JP2014198901A - LiCoO2含有焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにLiCoO2含有焼結体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
して薄膜二次電池を製造する方法が開示されている。
前記焼結体の、スパッタリング面に対応する面の面積Aが200cm2以上1500cm2以下、
焼結体全体の相対密度が75%以上、
前記スパッタリング面に対応する面において、ポアの占める面積率が10%以上の領域の面積をB1としたとき、前記面積Aに対する前記B1の比率が50%以上であると共に、
前記スパッタリング面に対応する面において、比抵抗が1.0×102Ω・cm以下を満足する領域の面積をB2としたとき、前記面積Aに対する前記B2の比率が25%以上であるところに要旨を有するものである。
前記スパッタリングターゲット全体の相対密度が75%以上、
前記スパッタリング面において、ポアの占める面積率が10%以上の領域の面積をD1としたとき、前記面積Cに対する前記D1の比率が50%以上であると共に、
前記スパッタリング面において、比抵抗が1.0×102Ω・cm以下を満足する領域の面積をD2としたとき、前記面積Cに対する前記D2の比率が25%以上であるところに要旨を有するものである。
本発明のLiCoO2含有焼結体は、焼結体のスパッタリング面の面積Aが200cm2以上1500cm2以下;焼結体全体の相対密度が75%以上;スパッタリング面において、ポアの占める面積率が10%以上の領域の面積をB1としたとき、前記面積Aに対する前記B1の比率が50%以上であると共に、比抵抗が1.0×102Ω・cm以下を満足する領域の面積をB2としたとき、前記面積Aに対する前記B1の比率が25%以上であるところに特徴がある。
。上記比抵抗は小さいほど良い。
本発明に係るLiCoO2含有焼結体の製造方法は、黒鉛型を用いたホットプレス法によって焼結するに当たり、焼結前の加熱時の雰囲気を真空雰囲気にすると共に、ホットプレスによる焼結の後、酸素を含む雰囲気下で熱処理するところに特徴がある。
原材料としては、LiCoO2を含む粉末を使用する。上記粉末には、焼結体の組成に合わせて他の複合酸化物を含んでいてもよい。本発明では、LiCoO2含有粉末として特別なものを使用する必要はなく、例えば、市販のLiCoO2粉末をそのまま使用することができる。
上記の原材料粉末を黒鉛型に充填する。黒鉛型への充填に当たっては、上記原材料粉末を、予備成形することなく直接、充填しても良いし、或いは、別の金型に一旦充填し、金型プレスで予備成形した後、黒鉛型に充填しても良い。後者の予備成形は、ホットプレス工程で所定の型にセットする際のハンドリング性を向上させる目的で行なわれるものであり、例えば、約0.5〜1.0tonf/cm2程度の圧力を加えて予備成形体とすることが好ましい。
次に、酸素を含む雰囲気下で加熱処理する。これにより、焼結体の比抵抗が低下する。前述したように本発明では、所定のポア率を有する領域を多く確保するとの観点から、黒鉛型を用いたホットプレスによる焼結を行なうが、ホットプレス後の焼結体は比抵抗が高い。これは、原材料が黒鉛型と接触して還元反応が生じ、焼結体の酸素が不足するためと推測される。そこで、還元反応によって不足した酸素を、上記のように酸素雰囲気下での加熱処理によって補うことにより、最終的に得られる焼結体の比抵抗を低下させる。
本発明のLiCoO2含有スパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲットのスパッタリング面の面積をCとしたとき、スパッタリングターゲット全体の相対密度が75%以上;スパッタリング面において、ポアの占める面積率が10%以上の領域の面積をD1としたとき、前記面積Cに対する前記D1の比率が50%以上であると共に、前記スパッタリング面に対応する面において、比抵抗が1.0×102Ω・cm以下を満足する領域の面積をD2としたとき、前記面積Cに対する前記D2の比率が25%以上を満足する。スパッタリングターゲットにおける上記C、上記D1、上記D2は、それぞれ、前述したLiCoO2含有焼結体のA、B1、B2に対応する。上記C、上記D1、上記D2の詳細や好ましい範囲などは、前述したA、B1、B2の内容を参酌することができる。
