TWI712803B - 用於測量基板的靜電荷的方法及設備 - Google Patents

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Abstract

於此揭露用於測量基板表面上的靜電荷之設備及方法。該設備包括基板裝設平台、基板接觸組件、及至少一個電壓感應器，其中該設備經程式化以獨立控制滾輪的旋轉及平移速度及/或測量基板多點處的電壓，以產生針對該基板的至少一部分的一電壓二維映射。

Description

用於測量基板的靜電荷的方法及設備
本揭示案一般相關於用於測量基板表面上的靜電荷之設備及方法，且更特定地，相關於用於在多種操作條件下產生及測量玻璃基板上的靜電荷的設備。
在生產之後，基板通常經受可產生靜電荷(「ESC」)的下游處理及操縱步驟。例如，玻璃基板可經受多種運輸及/或放置處理，在此期間，基板與一個或更多個組件的接觸可造成所不欲的ESC，該ESC建立於與組件接觸的表面上(「B表面」或「運輸表面」)及/或基板的相反表面上(「A表面」或「製造表面」)。A表面或B表面上過多的ESC可為所不欲的，且基板的A表面上的位能差異可在製造期間現出嚴重問題，而導致良率上的重大損失，特別是電子裝置的製造之情況下，包含但不限於：如可在顯示器裝置的製造期間施用的薄膜電子裝置的製造。
在製造期間，可使用運輸系統以自一個處理站傳輸基板至另一者。一般而言，運輸系統可包括一數量的小滾輪，該等小滾輪可為自由滾動及/或被動。基板的B表面及滾輪之間的接觸本身可導致A及/或B表面上的ESC之建立。進一步地，如果一個或更多個滾輪以不同於運輸系統中的其餘滾輪的速度移動(例如，不足夠潤滑的自由滾動或被動滾輪)，建立的ESC可進一步增加。
其他ESC產生處理可包含真空處理(例如，真空夾具)，在此期間，基板被接觸表面上的真空維持在當地。藉由真空的基板拉力可經由基板及環繞真空埠的接觸表面面積之間的摩擦(也可為經由基板及接觸表面之間的緊密接觸)來衝擊電荷至基板，在此期間，電荷可經由凡得瓦(van der Waals)交互作用來交換。ESC的建立也可導因於製造處理期間基板及其他表面之間的接觸，例如，藉由揉磨及/或摩擦。
現今用於測量及模擬ESC產生活動的方法及設備藉由以下原因而受限：移動的差勁範圍、無法測試多於一種ESC產生活動、及/或無法將ESC產生評估為基板表面上的位置的函數。用於產生及測量基板上的ESC的一個方法為滾動球體測試，其中圓形滾球與基板接觸。然而，圓形滾球的使用可提供受限的動作剖面且不可精確地模擬滾輪運輸。特定地，靜止基板與滾球的接觸或移動的基板與靜止的滾輪球的接觸並非實質與真實滾輪運輸處理相似，其中移動基板接觸轉動或旋轉滾輪(例如，當滾輪旋轉速度及基板平移速度可相互獨立)。此外，滾動球體測試沒有提供相關於ESC產生的資訊(導因於真空升降及/或摩擦接觸)。最後，滾動球體測試沒有提供方法以使基板的所有或部分表面可以ESC建立的角度來映射及評估。
據此，可優勢地提供改良的方法及設備已產生及測量基板表面上的ESC。也可優勢地提供可更精確模擬一個或更多個類型的ESC產生活動的方法及設備。
在多種實施例中，本揭示案相關於用於測量靜電荷的設備，該設備包括：一基板裝設平台；一內部可交換式接觸組件，該內部可交換式接觸組件可移除地裝設至一多軸致動組件；及至少一個電壓感應器；其中該設備經程式化以將該基板與該內部可交換式接觸組件接觸，以產生一靜電荷；及其中該至少一個電壓感應器經配置以測量該基板多點處的電壓，以產生針對該基板的至少一部分的電壓二維映射。
