JP2014182279A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品位の劣化を抑制する表示装置を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板１０を含む第１基板ＡＲと、第２絶縁基板２０を含み、第１基板ＡＲと対向して配置された第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲの外側に配置された第１光学素子ＯＤ１と、第２基板ＣＴの外側に配置された第２光学素子ＯＤ２と、第１光学素子ＯＤ１の外側、或いは第２光学素子ＯＤ２の外側の少なくとも一方に配置され、第１絶縁基板１０及び第１光学素子ＯＤ１、或いは、第２絶縁基板２０及び第２光学素子ＯＤ２よりも線膨張係数が小さく、第１光学素子ＯＤ１、或いは、第２光学素子ＯＤ２よりもヤング率が大きい補助板３０、３２と、を備えた表示装置。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から様々な電子機器に搭載されている。近年では、電子機器の小型化や軽量化が進み、平面表示装置についてもより一層の軽量化、薄型化が要求されている。

例えば液晶表示装置は、アレイ基板と、対向基板と、アレイ基板及び対向基板間に保持された液晶層とを備えている。アレイ基板と対向基板との外面には、偏光板等を含む光学素子が配置されている。

特開２０１１−２５６１０７号公報

本発明の本実施形態の目的は、表示品位の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供する。

実施形態によれば、第１絶縁基板を含む第１基板と、第２絶縁基板を含み、前記第１基板と対向して配置された第２基板と、前記第１基板の外側に配置された第１光学素子と、前記第２基板の外側に配置された第２光学素子と、前記第１光学素子の外側、或いは第２光学素子の外側の少なくとも一方に配置され、前記第１絶縁基板及び前記第１光学素子、或いは、前記第２絶縁基板及び前記第２光学素子よりも線膨張係数が小さく、前記第１光学素子、或いは、前記第２光学素子よりもヤング率が大きい補助板と、を備えた表示装置が提供される。

図１は、第１実施形態における液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。 図２は、図１に示した液晶表示パネルＬＰＮをＡ−Ａ線で切断したときの断面構造の一例を概略的に示す断面図である。 図３は、温度上昇時の本実施形態の液晶表示装置の断面の一例を概略的に示す図である。 図４は、温度上昇時の第２実施形態の液晶表示装置の断面の一例を概略的に示す図である。 図５は、温度上昇時の第３実施形態の液晶表示装置の断面の一例を概略的に示す図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、第１本実施形態における液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。

すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルＬＰＮを備えている。液晶表示パネルＬＰＮは、第１基板であるアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された第２基板である対向基板ＣＴと、これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えている。このような液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを備えている。このアクティブエリアＡＣＴは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。

液晶表示パネルＬＰＮは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、ｎ本のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｎ本の補助容量線Ｃ（Ｃ１〜Ｃｎ）、ｍ本のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）などを備えている。ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃは、例えば、第１方向Ｘに沿って略直線的に延出している。これらのゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃは、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って交互に並列配置されている。ここでは、第１方向Ｘと第２方向Ｙとは互いに略直交している。ソース配線Ｓは、ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃと交差している。ソース配線Ｓは、第２方向Ｙに沿って略直線的に延出している。なお、ゲート配線Ｇ、補助容量線Ｃ、及び、ソース配線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。

各ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ゲートドライバＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ソースドライバＳＤに接続されている。これらのゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤの少なくとも一部は、例えば、アレイ基板ＡＲに形成され、コントローラを内蔵した駆動ＩＣチップ２と接続されている。

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥなどを備えている。保持容量Ｃｓは、例えば補助容量線Ｃと画素電極ＰＥとの間に形成される。補助容量線Ｃは、補助容量電圧が印加される電圧印加部ＶＣＳと電気的に接続されている。

なお、本実施形態においては、液晶表示パネルＬＰＮは、画素電極ＰＥがアレイ基板ＡＲに形成される一方で共通電極ＣＥの少なくとも一部が対向基板ＣＴに形成された構成であり、これらの画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界を主に利用して液晶層ＬＱの液晶分子をスイッチングする。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定されるＸ−Ｙ平面あるいは基板主面に対してわずかに傾いた斜め電界（あるいは、基板主面にほぼ平行な横電界）である。

