JP2014170921A - 紫外線照射装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】光照射部に十分な可動性を有し、波長200nm以下の紫外線を高い出力で照射することのできる紫外線照射装置を提供すること。
【解決手段】ショートアーク型のフラッシュランプと、前記フラッシュランプにエネルギーを供給する主放電コンデンサーと、前記主放電コンデンサーを充電する充電回路を有する電源部とを有し、前記フラッシュランプおよび前記主放電コンデンサーは、前記電源部と別体のケーシングに内蔵されて光照射部として構成されており、前記充電回路と前記主放電コンデンサーとは、可撓性を有する電線によって接続されていることを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、ショートアーク型のフラッシュランプを光源とした紫外線照射装置に関する。
閃光放射される紫外線を利用して、半導体検査や半導体基板の表面処理が行われている。
ショートアーク型フラッシュランプ(以下、単に「フラッシュランプ」ともいう。)としては、例えば特許文献1に開示のものが知られている。具体的には、このフラッシュランプは、ガラスバルブ内に陽極と陰極とが対向して配置されており、2本のトリガー電極が陽極と陰極との間に位置するように配置されている。このようなフラッシュランプは、主放電コンデンサーに供給した高電圧のエネルギーを陽極と陰極との間に供給することにより、紫外線を閃光放射するものである。また、主放電に先駆けて、トリガー電極にトリガー電圧を印加することにより、絶縁破壊を誘発するものである。
また、例えば特許文献2には、フラッシュランプ用の電源回路が開示されている。
近年、半導体基板の表面処理工程において、閃光放射される紫外線を被処理体の近傍まで導光させるために、筐体内に、フラッシュランプを有する光源部と、特許文献2の図1に示されるような電源回路とを備え、光源部から伸びるガラスファイバーを有する光源装置が知られている(例えば特許文献3参照)。
しかしながら、このようなガラスファイバーを有する光源装置では、ガラスファイバーとして、紫外線の透過率が高い石英ガラスを用いても、波長200nm以下の紫外線の透過率が低いため、200nm以下の短波長の紫外線を被処理体の近傍まで導光させることは難しいという問題がある。また、ガラスファイバーは可撓性に乏しく、十分な可動性が得られないという問題もある。
そこで、上記問題を解決するため、筐体内からフラッシュランプを取り出し、フラッシュランプと筐体内の電源回路とを電線等で接続する構成が考えられる。
しかしながら、このような構成においては、フラッシュランプと電源回路における主放電コンデンサーとの離間距離が長くなることにより、フラッシュランプと主放電コンデンサーとの間のインピーダンスが大きくなる。従って、電極間で形成されるアーク柱から放射される光は、紫外線の放射強度が小さいものとなり、紫外線よりも長波長側の可視光の放射強度が大きいものとなる。
特開2000−76921号公報 特開2001−37095号公報 特開2008−47366号公報
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、光照射部に十分な可動性を有し、波長200nm以下の紫外線を高い出力で照射することのできる紫外線照射装置を提供することにある。
本発明の紫外線照射装置は、ショートアーク型のフラッシュランプと、
前記フラッシュランプにエネルギーを供給する主放電コンデンサーと、
前記主放電コンデンサーを充電する充電回路を有する電源部とを有し、
前記フラッシュランプおよび前記主放電コンデンサーは、前記電源部と別体のケーシングに内蔵されて光照射部として構成されており、
前記充電回路と前記主放電コンデンサーとは、可撓性を有する電線によって接続されていることを特徴とする。
本発明の紫外線照射装置においては、前記光照射部が、光照射位置と、光照射位置から外れた位置との間で移動可能に設けられる構成とすることができる。
本発明の紫外線照射装置においては、前記光照射部がハンドピース型の光照射ヘッドとして構成される構成とすることができる。
本発明の紫外線照射装置においては、前記光照射部のケーシングに前記フラッシュランプを点灯させるためのトリガー回路が内蔵されていることが好ましい。
本発明の紫外線照射装置においては、光照射部を構成するフラッシュランプおよび主放電コンデンサーが、電源部と別体のケーシングに内蔵されており、電源部の充電回路と光照射部の主放電コンデンサーとが、可撓性を有する電線によって接続されている。従って、光照射部は十分な可動性を有し、また、フラッシュランプと主放電コンデンサーとの離間距離が短くなるので、この間のインピーダンスが小さくなることから、電極間で形成されるアーク柱から放射される光は、紫外線の放射効率が高くなり、その結果、波長200nm以下の紫外線を高い出力で照射することができる。