於此也揭露用於測量靜電荷的設備，該設備包括：一基板裝設平台；一基板接觸組件，該基板接觸組件包括至少一個滾輪組件；及至少一個電壓感應器；其中該設備經程式化：(a)以一旋轉速度旋轉該滾輪組件，(b)將該至少一個旋轉滾輪組件與該基板接觸，以產生一靜電荷，及(c) 以一平移速度在一第一方向上相對於彼此平移該基板及該至少一個旋轉滾輪組件；且其中旋轉速度與平移速度為獨立控制。
進一步於此揭露用於測量靜電荷的方法，該方法包括以下步驟：將一基板放置於於此揭露的設備中，且在與表面接觸組件接觸期間或之後測量基板表面上至少一個位置的電壓。在一些實施例中，該方法可包括以下步驟：將一基板放置於一設備的一基板裝設平台上，其中該設備進一步包括至少一個電壓感應器且接觸組件包括至少一個滾輪組件；以一旋轉速度旋轉該至少一個滾輪組件；將該基板與該至少一個滾輪組件接觸，以產生一靜電荷；以一平移速度在一第一方向上相對於彼此平移該基板及該至少一個滾輪組件；及在與該至少一個滾輪組件接觸期間或之後，測量該基板的一表面上的至少一個位置的一電壓，其中該旋轉速度與該平移速度為獨立控制。在額外的實施例中，該方法可進一步包括以下步驟：在與該接觸組件接觸之前或之後，中和該基板的該表面的至少一部分。根據進一步的實施例，基板可包括玻璃片。
將於隨後描述詳細提出本揭示案之額外特徵及優點，且根據描述或藉由實現於此描述的方法而理解，部分將對發明所屬領域具有通常知識者而言為明顯的，包含隨後詳細的描述、申請專利範圍，以及所附圖式。
應理解前述一般描述及隨後的詳細描述皆呈現本揭示案的多種實施例，且意圖提供用於理解申請專利範圍的本質及特性的概述或框架。包含伴隨的圖式以提供對本揭示案進一步理解，且併入及組成本說明書的部分。圖式圖示了本揭示案的多種實施例且與說明書一併服務以說明本揭示案的原則及操作。
設備： 於此揭露用於測量靜電荷的設備，該設備包括：一基板裝設平台；一基板接觸組件，該基板接觸組件包括至少一個滾輪組件；及至少一個電壓感應器；其中該設備經程式化以(a)以一旋轉速度旋轉該滾輪組件，(b)將基板與該至少一個旋轉滾輪組件接觸，以產生一靜電荷，及(c) 以一平移速度在一第一方向上相對於彼此平移該基板及該至少一個旋轉滾輪組件；且其中旋轉速度與平移速度為獨立控制。
於此也揭露用於測量靜電荷的設備，該設備包括：一基板裝設平台；一內部可交換式接觸組件，該內部可交換式接觸組件可移除地裝設至一多軸致動組件；及至少一個電壓感應器；其中該設備經程式化以將該基板與該內部可交換式接觸組件接觸，以產生一靜電荷；及其中該至少一個電壓感應器經配置以測量該基板多點處的電壓，以產生針對該基板的至少一部分的電壓二維映射。
第1A至1C圖圖示可在基板的一個或更多個表面上產生ESC的多種接觸情境。例如，滾輪運輸圖示於第1A圖中，其中在第一方向上(由虛線箭頭指示)使用在第二方向上(由實線箭頭指示)旋轉的複數個滾輪R來運輸基板S。真空夾具圖示於第1B圖中，其中基板S在第一方向上(由實線箭頭指示)拉動且帶來與接觸表面C的接觸。最後，摩擦接觸圖示於第1C圖中，其中基板S被揉磨對抗接觸表面C。如此處所使用，摩擦接觸意圖表示基板及另一表面之間的的摩擦，例如，藉由在相對方向上(如第1C圖中所展示的虛線箭頭)或相同方向上相對彼此平移S及C，例如，以不同速度(未展示)，或相對於彼此移動S及C之其中一者(未展示)。如此處所使用，用語「相對於彼此平移」意圖表示基板及/或基板接觸組件之其中至少一者相對於彼此移動，例如，移動基板及靜止組件、移動組件及靜止基板、或移動基板及移動組件。
參考描繪示範的ESC測量系統100的第2圖，可放置基板101於基板裝設平台103上。可自任何能夠產生靜電荷的材料來選擇基板，包含但不限於玻璃基板、塑膠基板、金屬基板、陶瓷基板、及其他相似的基板。在一個實施例中，基板101為玻璃基板，例如玻璃片。在放置基板101於基板裝設平台103上之後，基板101可可選地經歷一中和步驟，其中被處理以減低ESC的建立。在一些實施例中，實現中和步驟可導致下方論述的隨後ESC測量步驟之增加的精確度。