スイッチング素子ＳＷは、例えば、ｎチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。このスイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されている。このようなスイッチング素子ＳＷは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良い。また、スイッチング素子ＳＷの半導体層は、例えば、ポリシリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンによって形成されていても良い。

画素電極ＰＥは、各画素ＰＸに配置され、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、液晶層ＬＱを介して複数の画素ＰＸの画素電極ＰＥに対して共通に配置されている。このような画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されているが、アルミニウムなどの他の金属材料によって形成されても良い。

アレイ基板ＡＲは、共通電極ＣＥに電圧を印加するための給電部（図示せず）を備えている。この給電部は、例えば、アクティブエリアＡＣＴの外側に形成されている。共通電極ＣＥは、アクティブエリアＡＣＴの外側において、図示しない導電部材を介して、給電部と電気的に接続されている。

図２は、図１に示した液晶表示パネルＬＰＮをＡ−Ａ線で切断したときの断面構造の一例を概略的に示す断面図である。なお、ここでは、説明に必要な箇所のみを図示している。

液晶表示パネルＬＰＮを構成するアレイ基板ＡＲの背面側には、バックライト４が配置されている。バックライト４としては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。

アレイ基板ＡＲは、光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。図示しないゲート配線は、第１絶縁基板１０の上に形成され、第１層間絶縁膜１１によって覆われている。図示しない半導体層は、第１層間絶縁膜１１の上に形成され、第２層間絶縁膜１２によって覆われている。ソース配線Ｓは、第２層間絶縁膜１２の上に形成され、第３層間絶縁膜１３によって覆われている。画素電極ＰＥは、第２層間絶縁膜１２の上に形成されている。この画素電極ＰＥは、隣接するソース配線Ｓのそれぞれの直上の位置よりもそれらの内側に位置している。

第１配向膜ＡＬ１は、アレイ基板ＡＲの対向基板ＣＴと対向する面に配置され、アクティブエリアＡＣＴの略全体に亘って延在している。この第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥなどを覆っており、第３層間絶縁膜１３の上にも配置されている。

対向基板ＣＴは、光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。この対向基板ＣＴは、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、共通電極ＣＥ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。

ブラックマトリクスＢＭは、各画素ＰＸを区画し、画素電極ＰＥと対向する開口部ＡＰを形成する。すなわち、ブラックマトリクスＢＭは、ソース配線Ｓ、ゲート配線、補助容量線、スイッチング素子などの配線部に対向するように配置されている。ここでは、ブラックマトリクスＢＭは、第２方向Ｙに沿って延出した部分のみが図示されているが、第１方向Ｘに沿って延出した部分を備えていても良い。このブラックマトリクスＢＭは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲに対向する内面２０Ａに配置されている。

カラーフィルタＣＦは、各画素ＰＸに対応して配置されている。すなわち、カラーフィルタＣＦは、第２絶縁基板２０の内面２０Ａにおける開口部ＡＰに配置されるとともに、その一部がブラックマトリクスＢＭに乗り上げている。第１方向Ｘに隣接する画素ＰＸにそれぞれ配置されたカラーフィルタＣＦは、互いに色が異なる。例えば、カラーフィルタＣＦは、赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料からなる赤色カラーフィルタＣＦＲは、赤色画素に対応して配置されている。青色に着色された樹脂材料からなる青色カラーフィルタＣＦＢは、青色画素に対応して配置されている。緑色に着色された樹脂材料からなる緑色カラーフィルタＣＦＧは、緑色画素に対応して配置されている。これらのカラーフィルタＣＦ同士の境界は、ブラックマトリクスＢＭと重なる位置にある。

オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。このオーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの表面の凹凸の影響を緩和する。

共通電極ＣＥは、オーバーコート層ＯＣのアレイ基板ＡＲと対向する側に形成されている。なお、第３方向Ｚとは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに直交する方向、あるいは、液晶表示パネルＬＰＮの法線方向である。

第２配向膜ＡＬ２は、対向基板ＣＴのアレイ基板ＡＲと対向する面に配置され、アクティブエリアＡＣＴの略全体に亘って延在している。この第２配向膜ＡＬ２は、共通電極ＣＥ及びオーバーコート層ＯＣなどを覆っている。