また、本発明の紫外線照射装置によれば、光照射部が、光照射位置と、光照射位置から外れた位置との間で移動可能に設けられていることにより、例えば半導体検査や半導体基板の洗浄処理等の表面処理等を行う場合においても、極めて有用なものとなる。
また、本発明の紫外線照射装置によれば、光照射部がハンドピース型の光照射ヘッドとして構成されていることにより、手で把持することができるので、高い操作性が得られ、例えば狭い空間等に進入させて紫外線照射する場合においても、極めて有用なものとなる。
さらに、本発明の紫外線照射装置によれば、光照射部のケーシングにトリガー回路が内蔵されていることにより、フラッシュランプとトリガー回路との離間距離が短くなるので、電圧降下が抑制され、より確実なトリガー放電が可能となる。
本発明の紫外線照射装置の構成の一例を示す概略図である。 図1の紫外線照射装置における光照射部の内部構造の一例の概略を示す説明用断面図である。 図2の光照射部におけるフラッシュランプの構成の一例の概略を示す説明用断面図である。 図1の紫外線照射装置の回路の構成の一例を示す説明図である。 図1の紫外線照射装置の使用状態の一例を示す概略図である。 本発明の紫外線照射装置の構成の他の例を示す概略図である。 図6の紫外線照射装置における光照射部の内部構造の一例の概略を示す説明用断面図である。 図6の紫外線照射装置の回路の構成の一例を示す説明図である。
以下、本発明について詳細に説明する。
<第1の実施形態>
図1は、本発明の紫外線照射装置の構成の一例を示す概略図であり、図2は、図1の紫外線照射装置における光照射部の内部構造の一例の概略を示す説明用断面図であって、光照射部を構成するケーシングの長手方向に沿って切断した断面図であり、図3は、図2の光照射部におけるフラッシュランプの構成の一例の概略を示す説明用断面図であり、図4は、図1の紫外線照射装置の回路の構成の一例を示す説明図である。
この紫外線照射装置60は、例えば半導体基板の洗浄処理等の表面処理等を行う場合に用いられるものである。
紫外線照射装置60は、ショートアーク型のフラッシュランプ41およびこのフラッシュランプ41にエネルギーを供給する主放電コンデンサーCmがケーシング72に内蔵されてなる光照射部71と、主放電コンデンサーCmを充電する充電回路1(図4参照)がケーシング72とは別体の筐体62に内蔵されてなる電源部61とを備え、光照射部71と電源部61とが、可撓性を有する長尺な複数(図1の例では3本)の電線31aによって接続されている。
図1において、符号63は電源スイッチを示し、符号64は操作板を示す。
光照射部71は、図2に示すように、全体が長方体状のケーシング72を備えている。このケーシング72は、例えばアルミニウムにより形成されている。
ケーシング72の底面(図2における下面)には、後述するランプユニット80を配置するための開口72Kが形成されている。また、ケーシング72の周側面には、電線31aを挿通させるための挿通孔(図示せず)が設けられている。
ケーシング72内の一端(図2における左端)側の空間領域には、フラッシュランプ41を備えるランプユニット80が配置されており、ケーシング72内の他端(図2における右端)側の空間領域には、主放電コンデンサーCmが配置されている。
ランプユニット80は、フラッシュランプ41と、フラッシュランプ41からの光を反射する反射ミラー82と、このフラッシュランプ41および反射ミラー82を支持する、底面(図2における下面)に円形の開口81Kを有する支持台81とにより構成される。
支持台81の開口81Kには、フラッシュランプ41からの光および反射ミラー82によって反射された光を透過する透過窓86が配置されている。
反射ミラー82は、内面に例えばアルミニウム蒸着膜よりなる楕円面状の反射面を有する反射部83と、この反射部83の光照射方向後端に連続して光軸方向に伸びる筒状頸部84とを有する。反射ミラー82の光照射方向前方の開口82Kには、フラッシュランプ41からの光および反射ミラー82の反射部83によって反射された光を透過する前面ガラス85が配置されている。反射ミラー82は、前面ガラス85が透過窓86と対向するように、支持台81上に配置され固定されている。
フラッシュランプ41は、反射ミラー82の筒状頸部84内に、フラッシュランプ41の一方の封止部が挿通され、この封止部の外周面と筒状頸部84の内周面との間に形成される間隙に充填された接着剤によって固定されている。また、フラッシュランプ41の他方の封止部は前面ガラス85に形成された貫通孔(図示せず)に挿通されている。
ケーシング72内の主放電コンデンサーCmは、ケーシング72の底面に配置された載置台73上に例えば接着剤等によって接着されて固定されている。
図2において、符号74は、コネクタ75やトリガー回路基板76を取り付けるための取り付け壁を示し、符号77は、電線31aと電気的に接続された配線を示す。