在中和步驟期間，可升降或者放置基板101接近中和裝置109，例如，於基板裝設平台103上方。例如，如第3圖中所圖示，可使用裝設銷105以升降基板101且與中和裝置109對齊。中和裝置109可中和基板101的一個或更多個表面，例如頂部及底部表面(未標示)或其部分。中和裝置109可提供離子化空氣的流動透過基板101的一個或更多個表面。在某些實施例中，中和裝置109可為以惰性氣體來源操作的高電流離子化器，例如氬或氮。
參考第2圖，在一些實施例中，可在基板101中和之前及/或期間放置靜止回饋感應器107接近基板(例如，於基板上方)。靜止回饋感應器107可在中和期間測量基板101的電壓。一旦達到基板中和所需層級的預先決定電壓指示(例如，小於約5伏特)，中和處理可為非連續。可接著回縮回饋感應器107，可降低裝設銷105，及/或基板101可重新放置或帶回與基板裝設平台103的接觸。
基板101可使用任何合適的緊固機制來固定至基板裝設平台103，例如夾鉗111、真空夾具、及其他相似的組件或方法或其組合。一旦基板101固定至基板裝設平台103且可選地被中和，可使用基板接觸組件113來初始化接觸步驟，而可經程式化或設計以模擬一個或更多個所需ESC產生活動。
在第4A圖中圖示內部可交換式接觸組件的一個非限定實施例，其中接觸組件為滾輪組件113a。該接觸組件可經程式化或設計以模擬基板透過滾輪運輸帶(例如，第1A圖中所圖示的動作)。在一些實施例中，滾輪組件113a可可移除地固定至多軸致動組件115，可使用多軸致動組件115以放置滾輪113a於基板101上的多個位置處。多軸致動組件115可致動以沿著第4A圖中所描繪的四個軸或四個方向上(例如，x、y、z、及θ)移動滾輪組件113a。方向x及y可代表平行於基板平面的二維動作，而方向z可代表垂直於基板平面的一維動作。進一步地，θ可代表滾輪組件113a的旋轉動作。
在另一實施例中，如第4B圖中所圖示，內部可交換式接觸組件可為表面組件113b，可經程式化或設計以模擬基板與其他表面的摩擦或非摩擦接觸(例如，第1C圖中所圖示的摩擦動作)。如此處所使用，「非摩擦」接觸意圖表示基板及其他表面之間的接觸，其中基板及其他表面皆非相對於彼此移動。例如，安置於靜止工作表面上的基板可被描述為與工作表面處於非摩擦接觸。在一替代實施例中，基板接觸組件也可包含真空元件(未圖示)，例如，可在基板101及表面組件113b之間抽吸真空，而可模擬真空夾具、升降、或者運輸基板(例如，第1B圖中所圖示的動作)。此處使用的「真空組件」意圖參考裝配真空元件的表面接觸組件。在一些實施例中，表面組件113b及/或真空組件可固定至多軸致動組件115，可使用以放置表面組件113b於基板101上多個位置處。
再次參考第2圖，靜電測量設備可進一步包括組裝平台119及裝載單元121，可使用以放置基板裝設平台103、多軸致動組件115、中和裝置109、及/或感應器(例如，靜止回饋感應器107或電壓感應器117)於多個相對於彼此的位置。組裝平台109也可裝配加熱元件及/或真空裝置(未圖示)。可使用加熱元件例如來升高基板溫度至所需用於測試的溫度(例如，自攝氏約50度至約200度)。可使用真空裝置以抽吸基板101及平台103之間的真空，以固定基板於當地以測試。也可使用夾鉗111以固定基板111且可針對不同基板尺寸為可調整的。