これらの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２には、液晶層ＬＱの液晶分子を初期配向させるための配向処理（例えば、ラビング処理や光配向処理）がなされている。第１配向膜ＡＬ１が液晶分子を初期配向させる第１配向処理方向、及び、第２配向膜ＡＬ２が液晶分子を初期配向させる第２配向処理方向は、互いに平行であって、互いに逆向きあるいは同じ向きである。例えば、これらの第１配向処理方向及び第２配向処理方向は、図２に示したように、第２方向Ｙと略平行であって、同じ向きである。

上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、それぞれの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲの第１配向膜ＡＬ１と対向基板ＣＴの第２配向膜ＡＬ２との間には、例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサＳＳ（図３乃至図５に示す）が配置され、これにより、所定のセルギャップ、例えば２〜７μｍのセルギャップが形成される。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、所定のセルギャップが形成された状態で、アクティブエリアＡＣＴの外側のシール材ＳＬによって貼り合わせられている。

液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に形成されたセルギャップに保持され、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に配置されている。このような液晶層ＬＱは、例えば、誘電率異方性が正（ポジ型）の液晶材料によって構成されている。

アレイ基板ＡＲの外面、つまり、アレイ基板ＡＲを構成する第１絶縁基板１０の外面１０Ｂには、第１光学素子ＯＤ１が接着剤などにより貼付されている。この第１光学素子ＯＤ１は、液晶表示パネルＬＰＮのバックライト４と対向する側に位置しており、バックライト４から液晶表示パネルＬＰＮに入射する入射光の偏光状態を制御する。この第１光学素子ＯＤ１は、第１偏光軸（あるいは第１吸収軸）を有する第１偏光板ＰＬ１を含んでいる。

対向基板ＣＴの外面、つまり、対向基板ＣＴを構成する第２絶縁基板２０の外面２０Ｂには、第２光学素子ＯＤ２が接着剤などにより貼付されている。この第２光学素子ＯＤ２は、液晶表示パネルＬＰＮの表示面側に位置しており、液晶表示パネルＬＰＮから出射した出射光の偏光状態を制御する。この第２光学素子ＯＤ２は、第２偏光軸（あるいは第２吸収軸）を有する第２偏光板ＰＬ２を含んでいる。

第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸と、第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸とは、例えば、直交する位置関係（クロスニコル）にある。このとき、一方の偏光板は、例えば、その偏光軸が液晶分子の初期配向方向と平行または直交するように配置されている。初期配向方向が第２方向Ｙと平行である場合、一方の偏光板の偏光軸は、第２方向Ｘと平行、あるいは、第１方向Ｘと平行である。

本実施形態では、第１光学素子ＯＤ１の外面に更に補助板３０が貼付されている。この補助板３０は、第１光学素子ＯＤ１および第１絶縁基板１０よりも線膨張係数が小さく、第１光学素子ＯＤ１よりもヤング率が大きくなるように形成される。補助板３０を形成する材料としては、石英ガラス等を採用することができる。例えば、石英ガラスの線膨張係数は５×１０^−７（１／Ｋ）であり、ヤング率は７０（ＧＰａ）である。本実施形態の第１絶縁基板１０の線膨張係数は例えば３×１０^−６（１／Ｋ）である。第１偏光板ＰＬ１の線膨張係数は例えば１×１０^−５（１／Ｋ）であり、ヤング率は２（ＧＰａ）である。したがってこの場合、補助板３０は、線膨張係数が３×１０^−６（１／Ｋ）よりも小さく、ヤング率が２（ＧＰａ）より大きく形成される。

なお、線膨張係数は、温度がセ氏１度上昇したときの物質の長さの増加量と、もとの長さとの比である。すなわち、補助板３０は、第１光学素子ＯＤ１および第１絶縁基板１０よりも熱膨張による長さの変化が小さく、第１光学素子ＯＤ１および第１絶縁基板１０よりも応力（σ）に対するひずみ（ε）が小さいため撓み難い。

図３は、温度上昇時の本実施形態の液晶表示装置の断面の一例を概略的に示す図である。

例えば、第１絶縁基板１０のガラス基板と第１偏光板ＰＬ１との熱膨張量が異なると、温度上昇時にアレイ基板ＡＲが反って変形することがある。同様に、第２絶縁基板１０のガラス基板と第２偏光板ＰＬ２との熱膨張量が異なると、温度上昇時に対向基板ＣＴが反って変形することがある。

