JP2014198365A - プレーナ型アクチュエータ - Google Patents

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【課題】 可動部や半導体基板などの熱歪みの発生を抑制することができ、温度変化にかかわらず可動部を安定して動作させることのできるプレーナ型アクチュエータを提供する。【解決手段】 パッケージ基板2に設置された枠状の半導体基板3と、半導体基板3の内側に第1トーションバー6を介して可動自在に支持され駆動手段により駆動される第1可動部7と、半導体基板3、第1可動部7またはパッケージ基板2の少なくとも1つに熱歪みを抑制するサポート部材10と、を設けた。【選択図】 図1

Description

本発明はプレーナ型アクチュエータに係り、特に、可動部や半導体基板などの熱歪みの発生を抑制することができ、温度変化にかかわらず可動部を安定して動作させることを可能としたプレーナ型アクチュエータに関するものである。
従来から、枠状の固定部に平板状の可動部を揺動可能に軸支する構造のアクチュエータとして、例えば半導体製造技術を利用し、シリコン基板を異方性エッチングし、枠状の固定部と平板状の可動部と固定部に可動部を軸支する支持梁とを一体に形成し、可動部に駆動コイルを設け、可動部の駆動コイルに静磁界を付与する、例えば永久磁石のような静磁界発生手段を設け、通電により駆動コイルに発生する磁界と静磁界発生手段による静磁界との相互作用により発生するローレンツ力を利用して可動部を揺動させる電磁駆動タイプのプレーナ型アクチュエータが多く利用されている。そして、このようなアクチュエータは、例えば、可動部にミラーを設けることで光ビームを偏向走査する光スキャナなどに適用されている。
このようなプレーナ型アクチュエータとしては、例えば、従来、半導体基板に、可動部と、可動部を揺動可能に軸支する軸支部とを一体に形成し、可動部の表面側にミラーを設け、可動部の裏面側に駆動コイルを設け、駆動コイルに静磁界を与える磁界発生手段を設け、駆動コイルに電流を流すことにより発生する磁気力により可動部を駆動するようにした技術が開示されており、このように可動部の裏面側に駆動コイルを設けることにより、可動部の面積を縮小することができるものである(例えば、特許文献1参照)。
特許第4111619号公報
前記特許文献1に記載の技術においては、駆動コイルに通電することにより、可動部を揺動させて、光を走査させるものであるが、可動部を安定させた状態で、駆動することが要求される。しかしながら、温度上昇により、可動部や半導体基板などが熱により歪んでしまうことがあり、可動部を安定して駆動することができないという問題を有している。
そのため、例えば、半導体基板の厚さ寸法を大きく形成したり、半導体基板の幅寸法を大きく形成したりして、半導体基板の熱強度を増大させることも考えられるが、半導体基板の厚さ寸法を大きく形成した場合には、可動部の周囲に半導体基板の壁が形成されてしまい、可動部のミラーにより反射される光の走査範囲が狭くなってしまうという問題を有している。また、半導体基板の幅寸法を大きく形成した場合には、半導体基板を半導体ウェハから切り出す際に、1枚の半導体ウェハからの取り数が減少してしまい製造コストの増大を招くとともに、機器の大型化を招いてしまうという問題を有している。
本発明は前記した点に鑑みてなされたものであり、可動部や半導体基板などの熱歪みの発生を抑制することができ、温度変化にかかわらず可動部を安定して動作させることのできるプレーナ型アクチュエータを提供することを目的とするものである。
本発明は前記目的を達成するために、請求項1の発明に係るプレーナ型アクチュエータは、パッケージ基板に設置された枠状の半導体基板と、前記半導体基板の内側に支持梁を介して可動自在に支持され駆動手段により駆動される可動部と、前記半導体基板、前記可動部または前記パッケージ基板の少なくとも1つに熱歪みを抑制するサポート部と、を設けたことを特徴とする。
請求項2に係る発明は、請求項1において、前記サポート部は、前記半導体基板、前記可動部または前記パッケージ基板と別体のサポート部材として構成され、前記サポート部材は、前記半導体基板、前記可動部または前記パッケージ基板の少なくとも1つに貼着して設けられていることを特徴とする。
請求項3に係る発明は、請求項2において、前記サポート部材は、前記可動部または前記半導体基板とほぼ同じ物性を有する材料により形成されていることを特徴とする。