靜電測量設備可進一步包含一個或更多個電壓探針或感應器。如第4A至4B圖中所圖示，電壓感應器117可接合至多軸致動組件115或者放置接近或與基板101的頂部表面接觸。此外，如第3圖中所圖示，可放置電壓感應器117b於基板101下方，以測量基板101的底部表面的靜電荷。可經由裝設平台103中的孔洞或其他開口123放置電壓感應器117b接近或與基板101的底部表面接觸。應注意電壓感應器117可與回饋感應器107區分，回饋感應器107在可選的中和步驟期間測量電壓。
在一些實施例中，基板接觸組件113可可移除地固定至多軸致動組件115。可放置多軸致動組件115接近(例如，上方)基板裝設平台103且致動以提供x、y、z、及/或θ方向上的動作。多軸致動組件115可例如包含伺服馬達(未展示)，包括至少一個馬達及放置感應器。多軸致動組件115可進一步包含用於實現所需動作或序列的程式。可使用馬達以基於針對給定基板101及基板接觸組件113所選的程式來對多軸致動組件115的動作供電。在某些實施例中，在施用滾輪組件113a時可使用分開的旋轉馬達，且可使用第二馬達以對滾輪組件的轉動供電。
根據多種實施例，可與多軸致動組件115內部可交換地使用不同基板接觸組件113。例如，內部可交換式接觸組件113可經配置以允許簡單的安裝及移除，使得一個接觸組件可切換另一者以針對給定基板採取幾個不同的測量。多軸致動組件115的伺服馬達可被使用者程式化以不同地操作設備(依據安裝哪個基板接觸組件113)。
如第4A至4B圖中所展示，可裝設一個或更多個電壓感應器117至多軸致動組件115，例如，接近或相鄰於基板接觸組件113。在一些實施例中，可自高電壓或低電壓靜電伏特計或高電壓場計來選擇電壓感應器。如可被發明所屬領域具有通常知識者所輕易理解，可基於特定應用來選擇特定類型的電壓感應器。與基板接觸組件113相似地，可藉由多軸致動組件115在x、y、及z方向上移動電壓感應器117。電壓感應器117的移動可基於特定基板接觸組件113及測量協定而變化。在某些實施例中，可經由也可被例如伺服馬達所控制的氣缸(未展示)來裝設電壓感應器117至多軸致動組件115。氣缸可允許電壓感應器117沿著z軸移動，例如，移動朝向及遠離基板表面。電壓感應器117及/或ECS測量設備也可包含記憶體驅動器，可使用該記憶體驅動器來記錄電壓測量。
可執行測量一次或多於一次，且可在將基板與基板接觸組件113接觸之前、期間、及/或之後執行。例如，可在接觸之前、期間、及/或之後進行單一測量，可在基板接觸組件113移動期間進行間歇測量，或在基板接觸組件113的移動期間進行連續測量。因此，在多種實施例中，可測量或相對於表面上的位置映射跨基板的靜電荷，例如單一位置測量、多位置測量、一維映射、或二維映射。
應理解第2至4圖中所揭露的實施例僅為示範性，且不意圖以任何方式(例如，以定向、尺寸、組件之相對放置等等)限制申請專利範圍。僅為了圖示的目的，下方更詳細描述每一組件的多種態樣。
基板裝設平台103不限制為任何特定尺寸，但例如可具有範圍自約10公分至約100公分的至少一個維度(例如，長度及/或寬度)，例如，自約30公分至約60公分。在一些實施例中，可使用升降銷105以升高基板101離開裝設平台103，例如，接近中和裝置109。例如，升降銷105可升高基板101一範圍自約0.5公分至約5公分的距離，例如自約1公分至約2.5公分。多軸致動組件115可經配置以平移x、y及z方向上的任何給定距離，及以θ方向上的任何給定速度來旋轉滾輪。例如，多軸致動組件115可在x及/或y方向上前進一範圍自約10公分至約100公分的距離(例如自約25公分至約50公分)且在z方向上前進一範圍自約1公分至約10公分的距離(例如自約2.5公分至約5公分)。
