JP2012506618A - 基板からテンプレートを分離する際の応力の低減 - Google Patents
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Abstract
インプリント・リソグラフィプロセスにおいてインプリント・リソグラフィ・テンプレートとパターン層を分離することにより、テンプレートのフィーチャおよび／またはパターン層のフィーチャに対する応力が生じることがある。そのような応力は、空領域内のダミー・フィーチャを含むテンプレート上の空領域を最小にしおよび／またはテンプレート上にフィーチャを選択的に位置決めすることによって減少されてもよい。
Description
（関連出願の相互参照）
本出願は、米国特許法第１１９条（ｅ）（１）項の下、２００８年１０月２１日に出願された米国仮特許出願第６１／１０７，２３８号と２００９年１０月１９日に出願された米国特許出願第１２／５８１，２３６号の利益を主張し、これらの出願は、引用によりその全体が本明細書に組み込まれる。
本出願は、米国特許法第１１９条（ｅ）（１）項の下、２００８年１０月２１日に出願された米国仮特許出願第６１／１０７，２３８号と２００９年１０月１９日に出願された米国特許出願第１２／５８１，２３６号の利益を主張し、これらの出願は、引用によりその全体が本明細書に組み込まれる。
ナノ加工は、約１００ナノメートル以下のフィーチャを有するきわめて小さな構造の加工を含む。ナノ加工がかなり大きい効果を有していた１つの用途は、集積回路の処理である。半導体処理産業は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増やしながら高い生産歩留まりを目指す努力をし続けており、それにより、ナノ加工はますます重要になってきている。ナノ加工は、形成される構造物の最小フィーチャ寸法を縮小し続けながらより優れた工程管理を提供する。ナノ加工が利用されてきた他の開発分野には、バイオテクノロジー、光学技術、機械システムなどがある。
今日使用されている例示的なナノ加工技術は、一般に、インプリント・リソグラフィと呼ばれる。例示的なインプリント・リソグラフィプロセスは、米国特許公報第２００４／００６５９７６号、米国特許公報第２００４／００６５２５２号および米国特許第６，９３６，１９４号などの多くの公報に詳細に述べられており、これらの文献はすべて、参照により本出願に組み込まれる。
前述の米国特許出願および特許のそれぞれに開示されたインプリント・リソグラフィ技術は、重合性層におけるレリーフ・パターンの形成と、そのレリーフ・パターンに対応するパターンの下の基板への転写を含む。基板は、パターニング工程を容易にするために所望の位置決めを可能にする移動ステージに結合されてもよい。パターニング工程は、基板から離間されたテンプレートと、テンプレートと基板の間に塗布される成形可能液体とを使用する。成形可能液体は、成形可能液体と接触するテンプレートの表面の形状に合致するパターンを有する硬質層を形成するように凝固される。凝固した後で、テンプレートが硬質層から分離され、それによりテンプレートと基板が離間される。次に、基板と凝固層は、凝固層のパターンに対応するレリーフ像を基板に転写するために更に他の工程にかけられる。
本発明がより詳細に理解されるように、本発明の実施形態の説明を、添付図面に示された実施形態と関連して提供する。しかしながら、添付図面は、本発明の代表的な実施形態のみを示し、したがって範囲を限定するものではないことに注意されたい。
図を参照し、詳細には図１を参照すると、基板１２上にレリーフ・パターンを形成するために使用されるリソグラフィ・システム１０が示されている。基板１２は、基板チャック１４に結合されることがある。図示されたように、基板チャック１４は、真空チャックである。しかしながら、基板チャック１４は、真空式、ピン型、溝型、電磁気式などを含むがこれらに限定されない任意のチャックでよい。例示的なチャックは、米国特許第６，８７３，０８７号に記載されており、この特許は、参照により本明細書に組み込まれる。
