JP2014192438A - パッケージの製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体 - Google Patents

Abstract

【課題】真空度の低下を低減することができるパッケージの製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体を提供することにある。
【解決手段】本発明の電子デバイスの製造方法は、ベース基板２１０とリッド２５０とを仮止めする第１工程と、ベース基板２１０およびリッド２５０を乾燥する第２工程と、ベース基板２１０とリッド２５０とを溶接領域の一部を残して大気圧下にてエネルギー線溶接する第３工程と、溶接領域の残りの一部を常温かつ減圧下にてエネルギー線溶接する第４工程とを有している。
【選択図】図６

Description

本発明は、パッケージの製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体に関するものである。

従来から、振動素子等の電子部品をパッケージに収納して構成される電子デバイスが知られている。また、このような電子デバイスは、一般的に、振動素子を搭載したベース基板と蓋体とをメタライズ層を介してビーム溶接により封止することにより製造することができる（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１には、ベース基板と蓋体とのビーム溶接を２回に分けて行い、１回目で全溶接領域の５０％以上を溶接し、２回目で、真空中にて残りの領域を溶接する方法が開示されている。また、特許文献には、２回目の溶接を行う直前に、パッケージ（ベース基板および蓋体）を加熱乾燥することによって、パッケージ内のガス粒子が除去され、電子デバイスの特性が向上することが記載されている。

ここで、近年では、電子デバイスの生産性の向上を図るため、複数（ｎ個）のベース基板が並んで配置されたベース基板集合体を用いることが多く、この場合、２回目の溶接では、それぞれ、複数のベース基板について順番に蓋体との溶接を行わなくてはならい。そのため、最初に溶接を終えたパッケージは、最後のパッケージの溶接が終わるまで、高温雰囲気下に曝されることとなる。

高温雰囲気下に曝されると、ガスが発生し易くなり、発生したガスによってパッケージ内の真空度が低下し、高温雰囲気下に曝される時間が長いほど真空度の低下が著しくなる。そのため、最初の方に溶接を終えたパッケージについては、高い真空度を維持することができないという問題があった。また、真空度の違いに起因した振動特性のバラつきが生じ、歩留まりが低下するという問題もある。

特許第３３０５６３６号公報

本発明の目的は、真空度の低下を低減することができるパッケージの製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体を提供することにある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明のパッケージの製造方法は、ベース基板と金属で構成されている蓋体とを溶接領域で重ね合せる工程と、
前記ベース基板と前記蓋体とを前記溶接領域の一部を残して、大気圧下でエネルギー線溶接する工程と、
前記溶接領域の前記一部を、常温かつ減圧下でエネルギー線溶接する工程と、
を含むことを特徴とする。
このように、減圧下で溶接を行う工程を常温で行うことによって、本工程時におけるガスの発生を低減することができる。そのため、パッケージ内の真空度の低下を低減することができる。

［適用例２］
本発明の電子デバイスの製造方法は、電子部品が搭載されているベース基板と金属で構成されている蓋体と、前記電子部品を内包するように溶接部で重ね合せる工程と、
前記ベース基板と前記蓋体とを溶接領域の一部を残して、大気圧下でエネルギー線溶接する工程と、
前記溶接領域の前記一部を、常温かつ減圧下でエネルギー線溶接する工程と、
を含むことを特徴とする。
このように、減圧下で溶接を行う工程を常温で行うことによって、本工程時におけるガスの発生を低減することができる。そのため、パッケージ内の真空度の低下を低減することができる。

［適用例３］
本発明の電子デバイスの製造方法では、前記接合領域は平面視で矩形であり、
前記電子部品は、前記ベース基板に接着剤を介して片持ち支持されており、
前記溶接領域の前記一部を、前記電子部品の片持ち支持されている側の端部と対向していることが好ましい。
これにより、減圧下で溶接を行う工程のときに飛散した金属粒子等が、電子部品の特性に影響を与える部分に付着してしまうのを抑制することができる。

［適用例４］
本発明の電子デバイスの製造方法では、前記大気圧下でエネルギー線溶接をする工程では、前記ベース基板および前記蓋体が加熱されていることが好ましい。
これにより、メタライズ層の濡れ性が高まるため、ベース基板と蓋体とをより確実に溶接することができる。

