチング素子Q1の蓄積電荷が放電される。この放電が終わると、第1のスイッチング素子Q1がターンオフする。第1のスイッチング素子Q1がターンオフした瞬間のインダクタL1の蓄積エネルギーは、カレントトランスCT、ダイオードD3、コンデンサC8、および、LED22と、コンデンサC6、C5とを介して放電されると共に、カレントトランスCTの磁気飽和を解除し、第2のスイッチング素子Q2のベースを正に、第1のスイッチング素子Q1のベースを負にする電圧を発生させる。そして、インダクタL1の蓄積エネルギーがなくなると、以後、上記のように、第1のスイッチング素子Q1と第2のスイッチング素子Q2とが交互にオンオフを繰り返すと共に、インダクタL1とコンデンサC8との直列共振を発生させ、発振を維持する定常動作となる。
なお、トリガダイオードTDとしては、例えば、電圧ブレークオーバーが28〜36Vのダイアックを用いることができる。
このように、インバータ制御回路130は、インバータ120を起動するための回路であって、抵抗器R1、R2及びR3の分圧比によりコンデンサC3の両端にかかる電圧を調整する回路と、コンデンサC3の電圧値によってブレークオーバーするトリガダイオードTDとを有する。そして、インバータ制御回路130からインバータ120に対してトリガ信号が入力されることによって、インバータ120の自励発振が開始する。
さらに、本実施の形態において、インバータ制御回路130は、抵抗器R1に直列接続された抵抗器R2と、抵抗器R1と並列接続されたダイオードD1とを有する。ダイオードD1は、整流用ダイオードであって、ダイオードD1のアノード側は、抵抗器R1とコンデンサC3との接続点、及び、トリガダイオードTDに接続されている。また、ダイオードD1のカソード側は、抵抗器R1と抵抗器R2との接続点、インバータ120における第1のスイッチング素子Q1(エミッタ)と第2のスイッチング素子Q2(コレクタ)との接続点、及び、コンデンサC4に接続されている。なお、コンデンサC4は、高電位側が第1の整流回路110の直流電圧出力端の正極及び第1のスイッチング素子Q1のコレクタに接続されており、低電位側がダイオードD1のカソードに接続されている。コンデンサC4は、スナバコンデンサであり、スイッチング素子Q1及びQ2の電圧変化スピードを遅くして、スイッチング損失を少なくするために適宜用いられる。
次に、第2の整流回路140について説明する。第2の整流回路140(DB2)は、第1の整流回路110と同様に、4つのダイオードで構成されるブリッジ型全波整流回路であって、入力側の2つの端子はインバータ120の出力側の2つの端子に接続され、出力側の2つの端子については高電位側が出力端子P3を介してLED22のアノード側に接続され、低電位側が出力端子P4を介してLED22のカソード側に接続されている。
第2の整流回路140は、インバータ120からの交流電圧を受けて、この交流電圧を全波整流した電圧を出力し、当該電圧をLED22に供給する。
なお、第2の整流回路140としては、例えば、2つのショットキーダイオードが直列接続された半導体部品を2つ組み合わせることによって構成することができる。また、この第2の整流回路140は、インバータL1に2つに分割した2次巻線を設けて、その出力に1つずつ設けられたスタック構成にしてもよい。
以上のようにして、本実施の形態に係る駆動回路40が構成されている。
なお、インダクタL1及びコンデンサC8は、共振回路に相当する。インバータ120及びインバータ制御回路130(インダクタL1及びコンデンサC8を除く)は、自励式インバータ回路に相当する。
また、本実施の形態では、駆動回路40により、発光部(発光素子)の一例である1つのLED22が点灯するが、発光部として複数のLED22が設けられてもよい。この場合、複数のLED22は、直列接続されてもよいし、並列接続されてもよいし、あるいは、複数のLED22は、直列接続と並列接続とを組み合わせて構成されてもよい。
(回路動作)
次に、本実施の形態に係る駆動回路40の動作について説明する。
例えば、LED22を点灯させるためにユーザが壁スイッチをオン操作すると、入力端子P1及びP2に交流電源が供給され、第1の整流回路110により平滑化された直流の入力電圧Vinが生成される。入力電圧Vinは、インバータ120の入力端間、及び、インバータ制御回路130の入力端間に供給される。
