JP2014169473A - バッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法 - Google Patents

バッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法

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Abstract

【課題】反りが発生したバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反りを簡易な方法で矯正することができる反り矯正方法を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット12とバッキングプレート14とをろう材16で接合してなるバッキングプレート付きスパッタリングターゲット10を、スパッタリングターゲット12の重心位置におけるスパッタリングターゲット12の略厚さ方向に加圧することにより、バッキングプレート付きスパッタリングターゲット10の反りを減少させる。
【選択図】図2

Description

本発明は、バッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法(以下、単に「反り矯正方法」と記すことがある。)に関し、詳しくは、反りが発生したバッキングプレート付きスパッタリングターゲット(以下、「BP付きターゲット」と記すことがある。)の反りを簡易な方法で矯正することができる反り矯正方法に関する。
スパッタリングターゲット(以下、単に「ターゲット」と記すことがある。)は、スパッタリング装置への取付けおよびスパッタリングの最中のターゲットの冷却のため、バッキングプレートが取り付けられた状態でスパッタリング装置へ取り付けられることがある。
スパッタリングターゲットをバッキングプレートに取り付けるため、現状では、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとをインジウムが溶融する温度(例えば250〜300℃程度)まで加熱して、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの間に溶融したインジウムを介在させ、その状態で常温まで冷却してインジウムを固化させてスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合することが多くなされている。
しかし、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの間には熱膨張係数に違いがあるため、冷却に伴う収縮量が異なる。このため、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合したBP付きターゲットにおいては、常温まで冷却した状態において反りが発生することがある。
反りが発生したBP付きターゲットは、スパッタリング装置に適切に取り付けることが難しくなるとともに、スパッタリングの最中の冷却が適切に行えなくなるおそれがある。
これに対応するための技術としては、反り自体が発生しないようにする技術(例えば、特許文献1、2参照)や、発生した反りを矯正する技術(例えば、特許文献3、4参照)がある。
しかし、特許文献1に記載の技術では、接合されるスパッタリングターゲットとバッキングプレートとの双方の接合面に互いに隙間なく嵌合しうる凹凸を形成する必要があり、手間がかかる。
特許文献2に記載の技術では、接合の領域を、ターゲット部材の中央の所要部分を外した範囲に制限する必要があり、手間がかかる。
特許文献3に記載の技術では、反りを矯正している最中に反対方向に逆に反ってしまうおそれがあり、反りの矯正を適切に行うための制御に細心の注意が必要である。
特許文献4に記載の技術では、真空吸引する必要があり、手間がかかる。また、反りを矯正している最中に反対方向に逆に反ってしまうおそれがあり、反りの矯正を適切に行うための制御に細心の注意が必要である。
特開平8−188872号公報 特開平6−65727号公報 特開平5−214518号公報 特開2001−131738号公報
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、反りが発生したバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反りを簡易な方法で矯正することができる反り矯正方法を提供することを課題とする。
本発明者は、前記課題を解決するため鋭意研究開発を行った結果、以下のバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法により、前記課題を解決できることを見出し、本発明をするに至った。