基板１２と基板チャック１４は、更に、ステージ１６によって支持されることがある。ステージ１６は、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸のまわりの動きを提供することがある。ステージ１６、基板１２および基板チャック１４は、台（図示せず）上で配置されてもよい。
テンプレート１８は基板１２から離間されている。テンプレート１８は、一般に、基板１２の方に延在するメサ２０を有し、メサ２０はその上にパターニング面２２を有する。さらに、メサ２０は、型２０と呼ばれることがある。テンプレート１８および／または型２０は、溶融石英、石英、シリコン、有機重合体、シロキサン重合体、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボン重合体、金属、硬化サファイアなどを含むがこれらに限定されない材料から形成されてもよい。図示されたように、パターニング面２２は、複数の離間したくぼみ２４および／または突出部２６によって画定されたフィーチャを有するが、本発明の実施形態は、そのような構成に限定されない。パターニング面２２は、基板１２上に形成されるパターンの基礎を構成する任意の原本パターンを画定することができる。
テンプレート１８は、チャック２８に結合されることがある。チャック２８は、真空式、ピン型、溝型、電磁気式および／または他の類似のチャック型として構成されてもよいが、これらに限定されない。例示的なチャックは、更に、米国特許第６，８７３，０８７号に記載されており、この特許は、参照により本明細書に組み込まれる。さらに、チャック２８は、インプリント・ヘッド３０に結合され、その結果、チャック２８および／またはインプリント・ヘッド３０が、テンプレート１８を移動させるように構成されてもよい。
システム１０は、さらに、流体供給システム３２を有することができる。流体供給システム３２は、基板１２上に重合性材料３４を付着させるために使用されることがある。重合性材料３４は、液滴供給、回転塗布、浸せき塗布、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜蒸着、厚膜蒸着などの技術を使用して基板１２上に位置決めされてもよい。重合性材料３４は、設計検討事項に応じて型２０と基板の１２の間に所望の体積が画定される前および／または後に、基板１２上に配置されてもよい。重合性材料３４は、米国特許第７，１５７，０３６号と米国特許公開第２００５／０１８７３３９号に記載されたような単量体を含んでもよく、これらの文献は全て、参照により本願に組み込まれる。
図１と図２を参照すると、システム１０は、更に、経路４２に沿ってエネルギー４０を導くように結合されたエネルギー源３８を含むことができる。インプリント・ヘッド３０とステージ１６は、テンプレート１８と基板１２を経路４２に重ね合わせて位置決めするように構成されてもよい。システム１０は、ステージ１６、インプリント・ヘッド３０、流体供給システム３２および／またはエネルギー源３８と通信するプロセッサ５４によって調整されてもよく、またメモリ５６に記憶されたコンピュータ可読プログラムで動作してもよい。
インプリント・ヘッド３０若しくはステージ１６またはこれらの両方は、型２０と基板の１２の間の距離を変化させて、これらの間に重合性材料３４で満たされる所望の体積を画定する。例えば、インプリント・ヘッド３０は、型２０が重合性材料３４と接触するようにテンプレート１８に力を加える。所望の体積が重合性材料３４で満たされた後、エネルギー源３８は、エネルギー４０（例えば、広帯域紫外線放射）を生成して、基板１２の表面４４とおよびパターニング面２２の形状に合致するように重合性材料３４を凝固させおよび／または架橋して、基板１２上にパターン層４６を画定する。パターン層４６は、残余層４８と、突出部５０とくぼみ５２として示された複数のフィーチャを有し、突出部５０は厚さｔ1を有し、残余層は厚さｔ2を有する。