これにより、インバータ制御回路130及びインバータ120が動作する。すなわち、入力電圧Vinがインバータ制御回路130に供給されることにより、インバータ制御回路130のコンデンサC3が充電されて、トリガダイオードTDがブレークオーバーする。この結果、トリガダイオードTDが導通状態となり、トリガ信号(トリガパルス)がインバータ120の第2のスイッチング素子Q2のベースに供給され、当該第2のスイッチング素子Q2がオンする。
トリガ信号によって第2のスイッチング素子Q2がオンすると、インバータ120が起動し、カレントトランスCTの誘起に基づく自励発振により第1のスイッチング素子Q1及び第2のスイッチング素子Q2が交互にオンオフ動作を行い、交流の二次電圧が誘起される。これにより、当該二次電圧がインダクタL1とコンデンサC8との直列共振により高められた交流電圧が第2の整流回路140に供給される。そして、第2の整流回路140によって交流電圧が全波整流され、出力端子P3及びP4を介して所定の直流電圧(順方向電圧VF)がLED22に供給される。これにより、LED22が所望の明るさで点灯する。
次に、LED22を消灯させるためにユーザが壁スイッチをオフ操作すると、入力端子P1及びP2への交流電源の供給が停止するのでLED22は消灯する。
(電球形ランプの特徴構成)
次に、電球形ランプ1の特徴構成について説明する。
電球形ランプ1では、カレントトランスCTが、電球形ランプ1を構成する部品のうち、LED22(発光素子)の発光中に発熱する部品である発熱部品の近傍に配置されることが特徴である。これにより、カレントトランスCTの温度を高め、カレントトランスCTの磁気飽和を発生させやすくしている。
なお、ここで発熱部品とは、電球形ランプ1を構成する部品のうち、LED22の発光中に発熱する部品であり、他の部品の発熱により温度が上昇するような部品(例えば、支持台30や、筐体60など)も含まれる。しかしながら、カレントトランスCTは、自身が発熱する発熱部品の近傍に配置されるほうが、磁気飽和を発生しやすくする効果は高い。ここで、自身が発熱する発熱部品は、LED22や、インダクタンスL1、第1のスイッチング素子Q1、第2のスイッチング素子Q2などである。
図5は、カレントトランスCTの一次巻線のインダクタンスの温度特性を示す図である。なお、図5は、カレントトランスCTに電流を流さない場合の、カレントトランスCTの温度と、一次巻線のインダクタンスとの関係を示す図である。
カレントトランスCTの一次巻線(一次コイル)に直流電圧が印加されると、時間と共に一次コイルに流れる電流は増加し、カレントトランスCTの磁束密度が上昇する。カレントトランスCTの磁束密度が、一次コイルのコアの材質、形状によって決まる最大磁束密度を超えると、カレントトランスCTは、磁気飽和状態になる。ここで、磁気飽和状態とは、図5に示されるように、温度の上昇によって、一次コイルのインダクタンスが急激に減少した状態である。また、カレントトランスCTは、温度が低下すれば、磁気飽和状態から元の状態(通常状態)に戻る。
カレントトランスCTは、スイッチング素子Q1及びQ2によって、通常状態と、磁気飽和状態とを交互に繰り返すことにより自励発振を行っている。
したがって、カレントトランスCTを発熱部品の近傍に配置することによって、カレントトランスCTの温度が高くなりやすい状態にし、磁気飽和を発生しやすくすることができる。
カレントトランスCTにおいて磁気飽和が発生しやすくなると、第1のスイッチング素子Q1及び第2のスイッチング素子Q2のスイッチングの周期が速くなるため、カレントトランスCTから出力される交流電圧の周波数が高まる。すなわち、LED22(電球形ランプ1)の温度の上昇と共にカレントトランスCTから共振回路(インダクタL1及びコンデンサC5の直列接続)に入力される交流電圧の周波数が、共振回路の共振周波数よりも高周波側にシフトし、共振回路から第2の整流回路140に出力される電力(電流)が低減される。
図6は、共振回路の共振周波数と、共振回路から出力される電流との関係を示す図である。
上述のように、カレントトランスCTから、共振回路に入力される交流電圧の周波数は、通常状態において共振周波数f0(本実施の形態では、50kHz付近)に設定されている。共振回路に入力される交流電圧の周波数は、カレントトランスCTを発熱部品の近傍に配置することによって、図6に示されるf1のように高周波側にシフトしやすくなる。
したがって、LED22の発光によりカレントトランスCTの周囲温度が上昇した場合に、共振回路から出力される電流が低減される。つまり、LED22の温度上昇に伴って、LED22に供給される電流量が減るため、LED22の発光による過度な温度上昇が発生することを抑制することができる。
