JP2014175369A - 半導体装置用パッケージ、およびその製造方法、並びに半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パッケージは、ベース板と枠部と入力側緩衝板と出力側緩衝板と入力リードと出力リードとろう材とを有する。ベース板は、第1の面と第2の面とを有する。枠部は、第1の面の外周領域に設けられ、入力側絶縁材と出力側絶縁材と入力導電部と出力導電部と枠状壁とを有する。入力側緩衝板は、内部領域に設けられ、ベース板の線膨張率よりも小さい線膨張率を有する。出力側緩衝板は、出力側絶縁材に対向するように入力側緩衝板と離間して設けられ、ベース板の線膨張率よりも小さい線膨張率を有する。ろう材は、枠部と第1面との間、入力リードと入力導電部との間、出力リードと出力導電部との間、入力側緩衝板と第1の面との間、出力側緩衝板と第1の面との間、をそれそれ接合する。第2の面は研磨面とされ、第1の面の反り量よりも小さい反り量を有する。
【選択図】図2
Description
図1(a)は第1の実施形態にかかる半導体装置の模式平面図、図1(b)はA−A線に沿った模式断面図、図1(c)はB−B線に沿った模式断面図、図1(d)は模式斜視図、である。
半導体装置は、パッケージと、その内部に設けられた半導体素子70と、入力整合回路50と、出力整合回路60と、蓋部80と、を有する。
Claims (6)
- 第1の面と前記第1の面とは反対の側の第2の面とを有し、金属を含むベース板と、
前記ベース板の前記第1の面の外周領域に設けられた枠部であって、入力側絶縁材と、前記入力側絶縁材とは反対の側の出力側絶縁材と、前記入力側絶縁材の表面に設けられた入力導電部と、前記出力側絶縁材の表面に設けられた出力導電部と、前記入力側絶縁材と前記出力側絶縁材との上に配設された枠状壁と、を有する枠部と、
前記ベース板の前記第1の面のうち前記枠部に囲まれた内部領域において、前記入力絶縁材に対向するように設けられ、前記ベース板の線膨張率よりも小さい線膨張率を有する入力側緩衝板と、
前記ベース板の前記第1の面のうち前記枠部に囲まれた前記内部領域において、前記出力側絶縁材に対向し前記入力側緩衝板と離間して対向するように設けられ、前記ベース板の前記線膨張率よりも小さい線膨張率を有する出力側緩衝板と、
入力リードと、
出力リードと、
前記枠部の下面と前記ベース板の前記第1面との間、前記入力リードと前記入力導電部との間、前記出力リードと前記出力導電部との間、前記入力側緩衝板と前記第1の面との間、前記出力側緩衝板と前記第1の面との間、をそれそれ接合するろう材と、
を備え、
前記ベース板の前記第2の面は研磨面とされ、前記第1の面の反り量よりも小さい反り量を有する半導体装置用パッケージ。 - 前記第2の面の前記反り量は、30μm以下である請求項1記載の半導体装置用パッケージ。
- 前記ベース板は、銅を含み、
前記入力側緩衝板は、モリブデンまたはタングステンを含み、
前記出力側緩衝板は、モリブデンまたはタングステンを含み、
前記ろう材は、少なくとも銀および銅を含む銀ろうである請求項1または2に記載の半導体装置用パッケージ。 - 表面に入力導電部が設けられた入力側絶縁材と、表面に出力導電部が設けられた出力側絶縁材と、前記入力側絶縁材と前記出力側絶縁材との上に配設された枠状壁、とを含む枠部を形成する工程と、
第1の面と前記第1の面とは反対の側の第2の面を有し金属を含むベース板の前記第1の面の外周領域と前記枠部の下面との間、前記外周領域に囲まれた前記第1の面の内部領域と入力側緩衝板、前記内部領域と出力側緩衝板との間、前記入力導電部と入力リードとの間、前記出力導電部と出力リードとの間、をそれぞれろう付けする工程と、
前記ベース板の前記第2の面を研磨することにより、前記外周領域の反りを低減する工程と、
前記内部領域のうち前記入力側緩衝板および前記出力側緩衝板に覆われない領域と、前記ベース板の前記第2の面と、前記入力リードと、前記出力リードと、前記入力側緩衝板の表面と、前記出力側緩衝板の表面と、に金属保護層を設ける工程と、
を備えた半導体装置用パッケージの製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置用パッケージと、
半導体素子と、
前記入力リードと前記半導体素子とに電気的にそれぞれ接続された入力整合回路と、
前記出力リードと前記半導体素子とに電気的にそれぞれ接続された出力整合回路と、
前記半導体素子を封止可能な蓋部と、
前記ベース板の前記第1の面と前記半導体素子との間、前記入力側緩衝板と前記入力整合回路との間、前記出力側緩衝板と前記出力整合回路との間、前記枠状壁の上面と前記蓋部との間、をそれぞれ接合する半田材と、
を備えた半導体装置。 - 前記入力整合回路および前記出力整合回路は、セラミック基板と、前記セラミック基板上に設けられた導電部と、をそれぞれ含む請求項5記載の半導体装置。
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JP2001060646A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2008159975A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法 |
JP2010027953A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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