JP2014196288A - ジナフトチオフェン化合物並びにジナフトチオフェン骨格を含む重合体及びその製造方法 - Google Patents
ジナフトチオフェン化合物並びにジナフトチオフェン骨格を含む重合体及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014196288A JP2014196288A JP2014042208A JP2014042208A JP2014196288A JP 2014196288 A JP2014196288 A JP 2014196288A JP 2014042208 A JP2014042208 A JP 2014042208A JP 2014042208 A JP2014042208 A JP 2014042208A JP 2014196288 A JP2014196288 A JP 2014196288A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dinaphthothiophene
- group
- formula
- polymer
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
Abstract
Description
このような状況下、本発明の発明者らは、高屈折率を有する有機化合物を検討した結果、下記の式で示されるジナフト[2,1−b:1’,2’−d]チオフェン(以下、便宜上、単にジナフトチオフェンと称する)が有機化合物としては稀な高い屈折率を有することを見出した。なお、式中の数字は置換位置番号である。
本発明は係る考察に基づいてなされたもので、ジナフトチオフェンにおいてチオフェン環と縮合していないベンゼン環上に置換基や重合性官能基を導入した化合物及び当該重合性官能基を導入した化合物から得られた重合体を提供するものである。
また、置換基Rの置換位置としては、ジナフトチオフェン環の2,12位又は3、11位であることが好ましい。
下記式(2)及び(3)において、Xは前記と同じ、Yは酸素又は硫黄をヘテロ原子として含んでいてもよいアルキレン鎖、アラルキレン鎖又はアリーレン鎖、Zは酸素原子又は硫黄原子を表す。
なお、以下、便宜上、「式(2)で表される構造を繰り返し単位とするジナフトチオフェン骨格を含む重合体」を、「式(2)で表されるジナフトチオフェン骨格を含む重合体」と称する。式(3)で表される構造を繰り返し単位とするジナフトチオフェン骨格を含む重合体についても同様である。
また、本発明は上記一般式(1)で表されるジナフトチオフェン化合物又は式(2)もしくは(3)で表されるジナフトチオフェン骨格を含む重合体からなる屈折率向上剤である。
当該化合物において、R1は酸素又は硫黄をヘテロ原子として含んでいてもよいアルキル基である。
酸素又は硫黄のヘテロ原子を含んでいてもよいアラルキレン鎖のアルキレン部分としては、上述のアルキレン鎖を挙げることができる。
また、Yは酸素又は硫黄をヘテロ原子として含んでいてもよいアルキレン鎖、アラルキレン鎖又はアリーレン鎖である。アルキレン鎖及びアラルキレン鎖としては上述の鎖を挙げることができる。アリーレン鎖としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ビフェニレン基、ベンゾフェナントレニレン基、ジベンゾフェナントレニレン基などが例示できる。
上記の式(6)で表されるジメチルチオカルバメート体を生成する反応は、水素化ナトリウムなどの塩基の存在下、DMFなどの有機溶媒中で行われ、反応温度としては60〜100℃で、反応は通常1〜4時間で終了する。反応終了後、冷却することにより、ジメチルチオカルバメート体(6)が析出するので、濾取することにより得ることができる。1,1’−ビナフトール誘導体に対するN,N−ジメチルチオカルバモイルクロライドの使用量は2倍〜3倍モル程度である。
次いで、生成したジメチルチオカルバメート体(6)をスルホランなどの高沸点溶媒中で加熱することにより、式(1−a)で表される化合物を得ることができる。この際の反応温度は200〜270℃程度で、加熱時間としては5〜10時間程度である。反応終了後、冷却し析出する結晶を濾取することにより、式(1−a)で表される化合物を得ることができる。
ここで、炭酸エチレンの代りに、Q-X−Z-H(式中、Xは前記と同じ、Qは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、Zは酸素原子又は硫黄原子である)で表される化合物を反応させることにより、式(1−e)で表される化合物における-CH2-CH2-OH基が−X−Z-Hで表される基に変換された化合物を得ることができる。本明細書では、本化合物及び式(1−e)で表される化合物を合わせて、下記式(1−E)で表される化合物と称する。
なお、式(1−E)で表される化合物において、基−X−Z−Hとしては、-[CH(R2)-CH2-Z-]p-H(式中、Zは前記と同じ、R2は水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基,pは正の整数、好ましくは1〜10、より好ましくは1〜6である)で表される基が好ましく、具体的にはポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基である。
式(2)で表されるジナフトチオフェン骨格を含む重合体は、前記式(1−E)で表されるジナフトチオフェン化合物にジフェニルカーボネートを反応させることにより製造することができる。
この反応において、式(1−E)で表されるジナフトチオフェン化合物とジフェニルカーボネートは略当モルで使用され、N,N−ジメチルアニリンなどの塩基の存在下、加熱下に行われる。この際の反応温度は180〜250℃程度、好ましくは不活性ガス存在下に加熱した後に減圧脱気下に行われ、反応時間としては1〜2時間程度である。反応終了後、冷却し、析出固体をメタノールなどの溶媒で洗浄することにより、式(2)で表されるジナフトチオフェン骨格を含む重合体を得ることができる。
この反応において、式(1−E)で表されるジナフトチオフェン化合物と、上記ジカルボン酸のカルボキシ基における反応性誘導体は略当モルで使用され、ジフェニルエーテルなど有機溶媒中、加熱下に行われる。この際、不活性ガス気流下、反応温度は160〜200℃程度、反応時間としては1.5〜3時間程度である。反応終了後、冷却し、析出固体をメタノールなどの溶媒で洗浄した後、クロロホルムに溶解しジエチルエーテル中に再沈殿することにより、式(3)で表されるジナフトチオフェン骨格を含む重合体を得ることができる。