即ち、本発明に係るバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法は、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとをろう材で接合してなるバッキングプレート付きスパッタリングターゲットを、前記スパッタリングターゲットの重心位置における前記スパッタリングターゲットの略厚さ方向に加圧することにより、前記バッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反りを減少させることを特徴とするバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法である。
ここで、「スパッタリングターゲットの重心位置における前記スパッタリングターゲット」の「厚さ方向」とは、スパッタリングターゲットの重心位置を含むように当該スパッタリングターゲットの厚さを測定したときに厚さが最小となる方向のことである。
前記ろう材は、インジウムであることが好ましい。
また、前記ろう材としてSn系合金を用いることもできる。ここで、Sn系合金とはSnを含む合金のことであり、2元系だけでなく3元系以上のSn合金も含む概念である。
また、本発明に係るバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法は、常温大気中で実行してもよい。
前記バッキングプレート付きスパッタリングターゲットを加圧する圧力は、10〜60MPaであることが好ましい。
また、前記スパッタリングターゲットは金属酸化物を含んだターゲットであってもよく、また、前記バッキングプレートは無酸素銅からなるものとしてもよい。
本発明に係るバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法を実行するに際しては、前記バッキングプレート付きスパッタリングターゲットのスパッタリングターゲット側の外面およびバッキングプレート側の外面に緩衝材を配置した状態で、該緩衝材の外側から加圧して、該緩衝材を介して前記バッキングプレート付きスパッタリングターゲットを加圧するようにすることが好ましい。
前記緩衝材としては、例えばシリコンゴムを用いることができ、前記シリコンゴムは、厚さが0.5〜1.5mmであることが好ましい。
また、本発明に係るバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法を実行しても、前記スパッタリングターゲットおよび前記バッキングプレートを塑性変形させないようにすることも可能である。
本発明によれば、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとをろう材で接合してなるバッキングプレート付きスパッタリングターゲットを、前記スパッタリングターゲットの重心位置における前記スパッタリングターゲットの略厚さ方向に加圧することにより、前記バッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反りを減少させることができる。
このため、従来の技術よりも極めて簡易にバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反りを減少させることができ、バッキングプレート付きスパッタリングターゲットの生産効率を大幅に向上させることができる。
反りのあるBP付きターゲットを模式的に示す側面図 反りのあるBP付きターゲットをプレス機にセットした状態を模式的に示す側面図 プレス圧力と反り量との関係を示すグラフ
以下、本発明の実施形態に係るバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法について詳細に説明する。
図1は、本実施形態に係る反り矯正方法を用いて反りを矯正する対象のバッキングプレート付きスパッタリングターゲットを模式的に示す側面図である。
このバッキングプレート付きスパッタリングターゲット10(以下、BP付きターゲット10と記すことがある。)は、スパッタリングターゲット12と、バッキングプレート14と、インジウム16とからなり、スパッタリングターゲット12とバッキングプレート14との間に介在するインジウム16によって、スパッタリングターゲット12にバッキングプレート14が取り付けられている。
本実施形態で用いるスパッタリングターゲット12は金属酸化物(SiO2)が含まれるCoCrPt系スパッタリングターゲットであるのに対し、バッキングプレート14は無酸素銅である。このため、スパッタリングターゲット12の熱膨張係数よりもバッキングプレート14の熱膨張係数は大きくなっている。
スパッタリングターゲット12にバッキングプレート14を取り付ける際には、スパッタリングターゲット12とバッキングプレート14とをインジウム16が溶融する温度(例えば250〜300℃程度)まで加熱して、スパッタリングターゲット12とバッキングプレート14との間に溶融したインジウム16を介在させ、その状態で常温まで冷却してインジウム16を固化させてスパッタリングターゲット12にバッキングプレート14を取り付ける。