なお、図5に示されるように、カレントトランスCTのコアの種類(タイプA〜タイプE)によって、磁気飽和が発生する温度は異なる。したがって、図7に示されるように、カレントトランスCTの温度が上昇した場合の、共振回路に入力される交流電圧の周波数の変化も異なる。具体的には、図7に示されるように、タイプA、タイプC、及びタイプDの中では、タイプDが最も周波数が上昇しやすく、タイプAが最も周波数が上昇しにくい。
つまり、カレントトランスCTにおいて、磁気飽和が発生する温度が低いほど、温度上昇の低減効果は高い。したがって、カレントトランスCTの配置等を考慮して、カレントトランスCTのコアを適宜選択することにより、温度上昇の低減効果を調整することができる。コアの材料は、具体的には、フェライトや、パーマロイなどである。
なお、本実施の形態では、共振回路は、インダクタL1とコンデンサC8との直列接続による直列共振回路であるが、他の共振回路であってもよい。また、ここでの「直列接続」には、本実施の形態のように、インダクタL1とコンデンサC8との接続点に第2の整流回路140などの他の回路が接続されるような場合も含まれる。
(カレントトランスの配置例1)
上述のように、カレントトランスCTは、LED22の発光に応じて発熱する発熱部品の近傍に、発熱部品に近接して配置される。
ここで、発熱部品は、例えば、駆動回路40を構成する回路部品のうち、LED22(発光素子)の発光中に発熱する回路部品である。本実施の形態では、インダクタL1、第1のスイッチング素子Q1、及び第2のスイッチング素子Q2が、LED22(発光素子)の発光中における発熱量が比較的の多い回路部品である。
図8は、カレントトランスCTが駆動回路を構成する発熱部品の近傍に配置される場合の部品の配置例を示す図である。なお、図8は、回路基板41を回路部品が設けられる主面(部品実装面)に垂直な方向から見た図である。図8では、回路基板41の短手方向は、X方向、長手方向は、Y方向、回路基板41の部品実装面に垂直な方向は、Z方向と規定される。
図8に示されるように、カレントトランスCTは、回路基板41の部品実装面に平行な平面上におけるY方向において、インダクタL1と距離d1だけ離れて近接した位置に配置される。距離d1は、より詳細には、カレントトランスCTのインダクタンスL1と隣接する側の端から、インダクタンスL1のカレントトランスCTと隣接する側の端までの距離である。
また、図8に示されるように、カレントトランスCTは、回路基板41の部品実装面に平行な平面上におけるX方向において、第1のスイッチング素子Q1と距離d2だけ離れて近接した位置に配置される。距離d2は、より詳細には、カレントトランスCTの第1のスイッチング素子Q1と隣接する側の端から、第1のスイッチング素子Q1のカレントトランスCTと隣接する側の端までの距離である。
また、図8に示されるように、カレントトランスCTは、回路基板41の部品実装面に平行な平面上におけるX方向において、第2のスイッチング素子Q2と距離d3だけ離れて近接した位置に配置される。距離d3は、より詳細には、カレントトランスCTの第2のスイッチング素子Q2と隣接する側の端から、第2のスイッチング素子Q2のカレントトランスCTと隣接する側の端までの距離である。
なお、図8では、カレントトランスCTは、3つの回路部品(インダクタL1、第1のスイッチング素子Q1、及び第2のスイッチング素子Q2)と近接しているが、カレントトランスCTは、少なくとも1つの発熱部品と近接して配置されればよい。なお、ここで「近接」とは、カレントトランスCTと、発熱部品との間に、他の回路部品が介在しない状態を意味する。
この場合、カレントトランスCTと、1つの発熱部品との距離d(距離d1、d2、及びd3のいずれか1つ)は、具体的には、カレントトランスCTのコアの特性や、発熱部品の発熱量によって適宜設定されることが望ましい。しかしながら、距離dが、少なくとも10mm〜20mm程度の距離であれば、上述の温度上昇の抑制効果が一定量得られる。さらに、距離dが、1mm〜10mm程度の距離であれば、より効果的に温度上昇を抑制できる。
なお、回路基板41は、筐体60に収納されるため、駆動回路を構成する各回路部品の実装高さ(図8のZ方向における、回路基板41の実装面から各回路部品の上面までの距離)は、所定の高さ以内に収まっている。すなわち、図8では、カレントトランスCTと、3つの回路部品(インダクタL1、第1のスイッチング素子Q1、及び第2のスイッチング素子Q2)とは、本体部分(端子を除いた部分)が隣接している。