上記従来のプラスチック光学材料は特に限定されないが、例えば、ポリ(メタ)アクリル酸系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルエーテル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリスルフィド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリシロキサン樹脂等が例示され、ブレンド樹脂、共重合体樹脂であってもよい。
一般式(1)で表されるジナフトチオフェン化合物及び(2)又は(3)で表されるジナフトチオフェン骨格を含む重合体のプラスチック光学材料への添加量は、所望する特性に応じて適宜調整することができるが、通常10〜90重量%程度、好ましくは30〜70重量%程度に調整される。
また、(2)又は(3)で表されるジナフトチオフェン骨格を含む重合体自体を光学材料として使用することも可能である。
7,7’−ジメトキシ−1,1’−ビ−2−ナフトール
3Lのフラスコに2−ヒドロキシ−7−メトキシナフタレン348.4g(2.0モル)、メタノール1285mL、水118mL、水酸化ナトリウム104g(2.6モル)をそれぞれ仕込み、50℃まで昇温する。昇温後、34%塩化第二鉄水溶液1431g(3.0モル)を2時間かけて滴下し、3時間同温度で反応させる。反応後、メタノール720mL、35%塩酸312.9g(3.0モル)、水468mLを注入し、10℃以下まで冷却した後、結晶をろ過、870mLの水で洗浄、乾燥することによって318.1g(0.9モル)の7,7’−ジメトキシ−1,1’−ビ−2−ナフトールを灰色結晶で得た。(純度:98%、理論収率90%)
1H NMR(400MHz, CDCl3) δ:3.50(s,6H), 5.24(s,6H), 6.43(d, J=2.6, 2H), 6.97(dd, J=8.8, 2.6, 2H), 7.12(d, J=8.8, 2H), 7.68(d,J=8.8, 2H) and 7.75(d, J=8.8, 2H) ppm.
13C NMR(100MHz, CDCl3) δ:55.0, 103.1, 110.3, 115.1, 115.9, 124.6, 129.8, 130.9, 134.7, 153.2 and 158.9 ppm.
mp:151.8℃
7,7’−ジメトキシ−1,1’−ビナフタレン−2,2’−ジイル O,O’−ビス(N,N−ジメチルチオカーバメート)
1Lのフラスコに窒素気流下、N,N−ジメチルホルムアルデヒド189.0g、60%水素化ナトリウム31.2g(0.78モル)を仕込み、15℃以下まで冷却する。別途、他の1Lのフラスコに窒素気流下、N,N−ジメチルホルムアルデヒド405.0g、7,7’−ジメトキシ−1,1’−ビ−2−ナフトール106.0g(純度98%、0.3モル)を仕込み、撹拌溶解させ、滴下ロートに移し、先の溶液に15℃以下、1時間以上かけて滴下する。滴下後、15℃以下で1時間熟成し、N,N−ジメチルチオカルバモイルクロリド100.1g(0.81モル)を投入し、80℃まで昇温し、2時間反応させた。反応後、同温度で水378.0gを30分かけて滴下し、10℃以下まで冷却し、同温度でろ過後、150.0gの水で洗浄し、乾燥することによって139.9gの7,7’−ジメトキシ−1,1’−ビナフタレン−2,2’−ジイル O,O’−ビス(N,N−ジメチルチオカーバメート)を茶色結晶で得た。(純度:96%、収率86%)
1H NMR(400MHz, CD2Cl2) δ:2.52(s,6H), 3.07(s,6H), 3.61(s,6H), 6.78(d,J=2.4, 2H), 7.10(dd, J=9.0, 2.5, 2H), 7.43(d,J=8.8, 2H), 7.79(d, J=9.0, 2H) and 7.88(d, J=8.8, 2H) ppm.
13C NMR(100MHz, CDCl3) δ:38.0, 42.7, 55.4, 105.0, 118.5, 123.1, 126.9, 128.0, 129.2, 134.7, 150.1, 157.9 and 186.1 ppm.
mp:186.7℃
2,12−ジメトキシジナフトチオフェン
蒸留装置を接続した1Lのフラスコへ窒素気流下、7,7’−ジメトキシ−1,1’−ビナフタレン−2,2’−ジイルO,O’−ビス(N,N−ジメチルチオカーバメート) 162.7g(純度96%、0.3モル)とスルホラン300gを室温にて仕込み、255℃まで昇温し、255〜265℃で6時間反応させる。尚、昇温と反応においては、副生する低沸点成分を留去させながら行う。反応後、50℃まで冷却し、メタノール170mLを同温度で滴下し、10℃以下まで冷却、結晶をろ過、300mLのメタノールで洗浄し、乾燥することによって、70.3gの2,12−ジメトキシジナフトチオフェンを淡褐色結晶で得た。(純度:97%、収率66%)
1H NMR(400MHz, CDCl3) δ: 3.78(s, 6H), 7.17−7.20(m, 2H), 7.74−7.79(m, 4H), 7.86(d, J=8.8, 2H) and 8.09(br, 2H) ppm.
13C NMR(100MHz, CDCl3) δ:55.3, 107.2, 116.5, 118.4, 126.8, 127.1, 130.1, 130.4, 130.6, 138.9 and 156.6 ppm.
mp:168.0℃、屈折率(n632.8):1.757
2,12−ジヒドロキシジナフトチオフェン
3Lのフラスコへ窒素気流下、2,12−ジメトキシジナフトチオフェン 106.5g(純度97%、0.3モル)、トルエン1380mL、N,N−ジメチルアニリン145.4g(1.2モル)、塩化アルミニウム160.0g(1.2モル)をそれぞれ室温にて仕込み、105℃まで昇温する。105〜115℃で15時間反応し、30℃以下まで冷却する。水1050mLと35%塩酸250.3g(2.4モル)を加え、50℃まで昇温し、ろ過、900mLの水で洗浄し、乾燥する事によって101.0gの2,12−ジジヒドロキシジナフトチオフェンを青色結晶で得た(純度94%、収率94%)。
また、この結晶を750mLのメタノールにて再結晶する事により純度100%の2,12−ジヒドロキシジナフトチオフェンを84.9g(収率89.4%)得た。
1H NMR(400MHz, DMSO−d6) δ:7.22(d, J=8.7, 2.2, 2H), 7.82−7.88(m, 4H), 7.95(d, J=8.7, 2H), 8.15(d, J=2.2, 2H) and 10.06(brs, 2H) ppm.