前述したように、スパッタリングターゲット12の熱膨張係数よりもバッキングプレート14の熱膨張係数は大きいため、インジウム16が溶融する温度(例えば250〜300℃程度)から常温まで冷却すると、スパッタリングターゲット12よりもバッキングプレート14の方が収縮量が大きくなる。このため、スパッタリングターゲット12にバッキングプレート14を取り付けて常温まで冷却すると、図1に示すように、スパッタリングターゲット12側が凸となり、バッキングプレート14側が凹となるように変形する。
図1において、スパッタリングターゲット12側の反り量がTG反り量aであり、バッキングプレート14側の反り量がBP反り量bである。ここで、TGとはターゲットの略であり、BPとはバッキングプレートの略である。
次に、BP付きターゲット10の反りを矯正する際の方法を具体的に説明する。
図2は、反りのあるBP付きターゲット10をプレス機にセットした状態を模式的に示す側面図である。
本実施形態に係る反り矯正方法において、BP付きターゲット10の反りを矯正する際には、まず図2に示すように、厚さ0.5〜1.5mmのシリコンゴム18を、BP付きターゲット10の上面(スパッタリングターゲット12側の外面)および下面(バッキングプレート14側の外面)に配置する。
次に、圧縮治具20で加圧して、スパッタリングターゲット12の重心位置におけるスパッタリングターゲット12の略厚さ方向(以下、「スパッタリングターゲット12の略厚さ方向」と記すことがある。)にBP付きターゲット10を加圧して、BP付きターゲット10を平たんな状態にして反りを低減させる。加圧する際の温度は常温でよく、また、雰囲気も大気でよい。
BP付きターゲット10に加える圧力は大きい方が反りを低減させる効果が大きく好ましいが、BP付きターゲット10に加える圧力が大きすぎるとBP付きターゲット10自体がその圧力により損傷してしまうおそれがある。
反りを低減させる観点およびBP付きターゲットを損傷させない観点から、BP付きターゲット10に加える圧力は、10〜60MPaであることが好ましく、20〜40MPaであることがより好ましく、25〜32MPaであることが特に好ましい。
スパッタリングターゲット12の略厚さ方向にBP付きターゲット10を加圧することにより、BP付きターゲット10の反りを低減させることができる理由は、現段階では明確になっていないが、スパッタリングターゲット12の略厚さ方向にBP付きターゲット10を加圧してBP付きターゲット10を平たんな状態にすると、インジウム16がその形状状態に塑性変形をするためだと考えられ、加圧によってインジウム16に加えられる力がその塑性変形を促進するものと考えられる。なお、インジウムは融点が156.6℃と低く、常温においても融点からわずか130℃程度下に過ぎず、常温の状態においてもインジウムは十分に軟らかくなっており塑性変形しやすい状態にあると考えられる。
シリコンゴム18は、緩衝材としての役割を有し、BP付きターゲット10を図2に示すように上下方向に加圧して圧縮する際、特定の部位に応力が集中することを緩和する役割、BP付きターゲット10と圧縮治具20とが直接的に接触して、BP付きターゲット10および圧縮治具20に傷が生じることを防ぐ役割、およびBP付きターゲット10に汚れが付着することを防ぐ役割を有する。これらの役割を果たすことができ、かつ、スパッタリングターゲット12にその成分が実質的に付着することのない材料であれば、緩衝材として用いる素材はシリコンゴムに限定されず、他の素材であってもよい。
加圧時の応力集中を緩和する観点からは、シリコンゴム18の厚さは厚い方が好ましいが、シリコンゴム18の厚さが厚くなりすぎるとBP付きターゲット10の反りの矯正が不十分になるおそれがある。
加圧時の応力集中を緩和する観点およびBP付きターゲット10の反りの矯正を十分に行う観点から、シリコンゴム18の厚さは0.5〜1.5mmであることが好ましく、0.8〜1.2mmであることがより好ましく、0.9〜1.1mmであることが特に好ましい。
なお、本実施形態で用いたBP付きターゲット10においては、スパッタリングターゲット12とバッキングプレート14とを接合するろう材としてインジウムを用いたが、適用可能なろう材はインジウムに限定されるわけではなく、常温での塑性変形能力に優れ、かつ、スパッタリング時の熱を受けても流出等せずに所定の形状保持能力を保つことができる材料であれば、他の材料であってもよい。例えば、Sn系合金(Sn−Pb合金、Sn−Ag合金、Sn−In合金、Sn−Zn合金、Sn−Sb合金、Sn−Pb−Ag合金等)や他の低融点ろう材をインジウムに替えて用いることも可能である。常温での塑性変形能力の観点およびスパッタリング時の形状保持能力の観点から、Sn系合金の中では、融点が120℃以上350℃以下のものが好ましい。融点が120℃未満ではスパッタリング時の形状保持能力が不足するおそれがあり、また、融点が350℃を超えると常温での塑性変形能力が不足するおそれがある。また、常温での塑性変形能力の観点およびスパッタリング時の形状保持能力の観点から、Sn系合金の中では、融点が120℃以上300℃以下のものがより好ましい。なお、環境保全の観点からはPbを含まないものが好ましい。
