JP2014191349A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 画像形成装置であって、
   ａ）静電潜像をその上に現像する電荷保持表面を有する画像部材であって、前記画像部材は、
   基材、および、
   前記基材上に配置される光導電部材、
   を備える、画像部材と、
   ｂ）前記電荷保持表面上の帯電を所定の電位まで印加するバイアス帯電ローラであって、帯電ユニットは、前記光導電部材と接触する第１の円周領域（ＣＣ_{［ｃｏｎｔａｃｔ］}）および前記光導電部材から約１μｍ〜約１ｍｍの距離をおく第２の円周領域（ＣＣ_{［ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ］}）を備える、バイアス帯電ローラと、
   ｃ）発振電圧信号を前記バイアス帯電ローラへ供給する電力供給装置であって、前記発振電圧信号は、ｋＨｚで表される周波数Ａｍ［ｆ_ＡＣ］およびｋＶで表される振幅Ａｍ［Ｖ_ＡＣ］を有し、次の関係、
   （ＣＣ_{［ｃｏｎｔａｃｔ］}／ＣＣ_{［ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ］}）≦（Ａｍ［ｆ_ＡＣ］／Ａｍ［Ｖ_ＡＣ］）≦（ＣＣ_{［ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ］}／ＣＣ_{［ｃｏｎｔａｃｔ］}）
   が成り立つ、電力供給装置と、
   を備える、画像形成装置。
2. 前記発振電圧信号は、ｋＶで表される［ＤＣバイアス］の絶対値の値でＤＣオフセットによりバイアスされる、請求項１に記載の画像形成装置。
3. 前記［ＤＣバイアス］の絶対値＜Ａｍ［Ｖ_ＡＣ］である、請求項２に記載の画像形成装置。
4. ＣＣ _{［ｃｏｎｔａｃｔ］} ＜ＣＣ _{［ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ］} が成り立つ、請求項１に記載の画像形成装置。
5. ＣＣ _{［ｃｏｎｔａｃｔ］} ／ＣＣ _{［ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ］} が０．０８から０．３である、請求項１に記載の画像形成装置。
6. 前記バイアス帯電ローラの表面抵抗率は、１０ ^３ オーム−ｍから１０ ^１３ オーム−ｍである、請求項１に記載の画像形成装置。
7. 帯電ユニットであって、
   電荷保持表面を有する画像部材上の帯電を所定の電位まで印加するバイアス帯電ローラであって、前記バイアス帯電ローラは、前記電荷保持表面と接触する第１の円周領域ＣＣ_{［ｃｏｎｔａｃｔ］}および前記電荷保持表面から約１μｍ〜約１ｍｍの距離をおく第２の円周領域ＣＣ_{［ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ］}を備える、バイアス帯電ローラと、
   発振電圧信号を前記バイアス帯電ローラへ供給する電力供給装置であって、発振電圧信号は、ｋＨｚで表される周波数Ａｍ［ｆ_ＡＣ］およびｋＶで表される振幅Ａｍ［Ｖ_ＡＣ］を有し、次の関係、
   （ＣＣ_{［ｃｏｎｔａｃｔ］}／ＣＣ_{［ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ］}）≦（Ａｍ［ｆ_ＡＣ］／Ａｍ［Ｖ_ＡＣ］）≦（ＣＣ_{［ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ］}／ＣＣ_{［ｃｏｎｔａｃｔ］}）
   が成り立つ、電力供給装置と、
   を備える、帯電ユニット。
8. 前記発振電圧信号は、ｋＶで表される［ＤＣバイアス］の絶対値の値でＤＣオフセットによりバイアスされる、請求項７に記載の帯電ユニット。
9. 前記［ＤＣバイアス］の絶対値＜Ａｍ［Ｖ _ＡＣ ］である、請求項７に記載の帯電ユニット。
10. ＣＣ _{［ｃｏｎｔａｃｔ］} ／ＣＣ _{［ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ］} が０．０８から０．３である、請求項７に記載の帯電ユニット。
11. 前記バイアス帯電ローラの表面抵抗率は、１０ ^３ オーム−ｍから１０ ^１３ オーム−ｍである、請求項７に記載の帯電ユニット。
12. 画像形成装置であって、
    静電潜像を受像するように構成される電荷保持表面を有する電子写真画像部材と、
    現像剤材料を電荷保持表面へ塗布して前記電荷保持表面上に現像画像を形成する現像コンポーネントと、
    前記現像画像を前記電荷保持表面から基材へ転写するための転写コンポーネントと、
    前記電荷保持表面上の帯電を所定の電位まで印加するバイアス帯電ローラであって、帯電ユニットは、光導電部材と接触する第１の円周領域（ＣＣ _{［ｃｏｎｔａｃｔ］} ）および前記光導電部材から約１μｍ〜約１ｍｍの距離をおく第２の円周領域（ＣＣ _{［ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ］} ）を備える、バイアス帯電ローラと、
    発振電圧信号を前記バイアス帯電ローラへ供給する電力供給装置であって、前記発振電圧信号は、ｋＨｚで表される周波数Ａｍ［ｆ _ＡＣ ］およびｋＶで表される振幅Ａｍ［Ｖ _ＡＣ ］を有し、次の関係、
    （ＣＣ _{［ｃｏｎｔａｃｔ］} ／ＣＣ _{［ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ］} ）≦（Ａｍ［ｆ _ＡＣ ］／Ａｍ［Ｖ _ＡＣ ］）≦（ＣＣ _{［ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ］} ／ＣＣ _{［ｃｏｎｔａｃｔ］} ）
    が成り立つ、電力供給装置と、
    を備える、画像形成装置。
13. 前記発振電圧信号は、ｋＶで表される［ＤＣバイアス］の絶対値の値でＤＣオフセットによりバイアスされる、請求項１２に記載の画像形成装置。
14. 前記［ＤＣバイアス］の絶対値＜Ａｍ［Ｖ _ＡＣ ］である、請求項１３に記載の画像形成装置。
15. ＣＣ _{［ｃｏｎｔａｃｔ］} ＜ＣＣ _{［ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ］} が成り立つ、請求項１２に記載の画像形成装置。
16. ＣＣ _{［ｃｏｎｔａｃｔ］} ／ＣＣ _{［ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ］} が０．０８から０．３である、請求項１２に記載の画像形成装置。
17. 前記バイアス帯電ローラの表面抵抗率は、１０ ^３ オーム−ｍから１０ ^１３ オーム−ｍである、請求項１２に記載の画像形成装置。