JP2014167977A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、帯状のリードフレーム材1Mに対して、エッチング加工によってリードパターンを形成するとともに、モールド金型のエアベントに臨む部位1gにディンプル1dを形成することで、リードフレーム1を形成するエッチング工程と、このエッチング工程の後に、リードフレーム1におけるモールド金型のエアベントに臨む側の縁部1gをサイドカットするサイドカット工程と、このサイドカット工程の後に、モールド金型においてリードフレーム1に対して樹脂封止を行うモールド工程とを含んで成ることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
因みに、本実施例においては、半導体装置の一態様であるQFNタイプ(Quad Flat Non-leaded Package)のLEDパッケージを、リードフレーム上に搭載した複数の発光ダイオード(半導体素子)を一括して樹脂封止したのち、ダイシングにより個々のLEDパッケージに個別化するMAP(Molded Array Process)方式の製造方法に本発明を適用した例を示している。
1…リードフレーム、
1s…単位リードフレーム、
1u…単位リードフレーム群、
1a…部位(エアベントに臨む部位)、
1d…ディンプル、
1g…縁部(エアベントに臨む側の縁部)、
1e…端面(サイドカット前の端面)、
1E…端面(サイドカット後の端面)、
2…発光ダイオード(半導体素子)、
3…封止樹脂、
10…モールド金型、
10T…上型、
10B…下型、
10c…キャビティ、
10a…エアベント、
l…サイドカットライン、
c…サイドカット寸法。
Claims (3)
- エッチング加工によってリードフレームを形成し、前記リードフレームに半導体素子を搭載したのち、モールド金型において樹脂封止を行う半導体装置の製造方法であって、
帯状のリードフレーム材に対して、エッチング加工によってリードパターンを形成するとともに前記モールド金型のエアベントに臨む部位にディンプルを形成することでリードフレームを形成するエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記リードフレームにおける前記モールド金型のエアベントに臨む側の縁部をサイドカットするサイドカット工程と、
前記サイドカット工程の後に、前記モールド金型において前記リードフレームに対して樹脂封止を行うモールド工程と、
を含んで成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体素子が、発光ダイオードであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記サイドカット工程におけるサイドカット寸法が、0.5mm以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101643332B1 (ko) * | 2015-03-20 | 2016-07-27 | 제엠제코(주) | 초음파 웰딩을 이용한 클립 본딩 반도체 칩 패키지 및 그 제조 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010192695A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法及びそのリードフレームの製造方法 |
JP2011035142A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
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