請求項4に係る発明は、請求項1において、前記サポート部は、前記半導体基板、前記可動部または前記パッケージ基板と一体に設けられていることを特徴とする。
請求項5に係る発明は、請求項1から請求項4のいずれか一項において、前記サポート部は、前記半導体基板、前記可動部または前記パッケージ基板のうち、前記可動部による光反射面側に設けられていることを特徴とする。
請求項6に係る発明は、請求項1から請求項4のいずれか一項において、前記サポート部は、前記半導体基板、前記可動部または前記パッケージ基板のうち、前記可動部による光反射面と反対側であって前記可動部を駆動するための配線を避けた箇所に設けられていることを特徴とする。
請求項7に係る発明は、請求項1において、前記半導体基板と前記可動部の間に、前記可動部を前記支持梁を介して回動自在に支持するとともに、前記半導体基板に第2支持梁を介して回動自在に支持された第2可動部を設け、前記サポート部は、前記半導体基板、前記可動部、前記第2可動部または前記パッケージ基板の少なくとも1つに設けられていることを特徴とする。
請求項1に係る発明によれば、半導体基板、可動部またはパッケージ基板の少なくとも1つに熱歪みを抑制するサポート部を設けるようにしているので、可動部を動作させて温度が上昇した場合でも、サポート部により熱歪みを抑制することができ、その結果、可動部などの熱による変形を防止することができ、その結果、発熱時に、可動部を安定して動作させることができる。
請求項2に係る発明によれば、サポート部を、半導体基板、可動部またはパッケージ基板と別体のサポート部材として構成し、サポート部材を半導体基板、可動部またはパッケージ基板の少なくとも1つに貼着して設けるようにしているので、可動部を動作させて温度が上昇した場合でも、サポート部材により熱歪みを抑制することができ、その結果、可動部などの熱による変形を防止することができ、その結果、発熱時に、可動部を安定して動作させることができる。
請求項3に係る発明によれば、サポート部材を、可動部または半導体基板とほぼ同じ物性を有する材料により形成するようにしているので、可動部を動作させて温度が上昇した場合でも、サポート部材により熱歪みを抑制することができ、その結果、可動部などの熱による変形を防止することができ、その結果、発熱時に、可動部を安定して動作させることができる。
請求項4に係る発明によれば、サポート部を、半導体基板、可動部またはパッケージ基板と一体に設けるようにしているので、可動部を動作させて温度が上昇した場合でも、サポート部により熱歪みを抑制することができ、その結果、可動部などの熱による変形を防止することができ、その結果、発熱時に、可動部を安定して動作させることができる。
請求項5に係る発明によれば、サポート部を、半導体基板、可動部またはパッケージ基板のうち、可動部による光反射面側に設けるようにしているので、可動部を動作させて温度が上昇した場合でも、サポート部により熱歪みを抑制することができ、その結果、可動部などの熱による変形を防止することができ、その結果、発熱時に、可動部を安定して動作させることができる。
請求項6に係る発明によれば、サポート部を、半導体基板、可動部またはパッケージ基板のうち、可動部による光反射面と反対側であって可動部を駆動するための配線を避けた箇所に設けるようにしているので、可動部を動作させて温度が上昇した場合でも、サポート部により熱歪みを抑制することができ、その結果、可動部などの熱による変形を防止することができ、その結果、発熱時に、可動部を安定して動作させることができる。
請求項7に係る発明によれば、半導体基板と可動部の間に、可動部を支持梁を介して回動自在に支持するとともに、半導体基板に第2支持梁を介して回動自在に支持された第2可動部を設け、サポート部を、半導体基板、可動部、第2可動部またはパッケージ基板の少なくとも1つに設けるようにしているので、二次元のプレーナ型アクチュエータにおいても、可動部および第2可動部を動作させて温度が上昇した場合でも、サポート部により熱歪みを抑制することができ、その結果、可動部や第2可動部などの熱による変形を防止することができ、その結果、発熱時に、可動部および第2可動部を安定して動作させることができる。