例えば、第１偏光板ＰＬ１の熱膨張量がガラス基板よりも大きい場合には、第１偏光板ＰＬ１側が凸となるようにアレイ基板ＡＲが反る。例えば第２偏光板ＰＬ２の熱膨張量がガラス基板よりも大きい場合には、第２偏光板ＰＬ２側が凸となるように対向基板ＣＴが反る。液晶表示パネルＬＰＮを基準とすると、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴの凸に反る向きは両方とも外側で、互いに逆向きである。この場合、シール材ＳＬにより固定された液晶表示パネルＬＰＮの端部に対してアクティブエリアＡＣＴの中央部分でセルギャップが大きくなり、液晶層ＬＱの厚さにムラができて表示不良の原因となることがあった。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴの凸に反る向きが逆であることが問題である。

そこで、本実施形態では、第１光学素子ＯＤ１の外側に補助板３０を貼付している。この補助板３０は、第１光学素子ＯＤ１および第１絶縁基板１０よりも線膨張係数が小さく、第１光学素子ＯＤ１よりもヤング率が大きい。したがって、補助板３０を第１光学素子ＯＤ１の外側に貼付することにより、温度上昇時にアレイ基板ＡＲおよび第１光学素子ＯＤ１は液晶表示パネルＬＰＮに対し内側に凸に反る。これは、アレイ基板ＡＲが対向基板ＣＴと同じ向きに凸に反ることを意図したものである。

アレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴは、柱状スペーサＳＳおよびシール材ＳＬにより所定の間隔を置いて対向している。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、シール材ＳＬによって固定され、所定の温度範囲において、アクティブエリアＡＣＴの周辺のセルギャップは一定に保たれる。アクティブエリアＡＣＴにおいてアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間の間隔は柱状スペーサＳＳにより略一定に担保される。

この状態で周囲環境の温度が上昇すると、対向基板ＣＴが外側に凸となるように反ることでセルギャップは拡大しようとするが、アレイ基板ＡＲが内側に凸に変形することでセルギャップは縮小しようとする。結果として、セルギャップの変化は抑制される。したがって、本実施形態の液晶表示装置は、温度が上昇したときでも、液晶層ＬＱの厚さにムラが生じることがなく、表示不良を回避することができる。

すなわち、本実施形態によれば、表示品位の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。

図４は、温度上昇時の第２実施形態の液晶表示装置の断面の一例を概略的に示す図である。なお、以下の説明において、上述の第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

本実施形態の液晶表示装置は補助板３０を備えず、補助板３２が第２光学素子ＯＤ２の外側に貼付されている。すなわち、この補助板３２は、第２光学素子ＯＤ２および第２絶縁基板２０よりも線膨張係数が小さく、第２光学素子ＯＤ２よりもヤング率が大きくなるように形成される。補助板３２を形成する材料としては、石英ガラス等を採用することができる。例えば、石英ガラスの線膨張係数は５×１０^−７（１／Ｋ）であり、ヤング率は７０（ＧＰａ）である。本実施形態の第２絶縁基板２０の線膨張係数は例えば３×１０^−６（１／Ｋ）である。第２偏光板ＰＬ２の線膨張係数は例えば１×１０^−５（１／Ｋ）であり、ヤング率は２（ＧＰａ）である。したがってこの場合、補助板３２は、線膨張係数が３×１０^−６（１／Ｋ）よりも小さく、ヤング率が２（ＧＰａ）より大きく形成される。

本実施形態では、上記の補助板３２を第２光学素子ＯＤ２の外側に貼付することにより、温度上昇時に対向基板ＣＴおよび第２光学素子ＯＤ２は液晶表示パネルＬＰＮに対し内側に凸に反る。これは、対向基板ＣＴがアレイ基板ＡＲと同じ向きに凸に反ることを意図したものである。

アレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴは、柱状スペーサＳＳおよびシール材ＳＬにより所定の間隔を置いて対向している。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、シール材ＳＬによって固定され、所定の温度範囲において、アクティブエリアＡＣＴの周辺のセルギャップは一定に保たれる。アクティブエリアＡＣＴにおいてアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間の間隔は柱状スペーサＳＳにより略一定に担保される。