また、加圧に用いる圧縮治具20の材質は特に限定されず、BP付きターゲット10を反りの矯正のために加圧してもその圧力では実質的に変形することがなく、かつ、破損することのない硬さと強度がある材料であればよく、例えばステンレスやカーボン等を用いることができる。
直径161.93mm、厚さ3.18mmで、組成が89(Co−10Cr−18Pt)−5TiO2−3Co34−3B23のスパッタリングターゲットに、直径165.10mm、厚さ1.68mm(スパッタリングターゲットと接着する部位(直径161.93mmの部位)の厚さは1.50mm)の無酸素銅バッキングプレートをインジウムにより取り付けた。インジウムで取り付ける際、スパッタリングターゲット、無酸素銅バッキングプレート、およびインジウムを300℃程度まで加熱し、溶融したインジウムをスパッタリングターゲットと無酸素銅バッキングプレートとの間に介在させ、常温まで冷却してインジウムを固化させて、スパッタリングターゲットと無酸素銅バッキングプレートとを接着した。
常温まで冷却した接着後のBP付きターゲットは、スパッタリングターゲット側の反り量が0.33mmで、バッキングプレート側の反り量が0.32mmであった。
次に、厚さ1.0mmのシリコンゴムを、BP付きターゲットの上面(スパッタリングターゲット側の外面)および下面(無酸素銅バッキングプレート側の外面)に配置して、BP付きターゲットをプレス機にセットして加圧した。加圧は、常温(25℃程度)、大気中で行った。
加えるプレス圧力(加圧する圧力)は5段階で徐々に大きくしていった。具体的には、0.48MPa→2.38MPa→4.76MPa→14.29MPa→28.57MPaのようにプレス圧力を大きくしていった。各レベルのプレス圧力で10分間その圧力を維持し、各レベルでの10分間の加圧終了後に、スパッタリングターゲット側の反り量とバッキングプレート側の反り量の両方を測定した。次の表1にその測定結果を示し、図3にその測定結果を棒グラフにしたグラフを示す。
Figure 2014169473
表1および図3からわかるように、プレス圧力を大きくするほどスパッタリングターゲット側の反り量(TG反り量)およびバッキングプレート側の反り量(BP反り量)の両方が小さくなっており、プレス圧力28.57MPaを加えた後にはTG反り量は0.02mm、BP反り量は0.03mmとなって、十分に反り量が小さくなった。この程度まで反り量が小さくなれば、BP付きターゲットをスパッタリング装置に適切に取り付けることが難しくなることは考えにくく、また、スパッタリングの最中の冷却が適切に行えなくなるおそれも考えにくい。
なお、加圧する前のBP付きターゲットについて、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの接合面に存在する空隙の状態を超音波探傷装置で調べておき、プレス圧力28.57MPaまでの加圧を終えた後のBP付きターゲットについても、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの接合面に存在する空隙の状態を超音波探傷装置で調べたところ、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの接合面に存在する空隙の状態は加圧の前後で変化しておらず、今回行った加圧の範囲内では、接合面には加圧による悪影響を与えていないことを確認した。
また、前記したように加圧して反りを矯正した後のBP付きターゲットを再び300℃程度まで加熱してインジウムを溶融させ、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとを分離したところ、スパッタリングターゲットとバッキングプレートは当初の形状(インジウムによって接合する前の形状)を保っていることを確認した。即ち、本実施例のように加圧しても、スパッタリングターゲットとバッキングプレートは塑性変形をしていないことを確認した。したがって、本実施例のように加圧することによりBP付きターゲットの反り量が減少した理由は、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの間のインジウムが塑性変形したためだと考えられる。
なお、本実施例のように加圧しても、バッキングプレートは当初の形状(インジウムによって接合する前の形状)を保っていることから、本実施例のように加圧して反りを矯正したBP付きターゲットをスパッタリング実施後に再度加熱して、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとに分離すれば、分離後のバッキングプレートはバッキングプレートとして再度使用することができる。
10…バッキングプレート付きスパッタリングターゲット(BP付きターゲット)
12…スパッタリングターゲット
14…バッキングプレート
16…インジウム
18…シリコンゴム
20…圧縮治具
a…TG反り量
b…BP反り量