図1(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータの実施形態を示す概略構成図、図1(b)は図1(a)の断面図である。 図2(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータのサポート部材の変形例を示す概略構成図、図2(b)は図2(a)の断面図である。 図3(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータのサポート部材の変形例を示す概略構成図、図3(b)は図3(a)の断面図である。 図4(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータのサポート部材の変形例を示す概略構成図、図4(b)は図4(a)の断面図である。 図5(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータのサポート部材の変形例を示す概略構成図、図5(b)は図5(a)の断面図である。 図6(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータのサポート部材の変形例を示す概略構成図、図6(b)は図6(a)の断面図である。 図7(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータのサポート部材の変形例を示す概略構成図、図7(b)は図7(a)の断面図である。 図8(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータのサポート部材の変形例を示す概略構成図、図8(b)は図8(a)の断面図である。 図9(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータのサポート部材の変形例を示す概略構成図、図9(b)は図9(a)の断面図である。 図10(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータのサポート部材の変形例を示す概略構成図、図10(b)は図10(a)の断面図である。 図11(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータのサポート部材の変形例を示す概略構成図、図11(b)は図11(a)の断面図である。 図12(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータのサポート部材の変形例を示す概略構成図、図12(b)は図12(a)の断面図である。 図13(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータのサポート部材の変形例を示す概略構成図、図13(b)は図13(a)の断面図である。 図14(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータのサポート部材の変形例を示す概略構成図、図14(b)は図14(a)の断面図である。 図15(a)は本発明に係るプレーナ型アクチュエータのサポート部材の変形例を示す概略構成図、図15(b)は図15(a)の断面図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図1は本発明に係るプレーナ型アクチュエータの実施形態を示す概略図である。
図1に示すように、本実施形態のプレーナ型アクチュエータ1は、パッケージ基板2に搭載された枠状の半導体基板3を備えている。この半導体基板3の内側には、支持梁としての第2トーションバー4を介して枠状の第2可動部5が揺動自在に支持されており、この第2可動部5の内側には、支持梁としての第1トーションバー6を介して可動部としての第1可動部7が揺動自在に支持されている。すなわち、第1可動部7と第2可動部5とは、第2トーションバー4を介して互いに直交する方向に揺動自在とされており、第1可動部7と第2可動部5とは、異なる駆動周波数で駆動されるように構成されている。なお、これら半導体基板3、第2可動部5、第1可動部7、第1トーションバー6および第2トーションバー4は、一体的に形成されている。
また、半導体基板3の周囲には、第1可動部7を挟んで互いに反対磁極を対向させて配置される二対の静磁界発生部材(図示せず)が配置されている。なお、静磁界発生部材は、永久磁石でも電磁石でもよい。