［適用例５］
本発明の電子デバイスの製造方法では、前記大気圧下でエネルギー線溶接をする工程よりも前に、
前記ベース基板および前記蓋体を乾燥する工程を含むことが好ましい。
これにより、パッケージ内の水分を除去することができるため、得られる電子デバイスの特性を高めることができる。

［適用例６］
本発明の電子デバイスの製造方法では、前記大気圧下でエネルギー線溶接する工程よりも前に、
前記ベース基板と前記蓋体とを仮止めする工程を含むことが好ましい。
これにより、前記大気圧下で溶接を行う工程で、蓋体がベース基板に対してずれてしまうのを防止することができる。また、蓋体をベース基板に密着させた状態とすることができるため、例えば、蓋体をベース基板に押さえつけないでも、エネルギー線溶接を効率的に行うことができる。

［適用例７］
本発明の電子デバイスの製造方法では、前記重ね合せる工程よりも前に、複数の前記ベース基板が集合しているベース基板集合体を用意する工程と、
前記常温かつ減圧下でエネルギー線溶接する工程よりも後に、ベース基板集合体を分割する工程を含むことが好ましい。
これにより、電子デバイスの生産性が向上する。

［適用例８］
本発明の電子デバイスは、本発明の電子デバイスの製造方法によって製造されていることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子デバイスとなる。
［適用例９］
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子機器となる。
［適用例１０］
本発明の移動体は、本発明の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する移動体となる。

電子デバイスの平面図である。 図１中のＡ−Ａ線断面図である。 図１に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図である。 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する図である。 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する図である。 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する図である。 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する図である。 図１に示す電子デバイスの他の製造方法を説明する図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。 本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。

以下、本発明のパッケージの製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、電子デバイスの平面図、図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１に示す電子デバイスが有する振動素子の平面図、図４ないし図７は、それぞれ、図１に示す電子デバイスの製造方法を説明する図、図８は、図１に示す電子デバイスの他の製造方法を説明する図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１中の紙面手前側および図２中の上側を「上」と言い、図１中の紙面奥側および図２中の下側を「下」と言う。

１．電子デバイス
まず、本発明の電子デバイス（本発明の電子デバイスの製造方法によって製造される電子デバイス）について説明する。
図１および図２に示すように、電子デバイス１００は、パッケージ２００と、パッケージ２００内に収容された振動素子（電子部品）３００とを有している。

−振動素子−
図３（ａ）は、振動素子３００を上方から見た平面図であり、同図（ｂ）は、振動素子３００を上方から見た透過図（平面図）である。
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、振動素子３００は、平面視形状が長方形の板状をなす圧電基板３１０と、圧電基板３１０の表面に形成された一対の励振電極３２０、３３０とを有している。

圧電基板３１０は、主として厚み滑り振動をする水晶素板である。本実施形態では、圧電基板３１０としてＡＴカットと呼ばれるカット角で切り出された水晶素板を用いている。なお、ＡＴカットとは、水晶の結晶軸であるＸ軸とＺ軸とを含む平面（Ｙ面）をＸ軸回りにＺ軸から反時計方向に約３５度１５分程度回転させて得られる主面（Ｘ軸とＺ’軸とを含む主面）を有するように切り出すことを言う。このような圧電基板３１０は、その長手方向が水晶の結晶軸であるＸ軸と一致する。

励振電極３２０は、圧電基板３１０の上面に形成された電極部３２１と、圧電基板３１０の下面に形成されたボンディングパッド３２２と、電極部３２１およびボンディングパッド３２２を電気的に接続する配線３２３とを有している。一方、励振電極３３０は、圧電基板３１０の下面に形成された電極部３３１と、圧電基板３１０の下面に形成されたボンディングパッド３３２と、電極部３３１およびボンディングパッド３３２を電気的に接続する配線３３３とを有している。そして、電極部３２１、３３１は、圧電基板３１０を介して対向して設けられており、ボンディングパッド３２２、３３２は、圧電基板３１０の下面の図３中右側の端部に離間して設けられている。