(カレントトランスの配置例2)
また、カレントトランスCTは、例えば、LED22(発光素子)の近傍に配置されてもよい。電球形ランプ1の主な発熱源は、LED22であるため、LED22の近傍にカレントトランスCTが配置されることにより、LED22の温度変化に応じてより効果的に温度上昇を抑制できる。
図9は、カレントトランスCTがLED22の近傍に配置される場合の部品の配置例を示す図である。なお、図9は、回路基板41を回路部品が設けられる主面(部品実装面)に垂直な方向から見た図である。図9では、回路基板41の短手方向は、X方向、長手方向は、Y方向、回路基板の部品実装面に垂直な方向は、Z方向と規定される。また、図9では、支持台30と、回路ホルダ50とは図示が省略されている。
また、図9では、基板21とLED22も合わせて図示されている。ここで、LED22は、主面が回路基板41の主面と略垂直となる基板21上に配置される。略垂直とは、回路基板41のいずれかの主面によって規定される平面と、基板21とが交差する関係となることを意味する。
図9示されるように、カレントトランスCTは、Y方向において、回路基板41のLED22(基板21)に近い側の端部に配置される。ここで、図9では、回路基板41上において、カレントトランスCTよりもLED22に近い回路部品はない。すなわち、カレントトランスCTは、回路基板41の主面上において、カレントトランスCT以外のどの回路部品よりもLED22(発光素子)に近い位置に配置されている。具体的には、カレントトランスCTのLED22に近い側の端を示す直線L1は、コンデンサC8のLED22に近い側の端を示す直線L2よりもLED22の近くに位置している。これにより、上述のような温度上昇を低減する効果をより確実に得ることができる。
なお、LED22の発光時において、図9に示されるようなカレントトランスCTが配置される領域における周辺温度は、図9の太線で囲まれる領域A(回路基板41の略中央)における周辺温度よりも、10℃程度高い。すなわち、カレントトランスCTは、回路基板41上の他の領域(例えば、領域A)よりも少なくとも10℃程度周辺温度が高い領域に配置されている。言い換えれば、回路基板41上には、カレントトランスCTが配置される領域よりも10℃以上周辺温度の低い領域が設けられている。
なお、カレントトランスCTは、必ずしも回路基板41の主面上において、カレントトランスCT以外の回路部品よりもLED22に近い位置に配置される必要はない。
具体的には、図9示される距離d4が、少なくとも10mm〜20mm程度の距離であれば、上述の温度上昇の抑制効果が一定量得られる。さらに、距離d4が、1.5mm〜10mm程度の距離であれば、より効果的に温度上昇を抑制できる。なお、距離d4は、LED22の上面(Y方向における上端)から、カレントトランスCTのLED22に近い側の端までの距離である。
なお、カレントトランスCTは、図9におけるY方向において、LED22が設けられる領域の直下に設けられることが望ましい。このような領域は、温度が高い領域であり、LED22の発光に応じて温度が変化しやすい領域だからである。
ここで、LED22が設けられる領域とは、本実施の形態では、上述の8個のLED22を基板21の主面に垂直な方向から見た場合に、8個のLED22それぞれの外側の端によって規定される矩形の領域である。すなわち、基板21の主面に垂直な方向から見た場合に、カレントトランスCTが設けられる位置(カレントトランスCTの外形)と、回路基板41上のLED22が設けられる領域とは重なっていることが望ましい。
(カレントトランスの配置例3)
また、図8に示されるように、カレントトランスCTは、カレントトランスCTと発熱部品とが隣接して配置される場合は、その一部が発熱部品に当接して配置されてもよい。
図10は、カレントトランスCTが、第1のスイッチング素子Q1及び第2のスイッチング素子Q2とそれぞれ当接する場合を示す図である。なお、図10は、回路基板41を端面側から見た模式図である。
図10に示されるように、カレントトランスCTと、第1のスイッチング素子Q1とは、第1のスイッチング素子Q1の端子(ピン)が曲げられることによって、当接している。同様に、カレントトランスCTと、第2のスイッチング素子Q2とは、第2のスイッチング素子Q2の端子(ピン)が曲げられることによって、当接している。