第1可動部7の一面側には、第1可動部7を駆動するための渦巻き状に形成された第1駆動コイル8が設置されており、この第1駆動コイル8の両端部は、第2可動部5を通って半導体基板3から引き出されるように構成されている。また、第2可動部5の一面側には、第2可動部5を駆動するための渦巻き状に形成された第2駆動コイル9が設置されており、この第2駆動コイル9の両端部は、半導体基板3から引き出されるように構成されている。
そして、本実施形態においては、半導体基板3の下面側両端部には、熱歪みを抑制するサポート部としての棒状のサポート部材10がそれぞれ設けられている。このサポート部材10は、可動部または半導体基板3とほぼ同じ物性を有する材料により形成されている。具体的には、可動部および半導体基板3がシリコン材料により形成されている場合には、サポート部材10は、ガラスやエポキシなどの材料により形成されるものである。
次に、サポート部材10の変形例について説明する。
サポート部材10としては、例えば、図2に示すように、半導体基板3の下面側両側部に、それぞれ設けるようにしてもよいし、図3に示すように、半導体基板3の下面側の周囲を囲むように枠状に設けるようにしてもよい。
また、サポート部材10を半導体基板3の上面側に設ける場合には、例えば、図4に示すように、半導体基板3の上面側両端部にそれぞれ設けるようにしてもよい。さらに、図5に示すように、半導体基板3の上面側両側部に、それぞれ設けるようにしてもよいし、図6に示すように、半導体基板3の上面側の周囲を囲むように枠状に設けるようにしてもよい。
また、サポート部材10を第2可動部5の下面側に設ける場合には、例えば、図7に示すように、第2可動部5の下面側両端部にそれぞれ設けるようにしてもよい。さらに、図8に示すように、第2可動部5の下面側両側部に、それぞれ設けるようにしてもよいし、図9に示すように、第2可動部5の下面側の周囲を囲むように枠状に設けるようにしてもよい。なお、この変形例においては、サポート部材10を第2可動部5の第2駆動コイル9の配線を避けた箇所に設けることが望ましい。
さらに、サポート部材10を第2可動部5の上面側に設ける場合には、例えば、図10に示すように、第2可動部5の上面側両端部にそれぞれ設けるようにしてもよい。さらに、図11に示すように、第2可動部5の上面側両側部に、それぞれ設けるようにしてもよいし、図12に示すように、第2可動部5の上面側の周囲を囲むように枠状に設けるようにしてもよい。なお、この変形例においては、第1可動部7の光反射面における光の反射を妨げることがないように、サポート部材10の高さ寸法を調整することが必要である。
また、サポート部材10を第1可動部7の下面側に設ける場合には、例えば、図13に示すように、第1可動部7の下面側両端部にそれぞれ設けるようにしてもよい。さらに、図14に示すように、第1可動部7の下面側両側部に、それぞれ設けるようにしてもよいし、図15に示すように、第1可動部7の下面側の周囲を囲むように枠状に設けるようにしてもよい。なお、この変形例においては、サポート部材10を第1可動部7の第2駆動コイル9の配線を避けた箇所に設けることが望ましい。
さらに、サポート部材10は、前述の各変形例を組み合わせて、例えば、半導体基板3、第2可動部5および第1可動部7の2カ所あるいは3カ所以上に設けるようにしてもよい。また、図示していないが、半導体基板3にサポート部材10を設けるようにしてもよい。
次に、本実施形態の作用について説明する。
このプレーナ型アクチュエータ1の駆動原理は、例えば、特許第2722314号公報等で詳述されているので、以下、光スキャナの場合を例として簡単に説明する。
第1可動部7の第1駆動コイル8および第2可動部5の第2駆動コイル9にそれぞれ電流を流すと磁界が発生し、この磁界と静磁界発生手段による静磁界との相互作用によりローレンツ力が発生し、第1トーションバー6および第2トーションバー4の軸方向と平行な第1可動部7および第2可動部5の対辺部分に互いに逆方向の回転力が発生し、この回転力と第1トーションバー6および第2トーションバー4の復元力とが釣合う位置まで第1可動部7および第2可動部5が回動される。
そして、駆動コイルに直流電流を流すことにより、駆動電流量に応じた回動位置で第1可動部7および第2可動部5を停止させることで、反射ミラーにより光ビームを所望の方向に偏向することが可能となる。
一方、駆動コイルに交流電流を流すことにより、第1可動部7および第2可動部5が揺動し、反射ミラーにより光ビームを偏向走査できる。第1可動部7および第2可動部5を回動させるための回転力は、第1駆動コイル8および第2駆動コイル9に流す駆動電流値に比例するので、駆動コイルに供給する駆動電流値を制御することで、第1可動部7の振れ角(光ビームの偏向角度)を制御することができる。なお、本実施形態においては、光スキャナの場合を例として作用を説明したが、本発明は光スキャナ以外にも適用できるものである。
この場合に、本実施形態においては、第1駆動コイル8および第2駆動コイル9に通電して、第1可動部7および第2可動部5を動作させた場合に、温度が上昇するが、サポート部材10により熱歪みを抑制することができるものである。
以上述べたように、本実施形態においては、半導体基板3、第1可動部7、第2可動部5またはパッケージ基板2の少なくとも1つに、サポート部材10を設けるようにしているので、第1可動部7および第2可動部5を動作させて温度が上昇した場合でも、サポート部材10により熱歪みを抑制することができ、その結果、第1可動部7や第2可動部5などの熱による変形を防止することができる。その結果、発熱時に、第1可動部7や第2可動部5を安定して動作させることができる。また、従来のように、半導体基板3の厚さ寸法を大きく形成したり、半導体基板3の幅寸法を大きく形成した場合のように、製造コストの増大や、機器の大型化を招くことがなく、安価に製造することができるとともに、機器の小型化を図ることができる。
なお、前記実施形態においては、第1可動部7と第2可動部5とを備えた二次元のアクチュエータに適用した場合について説明したが、1つの可動部のみを備えた一次元のアクチュエータに適用することも可能である。
また、前記実施形態においては、サポート部を、半導体基板3などと別体のサポート部材10として形成した場合について説明したが、半導体基板3などの一部をリブ状に形成することにより、一体的に形成するようにしてもよい。
また、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能である。
1 プレーナ型アクチュエータ
2 パッケージ基板
3 半導体基板
4 第2トーションバー
5 第2可動部
6 第1トーションバー
7 第1可動部
8 第1駆動コイル
9 第2駆動コイル
10 サポート部材

Claims (7)

  1. パッケージ基板に設置された枠状の半導体基板と、
    前記半導体基板の内側に支持梁を介して可動自在に支持され駆動手段により駆動される可動部と、
    前記半導体基板、前記可動部または前記パッケージ基板の少なくとも1つに熱歪みを抑制するサポート部を設けたことを特徴とするプレーナ型アクチュエータ。
  2. 前記サポート部は、前記半導体基板、前記可動部または前記パッケージ基板と別体のサポート部材として構成され、前記サポート部材は、前記半導体基板、前記可動部または前記パッケージ基板の少なくとも1つに貼着して設けられていることを特徴とする請求項1に記載のプレーナ型アクチュエータ。
  3. 前記サポート部材は、前記可動部または前記半導体基板とほぼ同じ物性を有する材料により形成されていることを特徴とする請求項2に記載のプレーナ型アクチュエータ。
  4. 前記サポート部は、前記半導体基板、前記可動部または前記パッケージ基板と一体に設けられていることを特徴とする請求項1に記載のプレーナ型アクチュエータ。
  5. 前記サポート部は、前記半導体基板、前記可動部または前記パッケージ基板のうち、前記可動部による光反射面側に設けられていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のプレーナ型アクチュエータ。
  6. 前記サポート部は、前記半導体基板、前記可動部または前記パッケージ基板のうち、前記可動部による光反射面と反対側であって前記可動部を駆動するための配線を避けた箇所に設けられていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のプレーナ型アクチュエータ。
  7. 前記半導体基板と前記可動部の間に、前記可動部を前記支持梁を介して回動自在に支持するとともに、前記半導体基板に第2支持梁を介して回動自在に支持された第2可動部を設け、
    前記サポート部は、前記半導体基板、前記可動部、前記第2可動部または前記パッケージ基板の少なくとも1つに設けられていることを特徴とする請求項1に記載のプレーナ型アクチュエータ。
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