13C NMR(100MHz, DMSO−d6) δ:109.4, 117.3, 117.7, 126.2, 127.3, 129.6, 130.5, 131.0, 138.2 and 155.2 ppm.
mp:317.8℃
2,12−ビス(2−ヒドロキシエトキシ)ジナフトチオフェン
1Lのフラスコへ窒素気流下、2,12−ジヒドロキシジナフトチオフェン 63.3g(純度100%、0.2モル)、N,N−ジメチルホルムアミド 413mL、苛性ソーダ 8.0g(0.2モル)、炭酸エチレン 116.2g(1.32モル)をそれぞれ室温にて仕込み、90℃まで昇温する。90〜110℃で5時間反応し、30℃以下まで冷却する。17%塩酸600gを加え、50℃まで昇温し、ろ過、300mLの熱水で洗浄し、乾燥する事によって77.2gの2,12−ビス(2−ヒドロキシエトキシ)ジナフトチオフェンを淡黄色結晶で得た(純度99%、収率94.5%)。
1H NMR(400MHz, DMSO−d6) δ:3.84(m, 4H), 4.12(m, 4H), 5.06(s, 2H), 7.38−7.40(m, 2H), 8.00−8.08(m, 4H) and 8.10−8.15(m, 4H) ppm.
mp:177.5℃
2,12−ジアリルオキシジナフトチオフェン
3Lのフラスコへ窒素気流下、2,12−ジヒドロキシジナフトチオフェン 63.3g(純度100%、0.2モル)、N,N−ジメチルホルムアミド 1963mL、60%水素化ナトリウム 20.8g(0.52モル)をそれぞれ室温で仕込み、1時間以上撹拌した後、10℃以下まで冷却する。アリルブロミド 62.9g(0.52モル)を10℃以下で滴下し、同温度で5時間反応する。反応後、水600mLを加え、10℃以下で1時間以上撹拌した後、ろ過、200mLの水とメタノールで順じ洗浄し、乾燥する事によって71.3gの2,12−ジアリルオキシジナフトチオフェンを淡黄色結晶で得た(純度99%、収率89%)。
1H NMR(400MHz, CD2Cl2) δ:4.44(d, J=4.2, 4H), 5.15(d, J=10.4, 2H), 5.27(d, J=17.2, 2H), 5.89−5.98(m, 2H), 7.11(d, J=8.2, 2H), 7.61(br, 4H), 7.72(d, J=8.8, 2H), and 8.10(br, 2H) ppm.
13C NMR(100MHz, CD2Cl2) δ:68.8, 108.5, 116.2, 117.7, 118.3, 126.6, 127.1, 130.0, 130.3, 130.5, 132.9, 138.8 and 155.5 ppm.
mp:89.7℃、屈折率(n632.8):1.729
2,12−ジグリシジルオキシジナフトチオフェン
3Lの還流装置付きのフラスコへ2,12−ジヒドロキシジナフトチオフェン 63.3g(純度100%、0.2モル)、エピクロルヒドリン 1900g、ベンジルトリ−n−ブチルアンモニウムクロリド 37.4g(0.12モル)をそれぞれ室温で仕込み、30分以上撹拌した後、還流するまで昇温する(100〜120℃)。還流下で1時間反応後、50℃以下まで冷却する。還流装置から蒸留装置に切り替えた後、50℃以下で減圧濃縮し、過剰なエピクロルヒドリンを回収した後、2000mLのイソプロピルアルコールを50℃以下で加え、同温度で1時間以上撹拌した後、ろ過、200mLの水とメタノールで順じ洗浄し、乾燥する事によって62.7gの2,12−ジグリシジルオキシジナフトチオフェンを白色固体で得た(純度97%、収率71%)。
1H NMR(400MHz,CD2Cl2) δ: 2.74−2.76(m, 2H), 2.88−2.91(m, 2H), 3.37−3.42(m, 2H), 3.93−4.02(m, 2H), 4.26−4.30(m, 2H),7.26−7.30(m, 2H), 7.82−7.87(m, 4H), 7.94−7.96(m, 2H) and 8.15−8.17(m, 2H)ppm.
mp:133.1℃、屈折率(n632.8):1.723
2,12−ビス(2−メタクリロイルオキシエトキシ)ジナフトチオフェン
3Lのフラスコへ2,12−ジヒドロキシジエトキシ−ジナフトチオフェン 40.9g(純度99%、0.1モル)、テトラヒドロフラン 1800mL、2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−オキシル 0.1g、N,N−ジメチル−4−アミノピリジン 3.7g(0.03モル)をそれぞれ室温で仕込み、無水メタクリル酸 18.5g(0.12モル)を40℃以下で滴下し、同温度で20時間反応する。反応後、水600mLを加え、10℃以下まで冷却し、同温度で1時間以上撹拌した後、ろ過、200mLの水とメタノールで順じ洗浄し、乾燥する事によって36.6gの2,12−ビス(2−メタクリロイルオキシエトキシ)ジナフトチオフェンを白色固体で得た(純度99%、収率67.0%)。
1H NMR(400MHz, CDCl3) δ: 1.89−1.90(m, 6H), 4.27−4.30(m, 4H), 4.48−4.50(m, 4H), 5.52−5.53(m, 2H), 6.07−6.07(m, 2H),7.28(dd, J=8.92, 2.5, 2H), 7.82−7.88(m, 4H), 7.96(d, J=8.9, 2H) and 8.20(d, J=2.5, 2H)ppm.