前述のシステムと工程は、更に、米国特許第６，９３２，９３４号、米国特許公開第２００４／０１２４５６６号、米国特許公開第２００４／０１８８３８１号および米国特許公開第２００４／０２１１７５４号で言及されているインプリント・リソグラフィ法およびシステムで使用されてもよく、これらの各文献は、参照により本明細書に組み込まれる。
図３を参照すると、テンプレート１８は、空領域５３（例えば、テンプレート１８の道（ｓｔｒｅｅｔ））と組み合わされた稠密領域５１（すなわち、テンプレート１８のフィーチャ２４および／または２６の稠密領域）を含んでもよく、これにより、パターン層４６とテンプレート１８を分離する際に独特の問題が起こることがある。例えば、フィーチャ２４および２６の縦横比（フィーチャの幅に対する高さの割合）が約１：１以上の場合、テンプレート１８とパターン層４６の間の摩擦力は、フィーチャ２４および２６ならびに／またはフィーチャ５０および５２にねじりおよび／または剪断応力を提供する接着力と同様に大きくなることがある。
パターン層４６からのテンプレート１８の分離は、一般に、接着力と摩擦力に関係するので、分離前線（ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｆｒｏｎｔ）７０は、亀裂の伝搬と同じように移動することがある。テンプレート１８とパターン層４６の間の分離エネルギーは、破壊分離エネルギーと似ていると考えられ、フィーチャ２４および２６ならびに／またはフィーチャ５０および５２の密度により様々な大きさを有することがある。例えば、図３では、稠密領域５１の分離エネルギーは、大きさＧDを有し、空領域５３の分離エネルギーは、ＧOの大きさを有する。テンプレート１８が、空領域５３と比べて大きな稠密領域５１を有するので、テンプレート１８が稠密領域５１と空領域５３を通過するときに分離エネルギーに大きな差（ΔＧ＝ＧD−ＧO）ができることがある。
テンプレート１８のパターン層４６からの分離は、亀裂伝搬と同じように移動することがあるので、分離前線７０は、ある一定の時間期間に不連続的なことがある。さらに、分離前線７０は、一度に数百ミクロン飛び越す可能性がある。さらに、テンプレート１８とパターン層４６の分離前線７０は、稠密領域５１内で比較的安定した速度で移動することがあるが、テンプレート１８とパターン層４６が空領域５３内で分離するとき、分離前線７０の伝搬速度は実質的に増大しおよび／または稠密領域５１内で分離前線７０の伝搬速度が実質的に低下することがある。稠密領域５１と空領域５３内の分離前線７０の対照的な伝搬速度によって、フィーチャ２４および２６ならびに／またはフィーチャ５０および５２上にねじりおよび／または剪断応力が生じることがある。
図４〜図７は、テンプレート１８のフィーチャ２４および２６ならびに／またはフィーチャ５０および５２に生じることがある例示的なねじりおよび／または剪断応力を示す。詳細には、図４Ａは、理想的な分離前線７０を示す。図示されたように、理想的な分離前線７０は、稠密フィーチャ領域５１と空領域５３で比較的安定した速度で移動することがある。例えば、稠密領域５１と空領域５３内を伝搬する分離前線７０ａおよび７０ｂは、比較的安定した速度で移動する。さらに、空領域５３内を伝搬する分離前線７０ｃも比較的安定した速度で移動する。しかしながら、図４Ｂに示されたように、分離前線７０ｄは、きわめて希に、稠密領域５１で遅れおよび／または空領域５３でその速度を高めることがある。
