JP2014179548A - ナノインプリント用テンプレートのパターン配置方法、テンプレート及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係わるナノインプリント用テンプレートは、本パターンを有する本パターン領域と、前記本パターン領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置されたダミーパターンを有するダミーパターン領域とを設け、前記本パターン領域と前記ダミーパターン領域との間の距離が200nm以下であり、且つ、前記本パターンと前記ダミーパターンとが短絡しない距離であることを特徴とする。
【選択図】図4
Description
本発明の請求項8に記載の発明に係るナノインプリント用テンプレートは、請求項6または請求項7に記載のナノインプリント用テンプレートにおいて、前記流路は、前記本パターンのラインの長手方向と同じ方向の凹部を有することを特徴とするものである。
<ナノインプリント用テンプレートのパターン配置方法>
(第1の実施形態)
本発明のパターン配置方法の第1の実施形態は、被加工基板上に塗布された光硬化性材料に凹凸のパターンを転写するために用いられるナノインプリント用テンプレートのパターン配置方法であって、本パターンを有する本パターン領域と、この本パターン領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置されたダミーパターンを有するダミーパターン領域とを設け、本パターン領域とダミーパターン領域との間の距離を200nm以下とし、且つ、本パターンとダミーパターンとが短絡しない距離とするものである。
(第2の実施形態)
本発明のパターン配置方法の第2の実施形態は、被加工基板上に塗布された光硬化性材料に凹凸のパターンを転写するために用いられるナノインプリント用テンプレートのパターン配置方法であって、本パターンを有する本パターン領域と、本パターン領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置されたダミーパターンを有するダミーパターン領域とを設け、本パターン領域とダミーパターン領域との間に、本パターン領域とダミーパターン領域とをつなぐ複数の櫛歯状のパターンが形成されているものである。
<ナノインプリント用テンプレート>
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態のナノインプリント用テンプレートは、被加工基板上に塗布された光硬化性材料に凹凸のパターンを転写するために用いられるナノインプリント用テンプレートであって、光透過性基材の一方の面に、主となる本パターンを有する本パターン領域と、本パターン領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置されたダミーパターンを有するダミーパターン領域とを備え、本パターン領域とダミーパターン領域との間の距離が200nm以下であり、且つ、本パターンとダミーパターンとが短絡しない距離であるものである。
(第2の実施形態)
図4及び図5は、本発明のナノインプリント用テンプレートの第2の実施形態の例を示す平面模式図である。
<パターン形成方法>
図8は、本発明の第1の実施形態におけるナノインプリント用テンプレートを用いたパターン形成方法の一例を示す工程断面図で、マスターテンプレートを用いてレプリカテンプレートを作製する場合を示す。
11、21 本パターン領域
12、22 ダミーパターン領域
13、23 境界部
24 櫛歯状パターン
30、40、50、60、80 テンプレート
31、41、51、61、81 本パターン領域
32、42、52、62、82 ダミーパターン領域
33、43、53、63、83 境界部
44、54 流路
65、85 被加工基板
66、86 光硬化性材料
67 RLT部
71 本パターン
76a、76b 光硬化性材料
86a、86b 硬化した光硬化性材料
90 レプリカテンプレート
91 テンプレート
95 被加工基板
96 光硬化性材料
97 気泡
Claims (12)
- 被加工基板上に塗布された光硬化性材料に凹凸のパターンを転写するために用いられるナノインプリント用テンプレートのパターン配置方法であって、
本パターンを有する本パターン領域と、前記本パターン領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置されたダミーパターンを有するダミーパターン領域とを設け、
前記本パターン領域と前記ダミーパターン領域との間の距離を200nm以下とし、且つ、前記本パターンと前記ダミーパターンとが短絡しない距離とすることを特徴とするナノインプリント用テンプレートのパターン配置方法。 - 前記本パターン及び前記ダミーパターンがラインアンドスペースパターンであり、前記本パターンのラインの長手方向と前記ダミーパターンのラインの長手方向とが同じであることを特徴とする請求項1に記載のナノインプリント用テンプレートのパターン配置方法。
- 被加工基板上に塗布された光硬化性材料に凹凸のパターンを転写するために用いられるナノインプリント用テンプレートのパターン配置方法であって、
本パターンを有する本パターン領域と、前記本パターン領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置されたダミーパターンを有するダミーパターン領域とを設け、
前記本パターン領域と前記ダミーパターン領域との間に、前記本パターン領域と前記ダミーパターン領域とをつなぐ複数の櫛歯状のパターンが形成されていることを特徴とするナノインプリント用テンプレートのパターン配置方法。 - 被加工基板上に塗布された光硬化性材料に凹凸のパターンを転写するために用いられるナノインプリント用テンプレートであって、
光透過性基材の一方の面に、本パターンを有する本パターン領域と、前記本パターン領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置されたダミーパターンを有するダミーパターン領域とを備え、
前記本パターン領域と前記ダミーパターン領域との間の距離が200nm以下であり、且つ、前記本パターンと前記ダミーパターンとが短絡しない距離であることを特徴とするナノインプリント用テンプレート。 - 前記本パターン及び前記ダミーパターンがラインアンドスペースパターンであり、前記本パターンのラインの長手方向と前記ダミーパターンのラインの長手方向とが同じであることを特徴とする請求項4に記載のナノインプリント用テンプレート。
- 被加工基板上に塗布された光硬化性材料に凹凸のパターンを転写するために用いられるナノインプリント用テンプレートであって、
光透過性基材の一方の面に、本パターンを有する本パターン領域と、前記本パターン領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置されたダミーパターンを有するダミーパターン領域とを備え、
前記本パターン領域と前記ダミーパターン領域との間に、前記本パターン領域と前記ダミーパターン領域とをつなぎ、前記光硬化性材料を展開するための流路が形成されていることを特徴とするナノインプリント用テンプレート。 - 前記流路は、複数の櫛歯状の凹部を有することを特徴とする請求項6に記載のナノインプリント用テンプレート。
- 前記流路は、前記本パターンのラインの長手方向と同じ方向の凹部を有することを特徴とする請求項6または請求項7に記載のナノインプリント用テンプレート。
- 前記流路の凹部の深さは、前記本パターンの凹部の深さと同じであることを特徴とする請求項6から請求項8までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント用テンプレート。
- 前記流路の凹部の幅は、30nm〜1μmの範囲にあり、前記流路とスペース部とのピッチは、1:1〜1:10の範囲にあることを特徴とする請求項6から請求項9までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント用テンプレート。
- 前記本パターンの凹部の深さは、前記ダミーパターンの凹部の深さと同じであることを特徴とする請求項4から請求項10までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント用テンプレート。
- 請求項4から請求項11までのうちのいずれか1項に記載のナノインプリント用テンプレートを準備し、被加工基板を準備し、
前記被加工基板の一方の面上に光硬化性材料を供給し、
前記テンプレートと前記被加工基板とを対向させて配置し、
前記テンプレートと前記被加工基板との間隔を縮めて前記テンプレートの一方の面と前記光硬化性材料を接触させ、前記光硬化性材料を前記テンプレートの一方の面と前記被加工基板の一方の面との間に展開してなることを特徴とするパターン形成方法。
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