このような励振電極３２０、３３０は、例えば、圧電基板３１０上に蒸着やスパッタリングによってＮｉまたはＣｒの下地層を成膜した後、下地層の上に蒸着やスパッタリングによってＡｕの電極層を成膜し、その後フォトリソグラフィー技法および各種エッチング技法を用いて、所望の形状にパターニングすることにより形成することができる。下地層を形成することにより、圧電基板３１０と前記電極層との接着性が向上し、信頼性の高い振動素子３００が得られる。
このような振動素子３００は、一対の導電性接着剤（接着剤）２９１、２９２を介してパッケージ２００に固定されている。

−パッケージ−
図１および図２に示すように、パッケージ２００は、上側に開放する凹部を有するキャビティ状のベース基板２１０と、板状のリッド（蓋体）２５０と、ベース基板２１０の上面２１１に設けられ、ベース基板２１０とリッド２５０とを接合するメタライズ層２７０とを有している。このようなパッケージ２００では、ベース基板２１０とリッド２５０とが気密的に封止されている。パッケージ２００の内部（収納空間Ｓ）は、減圧されており、具体的には、１００Ｐａ以下であるのが好ましく、１０Ｐａ以下であるのがより好ましい。

ベース基板２１０の構成材料としては、例えば、酸化物系セラミックス、窒化物系セラミックス、炭化物系セラミックス等の各種セラミックスなどを用いることができる。一方、リッド２５０の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、銀、金のような各種金属材料、これら金属材料のうちの少なくとも１種を含む合金（例えば、コバール）などを用いることができる。例えば、ベース基板２１０の構成材料をセラミックスとした場合には、当該セラミックスと線膨張係数が近似する材料であるコバール等の合金を用いると良い。また、メタライズ層２７０の構成としては、特に限定されないが、例えば、後述する電極２３０、２４０と同様の構成、すなわち、Ｎｉ、Ｃｒ等の下地層に、Ａｕの被覆層を形成した構成とすることができる。これにより、メタライズ層２７０を電極２３０、２４０と同時に形成することができるため、製造工程が少なくなる。

ベース基板２１０には一対の電極２３０、２４０が設けられている。電極２３０は、ベース基板２１０の上面に設けられた接続電極２３１と、ベース基板２１０の下面に設けられた外部実装電極２３２と、ベース基板２１０を貫通して設けられ、接続電極２３１と外部実装電極２３２とを接続する貫通電極２３３とを有している。同様に、電極２４０は、ベース基板２１０の上面に設けられた接続電極２４１と、ベース基板２１０の下面に設けられた外部実装電極２４２と、ベース基板２１０を貫通して設けられ、接続電極２４１と外部実装電極２４２とを接続する貫通電極２４３とを有している。
このような電極２３０、２４０は、例えば、ベース基板２１０上に蒸着やスパッタリングによってＮｉまたはＣｒの下地層を成膜した後、下地層の上に蒸着やスパッタリングによってＡｕの電極層を成膜し、その後フォトリソグラフィー技法およびエッチング技術を用いて、所望の形状にパターニングすることにより形成することができる。

収納空間Ｓに収納された振動素子３００は、一対の導電性接着剤２９１、２９２を介してベース基板２１０に片持ち支持されている。導電性接着剤２９１は、接続電極２３１とボンディングパッド３２２とに接触して設けられ、これにより、導電性接着剤２９１を介して接続電極２３１とボンディングパッド３２２とが電気的に接続されている。一方の導電性接着剤２９２は、接続電極２４１とボンディングパッド３３２とに接触して設けられており、これにより、導電性接着剤２９２を介して接続電極２４１とボンディングパッド３３２とが電気的に接続されている。
導電性接着剤２９１、２９２としては、特に限定されず、例えば、シリコン系、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系、ビスマレイミド系、ポリエステル系、ポリウレタン系樹脂に金属粉末等の導電性フィラーを混合した接着剤を用いることができる。