在某些實施例中，滾輪113a可具有範圍自約1公分至約10公分的直徑，例如自約2.5公分至約5公分。滾輪113a可同時在θ方向上轉動，同時在x、y及/或z方向上前進。根據多種實施例，伺服馬達可經程式化以變化滾輪組件113a的相位，因而控制滾輪組件113a及基板101之間的摩擦接觸。如此處所使用，「相位」意圖表示相對於滾輪相對於基板的線性速度(例如，沿著x軸)的滾輪旋轉速度的+/-%值，例如可相關於滾輪的圓周。藉由獨立控制旋轉速度及/或平移速度，可針對不同旋轉/摩擦比率發展多種測量協定，因而提供廣泛多樣的模擬。滾輪可由任何材料組成，例如末端使用操作期間基板可進行接觸的材料，例如玻璃、塑膠、金屬、陶瓷，諸如此類。
根據額外的實施例，表面組件113b可具有適合模擬及測量靜電荷(由真空、非摩擦表面接觸、及/或摩擦接觸所誘導)的任何給定形狀或尺寸。在一些實施例中，表面組件113b可包括任何給定材料的塊體或圓盤，例如，具有正方形、矩形、圓形、卵形、或任何其他規律或不規律形狀的橫截面形狀。根據額外的實施例，表面組件113b可進一步裝配真空組件，例如真空埠。在一些實施例中，表面組件113b可包括正方形橫截面，包含範圍自約1公分至約10公分的長度，例如自約2.5公分至約5公分，或可具有圓形橫截面，包含範圍自約0.5公分至約5公分的直徑，例如自約1公分至約2.5公分。表面組件可由任何材料組成，例如末端使用操作期間基板可進行接觸的材料，例如玻璃、塑膠、金屬、陶瓷，諸如此類。
方法： 於此揭露用於測量基板上的靜電荷的方法，該方法包括以下步驟：將基板放置於此處揭露的設備中，且在接觸基板接觸組件(例如，至少一個滾輪組件)期間或之後測量基板表面上至少一個位置的電壓。僅為了圖示目的，現在於下方詳細描述多種測量技術。應理解該等測量技術僅為示範性，且不意圖以任何方式(例如，以序列、放置、可選的步驟等等)限制申請專利範圍。也應理解所揭露方法不僅可使用以測量ESC在表面上的建立，也可測量ESC隨著時間在表面上的消散。
參考第4A圖中所描繪之設備來論述用於測量由基板及旋轉主體(例如滾輪或複數個滾輪)之間的接觸所產生的靜電荷的方法。基板101可固定至裝設平台103且可選地被中和(如前述)。在固定及可選地中和基板之後，可藉由沿著z軸朝向基板表面移動裝配滾輪113a的多軸致動組件115來初始化測試。多軸致動組件可在規定的「搜尋」位置處停止，例如，基板表面上方幾個毫米處。搜尋序列可包含在z軸上朝向基板表面緩慢向下移動多軸致動組件，同時持續監視z位置印記集合裝載單元訊號(例如，所有四個裝載單元的總和)。一旦裝載單元訊號達到或超過使用者定義標的集合裝載單元設定點，搜尋序列可停止。多軸致動組件可接著重新放置至最相關聯於標的集合裝載單元設定點的一點。在一些實施例中，搜尋序列不包含任何沿著x或y軸的動作。
在搜尋序列完成之後，z軸動作可切換至裝載伺服控制。一旦處於裝載伺服控制，滾輪可暫停與基板接觸持續一使用者定義的穩定化週期。沿著x軸的動作可同時接合θ方向上的旋轉動作。可協調滾輪的線性及旋轉加速，使得該等加速同時達到其標的速度。用於此動作的相位可對應於相對於沿著x軸之平移速度VX 的滾輪旋轉速度VR 的+/-%值，例如，相位=(VR /VX )*100。可藉由獨立改變滾輪的旋轉速度VR 或平移速度VX 來變化相位。相對於滾輪球體測試，於此描述之方法能夠同時且獨立控制x及θ方向上的移動以模擬滾輪運輸。因此，於此描述之方法允許追尋可經由相位調整控制的旋轉/摩擦之寬廣陣列。
電壓感應器117可固定至多軸致動組件115接近滾輪113a。電壓感應器117可測量沿著滾輪113a所前進的路徑的一個或更多個點處的電壓，同時滾輪與基板101接觸。可使用使用者定義的行程長度以所需時段進行測量一次或多次持續一規定的週期時間。在使用者定義的週期完成之後，滾輪113a的同時轉動及平移可為非連續。多軸致動組件115可接著升高滾輪113a，直至滾輪不再與基板101接觸。
