JP5812542B2 - スパッタリングターゲットの構成要素の接合方法、スパッタリングターゲットの構成要素の接合アセンブリ、および接合アセンブリの使用 - Google Patents
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Description
本明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
(項目1)
スパッタリングターゲットの第1の構成要素の結合面をスパッタリングターゲットの第2の構成要素の結合面に接合する方法であって、以下のステップ、すなわち、
第1の構成要素および第2の構成要素を用意し、第1の構成要素および第2の構成要素の少なくとも硬質な方は、同じ結合面の少なくとも1つの他の部分に対して突出し、アンダーカット部を有する少なくとも1つの部分をその結合面に有するステップと、
前記第1の構成要素の前記結合面および前記第2の構成要素の前記結合面を互いに対接させて配置するステップと、
前記第1の構成要素および前記第2の構成要素を互いに向かって加圧することで、前記第1の構成要素の前記結合面の領域および前記第2の構成要素の前記結合面の領域の少なくとも一方の材料を塑性変形させて、前記第2の構成要素および前記第1の構成要素の相互結合が得られる程度まで、少なくとも1つのアンダーカット部を少なくとも部分的に埋めるステップと、
を含み、
上記において、接合される表面領域の大部分で相互結合する以外に接合を形成するいかなるステップもない、方法。
(項目2)
前記第1の構成要素は支持体であり、前記第2の構成要素はターゲットセグメントである、項目1に記載の方法。
(項目3)
前記第1の構成要素の前記結合面および前記第2の構成要素の前記結合面の1つは加圧する直前において平坦である、項目1に記載の方法。
(項目4)
すべての、またはほぼすべてのアンダーカット部は、前記加圧ステップ時に、完全に、またはほぼ完全に埋められる、項目1に記載の方法。
(項目5)
少なくとも前記接合される表面領域の大部分ははんだがない、項目1に記載の方法。
(項目6)
拡散接合が任意の実用的な程度まで発生し得ない条件で実施される、項目1に記載の方法。
(項目7)
前述のステップは、前記第1の構成要素の前記結合面と前記第2の構成要素の前記結合面との間の接合を形成する唯一のステップである、項目1に記載の方法。
(項目8)
前記相互結合は唯一の結合メカニズムである、項目1に記載の方法。
(項目9)
前記ステップは、保護雰囲気下または真空下で実施されない、項目1に記載の方法。
(項目10)
圧力は、前記第1の構成要素の前記結合面および前記第2の構成要素の前記結合面に対して主に垂直方向にかけられる、項目1に記載の方法。
(項目11)
前記加圧ステップは、湾曲があるパンチを有する型で実施されて、加圧時に、前記型内にある、結合される前記第1の構成要素および第2の構成要素に同じ湾曲を付与する、項目1に記載の方法。
(項目12)
前記第1の構成要素は支持プレートである、項目1に記載の方法。
(項目13)
前記少なくとも1つの突出部分は、1つまたは複数の隆起の形態で設けられる、項目1に記載の方法。
(項目14)
前記隆起は、複数の同心円として設けられる、項目13に記載の方法。
(項目15)
前記隆起の断面は略T字形状とされる、項目13に記載の方法。
(項目16)
突出部分は規則的なパターンで設けられる、項目1に記載の方法。
(項目17)
前記少なくとも1つの突出部分は、前記第1の構成要素に設けられる、項目1に記載の方法。
(項目18)
前記第1の構成要素は、銅または銅合金で作製される、項目1に記載の方法。
(項目19)
前記第2の構成要素は、アルミニウム、リチウム、マグネシウム、銀、金、インジウム、スズ、タリウム、鉛、ビスマス、アンチモン、カドミウム、ナトリウム、カリウム、ベリリウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、テルリウム、またはこれらの元素の化合物からなる群からの材料の1つ、あるいは材料の組み合わせ、混合物、または合金で作製される、項目1に記載の方法。
(項目20)
前記第2の構成要素は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で作製される、項目19に記載の方法。
(項目21)
前記加圧は、室温と300℃との間の温度で実施される、項目1に記載の方法。
(項目22)
前記加圧は、200℃〜300℃の温度で実施される、項目21に記載の方法。
(項目23)
前記第1の構成要素の前記結合面および前記第2の構成要素の前記結合面に対して垂直な方向に加えられる圧力成分は、前記第1の構成要素の前記結合面および前記第2の構成要素の前記結合面の接合される部分の領域全体で測定して、20MPa〜120MPaである、項目1に記載の方法。
(項目24)
前記接合は無効化可能である、項目1に記載の方法。
(項目25)
加工条件および/または前記少なくとも1つの突出部分の幾何学的特徴は、前記接合が、前記第1の構成要素および前記第2の構成要素の機械的分離によって無効化可能なように選択される、項目24に記載の方法。
(項目26)
第1の結合面を有するスパッタリングターゲットの第1の構成要素と、第2の結合面を有するスパッタリングターゲットの第2の構成要素とを含み、前記第1および第2の結合面が互いに接合されるアセンブリであって、前記第1および第2の結合面がそれぞれ、アンダーカット部を有する少なくとも1つの突出部分を含み、前記第2の構成要素を前記第1の構成要素と相互結合することで、少なくとも、接合強度の大部分が得られ、はんだ接合および/または拡散接合は、わずかに存在する接合メカニズムであるか、またははんだ接合および/または拡散接合は全く存在しない、アセンブリ。
(項目27)
前記相互結合は唯一の接合メカニズムである、項目26に記載のアセンブリ。
(項目28)
項目26または27に記載のアセンブリのスパッタリングプロセスでの使用。
Claims (27)