図５Ａと図５Ｂを参照すると、テンプレート１８は、稠密フィーチャ領域５１と空領域５３を有することがある。例えば、テンプレート１８には、図５Ａに示されたような稠密フィーチャ領域５１を有するクラスタ５５の配列が提供される。例示的な稠密フィーチャ領域６１は、例えば、３２ｎｍ幅の線が約３２ｎｍの間隔で配置された（１：１）格子構造を含み、また７０ｎｍの線深さを有する。各クラスタ５５は、空領域５３ａによって分離されることがある。例えば、空領域５３ａは、長さＬ1を有する（例えば、例示的な長さＬ1は、約１ｍｍである）。さらに、各クラスタは、空領域５３ｂによって分離された多数の稠密フィーチャ領域５１から構成されることがある（例えば、例示的な長さＬ2は、約７５ミクロンである）。例えば、図５Ｂに示されたように、稠密フィーチャ領域５１ａ〜５１ｄは、空領域５３ｂ（例えば、道）によって分離されてもよい。空領域５３ｂは、長さＬ2（例えば、約７５ミクロン）を有してもよい。
図６Ａ〜図６Ｇは、図１と図２に関して述べたようなテンプレート１８を基板１２から分離する際の分離前線７０の伝搬を示す。図６Ａ〜図６Ｅに示されたように、分離前線７０の伝搬は、分離の始まりでは実質的に安定した速度であるが、分離前線７０が稠密領域５１ならびに空領域５３ａおよび５３ｂの両方を通るとき、分離前線７０の速度は、稠密領域５１内で低下しおよび／または空領域５３ａおよび５３ｂ内で増大し、その結果、遅れ領域５７ができ、分離前線が、図６Ｇに示されたように理想的にならないことがある。
遅れ領域５７は、図１と図２に関して述べたように基板上に形成されたフィーチャ２４および／または２６ならびに／またはフィーチャ５０および５２上にねじりおよび／または剪断応力を引き起こすことがある。そのようなねじりおよび／または剪断応力は、図７に示された空領域５３ａの近くの領域で、空領域５３ｂより大きくなることがある。例えば、出願人は、テンプレート１８上の空領域５３ａの近くの２０倍を超える領域（例えば、約１ｍｍの長さを有する空領域５３ａ）および／または基板１２のそれに対応する領域が、裂けの原因のとなる高いねじりおよび／または剪断応力を受け、空領域５３ｂの近くの領域（例えば、１ｍｍよりかなり短い長さを有する空領域５３ｂ）には実質的に裂けがないことを確認した。
図１と図２に関して述べたようなパターニングの際のフィーチャ２４および２６ならびに／またはフィーチャ５０および５２上のねじりおよび／または剪断応力は、本明細書に記載されているようなテンプレート１８の空き領域（例えば、道）の最小化により、および／または、テンプレート１８の空き領域内にダミー・フィーチャを提供することにより、減少する。例えば、このような技術を使用するとき、突出部２６の大きさの横寸法が、約１００ｎｍ以下で、くぼみ２４の横方向寸法の大きさが、約１：２のフィーチャ・サイズと隙間の比またはより稠密なフィーチャ領域（１：１など）を提供し、および／または縦横比（すなわち、フィーチャの高さを幅で割ったもの）が約０．５〜３の稠密テンプレート１８によって刻印している間のねじりおよび／または剪断応力が減少する。
図８は、クラスタ５５ａ1と５５ａ2の間に短い長さの空領域５３ａを有するテンプレート１８の例示的な実施形態を示し、より具体的には、テンプレート１８の空領域５３ａは、約２００ミクロンより小さいことがある。図が、クラスタ５５を比較的周期的な間隔で示しているが、クラスタ５５、フィーチャ領域５１および／または空領域５３が非周期的なグループでもよいことに注意されたい。例えば、クラスタ５５内のフィーチャ２４および２６は、非周期的間隔（例えば、散発的）でもよい。
一実施形態では、テンプレート１８の空領域５３は、約１００ミクロンより小さくてもよい。テンプレート１８の空領域５３ａを約２００ミクロン未満、更には約１００ミクロン未満に制限することにより、フィーチャ２４および２６ならびに／またはフィーチャ５０および５２に導入されるねじりおよび／または剪断応力の量が実質的に減少する。例えば、分離前線７０が空領域５３ａの方に伝搬するとき、テンプレート１８とパターン層４６の分離速度が実質的に増大するが、空領域５３ａが、約２００ミクロン未満であることがあるので、空領域５３ａの短距離にわたるそのような分離速度の増大は、フィーチャ２４および２６上に更なるねじりおよび／または剪断応力を導入するのに十分でないことがある。さらに、分離前線７０が、一度に数百ミクロン飛び越す可能性があるので、分離前線７０は、空領域５３ａを実質的に一時的に迂回し、稠密領域５１ａ1と５１ａ2の間で分離速度を維持することがある。