參考第4B圖中所描繪之設備來論述用於測量由基板及真空下的接觸表面(例如真空夾具)之間的接觸所產生的靜電荷的方法。與上述方法相似地，基板101可固定至裝設平台103且可選地被中和。在固定及可選地中和基板之後，也可實現搜尋及穩定化序列。表面組件113b(包括真空元件，未展示)可接著帶來與基板101的接觸。在活動之後，真空元件可提供基板101上針對特定真空拉動時間的預先決定吸力(在可脫離之後)。可實現真空拉動處理一次或多次。若規定多於一個拉動，可允許拉動之間的規定時間量在重新應用真空之前失效。可重複週期直至達到所需數量的拉動。較佳地，在活動時，真空元件不會沿著x、y或z軸移動。
在最終真空拉動完成後，多軸致動組件115可在特定時間週期之後沿著z軸縮回至基板表面上方特定距離。例如，特定距離可依據裝設至電壓感應器117的氣缸的工作距離。可放置電壓感應器117於相距基板表面約1毫米至約5毫米的一距離以測量。多軸致動組件115也可沿著z及y軸移動以放置電壓感應器117覆於一個或更多個由真空拉動所充電的面積。可以所需時段進行測量一次或多次持續一規定的週期時間。例如，可在一個位置處進行單點測量，可在特定x-y位置處進行一系列離散的單點測量，或可使用測量的x-y-z位置印記來執行連續動作掃描(根據使用者定義的x-y起始/停止/步階位置)。例如，印記可包含沿著定義的光閘極覆於預先決定的表面或該表面的部分進行測量。在一些實施例中，可藉由電壓感應器117審視及映射基板101的整體表面。可在一個或更多個真空週期之間(或在最後的真空週期之後)實現測量(如果被使用者如此規定)。
參考第4B圖中所描繪之設備來論述用於測量由基板及非處於真空下的非移動接觸表面(例如安置於工作表面上)之間的接觸所產生的靜電荷的方法。與上述方法相似地，基板101可固定至裝設平台103且可選地被中和。在固定及可選地中和基板之後，也可實現搜尋及穩定化序列。表面組件113b(不包括真空元件)可接著帶來與基板101的接觸。在使用者規定的暫停時間之後(其中表面組件113b與基板表面非摩擦接觸)，多軸致動組件115可沿著z軸縮回以在基板表面上方特定距離處放置電壓感應器117。多軸致動組件115也可沿著x及y軸移動以放置電壓感應器117覆於由表面接觸所充電的一個或更多個面積。可以所需時段進行測量一次或多次持續一規定的週期時間，例如，單點測量、離散點測量，或表面的至少一部分的連續掃描。可視需求重複測量及接觸週期。
參考第4B圖中所描繪之設備來論述用於測量由基板及不處於真空下的摩擦接觸表面(例如沿著非旋轉表面的運輸)之間的接觸所產生的靜電荷的方法。與上述方法相似地，基板101可固定至裝設平台103且可選地被中和。在固定及可選地中和基板之後，也可實現搜尋及穩定化序列。表面組件113b(不包括真空元件)可接著帶來與基板101的接觸，且根據定義的序列或圖案以使用者定義的速度、加速、及/或重複率沿著x及/或y軸移動。
在最後的接觸週期之後(若需要，或在接觸週期之間)，在期間，表面組件113b與基板表面摩擦接觸，多軸致動組件115可沿著z軸縮回以在基板表面上方特定距離處放置電壓感應器117。多軸致動組件115也可沿著x及y軸移動以放置電壓感應器117覆於由表面接觸所充電的一個或更多個面積。可以所需時段進行電壓測量一次或多次持續一規定的週期時間，例如，單點測量、離散點測量，或表面的至少一部分的連續掃描。可視需求重複測量及接觸週期。
在多種實施例中，可在測量之前及/或測量之後實現中和程序。例如，預先中和可改良隨後測量的精確度，而後中和可保護電壓感應器免於無法預期的電壓突波。此外，儘管上方分開描述不同的基板接觸組件113及其個別的方法，應注意他們可在單一基板101上組合使用。例如，在使用滾輪113a以產生及測量基板的ESC之後，可中和基板且接著被另一內部可交換式組件接觸，例如表面組件113b或經設計以模擬摩擦或非摩擦接觸的真空組件。在單一基板上使用多個內部可交換式接觸組件可提供增加的ESC資料，而針對下游處理及操縱基板可為有用的。
應理解多種所揭露的實施例可涉及結合特定實施例所描述的特定特徵、元件或步驟。也應理解，儘管相關於一個特定實施例而描述，特定特徵、元件或步驟可內部交換或以多種非圖示組合或排序與其他實施例組合。
也可理解：此處使用的用語「該」、「一(a)」或「一(an)」意指「至少一個」而不應限制為「只有一個」，除非明確指出。因此，例如，參考「至少一個感應器」包含具有兩個或更多個該等感應器之範例，除非內文清楚地另外指示。
此處範圍可表示為自「約」一個特定值及/或至「約」另一特定值。當表示該範圍時，範例包含自該一個特定值及/或至該另一特定值。相似地，當數值表示為估計值時，藉由先行詞「約」的使用，應理解特定值形成另一態樣。將進一步理解該等範圍之每一者的端點相關於另一端點皆為重要的，且獨立於另一端點。
除非明確陳述，不意圖需要將方法步驟以特定順序執行來組成此處任何前述方法。據此，方法請求項並非真實描述伴隨步驟的順序，或不特定在申請專利範圍或說明書中陳述該等步驟限於特定順序，不意圖推斷任何特定順序。
當可使用過渡用詞「包括」來揭露特定實施例的多種特徵、元件或步驟，應理解隱含了包含可使用過渡用詞「由…構成」或「主要由…構成」來描述的其他實施例。因此，例如，包括A+B+C的裝置所隱含其他實施例包含：由A+B+C構成的裝置之實施例及主要由A+B+C構成的裝置之實施例。
對發明所屬領域具有通常知識者而言，明顯可對本揭示案進行多種修改及變化，而不遠離本揭示案之精神及範圍。由於發明所屬領域具有通常知識者可將所揭露實施例的修改組合、子組合及變化併入本揭示案的精神及內容，應組成本揭示案以包含所附申請專利範圍及其等效物的範圍內的所有內容。
100‧‧‧系統 101‧‧‧基板 103‧‧‧基板裝設平台 105‧‧‧裝設銷 107‧‧‧靜止回饋感應器 109‧‧‧中和裝置 111‧‧‧夾鉗 113‧‧‧基板接觸組件 113a‧‧‧滾輪組件 113b‧‧‧表面組件 115‧‧‧多軸致動組件 117‧‧‧電壓感應器 117b‧‧‧電壓感應器 119‧‧‧組裝平台 121‧‧‧裝載單元 123‧‧‧開口
當與隨後圖式一起閱讀時可進一步理解以下詳細描述。
第1A至1C圖圖示多種ESC產生活動，例如滾輪運輸、真空夾具、及摩擦接觸；
第2圖根據本揭示案的某些實施例圖示ESC測量設備；
第3圖圖示描繪於第2圖中的ESC測量設備的底部視圖；及
第4A至4B圖根據本揭示案的多種實施例圖示基板接觸組件。
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100‧‧‧系統
101‧‧‧基板
103‧‧‧基板裝設平台
107‧‧‧靜止回饋感應器
109‧‧‧中和裝置
111‧‧‧夾鉗
113‧‧‧基板接觸組件
115‧‧‧多軸致動組件
119‧‧‧組裝平台
121‧‧‧裝載單元

Claims (22)

  1. 一種用於測量靜電荷的方法，該方法包括以下步驟： (a)將一基板放置於一設備的一基板裝設平台上，其中該設備進一步包括至少一個電壓感應器及一接觸組件，該接觸組件包括至少一個滾輪組件；(b)以一旋轉速度旋轉該至少一個滾輪組件；(c)將該基板與該至少一個滾輪組件接觸，以產生一靜電荷；(d)以一平移速度在一第一方向上相對於彼此平移該基板及該至少一個滾輪組件；及(e)在與該至少一個滾輪組件接觸期間或之後，測量該基板的一表面上的至少一個位置的一電壓，其中該旋轉速度與該平移速度為獨立控制。