２．電子デバイスの製造方法
次に、図４ないし図６に基づいて、電子デバイス１００の製造方法（本発明のパッケージの製造方法および電子デバイスの製造方法）を説明する。
電子デバイス１００の製造方法は、ベース基板２１０とリッド２５０とを仮止めする第１工程と、パッケージ２００を乾燥する第２工程と、大気圧下にて、ベース基板２１０とリッド２５０とを溶接領域の一部を残してエネルギー線溶接する第３工程と、常温かつ減圧下にて、溶接領域の残りの一部をエネルギー線溶接する第４工程とを有している。以下、これら工程を詳細に説明する。

［第１工程］
まず、図４（ａ）に示すように、ベース基板２１０とリッド２５０とを用意する。ベース基板２１０は、例えば、シート状のセラミックグリーンシートを複数枚積層することによって所定の外形形状に整形した未焼結体に、電極２３０、２４０およびメタライズ層２７０となる金属膜（例えば、Ｃｒ、Ｎｉ等の下地層とＡｕの被覆層の積層膜）をフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いて成膜し、これを焼結することにより得られる。一方、リッド２５０は、コバール等の合金を板状に形成し、その下面に銀ろう等の金属ろう材２６０を層状に形成することにより得られる。

次に、図４（ｂ）に示すように、一対の導電性接着剤２９１、２９２を介してベース基板２１０に振動素子３００を実装する。次に、導電性接着剤２９１、２９２を乾燥し、硬化させる。これにより、振動素子３００が、電極２３０、２４０と電気的に接続された状態で、ベース基板２１０に片持ち支持（固定）される。次に、図５（ａ）に示すように、ベース基板２１０にリッド２５０を被せ、ベース基板２１０の開口をリッド２５０で塞ぐ。

次に、図５（ｂ）に示すように、リッド２５０側から、リッド２５０の四隅の領域Ｒ１にエネルギー線ＬＬを照射し、照射領域の金属ろう材２６０を加熱溶融することで、リッド２５０をメタライズ層２７０に溶接する。これにより、リッド２５０がベース基板２１０に仮止めされる。リッド２５０をベース基板２１０に仮止めすることによって、ベース基板２１０に対するリッド２５０のずれを生じなくすることができ、この後の工程を円滑かつ精度よく行うことができる。

なお、エネルギー線ＬＬとしては、上記の溶接を実現することができれば、特に限定されず、例えば、放射線、電子線、レーザー、イオンビーム等が挙げられるが、炭酸ガスレーザー、エキシマーレーザー、ＹＡＧレーザー等のレーザーを用いるのが好ましい。これにより、簡単かつ確実に、上記溶接を行うことができる。以下の第３、第４工程で用いるエネルギー線ＬＬについても同様である。

ここで、図５（ｂ）に、リッド２５０の外周縁に沿って設定されている溶接領域Ｒを鎖線で示しているが、仮止めする領域Ｒ１は、この溶接領域Ｒ上の一部であるのが好ましい。溶接領域Ｒは、金属ろう材２６０とメタライズ層２７０とが確実に重なっている領域であるため、このような領域上で仮止めすることにより、仮止めを確実にかつ簡単に行うことができる。特に、領域Ｒ１を、リッド２５０の四隅とすることによって、後の第３工程での溶接の際のリッド２５０の熱膨張量を低減することができ、パッケージ２００に残留する応力を低減することができる。なお、領域Ｒ１の配置は、リッド２５０の四隅に限定されず、例えば、対向する２つの隅であってもよいし、リッド２５０の各辺の途中であってもよい。

［第２工程］
次に、仮止めされたパッケージ２００を減圧下で加熱し、乾燥する。これにより、パッケージ２００や振動素子３００に吸着している水分を除去することができる。また、導電性接着剤２９１、２９２に含まれる不要な有機溶媒（ガス）を除去することができる。そのため、溶接領域Ｒの全域が溶接され、収納空間Ｓが気減圧状態で密封止された後に、水分や有機溶媒がガスとなって、収納空間Ｓ内の真空度が低下したり、水分によって電極２３０、２４０が腐食したりするのを抑えることができる。本工程の条件としては、特に限定されないが、例えば、１００Ｐａ以下、２００〜２５０℃程度、３０〜１００分程度の条件によって行うのが好ましい。このような条件によれば、乾燥を十分に行うことができるとともに、加熱温度が比較的低く抑えられているため、各部が受ける熱ダメージを低減することができる。

［第３工程］
次に、大気圧下にて、図６（ａ）に示すように、溶接領域Ｒの一部（領域Ｒ３）を除いた領域Ｒ２に沿ってエネルギー線ＬＬを照射し、金属ろう材２６０を加熱溶融することで、リッド２５０をメタライズ層２７０に溶接する。これにより、溶接領域Ｒの大半が溶接された状態となる。ここで、特に限定されないが、領域Ｒ２は、全溶接領域Ｒの７０％以上であるのが好ましく、８０％以上であるのがより好ましい。

また、本工程は、常温環境下で行ってもよいし、加熱した状態（高温環境下）で行ってもよいが、加熱した状態で行うことが好ましい。これにより、金属ろう材２６０の濡れ性が向上し、領域Ｒ２の溶接をムラなく行うことができる。加熱条件としては、特に限定されないが、例えば、パッケージ２００を２００〜２５０℃程度とするのが好ましい。このような条件によれば、金属ろう材２６０の濡れ性を十分に高めることができるとともに、加熱温度が比較的低く抑えられているため、各部が受ける熱ダメージを低減することができる。

また、本工程では、図６（ｂ）に示すように、領域Ｒ３（溶接しない領域）を振動素子３００の片持ち支持されている側の端部と対向した位置に設定するのが好ましい。これにより、領域Ｒ３を振動素子３００の振動部（電極部３２１、３３１で挟まれた領域）から遠ざけることができ、後に領域Ｒ３を溶接する際にメタライズ層２７０から飛散する金属微粒子が前記振動部上に付着し、振動素子３００の振動特性（周波数）が不本意に変化するのを防止または抑制することができる。
なお、本工程は、領域Ｒ２の全域を連続して一筆書きで溶接してもよいし、複数回に分けて行ってもよい。すなわち、領域Ｒ２をさらに複数の領域に分割し、分割した領域毎に溶接を行ってもよい。このように、複数回に分けて溶接することによって、パッケージ２００の過度な昇温を抑制することができる。

［第４工程］
次に、ベース基板２１０およびリッド２５０を減圧下に置く。これにより、領域Ｒ３に形成されているベース基板２１０とリッド２５０との隙間から、収納空間Ｓ内のガスが強制的に排出され、収納空間Ｓが減圧状態となる。収納空間Ｓの真空度としては、特に限定されず、電子デバイス１００に求められている性能によっても異なるが、例えば、１００Ｐａ以下であるのが好ましく、１０Ｐａ以下でるのがより好ましい。

次に、図７（ａ）に示すように、減圧状態を維持したまま、常温下で、溶接領域Ｒのうちの溶接されずに残っている領域Ｒ３に沿ってエネルギー線ＬＬを照射し、金属ろう材２６０を加熱溶融することで、リッド２５０をメタライズ層２７０に溶接する。これにより、溶接領域Ｒの全域が溶接され、収納空間Ｓが気密的に封止される。
このように、本工程を常温下で行うことによって、導電性接着剤２９１、２９２からのガスの発生を抑制することができるため、収納空間Ｓの真空度の低下を抑えることができる。加えて、前述したように、領域Ｒ３が十分に短いため、領域Ｒ３を溶接する際に発生するガスを少なく抑えることができ、これによっても、収納空間Ｓの真空度の低下を抑えることができる。なお、本工程での「常温」とは、具体的に、例えば、導電性接着剤２９１、２９２の種類や塗布量、求められる収納空間Ｓの真空度等によっても異なるが、１０°以上、１５０°以下とすることができる。

また、領域Ｒ３を溶接する際にメタライズ層２７０から飛散する金属微粒子の量を少なくすることができるとともに、領域Ｒ３が振動素子３００の振動部から遠くに位置しているため、金属微粒子が振動部に付着するのを抑制でき、振動素子３００の振動特性の変化を抑制することができる。付け加えると、本工程は、減圧下で行っているため、大気圧下で行っている第３工程と比較してメタライズ層２７０からの金属粒子の飛散が激しい。そのため、領域Ｒ３を上記のように設定することで、振動素子３００の振動特性の変化を抑制することができる。

ここで、本工程では、図７（ｂ）に示すように、領域Ｒ２を跨いでエネルギー線ＬＬを照射すること、言い換えると、エネルギー線ＬＬの照射開始点および照射終了点をそれぞれ領域Ｒ２上に設定することが好ましい。これにより、領域Ｒ２、Ｒ３の境界部も確実に溶接することができるため、前記境界部に溶接されていない隙間が残存してしまうのを防止でき、収納空間Ｓの真空度を長期にわたって維持することができる。
以上によって、電子デバイス１００が得られる。このような製造方法によれば、封止時（第４工程）にて発生するガスの量を抑えることができるため、高い真空度（目的の真空度と同等の真空度）を有する電子デバイス１００を製造することができる。

３．電子デバイスの他の製造方法
次に、図８に基づいて、電子デバイス１００の他の製造方法（本発明の電子デバイスの製造方法）を説明する。なお、この製造方法は、ベース基板２１０の供給方法が異なる以外は、前述した電子デバイスの製造方法と同様であるため、以下では、ベース基板２１０の供給方法について主に説明し、その他の事項については、その説明を省略する。

図８に示すように、ベース基板２１０は、複数のベース基板２１０が行列状に一体形成されたベース基板集合体２１００として供給される。そして、第１工程では、全てのベース基板２１０に順に振動素子３００を固定し、次いで、全てのベース基板２１０に順にリッド２５０を仮止めする。また、第３、第４工程では、それぞれ、全てのベース基板２１０に順にリッド２５０を溶接する。そして、最後に、ベース基板集合体２１００からベース基板２１０を個片化（分割）することで、複数の電子デバイス１００が得られる。このような方法によれば、電子デバイス１００の製造効率が向上する。

このような製造方法において、第４工程を常温下で行うことによって、次のような効果を発揮することができる。すなわち、前述したように、第４工程では、全てのベース基板２１０に順にリッド２５０を溶接する。そのため、最初のベース基板２１０にリッド２５０を溶接してから、最後のベース基板２１０にリッド２５０を溶接し終えるまでには、時間差が生じる。従来では、この工程を高温環境下で行っていたため、溶接を終えた順番が早い電子デバイスほど、気密封止されたまま高温環境下に長時間曝されることとなり、内部に大量のガスが発生して真空度が低下していた。これに対して、本製造方法によれば、第４工程を常温で行っているため、上記のような問題が生じ得ず、溶接を終えた順番に関係なく、全ての電子デバイス１００で真空度の低下が低減されている。したがって、均質な電子デバイス１００を大量に製造することができるとともに、電子デバイス１００の製造の歩留まりが向上する。

４．電子機器
次に、本発明の電子デバイスを適用した電子機器について、図９〜図１２に基づき、詳細に説明する。
図９は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部２０００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子デバイス１００が内蔵されている。

図１０は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部２０００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、フィルター、共振器等として機能する電子デバイス１００が内蔵されている。

図１１は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。

撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ１３００には、フィルター、共振器等として機能する電子デバイス１００が内蔵されている。

なお、本発明の電子機器は、図９のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１０の携帯電話機、図１１のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。

５．移動体
次に、本発明の電子デバイスを適用した移動体（本発明の移動体）について、図１２に基づき、詳細に説明する。
図１２は、本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。自動車１５００には、例えば、ジャイロセンサーとして本発明の電子デバイスが組み込まれる。この場合は、機能素子として、振動素子３００に換えて角速度検出素子（ジャイロ素子）を用いた電子デバイス１００’を用いることができる。このような電子デバイス１００’によれば、車体１５０１の姿勢を検出することができる。電子デバイス１００’の検出信号は、車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置１５０２は、その信号に基づいて車体１５０１の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることができる。その他、このような姿勢制御は、二足歩行ロボットやラジコンヘリコプターで利用することができる。以上のように、各種移動体の姿勢制御の実現にあたって、電子デバイス１００’が組み込まれる。

以上、本発明のパッケージの製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。

また、前述した実施形態では、ベース基板がキャビティ型をなし、リッドが板状をなしている構成について説明したが、ベース基板およびリッドの形状は、接合されてパッケージとなったときに、内部に振動素子を収納する空間を形成することができれば、特に限定されない。例えば、前述した実施形態とは逆に、ベース基板を板状とし、リッドをキャビティ型としてもよい。また、両者をキャビティ型としてもよい。
また、前述した実施形態では、電子部品としてＡＴカット振動子を用いた構成について説明したが、電子分品としては、これに限定されず、例えば、音叉型の振動子やジャイロ素子であってもよい。

１００、１００’…電子デバイス ２００…パッケージ ２１０…ベース基板 ２１００…ベース基板集合体 ２１１…頂面 ２３０…電極 ２３１…接続電極 ２３２…外部実装電極 ２３３…貫通電極 ２４０…電極 ２４１…接続電極 ２４２…外部実装電極 ２４３…貫通電極 ２５０…リッド ２６０…金属ろう材 ２７０…メタライズ層 ２９１、２９２…銀ペースト ３００…振動素子 ３１０…圧電基板 ３２０…励振電極 ３２１…電極部 ３２２…ボンディングパッド ３２３…配線 ３３０…励振電極 ３３１…電極部 ３３２…ボンディングパッド ３３３…配線 ４００…積層体 ９１０、９２０…押圧板 ９１１、９２１…ヒーター １１００…パーソナルコンピューター １１０２…キーボード １１０４…本体部 １１０６…表示ユニット １２００…携帯電話機 １２０２…操作ボタン １２０４…受話口 １２０６…送話口 １３００…ディジタルスチルカメラ １３０２…ケース １３０４…受光ユニット １３０６…シャッタボタン １３０８…メモリー １３１２…ビデオ信号出力端子 １３１４…入出力端子 １４３０…テレビモニター １４４０…パーソナルコンピューター １５００…自動車 １５０１…車体 １５０２…車体姿勢制御装置 １５０３…車輪 ２０００…表示部 ＬＬ…エネルギー線 Ｓ…内部空間（収納空間） Ｒ…溶接領域 Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３…領域

Claims (10)

1. ベース基板と金属で構成されている蓋体とを溶接領域で重ね合せる工程と、
   前記ベース基板と前記蓋体とを前記溶接領域の一部を残して、大気圧下でエネルギー線溶接する工程と、
   前記溶接領域の前記一部を、常温かつ減圧下でエネルギー線溶接する工程と、
   を含むことを特徴とするパッケージの製造方法。
2. 電子部品が搭載されているベース基板と金属で構成されている蓋体と、前記電子部品を内包するように溶接部で重ね合せる工程と、
   前記ベース基板と前記蓋体とを溶接領域の一部を残して、大気圧下でエネルギー線溶接する工程と、
   前記溶接領域の前記一部を、常温かつ減圧下でエネルギー線溶接する工程と、
   を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
3. 前記接合領域は平面視で矩形であり、
   前記電子部品は、前記ベース基板に接着剤を介して片持ち支持されており、
   前記溶接領域の前記一部を、前記電子部品の片持ち支持されている側の端部と対向していることを特徴としている請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
4. 前記大気圧下でエネルギー線溶接をする工程では、前記ベース基板および前記蓋体が加熱されていることを特徴としている請求項２または３に記載の電子デバイスの製造方法。
5. 前記大気圧下でエネルギー線溶接をする工程よりも前に、
   前記ベース基板および前記蓋体を乾燥する工程を含むことを特徴としている請求項２ないし４のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
6. 前記大気圧下でエネルギー線溶接する工程よりも前に、
   前記ベース基板と前記蓋体とを仮止めする工程を含むことを特徴としている請求項２ないし５のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
7. 前記重ね合せる工程よりも前に、複数の前記ベース基板が集合しているベース基板集合体を用意する工程と、
   前記常温かつ減圧下でエネルギー線溶接する工程よりも後に、ベース基板集合体を分割する工程を含むことを特徴としている請求項２ないし６のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
8. 請求項２ないし７のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法によって製造されていることを特徴とする電子デバイス。
9. 請求項８に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
10. 請求項８に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。

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