mp:110.1℃、屈折率(n632.8):1.647
2,12−ビス[2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ]ジナフトチオフェン(以下、DDEGODNTと称する)
500mLのフラスコへ2,12−ジヒドロキシジナフトチオフェン 12.0g(純度100%、37.93mmol)、N,N−ジメチルホルムアミド 240mL、炭酸カリウム 42.0g(303.44mmol)、2−(2−クロロエトキシ)−エタノール 36.2g(純度98%、284.5mmol)をそれぞれ室温で仕込み、80〜85℃まで昇温し、同温度で20時間反応する。反応後、室温まで冷却し、水190mLと酢酸エチル 190mLを加え、30分以上撹拌した後、分液し、乾燥する事によって13.4gの DDEGODNTを白色固体で得た(純度99%、収率71.0%)。
1H NMR (400MHz, CDCl3) δ:3.20(brs, 2H), 3.65−3.68(m, 4H), 3.74−3.76(m, 4H), 3.82−3.85(m, 4H), 4.12−4.14(m, 4H), 7.24(dd, J=2.4, 7.4, 2H), 7.78−7.83(m, 4H), 7.91(d, J=8.9, 2H) and 8.11(d, J=2.4, 2H)ppm.
mp:104.8℃、屈折率(n632.8):1.677
2,12−ビス[2−[2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ]エトキシ]ジナフトチオフェン(以下、DTEGODNTと称する)
100mLのフラスコへ2,12−ジヒドロキシジナフトチオフェン 3.0g(純度100%、9.48mmol)、N,N−ジメチルホルムアミド 60mL、炭酸カリウム 10.4g(75.2mmol)、2−[2−(2−クロロエトキシ)エトキシ]−エタノール 12.0g(純度98%、69.7mmol)をそれぞれ室温で仕込み、80〜85℃まで昇温し、同温度で20時間反応する。反応後、室温まで冷却し、水 50mLとトルエン 50mLを加え、30分以上撹拌した後、分液し、乾燥する事によって2.9gのDTEGODNTを褐色粘性液体で得た(純度99%、収率71.0%)。
1H NMR (400MHz, CDCl3) δ:3.15(brs, 2H), 3.57−3.59(m, 4H), 3.65−3.67(m, 4H), 3.70−3.72(m, 8H), 3.86−3.89(m, 4H), 4.17−4.20(m, 4H), 7.28(dd, J=2.4, 8.9, 2H), 7.80−7.87(m, 4H), 7.93(d, J=8.9, 2H) and 8.16 (d, J=2.4, 2H)ppm、
屈折率(n632.8):1.653.
6,6’−ジメトキシ−1,1’−ビ−2−ナフトール
3Lのフラスコに2−ヒドロキシ−6−メトキシナフタレン348.4g(2.0モル)、メタノール1285mL、水118mL、水酸化ナトリウム104g(2.6モル)をそれぞれ仕込み、50℃まで昇温する。昇温後、34%塩化第二鉄水溶液1431g(3.0モル)を2時間かけて滴下し、3時間同温度で反応させる。反応後、メタノール720mL、35%塩酸312.9g(3.0モル)を注入し、10℃以下まで冷却した後、結晶をろ過、870gの水で洗浄、乾燥することによって328.7g(0.93モル)の6,6’−ジメトキシ−1,1’−ビ−2−ナフトールを灰色結晶で得た。(純度:98%、理論収率93%)
1H NMR(400MHz,CDCl3) δ:3.90(s, 6H), 6.97−6.97(m,2H),7.06(d,J=9.0, 2H), 7.21−7.21 (m, 2H), 7.35(d,J=9.0, 2H) and 7.85(d, J=9.0, 2H) ppm.
13C NMR(100MHz, CDCl3) δ:55.4, 106.8, 111.3, 118.1, 119.8, 125.8, 128.5, 130.0, 130.4, 150.9 and 156.4 ppm.
mp:198.7℃
6,6’−ジメトキシ−1,1’−ビナフタレン−2,2’−ジイル O,O’−ビス(N,N−ジメチルチオカーバメート)
1Lのフラスコに窒素気流下、N,N−ジメチルホルムアルデヒド310mL、60%水素化ナトリウム52.0g(1.3モル)を仕込み、15℃以下まで冷却する。別途、他の1Lのフラスコに窒素気流下、N,N−ジメチルホルムアルデヒド700mL、6,6’−ジメトキシ−1,1’−ビ−2−ナフトール176.7g(純度98%、0.5モル)を仕込み、撹拌溶解させ、滴下ロートに移し、先の溶液に15℃以下、1時間以上かけて滴下する。滴下後、15℃以下で1時間熟成し、N,N−ジメチルチオカルバモイルクロリド160.0g(1.3モル)を投入し、80℃まで昇温し、2時間反応させた。反応後、同温度で水600mLを30分かけて滴下し、10℃以下まで冷却し、同温度でろ過後、250mLの水で洗浄し、乾燥することによって268.5gの6,6’−ジメトキシ−1,1’−ビナフタレン−2,2’−ジイル O,O’−ビス(N,N−ジメチルチオカーバメート)をうすい茶色結晶で得た。(純度:96%、収率99%)
1H NMR(400MHz,CDCl3) δ:2.58(s, 6H),3.10(s, 6H),3.90(s, 6H),6.95(d, J=8.2, 2H), 7.19(br, 2H), 7.32(d, J=8.4, 2H), 7.55(d, J=8.4, 2H) and (m, 2H), 7.35(d, J=9.0, 2H) and 7.83(d, J=8.2, 2H) ppm.