  2. 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：在該基板與該至少一個滾輪組件接觸之前或之後，中和該基板的該表面的至少一部分。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該基板接觸組件裝設至一多軸致動組件。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該至少一個電壓感應器裝設至一多軸致動組件。
  5. 如請求項3所述之方法，其中該多軸致動組件進一步包括一伺服馬達，該伺服馬達經程式化以實現步驟(b)至(d)。
  6. 如請求項1所述之方法，其中該電壓係於該基板的該表面上的一單點處、沿著一預先決定的一維路徑的多點處、或沿著一預先決定的二維路徑的多點處測量。
  7. 如請求項1所述之方法，其中測量該電壓之步驟包括以下步驟：產生針對該基板的至少一部分的一電壓二維映射。
  8. 如請求項1所述之方法，其中該電壓係沿著該至少一個滾輪組件的一預先決定路徑測量，同時該至少一個滾輪組件與該基板接觸。
  9. 如請求項1所述之方法，包括以下步驟：將該表面與該至少一個滾輪組件接觸，且測量該基板的一相對第二表面的電壓。
  10. 如請求項1所述之方法，其中該基板為一玻璃片。
  11. 一種用於測量靜電荷的設備，該設備包括： 一基板裝設平台；一內部可交換式接觸組件，該內部可交換式接觸組件可移除地裝設至一多軸致動組件；及至少一個電壓感應器；其中該設備經程式化以將該基板與該內部可交換式接觸組件接觸，以產生一靜電荷；及其中該至少一個電壓感應器經配置以測量該基板多點處的一電壓，以產生針對該基板的至少一部分的一電壓二維映射。
  12. 如請求項11所述之設備，其中該內部可交換式接觸組件係自一滾輪組件、一真空組件、一摩擦表面組件、或一非摩擦表面組件中所選出。
  13. 如請求項11所述之設備，進一步包括一中和裝置，以用於在該基板與該內部可交換式接觸組件接觸之前或之後，減低該基板上的靜電荷。
  14. 如請求項11所述之設備，其中該至少一個電壓感應器裝設至該多軸致動組件。
  15. 如請求項11所述之設備，其中該內部可交換式接觸組件接觸該基板的一第一表面，且該至少一個電壓感應器測量一相對第二表面的一電壓。
  16. 如請求項12所述之設備，其中該多軸致動組件進一步包括一伺服馬達，該伺服馬達經程式化以：(a)將該真空組件與該基板接觸，及(b)抽吸一真空以產生一靜電荷。
  17. 如請求項12所述之設備，其中該多軸致動組件進一步包括一伺服馬達，該伺服馬達經程式化以：(a)旋轉該滾輪組件，(b)將該旋轉滾輪組件與該基板接觸，及(c)相對於彼此平移該旋轉滾輪組件及該基板，以產生一靜電荷。
  18. 如請求項12所述之設備，其中該多軸致動組件進一步包括一伺服馬達，該伺服馬達經程式化以將該摩擦表面組件與該基板接觸，及相對於彼此平移該摩擦表面組件及該基板，以產生一靜電荷。
  19. 如請求項11所述之設備，其中該至少一個電壓感應器經配置以在與該內部可交換式接觸組件接觸期間或之後，測量該基板的一表面上的至少一個位置的一電壓。
  20. 一種用於測量一靜電荷的方法，該方法包括以下步驟： 將一基板放置於請求項第11項所述之設備中，及在與該內部可交換式接觸組件接觸期間或之後，測量該基板的一表面上的至少一個位置的電壓。
  21. 如請求項20所述之方法，進一步包括以下步驟：在該基板與該內部可交換式接觸組件接觸之前或之後，中和該基板的一表面的至少一部分。
  22. 如請求項20所述之方法，其中該基板為一玻璃片。
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