このような構成により、カレントトランスCTと、発熱部品とが近接して配置されるよりも、さらにカレントトランスCTの温度を高めることができ、温度上昇の低減効果を高められる。なお、部品同士を当接させる構成は、一方の部品の端子を曲げる構成に限定されず、どのような態様であってもよい。
なお、本実施の形態では、カレントトランスCTと、LED22とを当接させることは難しいが、カレントトランスCTと、基板21とを当接させてもよい。すなわち、発熱部品には、基板21が含まれる。
また、このように、カレントトランスCTと、LED22とを当接(又は近接)させる目的は、カレントトランスCTの一次コイルを磁気飽和させやすくすることである。したがって、カレントトランスCTの一次コイル部分が発熱部品に当接して配置されることが最も効果的である。
(カレントトランスの配置例4)
なお、回路基板の主面が、基板21の主面と略平行となるように配置される場合であっても、カレントトランスCTは、発熱部品の近傍に設けられれば温度の低減効果を得ることができる。
図11は、回路基板と、基板21とが略平行に配置される場合の電球形ランプの分解斜視図である。なお、図11において、図2と実質的に同一の構成要素についての説明は、省略する。
図11に示される電球形ランプ1aにおいて、回路基板41bは、主面が基板21の主面と略平行となるように配置される。言い換えれば、発熱部品であるLED22は、主面が回路基板41bの主面と略平行となる基板21の主面上に設けられる。ここで、略平行とは、回路基板41bのいずれかの主面によって規定される平面と、基板21とが交差しない関係となることを意味する。
支持台30及び回路ホルダ50が無いものとした場合、回路基板41bの半田面は、基板21のLED22が設けられない側の主面と対向する。また、回路基板41bの実装面には、駆動回路40が設けられる。
次にこのような構成における、カレントトランスCTと、LED22の位置関係について説明する。
図12は、図11の構成における、カレントトランスCTと、LED22との位置関係を説明するための図である。なお、図12の(a)は、回路基板41b及び基板21を端面側から見た模式図である。図12の(b)は、回路基板41bを、実装面に垂直な方向から見た場合の模式図である。図12の(a)では、支持台30と、回路ホルダ50とは図示が省略されており、図12の(b)では、回路部品は、図示が省略されている。
図12の(a)に示される距離d5は、基板21のLED22が設けられる主面(実装面)から、回路基板41bの駆動回路40が設けられる主面(実装面)までの距離である。図12の(a)において、Y方向の下側に突出している回路部品は、電解コンデンサである。ここで、図12の(a)では、駆動回路を構成する各回路部品の本体部分(端子を除いた部分)の高さ(Z方向の長さ)は、上記の電解コンデンサを除けば、所定の範囲内に収まっている。
カレントトランスCTが、回路基板41bの実装面に実装されるとした場合、図12の(a)に示される距離d5が、10mm〜20mm程度の距離であれば、上述の温度上昇の抑制効果が一定量得られる。さらに、距離d5が、5mm〜10mm程度の距離であれば、より効果的に温度上昇を抑制できる。
なお、カレントトランスCTは、回路基板41bの実装面上の、LED22が設けられる領域の直下の領域に設けられることが望ましい。このような領域は、温度が高い領域であり、LED22の発光に応じて温度が変化しやすい領域だからである。
ここで、LED22が設けられる領域とは、本実施の形態では、上述の8個のLED22を基板21の主面に垂直な方向から見た場合に、8個のLED22それぞれの外側の端によって規定される矩形の領域である。
よって、図12の(b)に示されるように、回路基板41bの主面に垂直な方向から見た場合に、回路基板41bの実装面上のLED22が設けられる領域の直下の矩形の領域B(図12の(b)において斜線で図示される領域B)にカレントトランスCTが配置されることが望ましい。言い換えれば、回路基板41bの主面に垂直な方向から見た場合に、カレントトランスCTは、回路基板41bの主面上の、LED22が設けられる領域と重なる領域Bに配置されることが望ましい。なお、カレントトランスCTが、領域Bのうちの中心部分に配置されれば、カレントトランスCTは、回路基板41bの主面上において、カレントトランスCT以外の回路部品よりもLED22に近い位置に配置されているといえる。