本実施例では、焼結条件を種々変化させて、後記する表2に示す種々の焼結体(No.1〜4)を作製し、各焼結体の特性を測定した。
原料粉末として、市販のLiCoO2粉末(純度99.99%以上、平均粒径10μm以下の微粒材)を用いた。
本実施例では、円盤状の焼結体を用いたため、焼結体の面積率の比B1/Aを、当該焼結体の半径の比、すなわち、焼結体の半径Rに対する半径r1の比r1/Rから算出した。以下、詳細に説明する。
面積率B2/Aは、前述したポア率の算出方法(B1/A)と同様に求めた。
昇温時の雰囲気:窒素、焼結時の雰囲気:窒素、保持条件:650℃で5時間
本実施例では、前述した表1に記載のNo.1〜4の焼結体の一部を用いてターゲットA〜Dを製造し、スパッタリング法による成膜を行なった。
具体的には、上記の各焼結体(φ300mm、半径R=150mm)を機械加工した後、当該焼結体の一部(ポア率が10%以上の領域)を含むようにφ101.6mm(4インチ)×5mmt(t=厚み)のサイズを切り出した後、Cu製バッキングプレートにインジウム系のろう材を用いてボンディングして、上記サイズのスパッタリングターゲットを得た。
r1:No.1の焼結体の半径r1(ポア率が10%以上の領域の面積B1の半径)
r3:ターゲットAの半径
C:ターゲットAの面積
面積S(ポア率):半径r1の円と半径r3の円が重なる面積(ターゲットAにおいて、ポア率が10%以上の領域の面積D1に対応)
成膜装置:DCマグネトロンスパッタ装置を使用
成膜条件:基板温度20℃、DC放電パワー160W、
スパッタガス圧3mTorr、
スパッタガスとしてArガスを使用、成膜膜厚500nm
成膜手順:
各ターゲットを上記のスパッタ装置に装着し、ターゲットに対向する基板ステージ上にガラス基板を装着した。チャンバー内を真空ポンプで8×10-4Pa以下の真空に引いた。次に、マスフローを用いて上記のスパッタガスをチャンバー内に供給した。スパッタガス圧を3mTorrに調整した後、DC(直流)電源を用いてターゲットに高電圧を印加し、プラズマ放電させた。このときの放電パワーは160Wで行い、500nmの膜厚になるよう成膜を実施した。
Claims (6)
- スパッタリングターゲットに使用される、LiCoO2を含む焼結体であって、
前記焼結体の、スパッタリング面に対応する面の面積Aが200cm2以上1500cm2以下、
焼結体全体の相対密度が75%以上、
前記スパッタリング面に対応する面において、ポアの占める面積率が10%以上の領域の面積をB1としたとき、前記面積Aに対する前記B1の比率が50%以上であると共に、
前記スパッタリング面に対応する面において、比抵抗が1.0×102Ω・cm以下を満足する領域の面積をB2としたとき、前記面積Aに対する前記B2の比率が25%以上であることを特徴とするLiCoO2含有焼結体。 - スパッタリングターゲットのスパッタリング面の面積をCとしたとき、前記スパッタリングターゲット全体の相対密度が75%以上、
前記スパッタリング面において、ポアの占める面積率が10%以上の領域の面積をD1としたとき、前記面積Cに対する前記D1の比率が50%以上であると共に、
前記スパッタリング面において、比抵抗が1.0×102Ω・cm以下を満足する領域の面積をD2としたとき、前記面積Cに対する前記D2の比率が25%以上であることを特徴とするLiCoO2含有スパッタリングターゲット。 - 請求項1に記載のLiCoO2含有焼結体を製造する方法であって、
黒鉛型を用いたホットプレス法によって焼結するに当たり、
焼結前の加熱時の雰囲気を真空雰囲気にすると共に、
ホットプレスによる焼結の後、酸素を含む雰囲気下で熱処理することを特徴とするLiCoO2含有焼結体の製造方法。 - 前記ホットプレスによる焼結を真空雰囲気下で行なうものである請求項3に記載の製造方法。
- 前記ホットプレス法による焼結を、温度700〜1000℃、圧力10〜100MPaで行なうものである請求項3または4に記載の製造方法。
- 前記熱処理は、300℃以上1200℃以下の温度で行なうものである請求項3〜5のいずれかに記載の製造方法。
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