状況によって、分離前線７０は、テンプレート１８とパターン層４６を分離する際に均一な伝搬速度にならなくてもよい。例えば、図９は、テンプレート１８の上面図を示し、ここで、分離前線７０は異なる伝搬速度Ｐ1およびＰ2を有する。例えば、異なる伝搬速度は、分離前線７０が稠密領域５１ａ1と空領域５３ａ内を同時に移動することによる。分離前線７０が空領域５３ａ内を通過する場合、Ｐ2の伝搬速度が実質的に増大し、ねじりおよび／または剪断応力が生じることがある。テンプレート１８の空領域５３ａを約２００ミクロン未満に制限し、さらには約１００ミクロン未満に制限することによって、分離前線７０は、頻繁に稠密領域５１および／または小さい空領域５３ａと遭遇し、これにより伝搬速度が実質的に低下することがある。例えば、速度Ｐ2で伝搬する分離前線７０は、空領域５３ａの大きさが縮小されるとすぐに稠密領域５１ａ2に遭遇し、速度Ｐ2が実質的に低下し、したがって実質的なねじりおよび／または剪断応力の可能性が低下する。
図１０は、ダミー・フィーチャ６０を有するテンプレート１８の別の例示的な実施形態を示す。ダミー・フィーチャ６０は、本明細書で述べる縮小された大きさの空領域５３ａの代わりまたは空領域５３ａとの組み合わせで使用されてもよい。
ダミー・フィーチャ６０は、一般に、フィーチャ２４および２６と類似の低分解能で低コストの充てんフィーチャである。ダミー・フィーチャ６０は、サイズが１００ｎｍ〜数十ミクロンでよい。ダミー領域６１を画定するために、空領域５３ａ内に１つまたは複数のダミー・フィーチャ６０が周期的間隔で配置されてもよい。例えば、ダミー・フィーチャ６０は、図１０に示されたようにダミー領域６１を画定する１００ｎｍ以上の間隔で配置されてもよい。一般に、ダミー領域６１は、ダミー・フィーチャ６０のない空領域５３ａの大きさＧ0を超える大きさＧYの分離エネルギーを有してもよい。したがって、分離前線７０の伝搬速度は、ダミー領域６１内で、ダミー・フィーチャ６０のない空領域５３ａを通る分離前線７０の伝搬速度より低くなることがある。これにより、テンプレート１８とパターン層４６を分離する際にフィーチャ２４および２６のずれ応力が減少することがある。
分離力ＦSの観点から、分離前線７０が半径Ｒを有すると仮定すると、一般に、∂Ｆ／∂Ｒで最小の変動が生じることが好ましいことがある。しかしながら、ダミー・フィーチャがない場合、分離前線７０が稠密領域５１から空領域５３ａまで（例えば、稠密領域５１ａ1から空領域５３ａまで）移動するときに∂Ｆ／∂Ｒが突然に変化することがある。ダミー・フィーチャ６０の領域の１領域当たりの分離力ＦSは、稠密領域５１と空領域５３ａの１領域当たりの分離力ＦSの間でよい。したがって、ダミー・フィーチャ６０を空領域５３ａに挿入することによって∂Ｆ／∂Ｒの変動が減少することがある。
図１１〜図１４を参照すると、稠密領域５１内のテンプレート１８のフィーチャ２４および／または２６の位置決めにより、ねじり応力および／または剪断応力が減少することがある。稠密領域５１内のフィーチャ２４および／または２６の位置決めは、本明細書に記載されたようなダミー・フィーチャ６０／ダミー領域６１および／または最小限の大きさの空領域５３ａの代わりまたはそれと組み合わせで使用されてもよい。