フラッシュランプ41は、ショートアーク型のものとされ、例えば、発光ガスが封入されてなるものであって、両端が封止され、内部に放電空間を有する発光管と、当該発光管内部の放電空間内において対向配置された一対の電極とを備え、この一対の電極の間にトリガー電極が設けられてなるものとされる。
具体的には、図3に示すように、フラッシュランプ41は、発光空間を形成する例えば楕円球形状の発光部13および当該発光部13の両端に連続して管軸方向外方に伸びる封止部14A,14Bを有する第1の石英ガラス管15と、直管状の第2の石英ガラス管18とが、第2の石英ガラス管18の他端側開口部(図3において右端側開口部)が第1の石英ガラス管15における一方の封止部14Aの一端側開口部(図3において左端側開口部)に挿入され、これにより形成される二重管部分16が互いに溶着されてなる発光管17を備えている。
また、発光管17の内部には、一対の主電極である陰極27および陽極28が、互いに対向して配置されており、各々先端に陰極27および陽極28が連接された第1の電極棒29および第2の電極棒30が、発光管17内をその管軸Cに沿って外方に伸びて発光管17の両端から外部に導出されるよう、発光管17の両端において、段継ぎガラス19によって封着(ロッドシール)されている。ここに、陰極27と陽極28との電極間距離dは、例えば1〜10mmである。
陰極27および陽極28は、例えば酸化バリウム(BaO)、酸化カルシウム(CaO)、アルミナ(Al2 3 )などの易電子放射性物質が含浸されたタングステン焼結体により構成されている。
第1の電極棒29および第2の電極棒30は、例えばタングステンにより構成されている。
この実施の形態に係るフラッシュランプ41においては、発光管17の内部に、例えば2つのトリガー電極32a,32b、および、放電を安定して生じさせるためのスパーカ電極40よりなる始動用補助電極が配置されている。
各々のトリガー電極32a,32bは、例えば細い線状に形成されており、先端部が陰極27の先端と陽極28の先端を結ぶ中心線上において互いに離間して位置されるよう、配置されている。そして、各々先端にトリガー電極32a,32bが接続されたロッド状の内部リード(以下、「内部リード棒」という。)33a,33bが、発光管17内において陰極27に係る第1の電極棒29と互いに平行に管軸方向外方に伸び、発光管17の二重管部分16における周方向に異なる位置、例えば発光管17の管軸Cを挟んで互いに対向する位置に気密に埋設された金属箔35a,35bを介して、外部リード38a,38bに電気的に接続されており、これにより、箔シール構造が形成されている。
この実施の形態に係るフラッシュランプ41におけるトリガー電極32a,32bは、先端に向かうに従って陽極28に接近するよう発光管17の管軸Cに対して傾斜して配置されている。一方のトリガー電極32aの先端と陰極27の先端との離間距離および他方のトリガー電極32bの先端と陽極28の先端との離間距離は、例えば、陰極27と陽極28との電極間距離dが3.0mmである場合には、0.5〜1.5mmである。
各々のトリガー電極32a,32bは、例えばニッケル、タングステンあるいはそれらを含む合金により構成されており、内部リード棒33a,33bは、例えばタングステンにより構成されている。
スパーカ電極40は、例えばアルミナ(Al2 3 )よりなる円柱状の頭部40aおよびこの頭部40aに連続する軸部40bとを有し、頭部40aに接続された例えばニッケルよりなる金属箔55の一端部が陰極27に係る第1の電極棒29の外周面に接続されていると共に、軸部40bに例えばタングステンよりなる内部リード線(図示せず)が接続されている。そして、内部リード線は、発光管17の二重管部分16において、トリガー電極32a,32bに係る金属箔35a,35bと電気的に絶縁された状態で、気密に埋設された金属箔(図示せず)を介して、外部リード線に電気的に接続されており、これにより、箔シール構造が形成されている。
一対の電極27,28に連結された第1の電極棒29,第2の電極棒30は、配線77を介して電線31aと電気的に接続されおり、トリガー電極32a,32bに接続された外部リード38a,38bは、配線77を介して電線31aと電気的に接続されている。
発光管17の放電空間内には、不活性ガスが封入されている。不活性ガスとしては、キセノンガス、クリプトンガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス等を用いることができる。不活性ガスとしては、紫外線の発光効率の観点からキセノンガスを用いることが好ましい。
不活性ガスの封入圧は、例えば、0.1MPa〜2MPaとされる。不活性ガスの封入圧が過小である場合には、高出力の光を出射することが困難となる。一方、不活性ガスの封入圧が過大である場合には、フラッシュランプ41が点灯しにくくなるため好ましくない。
発光管17の放電空間においては、波長200nm以下、具体的には150〜200nmの紫外線が放射される。