なお、以上の説明では、回路基板41bの主面が、基板21の主面と略平行となるように配置される場合に、カレントトランスCTとLED22とを近接させて配置する例について説明したが、このような場合に、カレントトランスCTと駆動回路40を構成する回路部品とを近接又は当接させてもよい。
以上説明したように、本実施の形態に係る電球形ランプ1(電球形ランプ1a)では、カレントトランスCTを発熱部品の近傍に配置することで、LED22の温度上昇に伴って、LED22に供給される電流量を減らすことができる。このため、電球形ランプ1において過度な温度上昇が発生することを抑制することができ、電球形ランプ1(電球形ランプ1a)及びこれを用いた照明装置の長寿命化が実現される。
(照明装置)
また、本発明は、このような電球形ランプとして実現することができるだけでなく、電球形ランプを備える照明装置としても実現することができる。以下、本実施の形態に係る照明装置について、図13を用いて説明する。図13は、本実施の形態に係る照明装置の概略断面図である。
図13に示すように、本実施の形態に係る照明装置2は、例えば、室内の天井に装着されて使用され、上記の実施の形態に係る電球形ランプ1と、点灯器具3とを備える。
点灯器具3は、電球形ランプ1を消灯及び点灯させる機能を有し、天井に取り付けられる器具本体4と、電球形ランプ1を覆う透光性のランプカバー5とを備える。
器具本体4は、ソケット4aを有する。ソケット4aには、電球形ランプ1の口金70がねじ込まれる。このソケット4aを介して電球形ランプ1に電力が供給される。
なお、照明器具としては、図13に示す構成のものに限らず、ダウンライトやスポットライトのように天井に埋込配設された天井埋込型の照明器具等を用いることもできる。
(その他)
以上、本実施の形態に係る電球形ランプ及び照明装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。
また、上記の実施の形態では、LED22としてパッケージ化されたSMD型のLED素子を用いたが、これに限らない。例えば、LED22としてベアチップを用いて、基板21上に複数のLED22(ベアチップ)を直接実装することで構成されたCOB(Chip On Board)構造のLEDモジュール20を用いても構わない。なお、この場合、複数のベアチップは蛍光体含有樹脂によって一括封止される。
また、上記の実施の形態において、LEDモジュール20は、青色LEDチップと黄色蛍光体とによって白色光を放出するように構成したが、これに限らない。例えば、演色性を高めるために、黄色蛍光体に加えて、さらに赤色蛍光体や緑色蛍光体を混ぜても構わない。また、黄色蛍光体を用いずに、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を含有する蛍光体含有樹脂を用いて、これと青色LEDチップとを組み合わせることによりに白色光を放出するように構成することもできる。
また、上記の実施の形態において、LEDチップは、青色以外の色を発光するLEDチップを用いても構わない。例えば、紫外線発光のLEDチップを用いる場合、蛍光体粒子としては、三原色(赤色、緑色、青色)に発光する各色蛍光体粒子を組み合わせたものを用いることができる。さらに、蛍光体粒子以外の波長変換材を用いてもよく、例えば、波長変換材として、半導体、金属錯体、有機染料、顔料など、ある波長の光を吸収し、吸収した光とは異なる波長の光を発する物質を含んでいる材料を用いてもよい。
また、上記の実施の形態において、発光素子としてLEDを例示したが、半導体レーザ等の半導体発光素子、又は、有機EL(Electro Luminescence)や無機EL等のEL素子等その他の固体発光素子を用いてもよい。
また、上記の実施の形態では、本発明を電球形ランプ及びこれを備える照明装置として実現したが、本発明は、他の照明用光源や、照明装置としても実現可能である。
例えば、本発明は、ダウンライトやスポットライト等のLED照明装置に用いられる照明用光源である、フラット薄形構造のLEDユニットとしても実現可能である。また、本発明は、照明用光源である、直管形のLEDランプ又は環状のLEDランプとしても実現可能である。
また、上記回路図に示す回路構成は、一例であり、本発明は上記回路構成に限定されない。つまり、上記回路構成と同様に、本発明の特徴的な機能を実現できる回路も本発明に含まれる。例えば、上記回路構成と同様の機能を実現できる範囲で、ある素子に対して、直列又は並列に、スイッチング素子(トランジスタ)、抵抗素子、又は容量素子等の素子を接続したものも本発明に含まれる。言い換えると、上記実施の形態における「接続される」とは、2つの端子(ノード)が直接接続される場合に限定されるものではなく、同様の機能が実現できる範囲において、当該2つの端子(ノード)が、素子を介して接続される場合も含む。
その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態、又は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
1、1a 電球形ランプ(照明用光源)
2 照明装置
3 点灯器具
4 器具本体
4a ソケット
5 ランプカバー
10 グローブ
11 開口部
20 LEDモジュール
21 基板(第二の基板)
22 LED
23 電極端子
30 支持台
31、51 平板部
31a 載置面
32、52 側壁部
32a 径小部
32b 径大部
33a 第1貫通孔
33b 第2貫通孔
40 駆動回路
41、41b 回路基板(第一の基板)
41a 凸部
50 回路ホルダ
52a 爪部
53 切り欠き部
54 回路基板保持部
54a、56a 係止爪
55 回路基板規制部
56 モジュール基板保持部
57 モジュール基板規制部
57a 平面部
57b スリット
60 筐体
60a 第1開口部
60b 第2開口部
60c 本体部
61 凸部
62 係止部
70 口金
110 第1の整流回路
120 インバータ
130 インバータ制御回路
140 第2の整流回路
CT カレントトランス
D1、D2、D3 ダイオード
FS 電流ヒューズ素子
L1 インダクタ
NF ノイズフィルタ
P1、P2 入力端子
P3、P4 出力端子
Q1 第1のスイッチング素子
Q2 第2のスイッチング素子
R1、R2、R3、R5〜R9 抵抗器
C1〜C6、C8、C9 コンデンサ
TD トリガダイオード

Claims (9)

  1. 照明用光源であって、
    発光素子と、
    前記発光素子を発光させるための駆動回路とを備え、
    前記駆動回路は、
    カレントトランスを有する自励式インバータ回路と、
    前記自励式インバータ回路の出力に接続される共振回路とを備え、
    前記カレントトランスは、前記照明用光源を構成する部品のうち、前記発光素子の発光中に発熱する部品である発熱部品の近傍に配置される
    照明用光源。
  2. 前記カレントトランスは、前記発熱部品に近接して配置される、又は前記カレントトランスの一部が前記発熱部品に当接して配置される
    請求項1に記載の照明用光源。
  3. 前記発熱部品は、前記発光素子であり、
    前記カレントトランスは、前記発光素子の近傍に配置される
    請求項1又は2に記載の照明用光源。
  4. 前記発熱部品は、前記駆動回路を構成する回路部品のうち、前記発光素子の発光中に発熱する回路部品である
    請求項1又は2に記載の照明用光源。
  5. 前記自励式インバータ回路は、スイッチング素子を有し、
    前記共振回路は、インダクタとコンデンサとを有し、
    前記発熱部品は、前記スイッチング素子および前記インダクタのいずれか一方である
    請求項4に記載の照明用光源。
  6. 前記駆動回路は、複数の回路部品によって構成され、第一の基板の主面上に設けられ、
    前記カレントトランスは、前記第一の基板の主面上において、前記カレントトランス以外のいずれの回路部品よりも前記発光素子に近い位置に配置される
    請求項3に記載の照明用光源。
  7. 前記発光素子は、主面が前記第一の基板の主面と略垂直となる第二の基板上に設けられ、
    前記カレントトランスは、前記第一の基板の主面上の、前記第二の基板に近い側の端部に配置される
    請求項3に記載の照明用光源。
  8. 前記発光素子は、主面が前記第一の基板の主面と略平行となる第二の基板上に設けられ、
    前記第一の基板の主面に垂直な方向から見た場合に、前記カレントトランスは、前記第一の基板の主面上の、前記第二の基板上の前記発光素子が設けられる領域と重なる領域に配置される
    請求項3に記載の照明用光源。
  9. 請求項1〜8のいずれか1項に記載の照明用光源を備える
    照明装置。
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