mp:217.8℃
3,11−ジメトキシジナフトチオフェン
蒸留装置を接続した1Lのフラスコへ窒素気流下、6,6’−ジメトキシ−1,1’−ビナフタレン−2,2’−ジイル O,O’−ビス(N,N−ジメチルチオカーバメート) 162.7g(純度96%、0.3モル)とスルホラン300gを室温にて仕込み、255℃まで昇温し、255〜265℃で6時間反応させる。尚、昇温と反応においては、副生する低沸点成分を留去させながら行う。反応後、50℃まで冷却し、メタノール170mLを同温度で滴下し、10℃以下まで冷却、結晶をろ過、300mLのメタノールで洗浄し、乾燥することによって、69.2gの3,11−ジメトキシジナフトチオフェンを淡褐色結晶で得た。(純度:97%、収率65%)
1H NMR(400MHz,CDCl3) δ:3.96(s, 6H), 7.26(dd,J=9.2, 2.7, 2H), 7.31(d,J=2.7, 2H), 7.78(d, J=8.6, 2H), 7.87(d,J=8.6, 2H) and 8.72(d, J=9.2, 2H)ppm.
13C NMR(100MHz,CDCl3) δ:55.3, 107.5, 116.2, 121.4, 125.0, 126.5, 127.4, 131.4, 133.5, 136.4 and 156.8 ppm.
mp:183.9℃
3,11−ジヒドロキシジナフトチオフェン
2Lのフラスコへ窒素気流下、3,11−ジメトキシジナフトチオフェン 106.5g(純度97%、0.3モル)、トルエン1380mL、N,N−ジメチルアニリン145.4g(1.2モル)、塩化アルミニウム160.0g(1.2モル)をそれぞれ室温にて仕込み、105℃まで昇温する。105〜115℃で15時間反応し、30℃以下まで冷却する。水1050mLと35%塩酸250.3g(2.4モル)を加え、50℃まで昇温し、ろ過、900mLの水で洗浄し、乾燥する事によって92.0gの3,11−ジジヒドロキシジナフトチオフェンを青色結晶で得た(純度98%、収率95%)。
また、この結晶を750mLのメタノールにて再結晶する事により純度100%の3,11−ジヒドロキシジナフトチオフェンを84.5g(収率89%)得た。
1H NMR(400MHz,DMF−d7) δ:7.31(dd, J=9.1, 2.6, 2H), 7.51(d, J=2.6, 2H), 7.90(d, J=8.7, 2H), 8.05(d, J=8.7, 2H), 8.73(d, J=9.1, 2H) and 10.10(s, 2H) ppm.
13C NMR(100MHz,DMF−d7) δ:111.3, 117.2, 121.9, 124.5, 127.1, 127.7, 131.8, 134.9, 136.2 and 156.0 ppm.
mp:303.0℃
3,11−ビス(2−ヒドロキシエトキシ)ジナフトチオフェン
1Lのフラスコへ窒素気流下、3,11−ジヒドロキシジナフトチオフェン 63.3g(純度100%、0.2モル)、N,N−ジメチルホルムアミド 413mL、苛性ソーダ 8.0g(0.2モル)、炭酸エチレン 116.2g(1.32モル)をそれぞれ室温にて仕込み、90℃まで昇温する。90〜110℃で5時間反応し、30℃以下まで冷却する。17%塩酸600gを加え、50℃まで昇温し、ろ過、300mLの熱水で洗浄し、乾燥する事によって76.6gの3,11−ジヒドロキシジエトキシジナフトチオフェンを淡黄色結晶で得た(純度94%、収率89.0%)。
1H NMR(400MHz,DMSO−d6) δ: 3.81−3.85(m, 4H), 4.19−4.21(m, 4H), 4.96(br, 2H), 7.30(dd, J=9.2, 2.7, 2H), 7.61(d, J=2.7, 2H), 7.98(d, J=8.7, 2H), 8.13(d, J=8.7, 2H) and 8.61(d, J=9.2, 2H) ppm.
mp:220.3℃
3,11−ジアリルオキシジナフトチオフェン
3Lのフラスコへ窒素気流下、3,11−ジヒドロキシジナフトチオフェン 63.3g(純度100%、0.2モル)、N,N−ジメチルホルムアミド 1963mL、60%水素化ソーダ 20.8g(0.52モル)をそれぞれ室温で仕込み、1時間以上撹拌した後、10℃以下まで冷却する。アリルブロミド 62.9g(0.52モル)を10℃以下で滴下し、同温度で5時間反応する。反応後、水600mLを加え、10℃以下で1時間以上撹拌した後、ろ過、200mLの水とメタノールで順じ洗浄し、乾燥する事によって72.8gの3,11−ジアリルオキシジナフトチオフェンを淡黄色結晶で得た(純度98%、収率90.0%)。
1H NMR(400MHz,CDCl3) δ: 4.69−4.71(m, 4H), 5.34(dd, J=10.5, 1.4, 2H), 5.50(dd, J=17.2, 1.6, 2H), 6.10−6.20(m, 2H), 7.22(dd, J=9.2, 2.7, 2H), 7.32(d, J=2.7, 2H), 7.76(d, J=8.6, 2H), 7.86(d, J=8.6, 2H) and 8.72(d, J=9.2, 2H) ppm.