- スパッタリングターゲットの第1の構成要素の結合面をスパッタリングターゲットの第2の構成要素の結合面に接合する方法であって、以下のステップ、すなわち、
第1の構成要素および第2の構成要素を用意し、第1の構成要素および第2の構成要素の少なくとも硬質な方は、同じ結合面の少なくとも1つの他の部分に対して突出し、アンダーカット部を有する少なくとも1つの部分をその結合面に有するステップと、
前記第1の構成要素の前記結合面および前記第2の構成要素の前記結合面を互いに対接させて配置するステップと、
前記第1の構成要素および前記第2の構成要素を互いに向かって加圧することで、前記第1の構成要素の前記結合面の領域および前記第2の構成要素の前記結合面の領域の少なくとも一方の材料を塑性変形させて、前記第2の構成要素および前記第1の構成要素の相互結合が得られる程度まで、少なくとも1つのアンダーカット部を少なくとも部分的に埋めるステップと、
を含み、
上記において、接合される表面領域の大部分で相互結合する以外に接合を形成するいかなるステップもない、方法。 - 前記第1の構成要素は支持体であり、前記第2の構成要素はターゲットセグメントである、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の構成要素の前記結合面および前記第2の構成要素の前記結合面の1つは加圧する直前において平坦である、請求項1に記載の方法。
- すべてのアンダーカット部は、前記加圧ステップ時に、完全に、またはほぼ完全に埋められる、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも前記接合される表面領域の大部分ははんだがない、請求項1に記載の方法。
- 拡散接合が任意の実用的な程度まで発生し得ない条件で実施される、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に規定されるステップのシーケンスは、前記第1の構成要素の前記結合面と前記第2の構成要素の前記結合面との間の接合を形成する唯一のステップである、請求項1に記載の方法。
- 前記相互結合は唯一の接合メカニズムである、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に規定されるステップのいずれも、保護雰囲気下または真空下で実施されない、請求項1に記載の方法。
- 圧力は、前記第1の構成要素の前記結合面および前記第2の構成要素の前記結合面に対して主に垂直方向にかけられる、請求項1に記載の方法。
- 前記加圧ステップは、湾曲があるパンチを有する型で実施されて、加圧時に、前記型内にある、接合される前記第1の構成要素および第2の構成要素に同じ湾曲を付与する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の構成要素は支持プレートである、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの突出部分は、1つまたは複数の隆起の形態で設けられる、請求項1に記載の方法。
- 前記隆起は、複数の同心円として設けられる、請求項13に記載の方法。
- 前記隆起の断面は略T字形状とされる、請求項13に記載の方法。
- 突出部分は規則的なパターンで設けられる、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの突出部分は、前記第1の構成要素に設けられる、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の構成要素は、銅または銅合金で作製される、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の構成要素は、アルミニウム、リチウム、マグネシウム、銀、金、インジウム、スズ、タリウム、鉛、ビスマス、アンチモン、カドミウム、ナトリウム、カリウム、ベリリウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、テルリウム、またはこれらの元素の化合物からなる群からの材料の1つ、あるいは材料の組み合わせ、混合物、または合金で作製される、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の構成要素は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で作製される、請求項19に記載の方法。
- 前記加圧は、室温と300℃との間の温度で実施される、請求項1に記載の方法。
- 前記加圧は、200℃〜300℃の温度で実施される、請求項21に記載の方法。
- 前記第1の構成要素の前記結合面および前記第2の構成要素の前記結合面に対して垂直な方向に加えられる圧力成分は、前記第1の構成要素の前記結合面および前記第2の構成要素の前記結合面の接合される部分の領域全体で測定して、20MPa〜120MPaである、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の構成要素および前記第2の構成要素は、分離可能であるように構成される、請求項1に記載の方法。
- 加工条件および/または前記少なくとも1つの突出部分の幾何学的特徴は、前記第1の構成要素および前記第2の構成要素が機械的分離によって分離可能であるように構成されるように選択される、請求項24に記載の方法。
- 第1の結合面を有するスパッタリングターゲットの第1の構成要素と、第2の結合面を有するスパッタリングターゲットの第2の構成要素とを含み、前記第1および第2の結合面が互いに接合されるアセンブリであって、前記第1および第2の結合面がそれぞれ、アンダーカット部を有する少なくとも1つの突出部分を含み、前記第2の構成要素を前記第1の構成要素と相互結合することは唯一の接合メカニズムである、アセンブリ。
- 請求項26に記載のアセンブリのスパッタリングプロセスでの使用。
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