このようなフラッシュランプ41は、1パルス当たり5J以上、好ましくは5〜300Jのエネルギーによって点灯される。1パルス当たりのエネルギーが過小である場合には、高出力の光を出射することが困難となる。また、1パルス当たりのエネルギーが過大である場合には、陰極27のエミッター物質が蒸発することにより、当該電極の寿命が著しく短くなるため、実用的ではない。
上記のフラッシュランプ41の一構成例を示すと、発光管17を構成する第1の石英ガラス管15における封止部14A,14Bの外径が10mm、厚みが1.5mm、第2の石英ガラス管18の厚みが1.0mm、第1の電極棒29および第2の電極棒30の外径がφ2.0mm、長さが50mm、金属箔35a,35bの厚さが25μm、幅が5mm、長さが15mm、陰極27と陽極28との電極間距離dが3mm、トリガー電極32a,32bの外径が0.2〜0.5mm、内部リード棒33a,33bの外径がφ1.0mmである。また、フラッシュランプ41の点灯条件は、ランプ入力(最大)が300W、点灯周波数が60Hz、パルス幅15μs、1回の発光エネルギーが50Jである。
主放電コンデンサーCmは、例えばフィルムコンデンサーとされる。
主放電コンデンサーCmは、配線77を介して電線31aに電気的に接続されている。
電源部61は、全体が箱型状の例えばアルミニウムよりなる筐体62を備えている。この筐体62には、図4に示すように、主放電コンデンサーCmを充電する充電回路1が内蔵されている。この充電回路1は、フラッシュランプ41の発光タイミングを制御する出力回路2、この出力回路2を制御する制御回路3、および、主放電コンデンサーCmに電力を供給する高電圧DC回路4から構成される。
光照射部71のケーシング72には、フラッシュランプ41を点灯させるためのトリガー回路5が内蔵されている。
充電回路1においては、出力回路2および制御回路3が、高電圧DC回路4に電気的に接続されていると共に、電線31aを介して電源部61とは別体のケーシング72に内蔵された主放電コンデンサーCmに電気的に接続されている。
トリガー回路5は、電線31aを介して充電回路1に電気的に接続されていると共に、フラッシュランプ41のトリガー電極32a,32bに電気的に接続されている。
主放電コンデンサーCmは、一端が接地され、他端が電線31aを介して高電圧DC回路4に電気的に接続されていると共に、両端ともフラッシュランプ41の電極27,28に電気的に接続されている。
電線31aは、可撓性を有する絶縁物で被覆された構成とされている。
電線31aとしては、可撓性を有するものであれば特に限定されず、例えば銅線等が挙げられる。
電線31aは、光照射部71に十分な可動性を付与する観点から、長さがそれぞれ例えば1〜5m、電線31aの外径が例えば10〜30mmとされる。
電源部61におけるフラッシュランプ41への入力エネルギーは、例えば5〜100J(主放電コンデンサーCmの静電容量が例えば10〜100μF、充電電圧が例えば200〜2000V)とされ、トリガーエネルギーは、例えば10〜100mJ(コンデンサー容量が例えば0.1〜0.3μF)、トリガー出力開放電圧が例えば3〜20kVとされる。
紫外線照射装置60の具体的な寸法の一例を挙げると、光照射部71におけるケーシング72は、縦290mm、横550mm、高さ320mmである。
電源部61における筐体62は、縦300mm、横450mm、高さ250mmである。
電線31aは、長さ1.5m、外径20mmである。
以上のような紫外線照射装置60においては、高電圧DC回路4によって主放電コンデンサーCmに電力を供給して充電し、充電が完了した状態で制御回路3から出力回路2に発光信号を出力する。この発光信号が入力されると、出力回路2では、トリガー回路5へトリガー信号を出力し、トリガー回路5によってフラッシュランプ41を点灯させるための高電圧パルス(数kV〜十数kV)を、トリガー電極32a,32bに印加し、絶縁破壊が生じさせることにより、主放電コンデンサーCmに蓄積されたエネルギーがフラッシュランプ41に投入されて、波長200nm以下の紫外線が発光される。発光された紫外線は光照射窓86を介してケーシング72の開口72Kより外部へ照射される。
図5は、図1の紫外線照射装置の使用状態の一例を示す概略図である。
この紫外線照射装置60の光照射部71は、例えば半導体基板の洗浄処理等の表面処理が行われる処理室を形成する筐体90上に載置されている。具体的には、光照射部71のケーシング72が、筐体90の上部に配置された、筐体90の長手方向に平行に伸びる2本のガイドレール92上に支持されており、図示しない駆動機構によって、ガイドレール92に沿って往復移動可能とされている。そして、光照射部71をガイドレールに沿って往復移動させることにより、光照射部71を光照射位置〔I〕と、光照射位置から外れた位置〔II〕との間で移動させることができる。
この例においては、光照射位置〔I〕は、光照射部71における透過窓86の直下に、半導体基板などの被処理体Wを載置する載置台91が位置する場所である。光照射位置〔I〕と、光照射位置から外れた位置〔II〕との離間距離は、例えば30cmとされる。
以上のような紫外線照射装置60によれば、主放電コンデンサーCmが、フラッシュランプ41と同じケーシング72に内蔵される構成により、主放電コンデンサーとフラッシュランプとを別体として構成する場合に比べ、主放電コンデンサーとフラッシュランプの離間距離が短くなるので、フラッシュランプ41と主放電コンデンサーCmとの間のインピーダンスが小さくなることから、波長200nm以下の紫外線の放射効率が高くなり、また、短時間に主放電コンデンサーCmに充電されたエネルギーをフラッシュランプ41に供給することができ、その結果、波長200nm以下の紫外線を高い出力で照射することが可能となる。
また、光照射部71の主放電コンデンサーCmと電源部61の充電回路1とが可撓性を有する電線31aによって接続されていることにより、光照射部71に十分な可動性が得られる。
特に、光照射部71が、光照射位置と、光照射位置から外れた位置との間で移動可能に設けられていることにより、例えば半導体検査や半導体基板の洗浄処理等の表面処理等を行う場合においても、極めて有用なものとなる。
さらに、トリガー回路5を光照射部71のケーシング72に内蔵させることにより、トリガー回路5とフラッシュランプ41との離間距離が短くなるので、電圧降下が抑制されて、より確実なトリガー放電が可能となる。
<第2の実施形態>
図6は、本発明の紫外線照射装置の構成の他の例を示す概略図であり、図7は、図6の紫外線照射装置における光照射部の内部構造の一例の概略を示す説明用断面図であって、光照射部を構成するケーシングの長手方向に沿って切断した断面図であり、図8は、図6の紫外線照射装置の回路の構成の一例を示す説明図である。
この紫外線照射装置10は、手で把持することができるハンドピース型のものであり、例えば狭い空間等に進入させて紫外線照射する場合に用いられるものである。
この紫外線照射装置10は、ショートアーク型のフラッシュランプ41Aおよびこのフラッシュランプ41Aにエネルギーを供給する主放電コンデンサーCmがケーシング22に内蔵されてなる光照射部21と、主放電コンデンサーCmを充電する充電回路1(図8参照)がケーシング22とは別体の筐体12に内蔵されてなる電源部11とを備え、光照射部21と電源部11とが、可撓性を有する長尺な複数の電線31aよりなるケーブル31によって接続されている。
光照射部21は、図7に示すように、全体が有底円筒状のケーシング22を備えており、手で把持することのできるハンドピース型の光照射ヘッドとして構成されている。このケーシング22は、例えばアルミニウム合金等により形成されている。
ケーシング22の長手方向の一端(図7における左端)には、円形の開口22Kが形成されている。開口22K位置には、後述するフラッシュランプ41Aの光照射窓43が配置されている。また、ケーシング22の一端(開口22Kの周縁部)には、ケーシング22の径方向に突出した内方フランジ部22bが形成されている。
また、ケーシング22の周側面の中央位置には、ケーブル31を挿通させるための挿通孔26が設けられている。
ケーシング22内の一端(図7における左端)側の空間領域には、フラッシュランプ41Aが配置されており、ケーシング22内の他端(図7における右端)側の空間領域には、主放電コンデンサーCmが配置されている。このフラッシュランプ41Aと主放電コンデンサーCmとの間には、2枚の位置決め用の基板25a,25bが、互いにケーシング22の長手方向に離間した位置に設けられており、これらの基板25a,25bはコネクタ24により電気的に接続されている。
ケーシング22内の主放電コンデンサーCmは、ケーシング22の底部22aに例えば接着剤等によって接着されて固定されている。また、ケーシング22内のフラッシュランプ41Aは、ケーシング22の内方フランジ部22bと基板25aとによって支持固定されている。基板25a,25bはそれぞれ図示しない固定部材によって支持固定されている。
フラッシュランプ41Aは、ショートアーク型のものとされ、例えば、発光ガスが封入されてなるものであって、両端が封止され、内部に放電空間を有する発光管と、当該発光管内部の放電空間内において対向配置された一対の電極とを備え、この一対の電極の間にトリガー電極が設けられてなるものとされる。
具体的には、図7に示すように、フラッシュランプ41Aは、例えばコバール金属よりなる円筒状の発光管42を備えている。発光管42の管軸方向の一端(図7における左端)には、発光管42の径方向に突出した内方フランジ部42aが形成されている。
フラッシュランプ41Aは、発光管42の管軸方向の一端(図7における左端)側の開口が、紫外線透過性を有する、例えばサファイアよりなる光照射窓43によって気密に封止されると共に、他端(図7における右端)側の開口が、例えばコバールガラスよりなるステム部材44によって気密に封止され、これにより、放電空間が形成された封止構造とされている。具体的に説明すると、光照射窓43は、発光管42の内径に適合する径を有する円板形状を有し、発光管42の内方フランジ部42aに固定された状態で発光管42の内面に気密に保持されている。また、ステム部材44は、発光管42の内径に適合する径を有する円柱形状を有し、発光管42の内面に気密に融着されている。
ステム部材44には、それぞれ例えばコバール金属よりなる、後述する電極45,46、トリガー電極47a,47bおよびスパーカ電極48に給電するための複数のリードピン49,50,51,52,53が、当該ステム部材44をその厚み方向に貫通して発光管42の管軸方向に沿って伸びるよう設けられている。
放電空間内には、例えば、タングステン、各種酸化物ドープタングステン、エミッター含浸タングステン等の高融点金属よりなる一対の電極45,46が発光管42の管軸方向と垂直な方向(図7における上下方向)に沿って互いに離間して対向するよう配置されている。また、例えばタングステンよりなる針状のトリガー電極47a,47bが、それらの先端が一対の電極45,46の間に位置するよう発光管42の管軸に対して傾斜した状態で配置されている。一対の電極45,46およびトリガー電極47a,47bの各々は、リードピン49,50,51,52にそれぞれ電気的に接続されて保持されている。そして、一対の電極45,46を保持するリードピン49,50は、それぞれ、コネクタ24によって接続された基板25a,25bを介して主放電コンデンサーCmに電気的に接続されている。また、トリガー電極47a,47bを保持するリードピン51,52は、それぞれ、コネクタ24によって接続された基板25a,25bを介して電線31aに電気的に接続されている。
また、発光管42内には、アルミナ質の絶縁碍管48aと、この絶縁碍管48a内に挿入されて当該絶縁碍管48aの一端から突出する細いタングステン線48bとよりなるスパーカ電極48が設けられている。このスパーカ電極48におけるタングステン線48bの先端部は、リードピン53の先端部に接合されて電気的に接続され、絶縁碍管48aは、一方の電極46を保持するリードピン50の中央部分に保持されている。
図7中、符号54は、例えばアルミニウム蒸着膜よりなる反射面を有する反射ミラーである。
発光管42の放電空間内には、不活性ガスが封入されている。不活性ガスとしては、キセノンガス、クリプトンガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス等を用いることができる。不活性ガスとしては、紫外線の発光効率の観点からキセノンガスを用いることが好ましい。
不活性ガスの封入圧は、例えば、0.3MPa〜0.8MPaとされている。不活性ガスの封入圧が過少の場合には、高出力の光を出射することが困難となる。一方、不活性ガスの封入圧が過大の場合には、フラッシュランプ41Aが点灯しにくくなるため好ましくない。
発光管42の放電空間においては、波長200nm以下、具体的には150〜200nmの紫外線が放射される。
このようなフラッシュランプ41Aは、1パルス当たり5J以上、好ましくは5〜300Jのエネルギーによって点灯される。1パルス当たりのエネルギーが5J未満である場合には、高出力の光を出射することが困難となる。また、1パルス当たりのエネルギーが300Jを超える場合には、一対の電極45,46のうち陰極となる電極のエミッター物質が蒸発することにより、当該電極の寿命が著しく短くなるため、実用的ではない。
フラッシュランプ41Aの具体的な寸法の一例を挙げると、発光管42の全長が40mm、外径が30mm、内径が29mmであり、電極45,46間距離が3mm、光照射窓43の外径が25mm、肉厚が2mm、ステム部材44の外径が29mm、肉厚が5mmである。
主放電コンデンサーCmは、例えばフィルムコンデンサーとされる。
主放電コンデンサーCmは、電線31aに電気的に接続されている。
電源部11は、全体が箱型状の例えばアルミニウムよりなる筐体12を備えている。この筐体12には、図8に示すように、主放電コンデンサーCmを充電する充電回路1が内蔵されている。この充電回路1は、フラッシュランプ41Aの発光タイミングを制御する出力回路2、この出力回路2を制御する制御回路3、および、主放電コンデンサーCmに電力を供給する高電圧DC回路4から構成される。
また、電源部11の筐体12には、充電回路1の他、フラッシュランプ41Aを点灯させるためのトリガー回路5が内蔵されている。
充電回路1においては、出力回路2および制御回路3が、高電圧DC回路4に電気的に接続されていると共に、電線31aを介して電源部11とは別体のケーシング22に内蔵された主放電コンデンサーCmに電気的に接続されている。
トリガー回路5は、充電回路1に電気的に接続されていると共に、電線31aを介して電源部11とは別体のケーシング22に内蔵されたフラッシュランプ41Aのトリガー電極47a,47bに電気的に接続されている。
主放電コンデンサーCmは、一端が接地され、他端が電線31aを介して高電圧DC回路4に電気的に接続されていると共に、両端ともフラッシュランプ41Aの電極45,46に電気的に接続されている。
電源部11と光照射部21とを接続するケーブル31は、複数(図示の例では4本)の電線31aにより構成されており、具体的には、主放電コンデンサーCmと充電回路1とを接続する複数(図示の例では3本)の電線31a、および、フラッシュランプ41Aにおけるトリガー電極47a,47bとトリガー回路5とを接続する電線31aにより構成されている。
ケーブル31は、複数の電線31aが束ねられて可撓性を有する絶縁物で被覆された構成とされている。なお、本実施形態においては、複数の電線31aは一つに束ねられて構成されているが、各電線31aが独立して絶縁物で被覆された構成とされていてもよい。
電線31aとしては、可撓性を有するものであれば特に限定されず、例えば銅線等が挙げられる。
電線31aおよびケーブル31は、光照射部21に十分な可動性を付与する観点から、長さがそれぞれ例えば0.5〜2m、電線31aの外径が例えば2〜6mm、ケーブル31の外径が10〜20mmとされる。
電源部11におけるフラッシュランプ41Aへの入力エネルギーは、例えば5〜100J(主放電コンデンサーCmの静電容量が例えば10〜100μF、充電電圧が例えば200〜2000V)とされ、トリガーエネルギーは、例えば10〜100mJ(コンデンサー容量が例えば0.1〜0.3μF)、トリガー出力開放電圧が例えば3〜20kVとされる。
紫外線照射装置10の具体的な寸法の一例を挙げると、光照射部21におけるケーシング22の全長が100mm、外径が40mm、内径が36mm、開口22Kの直径が28mmである。
電源部11における筐体12の長さが20cm、幅が10cm、高さが10cmであり、重量が2〜3kgである。
電線31aの長さが1m、外径が3mm、ケーブル31の長さが1m、外径が15mmである。
以上のような紫外線照射装置10においては、高電圧DC回路4によって主放電コンデンサーCmに電力を供給して充電し、充電が完了した状態で制御回路3から出力回路2に発光信号を出力する。この発光信号が入力されると、出力回路2では、トリガー回路5へトリガー信号を出力し、トリガー回路5によってフラッシュランプ41Aを点灯させるための高電圧パルス(数kV〜十数kV)を、トリガー電極47a,47bに印加し、絶縁破壊が生じさせることにより、主放電コンデンサーCmに蓄積されたエネルギーがフラッシュランプ41Aに投入されて、波長200nm以下の紫外線が発光される。発光された紫外線は光照射窓43を介してケーシング22の開口22Kより外部へ照射される。
以上のような紫外線照射装置10によれば、主放電コンデンサーCmが、フラッシュランプ41Aと同じケーシング22に内蔵される構成により、主放電コンデンサーとフラッシュランプとを別体として構成する場合に比べ、主放電コンデンサーとフラッシュランプの離間距離が短くなるので、フラッシュランプ41Aと主放電コンデンサーCmとの間のインピーダンスが小さくなることから、波長200nm以下の紫外線の放射効率が高くなり、また、短時間に主放電コンデンサーCmに充電されたエネルギーをフラッシュランプ41Aに供給することができ、その結果、波長200nm以下の紫外線を高い出力で照射することが可能となる。
また、光照射部21の主放電コンデンサーCmと電源部11の充電回路1とが可撓性を有する電線31aによって接続されていることにより、光照射部21に十分な可動性が得られる。
特に、光照射部21がハンドピース型の光照射ヘッドとして構成されていることにより、手で把持することができるので、高い操作性が得られ、例えば狭い空間等に進入させて紫外線照射する場合においても、極めて有用なものとなる。
本発明の紫外線照射装置は、例えば半導体検査や半導体基板の洗浄処理等の表面処理等において、好適に用いることができ、また、光照射部がハンドピース型の光照射ヘッドとして構成されている場合には、高い操作性を有するので、例えば、集束イオンビーム(FIB)と走査型電子顕微鏡(SEM)とを備えたFIB−SEM装置等に好ましく適用することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更を加えることができる。
以下、本発明の効果を確認するために行った実験例を示す。
<実験例1>
図6〜図8に示す構成に従い、下記の仕様の紫外線照射装置(A)を作製した。
[光照射部(21)]
・ケーシング(22);材質:アルミニウム合金,寸法:全長=100mm,外径=40mm,肉厚=2mm,開口22Kの直径=28mm
・主放電コンデンサー(Cm);フィルムコンデンサー
・フラッシュランプ(41A);
発光管(42);材質:コバール金属,寸法:全長=40mm,外径=30mm,肉厚=0.5mm
ステム部材(44);材質:コバールガラス,寸法:外径=29mm,肉厚=5mm
光照射窓(43);材質:サファイア,寸法:外径=25mm,肉厚=2mm
リードピン(49,50);材質:コバール金属,寸法:外径=2mm、長さ=15mm
トリガー電極用リードピン(51,52);材質:コバール金属,寸法:外径=1mm、長さ=15mm
スパーカ電極用リードピン(53);材質:コバール金属,寸法:外径=1mm、長さ=10mm
一方の電極(陽極);材質:タングステン、他方の電極(陰極);材質:BaO系酸化物含浸タングステン,寸法:外径=4mm、長さ=4mm,電極間距離=3mm
トリガー電極(47);材質:タングステン,寸法:外径=0.5mm
スパーカ電極(48);外径が1mmで内径が0.5mmの98%アルミナよりなる絶縁碍管(48a)と外径が0.3mmのタングステン線(48b)とよりなるもの
不活性ガス;ガス種:キセノンガス,封入圧=490335Pa
[電源部(11)]
・筐体(12);材質:アルミニウム,寸法:全長=20cm,幅=10cm,高さ=10cm
・筐体(12)に充電回路(1)およびトリガー回路(5)が内蔵されている
・入力エネルギー:40J(主放電コンデンサー容量:80μF,充電電圧:1000V)
[ケーブル(31)]
・ケーブル(31);寸法:長さ=1m,外径=15mm
・電線(31a);材質:銅線,寸法:長さ=1m,外径=3mm
上記紫外線照射装置(A)によって紫外線を照射し、光照射窓(43)に対向する位置に配置した紫外線測定器によって、フラッシュランプ(41A)から照射される波長150〜200nmの領域の紫外線の強度を測定した。
<実験例2>
実験例1の紫外線照射装置において、主放電コンデンサー(Cm)を電源部(11)の筐体(12)に内蔵したことの他は同様にして紫外線照射装置(B)を作製し、実験例1と同様の紫外線測定を行った。
実験例1の紫外線照射装置(A)から照射される紫外線強度は、実験例2の紫外線照射装置(B)から照射される紫外線強度に対する相対値で1千倍であった。
以上の結果より、本発明の紫外線照射装置によれば、波長200nm以下の紫外線を高い出力で照射することが可能であることが確認された。
1 充電回路
2 出力回路
3 制御回路
4 高電圧DC回路
5 トリガー回路
10 紫外線照射装置
11 電源部
12 筐体
13 発光部
14A,14B 封止部
15 第1の石英ガラス管
16 二重管部分
17 発光管
18 第2の石英ガラス管
19 段継ぎガラス
21 光照射部
22 ケーシング
22K 開口
22a 底部
22b 内方フランジ部
24 コネクタ
25a,25b 基板
26 挿通孔
27 陰極
28 陽極
29 第1の電極棒
30 第2の電極棒
31 ケーブル
31a 電線
32a,32b トリガー電極
33a,33b 内部リード棒
35a,35b 金属箔
38a,38b 外部リード
40 スパーカ電極
40a 頭部
40b 軸部
41,41A フラッシュランプ
42 発光管
42a 内方フランジ部
43 光照射窓
44 ステム部材
45,46 電極
47a,47b トリガー電極
48 スパーカ電極
48a 絶縁碍管
48b タングステン線
49,50,51,52,53 リードピン
54 反射ミラー
55 金属箔
60 紫外線照射装置
61 電源部
62 筐体
63 電源スイッチ
64 操作板
71 光照射部
72 ケーシング
72K 開口
73 載置台
74 取り付け壁
75 コネクタ
76 トリガー回路基板
77 配線
80 ランプユニット
81 支持台
81K 開口
82 反射ミラー
82K 開口
83 反射部
84 筒状頸部
85 前面ガラス
86 透過窓
90 筐体
91 載置台
92 ガイドレール
Cm 主放電コンデンサー
W 被処理体

Claims (4)

  1. ショートアーク型のフラッシュランプと、
    前記フラッシュランプにエネルギーを供給する主放電コンデンサーと、
    前記主放電コンデンサーを充電する充電回路を有する電源部とを有し、
    前記フラッシュランプおよび前記主放電コンデンサーは、前記電源部と別体のケーシングに内蔵されて光照射部として構成されており、
    前記充電回路と前記主放電コンデンサーとは、可撓性を有する電線によって接続されていることを特徴とする紫外線照射装置。
  2. 前記光照射部が、光照射位置と、光照射位置から外れた位置との間で移動可能に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の紫外線照射装置。
  3. 前記光照射部がハンドピース型の光照射ヘッドとして構成されていることを特徴とする請求項1に記載の紫外線照射装置。
  4. 前記光照射部のケーシングに前記フラッシュランプを点灯させるためのトリガー回路が内蔵されていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の紫外線照射装置。
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