13C NMR(100MHz,CDCl3) δ:68.9, 108.6, 116.6, 117.8, 121.4, 125.1, 126.5, 127.4, 131.4, 133.2, 133.5, 136.4 and 155.8ppm.
mp:174.2℃、屈折率(n633):1.730
3,11−ジグリシジルオキシジナフトチオフェン
3Lの還流装置付きのフラスコへ3,11−ジヒドロキシジナフトチオフェン 64.6g(純度98%、0.2モル)、エピクロルヒドリン 1900g、ベンジルトリ−n−ブチルアンモニウムクロリド 37.4g(0.12モル)をそれぞれ室温で仕込み、30分以上撹拌した後、還流するまで昇温する(100〜120℃)。還流下で1時間反応後、50℃以下まで冷却する。還流装置から蒸留装置に切り替えた後、50℃以下で減圧濃縮し、過剰なエピクロルヒドリンを回収した後、2000mLのイソプロピルアルコールを50℃以下で加え、同温度で1時間以上撹拌した後、ろ過、200mLの水とメタノールで順じ洗浄し、乾燥する事によって80.3gの3,11−ジグリシジルオキシジナフトチオフェンを白色固体で得た(純度95%、収率89.0%)。
1H NMR(300MHz,CDCl3) δ:2.85−2.87(m, 2H), 2.97−3.00(m, 2H), 3.46−3.50(m, 2H), 4.14−4.20(m, 2H), 7.23−7.37(m, 2H), 7.80−7.93(m, 4H) and 8.73−8.76(m, 2H) ppm.
mp:210.1℃、屈折率(n633):1.7208
3,11−ビス(2−メタクリロイルオキシエトキシ)ジナフトチオフェン
3Lのフラスコへ3,11−ジヒドロキシジエトキシ−ジナフトチオフェン 43.0g(純度94%、0.1モル)、テトラヒドロフラン 1800mL、2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−オキシル 0.1g、N,N−ジメチル−4−アミノピリジン 3.7g(0.03モル)をそれぞれ室温で仕込み、無水メタクリル酸 18.5g(0.12モル)を40℃以下で滴下し、同温度で20時間反応する。反応後、30℃以下まで冷却し、同温度で1時間以上撹拌した後、ろ過、200mLの水とメタノールで順じ洗浄し、乾燥する事によって47.5gの3,11−ビス(2−メタクリロイルオキシエトキシ)ジナフトチオフェンを白色固体で得た(純度99%、収率87.0%)。
1H NMR(400MHz,CDCl3) δ:1.98−1.99(m,6H), 4.44(dd, J=5.12, 4.48, 4H), 4.62(dd, J=5.12, 4.48, 4H), 5.61−5.62(m,2H), 6.19−6.20(m,2H), 7.23−7.25(m,2H), 7.38−7.38(m,2H), 7.81(d, J=8.6,2H), 8.92(d, J=8.6,2H) and 8.74(d,J=9.3,2H) ppm
mp:196.2℃
ポリカーボネートDNTPCの合成
DNTPCの各物性値は、以下の通りである。
IR(KBr):1744,1260cm−1
ガラス転移温度104℃(DSC、窒素気流中、10℃/分)
5wt%重量減少温度379℃(TGA、窒素気流中、10℃/分)
ポリカーボネートDNTPCDEの合成
DNTPDEの各物性値は、以下の通りである。
IR(KBr):1745cm−1
融解温度68℃(DSC、窒素気流中、10℃/分)
5wt%重量減少温度325℃(TGA、窒素気流中、10℃/分)
1HNMR(400MHz,CDCl3)δ:8.2〜7.1(br,10H),4.5〜4.0(br,8H),3.6〜3.9(br,8H)
IR(film):1744cm−1
GPC(CHCl3)ポリスチレン換算:数平均分子量4、300,質量平均分子量5,200
ポリカーボネートDNTPCTEの合成
DNTPCTEの各物性値は、以下の通りである。
IR(KBr):1744cm−1
1HNMR(400MHz,CDCl3)δ:8.2〜7.2(br,10H),4.3〜4.1(br,8H),3.9〜3.7(br,4H),3.7〜3.4(br,12H)ppm
IR(film):1744cm−1
GPC(CHCl3)ポリスチレン換算:数平均分子量10、200,質量平均分子量27、000
ポリエステルDNTPE−1の合成
DNTPE−1の各物性値は、以下の通りである。
ガラス転移温度103℃(DSC、窒素気流中、10℃/分)
5wt%重量減少温度379℃(TGA、窒素気流中、10℃/分)
1HNMR(400MHz,CDCl3)δ:8.5〜7.1(br,10H),4.5〜4.0(br,8H),2.5〜2.1(br,4H),1.9〜1.4(br,4H)ppm
IR(film):1744cm−1
GPC(CHCl3)ポリスチレン換算:数平均分子量4,740,質量平均分子量11,300
(1)1,4−シクロヘキサンジカルボン酸クロライドの合成
三口フラスコに1、4−シクロヘキサンジカルボン酸(cis/trans=7:3)6.19g(36 mmol)および塩化チオニル 42.7g(360 mmol)を加え、N,N−ジメチルホルムアミドを0.01ml加えた後3時間加熱還流させた。反応液を冷却後トルエン20mlを加えて減圧脱溶媒後蒸留精製し、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸クロライド 6.4g(収率85.0%,cis/trans=6:4)を得た。
Bp:129〜133℃/5mmHg
1HNMR(400MHz,CDCl3)δ:3.0〜2.9,2.8〜2.7(m,2H),2.4〜2.3, 2.1〜2.0,2.0〜1.8,1.6〜1.5(m,8H)ppm
DNTPE−2の各物性値は、以下の通りである。
ガラス転移温度103℃ (DSC、窒素気流中、10℃/分)
5wt%重量減少温度426℃(TGA、窒素気流中、10℃/分)
1HNMR(400MHz,CDCl3)δ:8.5〜7.1(br,10H),4.5〜4.0(br,8H),2.4〜1.1(br,10H)ppm
IR(film):1732cm−1
GPC(CHCl3)ポリスチレン換算:数平均分子量6,940,質量平均分子量16,000
ポリエステルDNTPE−3の合成
DNTPE−3の各物性値は、以下の通りである。
ガラス転移温度125℃ (DSC、窒素気流中、10℃/分)
5wt%重量減少温度463℃(TGA、窒素気流中、10℃/分)
1HNMR(400MHz,CDCl3/DMSO−d6)δ:8.5〜7.1(br,14H),4.5〜4.0(br,8H)ppm
IR(film):1719cm−1
ポリエチレンテレフタレート(PET,Mylar,DuPont社製)の各物性値は以下の通りである。
ガラス転移温度80℃(文献1)
分解温度340℃(文献2)
文献1:ZEUS INDUSTRIAL PRODUCTS, Inc. TECHNICAL NEWSLETTER”Focus on PET”,(2010)
文献2:GESTIS Substance Database, IFA
実施例19〜23のジナフトチオフェン骨格を主鎖に含むポリマーは比較例に比べ熱分解温度が高く、高い熱安定性が示された。
試験例1〜4
実施例20〜21および実施例21〜23で得られた重合体のそれぞれについて、重合体20mgを1mLのクロロホルムに溶解させて溶液とし、次いで、この溶液をメンブランフィルター(0.50μm)で濾過した。得られた濾液をパスツールピペットを用いて1滴、スピンコーターによりシリコンウェーハ(15mm角)の表面に塗布し、塗布された濾液に含まれていたクロロホルムを蒸発させて屈折率向上剤の膜(膜厚1μm)を形成させた。得られたポリマー膜はいずれも均一透明であり、当該膜のそれぞれについて、632.8nmの光に対する屈折率をエリプソンメーター(DHA−OLX/S4、株式会社溝尻光学工業所製)により測定した。その結果を表1に示す。
試験例1〜4の重合体は、スピンコートにより等方性の透明膜を与え、比較例に比べて高い屈折率を示した。
Claims (5)
- Rの置換位置が、ジナフトチオフェン環の2,12位又は3、11位である請求項1記載のジナフトチオフェン化合物。
- 請求項1〜3に記載されるジナフトチオフェン化合物又は重合体からなる屈折率向上剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014042208A JP6258078B2 (ja) | 2013-03-04 | 2014-03-04 | ジナフトチオフェン化合物並びにジナフトチオフェン骨格を含む重合体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013042042 | 2013-03-04 | ||
JP2013042042 | 2013-03-04 | ||
JP2014042208A JP6258078B2 (ja) | 2013-03-04 | 2014-03-04 | ジナフトチオフェン化合物並びにジナフトチオフェン骨格を含む重合体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014196288A true JP2014196288A (ja) | 2014-10-16 |
JP6258078B2 JP6258078B2 (ja) | 2018-01-10 |
Family