Claims (10)

  1. スパッタリングターゲットとバッキングプレートとをろう材で接合してなるバッキングプレート付きスパッタリングターゲットを、前記スパッタリングターゲットの重心位置における前記スパッタリングターゲットの略厚さ方向に加圧することにより、前記バッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反りを減少させることを特徴とするバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法。
  2. 前記ろう材は、インジウムであることを特徴とする請求項1に記載のバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法。
  3. 前記ろう材は、Sn系合金であることを特徴とする請求項1に記載のバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法。
  4. 常温大気中で行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法。
  5. 前記バッキングプレート付きスパッタリングターゲットを加圧する圧力は、10〜60MPaであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法。
  6. 前記スパッタリングターゲットは金属酸化物を含んでおり、また、前記バッキングプレートは無酸素銅であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法。
  7. 前記バッキングプレート付きスパッタリングターゲットのスパッタリングターゲット側の外面およびバッキングプレート側の外面に緩衝材を配置した状態で、該緩衝材の外側から加圧して、該緩衝材を介して前記バッキングプレート付きスパッタリングターゲットを加圧することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法。
  8. 前記緩衝材は、シリコンゴムであることを特徴とする請求項7に記載のバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法。
  9. 前記シリコンゴムは、厚さが0.5〜1.5mmであることを特徴とする請求項8に記載のバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法。
  10. 前記スパッタリングターゲットおよび前記バッキングプレートを塑性変形させないことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のバッキングプレート付きスパッタリングターゲットの反り矯正方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018172740A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 Jx金属株式会社 スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法
CN111774437A (zh) * 2020-07-28 2020-10-16 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种靶材焊接后的加压整形方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02122071A (ja) * 1988-10-28 1990-05-09 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk スパッタリングターゲットの製造方法
JPH05214518A (ja) * 1992-02-04 1993-08-24 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合体の矯正方法およびスパッタリングターゲット材
JPH07227690A (ja) * 1994-02-21 1995-08-29 Asahi Glass Co Ltd はんだ合金及びターゲット構造体
JPH11345300A (ja) * 1998-06-03 1999-12-14 Hitachi Chem Co Ltd Icカードの製造方法
JP2000334278A (ja) * 1999-06-01 2000-12-05 Araco Corp セラミックフィルターの製造方法
JP2001131738A (ja) * 1999-11-09 2001-05-15 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲット/バッキングプレート組立体の矯正方法及び同矯正装置
JP2001140064A (ja) * 1999-11-12 2001-05-22 Kojundo Chem Lab Co Ltd スパッタリング用ターゲット接合体及びその製造方法
JP2004258572A (ja) * 2003-02-28 2004-09-16 Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US20120228608A1 (en) * 2009-11-19 2012-09-13 Koki Yano Sputtering target and thin film transistor equipped with same

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02122071A (ja) * 1988-10-28 1990-05-09 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk スパッタリングターゲットの製造方法
JPH05214518A (ja) * 1992-02-04 1993-08-24 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合体の矯正方法およびスパッタリングターゲット材
JPH07227690A (ja) * 1994-02-21 1995-08-29 Asahi Glass Co Ltd はんだ合金及びターゲット構造体
JPH11345300A (ja) * 1998-06-03 1999-12-14 Hitachi Chem Co Ltd Icカードの製造方法
JP2000334278A (ja) * 1999-06-01 2000-12-05 Araco Corp セラミックフィルターの製造方法
JP2001131738A (ja) * 1999-11-09 2001-05-15 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲット/バッキングプレート組立体の矯正方法及び同矯正装置
JP2001140064A (ja) * 1999-11-12 2001-05-22 Kojundo Chem Lab Co Ltd スパッタリング用ターゲット接合体及びその製造方法
JP2004258572A (ja) * 2003-02-28 2004-09-16 Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US20120228608A1 (en) * 2009-11-19 2012-09-13 Koki Yano Sputtering target and thin film transistor equipped with same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018172740A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 Jx金属株式会社 スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法
CN111774437A (zh) * 2020-07-28 2020-10-16 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种靶材焊接后的加压整形方法

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