この状態で周囲環境の温度が上昇すると、アレイ基板ＡＲが外側に凸となるように反ることでセルギャップは拡大しようとするが、対向基板ＣＴが内側に凸に変形することでセルギャップは縮小しようとする。結果として、セルギャップの変化は抑制される。したがって、本実施形態の液晶表示装置は、温度が上昇したときでも、液晶層ＬＱの厚さにムラが生じることがなく、表示不良を回避することができる。

すなわち、本実施形態によれば、表示品位の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。

図５は、温度上昇時の第３実施形態の液晶表示装置の断面の一例を概略的に示す図である。なお、以下の説明において、上述の第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

本実施形態の液晶表示装置は、補助板３０と補助板３２との両方を備えている。本実施形態では、上記の補助板３０を第１光学素子ＯＤ１の外側に貼付するとともに、補助板３２を第２光学素子ＯＤ２の外側に貼付することにより、温度上昇時にアレイ基板ＡＲおよび第１光学素子ＯＤ１は液晶表示パネルＬＰＮに対し内側に凸に反り、対向基板ＣＴおよび第２光学素子ＯＤ２は液晶表示パネルＬＰＮに対し内側に凸に反る。

アレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴは、柱状スペーサＳＳおよびシール材ＳＬにより所定の間隔を置いて対向している。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、シール材ＳＬによって固定され、所定の温度範囲において、アクティブエリアＡＣＴの周辺のセルギャップは一定に保たれる。アクティブエリアＡＣＴにおいてアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間の間隔は柱状スペーサＳＳにより略一定に担保される。

この状態で周囲環境の温度が上昇すると、補助板３０と補助板３２により、対向基板ＣＴとアレイ基板ＡＲは、各々、内側に凸に反り、セルギャップを縮小しようする。一方、対向基板ＣＴとアレイ基板ＡＲの間には柱状スペーサＳＳが支えているため、セルギャップの縮小は抑制される。結果として、セルギャップの変化は抑制される。したがって、本実施形態の液晶表示装置は、温度が上昇したときでも、液晶層ＬＱの厚さにムラが生じることがなく、表示不良を回避することができる。

すなわち、本実施形態によれば、表示品位の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＬＰＮ…液晶表示パネル、ＡＲ…アレイ基板、ＣＴ…対向基板、ＬＱ…液晶層、ＡＣＴ…アクティブエリア、ＰＸ…画素、Ｇ…ゲート配線、Ｃ…補助容量線、Ｓ…ソース配線、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…共通電極、Ｃｓ…保持容量、ＢＭ…ブラックマトリクス、ＣＦ…カラーフィルタ、ＯＣ…オーバーコート層、ＡＰ…開口部、ＳＳ…柱状スペーサ、ＳＬ…シール材、ＡＬ１…第１配向膜、ＯＤ１…第１光学素子、ＰＬ１…第１偏光板、ＡＬ２…配向膜、ＯＤ２…第２光学素子、ＰＬ２…偏光板、４…バックライト、１０…第１絶縁基板、１１〜１３…層間絶縁膜、２０…第２絶縁基板、３０、３２…補助板

Claims (3)

1. 第１絶縁基板を含む第１基板と、
   第２絶縁基板を含み、前記第１基板と対向して配置された第２基板と、
   前記第１基板の外側に配置された第１光学素子と、
   前記第２基板の外側に配置された第２光学素子と、
   前記第１光学素子の外側、或いは第２光学素子の外側の少なくとも一方に配置され、前記第１絶縁基板及び前記第１光学素子、或いは、前記第２絶縁基板及び前記第２光学素子よりも線膨張係数が小さく、前記第１光学素子、或いは、前記第２光学素子よりもヤング率が大きい補助板と、を備えた表示装置。
2. 前記補助板は、前記第１光学素子の外側、及び、第２光学素子の外側に配置されている請求項１記載の表示装置。
3. 複数の前記画素電極を囲むように前記第１基板と前記第２基板との間に配置されたシール材と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置された複数の柱状スペーサと、を更に備えた請求項１又は請求項２記載の表示装置。

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