ID=52357404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014042208A Active JP6258078B2 (ja) | 2013-03-04 | 2014-03-04 | ジナフトチオフェン化合物並びにジナフトチオフェン骨格を含む重合体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6258078B2 (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015048368A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 電気化学工業株式会社 | 光学部品用高屈折率接着剤組成物 |
WO2016104214A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法及び精製方法 |
EP3214064A1 (en) * | 2016-03-04 | 2017-09-06 | Toray Fine Chemicals Co., Ltd. | Method for preparing 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid dichloride |
JP2018083774A (ja) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | スガイ化学工業株式会社 | ジナフトチオフェン誘導体及びその製造方法 |
JPWO2018043593A1 (ja) * | 2016-08-30 | 2019-06-24 | ソニー株式会社 | ホログラム記録用感光性組成物、ホログラム記録媒体及びホログラム |
US10377734B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-08-13 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenol derivative for use in the composition |
JP2020090671A (ja) * | 2013-08-30 | 2020-06-11 | デンカ株式会社 | 被覆材用樹脂組成物 |
JPWO2021166990A1 (ja) * | 2020-02-18 | 2021-08-26 | ||
US11137686B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, and resist pattern forming method |
US11143962B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, pattern forming method, resin, and purification method |
DE112020000633T5 (de) | 2019-01-31 | 2021-10-28 | Sony Group Corporation | Hologramm-aufzeichnungszusammensetzung, hologramm-aufzeichnungsmedium, hologramm und optische vorrichtung und eine diese nutzende optische komponente |
CN113929893A (zh) * | 2020-07-13 | 2022-01-14 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种高折射率、低双折射率的共聚碳酸酯 |
US11243467B2 (en) | 2015-09-10 | 2022-02-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, resist composition or radiation-sensitive composition, resist pattern formation method, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, method for forming circuit pattern, and purification method |
US11256170B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-02-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resist composition, and method for forming resist pattern using it |
US11480877B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-10-25 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, and polyphenol compound used therein |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011178985A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-09-15 | Kanagawa Univ | 屈折率向上剤、並びにそれを含む樹脂組成物、重合若しくは硬化性組成物及び光学材料 |
JP2012129379A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Panasonic Corp | 放熱フィン |
JP2012136576A (ja) * | 2010-12-24 | 2012-07-19 | Kanagawa Univ | 耐硬化収縮性の硬化性組成物、及び当該硬化性組成物を硬化させた硬化物 |
-
2014
- 2014-03-04 JP JP2014042208A patent/JP6258078B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011178985A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-09-15 | Kanagawa Univ | 屈折率向上剤、並びにそれを含む樹脂組成物、重合若しくは硬化性組成物及び光学材料 |
JP2012129379A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Panasonic Corp | 放熱フィン |
JP2012136576A (ja) * | 2010-12-24 | 2012-07-19 | Kanagawa Univ | 耐硬化収縮性の硬化性組成物、及び当該硬化性組成物を硬化させた硬化物 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
J. CHEM. SOC., PERKIN TRANS. 1, vol. (9), JPN6017033043, 1997, pages 1391 - 1393, ISSN: 0003630576 * |
TETRAHEDRON LETTERS, vol. 45, JPN6017033041, 2004, pages 3067 - 3070, ISSN: 0003630575 * |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10377734B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-08-13 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenol derivative for use in the composition |
JP2015048368A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 電気化学工業株式会社 | 光学部品用高屈折率接着剤組成物 |
JP2020090671A (ja) * | 2013-08-30 | 2020-06-11 | デンカ株式会社 | 被覆材用樹脂組成物 |
JPWO2016104214A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2017-10-05 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法及び精製方法 |
US20170349564A1 (en) | 2014-12-25 | 2017-12-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method |
JP7026439B2 (ja) | 2014-12-25 | 2022-02-28 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法及び精製方法 |
CN107108549A (zh) * | 2014-12-25 | 2017-08-29 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、树脂、光刻用基底膜形成材料、光刻用基底膜、图案形成方法和纯化方法 |
WO2016104214A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法及び精製方法 |
