JP2014192197A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バイポーラトランジスタのコレクタ領域12を空乏化するため、コレクタ領域12と異なる導電型の埋め込み領域10と、この埋め込み領域10とコレクタ領域12を挟んで対向するように形成した低濃度の拡散領域14とをベース領域に共通接続する。
【選択図】図5
Description
Claims (3)
- 半導体基板上に積層された一導電型の半導体層からなるコレクタ領域と、該コレクタ領域表面に形成された逆導電型の半導体層からなるベース領域と、該ベース領域表面に形成された一導電型の半導体層からなるエミッタ領域と、前記半導体基板表面に形成された前記エミッタ領域に接続するエミッタ電極と、前記ベース領域に接続するベース電極と、前記コレクタ領域に接続するコレクタ電極とを備えた半導体装置であって、
前記半導体基板と前記コレクタ領域との間に形成された逆導電型の半導体層からなる埋め込み領域と、前記エミッタ領域と前記コレクタ領域との間の前記コレクタ領域表面に形成された逆導電型の半導体領域と、前記埋め込み領域と前記半導体領域とを前記ベース電極に接続する接続領域とを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、導電型の異なる少なくとも2つの前記半導体装置が、同一基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1又は2いずれか記載の半導体装置において、前記半導体装置は、前記ベース電極にベース電圧が印加されたとき、前記埋め込み領域と前記半導体領域から、該埋め込み領域と半導体領域との間の前記コレクタ領域が空乏化していることを特徴とする半導体装置。
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