図１１は、フィーチャ２４および２６を有する例示的なテンプレート１８の上面図を示す。突出部２６は、格子長ＨLと格子幅ＨPによって画定されることがある。一般に、格子長ＨLは、突出部２６の最長寸法と関連付けられてもよい。Ｌａｎｄｉｓらによって更に詳細に述べられているように、分離前線７０を格子長ＨLに対して平行にすると、分離前線７０を格子幅ＨP寸法に対して平行にする（または、分離前線７０を格子長方向と垂直にする）よりも破壊エネルギーが増大することがある。参照により本明細書に組み込まれるＳ Ｌａｎｄｉｓらの「Ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｓ ｏｆ ａ ｎａｎｏｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｂｏｎｄｅｄ ｗａｆｅｒ： ｆｏｒｃｅ ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ ｆｏｒ ｎａｎｏｉｍｐｒｉｎｔ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｓｔａｍｐ ｒｅｍｏｖａｌ」Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， ２００８， １２５３０５を参照されたい。
図１２は、分離前線７０に対して角度θで位置決めされたフィーチャ２４および２６を有するテンプレート１８の例示的な実施形態を示す。角度付きフィーチャ２４および２６は、分離エネルギーを減少させることがある。フィーチャ２４および２６は、約１００ｎｍ未満の幅で約１：１の隙間およびフィーチャ幅を有し、縦横比が約２：１でよい。フィーチャ２４および２６は、約１ミクロンを超える長さを有してもよい。さらに、フィーチャ２４および２６は、連続ブロック７４を構成してもよい。
図１３は、分離前線７０に対して平行位置と垂直位置で交互になった格子長ＨLの突出部２６を有するテンプレート１８の例示的な実施形態を示す。例えば、フィーチャ２４および２６は、分離前線７０に対して平行に位置決めされた格子長ＨL寸法の突出部２６を有する連続ブロック７６と、分離前線７０に対して垂直に位置決めされた格子長ＨL寸法の突出部２６を有するフィーチャ２４および２６の連続ブロック７８とを構成する。図１３に示されたように、連続ブロック７６ａは、分離前線７０に対して平行に位置決めされた格子長ＨL1寸法の突出部２６を有してもよく、連続ブロック７６ｂは、分離前線７０に対して平行に位置決めされた格子長ＨL3寸法の突出部２６を有してもよい。同様に、連続ブロック７８ａは、分離前線７０に対して垂直に位置決めされた格子長ＨL2寸法の突出部２６を有してもよく、連続ブロック７８ｂは、分離前線７０に対して垂直に位置決めされた格子長ＨL4寸法の突出部２６を有してもよい。格子長ＨL1、ＨL2、ＨL3および／またはＨL4は、設計検討事項により、類似した大きさでも異なる大きさでもよい。さらに、各ブロック７６または７８内の格子長Ｈｌは、設計検討事項により、類似した大きさでも異なる大きさでもよい。
ブロック７６および７８は、連続的に交互になる（例えば、平行、垂直、平行、垂直）必要はない。交互のブロック７６および７８は、テンプレート１８のパターン密度を維持しながら分離エネルギーを減少できるように設計されてもよい。ブロック７６および／または７８内に任意数のフィーチャ２４および２６があってもよい。フィーチャ２４および２６は、約１００ｎｍ未満の幅で、隙間とフィーチャの幅が１：１、縦横比が２：１でもよい。フィーチャ２４および２６は、約１ミクロンを超える長さを有してもよい。
図１４は、放射状の分離前線７０に対して平行位置と垂直位置で交互になったフィーチャ２４および２６を有するテンプレート１８の例示的な実施形態を示す。例えば、フィーチャ２４および２６は、分離前線７０に対して平行に位置決めされた格子長ＨL寸法を有するフィーチャ２４および２６の連続ブロック８２と、分離前線７０に対して垂直に位置決めされた格子長ＨL寸法を有するフィーチャ２４および２６の連続ブロック８４とを構成する。さらに、平行および／または垂直のフィーチャ２４および２６は、放射状パターンでもよい。放射状パターンは、格子幅ＨPの大きさがフィーチャ２６に沿って変化することがあると定める。例えば、連続ブロック８４ａに示されたように、突出部２６が分離前線７０の方に延在するとき、格子幅ＨP6寸法が格子長ＨL6に沿って増大してもよい。フィーチャ２４および２６を交互の平行位置と垂直位置を有する放射状パターンで提供することにより、パターン密度を維持しながら分離エネルギーが減少することがある。さらに、フィーチャ２４および２６は、分離エネルギーを減少させるために凹形状を呈してもよい。例えば、連続ブロック８２ａは、端が分離前線７０から離れフィーチャ２４および２６の中心が分離前線７０の方に近づくフィーチャ２４および２６を含む。
１８ テンプレート； ７０、７０ａ、７０ｂ 分離前線；
５１ 稠密フィーチャ領域５１； ５３ 空領域５３。
５１ 稠密フィーチャ領域５１； ５３ 空領域５３。
Claims (17)
- インプリント・リソグラフィ・テンプレートであって、
複数のクラスタを有し、各クラスタが、少なくとも１つの稠密フィーチャ領域を有し、前記稠密フィーチャ領域が、約０．５〜３の縦横比を有する複数のフィーチャを有し、各クラスタが、長さを有する空領域によって分離され、前記長さの大きさが、約２００ミクロン以下であるインプリント・リソグラフィ・テンプレート。 - 前記長さの大きさが、約１００ミクロン以下である、請求項１に記載のテンプレート。
- 前記長さの大きさが、分離前線の伝搬速度を減少させるように適応された、請求項１または２に記載のテンプレート。
- 前記空領域が、少なくとも１組のダミー・フィーチャを含む、請求項１から３のいずれか１項に記載のテンプレート。
- 前記ダミー・フィーチャが、前記空領域内に周期的間隔で位置決めされ、前記周期的間隔が、分離前線の伝搬速度を減少させるように適応された、請求項４に記載のテンプレート。
- 各稠密フィーチャ領域が、複数の突出部と複数のくぼみを有する、請求項１から５のいずれか１項に記載のテンプレート。
- 前記突出部が、約１００ｎｍ以下である、請求項６に記載のテンプレート。
- 前記突出部が、前記テンプレート上に分離前線に対してある一定角度で位置決めされた、請求項６または７に記載のテンプレート。
- 前記ある一定角度の前記位置が、前記テンプレートをパターン層から分離する際の破壊エネルギーを減少させるように適応された、請求項８に記載のテンプレート。
- 前記突出部の少なくとも一部分が、分離前線に対して９０度未満の角度で位置決めされ、前記突出部の少なくとも一部分が、前記分離前線に対して実質的に垂直に位置決めされた、請求項６または９に記載のテンプレート。
- 前記角度付き突出部が、放射状パターンである、請求項１０に記載のテンプレート。
- 前記垂直の突出部が、放射状パターンである、請求項１０または１１に記載のテンプレート。
- 前記稠密フィーチャ領域内の前記フィーチャが、各フィーチャの中心が前記分離前線の方に湾曲するように凹形状を有する、請求項１０、１１または１２に記載のテンプレート。
- 第１の稠密フィーチャ領域が、分離前線に対して実質的に平行に位置決めされたフィーチャを有し、第２の稠密フィーチャ領域が、前記分離前線に対して実質的に垂直に位置決めされたフィーチャを有する、請求項１から１３のいずれか１項に記載のテンプレート。
- 前記稠密フィーチャ領域が、可変格子幅を有する少なくとも１つのフィーチャを有し、前記格子幅が、分離前線に近づくほど増大する、請求項１から１４のいずれか１項に記載のテンプレート。
- 前記稠密フィーチャ領域が、可変格子長を有する少なくとも１つのフィーチャを含み、前記格子長が、各フィーチャの中心に近づくほど増大する、請求項１から１５のいずれか１項に記載のテンプレート。
- 基板上に位置決めされた重合性材料をパターン形成する段階であって、パターン形成された前記重合性材料が、テンプレートを使用し
前記テンプレートを前記パターン層から分離する段階とを含み、前記テンプレート上に前記稠密フィーチャ領域と前記空領域を位置決めすることにより、分離前線の伝搬が減少する、
請求項１に記載のテンプレートの使用方法。
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