US10745372B2 (en) | 2014-12-25 | 2020-08-18 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method |
US11480877B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-10-25 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, and polyphenol compound used therein |
US11256170B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-02-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resist composition, and method for forming resist pattern using it |
US11137686B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, and resist pattern forming method |
US11143962B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, pattern forming method, resin, and purification method |
US11572430B2 (en) | 2015-09-10 | 2023-02-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, resist composition or radiation-sensitive composition, resist pattern formation method, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, method for forming circuit pattern, and purification method |
US11243467B2 (en) | 2015-09-10 | 2022-02-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, resist composition or radiation-sensitive composition, resist pattern formation method, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, method for forming circuit pattern, and purification method |
EP3214064A1 (en) * | 2016-03-04 | 2017-09-06 | Toray Fine Chemicals Co., Ltd. | Method for preparing 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid dichloride |
JPWO2018043593A1 (ja) * | 2016-08-30 | 2019-06-24 | ソニー株式会社 | ホログラム記録用感光性組成物、ホログラム記録媒体及びホログラム |
US11427656B2 (en) | 2016-08-30 | 2022-08-30 | Sony Corporation | Photosensitive composition for hologram recording, hologram recording medium, and hologram |
JP2018083774A (ja) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | スガイ化学工業株式会社 | ジナフトチオフェン誘導体及びその製造方法 |
DE112020000633T5 (de) | 2019-01-31 | 2021-10-28 | Sony Group Corporation | Hologramm-aufzeichnungszusammensetzung, hologramm-aufzeichnungsmedium, hologramm und optische vorrichtung und eine diese nutzende optische komponente |
CN115087648A (zh) * | 2020-02-18 | 2022-09-20 | 三菱化学株式会社 | 化合物、热塑性树脂、光学构件、光学透镜 |
WO2021166990A1 (ja) * | 2020-02-18 | 2021-08-26 | 三菱ケミカル株式会社 | 化合物、熱可塑性樹脂、光学部材、光学レンズ |
JPWO2021166990A1 (ja) * | 2020-02-18 | 2021-08-26 | ||
JP7416196B2 (ja) | 2020-02-18 | 2024-01-17 | 三菱ケミカル株式会社 | 化合物、熱可塑性樹脂、光学部材、光学レンズ |
CN113929893A (zh) * | 2020-07-13 | 2022-01-14 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种高折射率、低双折射率的共聚碳酸酯 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6258078B2 (ja) | 2018-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6258078B2 (ja) | ジナフトチオフェン化合物並びにジナフトチオフェン骨格を含む重合体及びその製造方法 | |
JP6429267B2 (ja) | 重合体 | |
JP6128124B2 (ja) | ビス(β−エポキシプロピル)スルフィドおよびビス(β−エポキシプロピル)ポリスルフィドの製造方法 | |
JP2008280402A (ja) | ポリ(シルアリーレンシロキサン)誘導体及びその共重合体並びにシリコーンゴム | |
JP5446109B2 (ja) | ヒドロキシ安息香酸誘導体及び重合性化合物の製造方法 | |
US20160023978A1 (en) | 6-hydroxy-2-naphthalenyl fluorene derivatives and lens and camera module using the same | |
JP2015003875A (ja) | リン系化合物及びその製造方法 | |
JP5606112B2 (ja) | 新規ジアリールスルホン化合物、及びその製造方法 | |
JP2000336082A (ja) | オキセタン環を有するフルオレン誘導体 | |
JP7455190B2 (ja) | 多環芳香族炭化水素化合物、その結晶およびその製造方法 | |
KR20140109619A (ko) | 폴리(에테르설폰) 수지 | |
JP2010270022A (ja) | アントラセン二量体骨格を有する新規なエポキシ化合物及びその製造法 | |
CN115993671A (zh) | 光学聚合物、包括该光学聚合物的透镜以及透镜组件 | |
JP2016074644A (ja) | スピロビフルオレン骨格を有するジオール化合物およびその製造方法 | |
JP3959976B2 (ja) | オキセタン環を有するα,ω−(ジメチロール)パーフルオロアルカン誘導体 | |
JP5403484B2 (ja) | アントラセン二量体骨格を有する新規なエポキシアクリレート化合物及びその製造法 | |
JPWO2016002607A1 (ja) | 新規なビス(ヒドロキシアルコキシフェニル)ジフェニルメタン類 | |
JP2018016546A (ja) | トリオキセタンエーテル化合物 | |
JP5157800B2 (ja) | 新規な1,4−ジヒドロアントラセン−9,10−ジエーテル化合物 | |
JP4736289B2 (ja) | オキセタン環を有するナフタレン誘導体 | |
JP2007023246A (ja) | 新規シリコン含有化合物およびその製造方法 | |
CN114702655B (zh) | 聚碳酸酯及其制备方法和应用 | |
JP7416196B2 (ja) | 化合物、熱可塑性樹脂、光学部材、光学レンズ | |
JP2003012662A (ja) | オキセタン環を有する2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン誘導体 | |
JP7457318B2 (ja) | フルオレン化合物及びその重合体並びにそれらの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20160311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160311 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20161125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171011 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6258078 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |