JP2015126225A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】製造工程数を増加することなく、樹脂バリを容易に除去できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】モールド外部領域とモールド内部領域を有し、プレス加工するリードフレームを用いる。モールド外部領域のリードフレームのリード端子がだれ部６を有し、だれ部６に凹部を加工する。モールド内部領域のリードフレーム上面に半導体素子を搭載してモールド樹脂で封止する。凹部加工と樹脂封止の後に、モールド外部領域においてリードフレームのだれ部に発生した樹脂バリを除去する。
【選択図】図６

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、トランスファーモールドをおこなう樹脂封止型の半導体装置の製造方法に関する。

一般的に、半導体装置に使用されるリードフレームは、順送金型により金属板から打ち抜くことで製造される。その際に、リードフレームの側面には、だれ面、せん断面、破断面、バリが形成される。このリードフレームのだれ面に樹脂バリが密着するため、樹脂バリの除去が必要となる。

たとえば、特許文献１には、リードフレームのリード端子部を水溶性樹脂でコーティングし、トランスファーモールドをする。その後、低水圧ノズルを用いて、樹脂バリと水溶性樹脂を同時に除去している半導体装置の製造方法が開示されている。これにより、トランスファーモールド時の樹脂バリ取りをおこなっている。

特開平１０−１１６９５０号公報

一般的に、半導体装置のリード部に付いた、樹脂バリを除去する製法は、数々の製造方法がある。しかしながら、従来技術は、水溶性樹脂をリードフレーム上に塗布するために、塗布・硬化工程が必要になる。このため、通常の製造工程より工程数が増加するという課題がある。

従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、製造工程数を増加することなく、樹脂バリを容易に除去できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

上述の課題を解決するために、本発明は、以下に掲げる構成とした。本発明の半導体装置の製造方法は、モールド外部領域とモールド内部領域を有し、プレス加工するリードフレームを用いる。モールド外部領域のリードフレームのリード端子がだれ部を有し、だれ部に凹部を加工する。モールド内部領域のリードフレーム上面に半導体素子を搭載してモールド樹脂で封止する。凹部加工と樹脂封止の後に、モールド外部領域においてリードフレームのだれ部に発生した樹脂バリを除去するものである。

本発明は、リードフレームのリード端子がだれ部を有している。このだれ部に凹部を加工するので、樹脂封止のバリが発生しても、製造工程を増加することなく、樹脂バリを容易に除去できる効果がある。

本発明の実施例１に係るリードフレームの概略平面図である。 本発明の実施例１に係るリード端子の概略断面図である。 本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法を説明する平面図（１）である。 本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法を説明する平面図（２）である。 本発明の実施例１に係るリード端子の樹脂バリを説明する図である。 本発明の実施例１に係るリード端子の凹部を説明する図である。 一般半導体装置のリード端子のはんだばりを説明する図である。

以下、本発明を実施するための形態について、図を参照して詳細に説明する。ただし、本発明は以下の記載に何ら限定されるものではない。

以下、図面を参照して本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法を説明する。図１は、本発明の実施例１に係るリードフレーム１の概略平面図である。

図１に示すように、リードフレーム１は、ダイパッド２とリード端子３で形成されている。後の工程でモールド樹脂封止されないモールド外部領域４と、後の工程で樹脂封止されるモールド内部領域５との領域に分けられる。

図２は、リードフレーム１のリード端子３の概略断面図である。リードフレーム１は順送金型により、一般的には、素材が銅からなる金属板から打ち抜くことで製造される。その際に、リードフレーム１のリード端子３側面には、だれ部、せん断部、破断部、バリ部が形成される。このことは公知技術であるので、ここでは、だれ部６のみを図示する。

図６に示すように、リード端子３は、モールド外部領域４において、だれ部５の部分に凹形状の加工をおこなう。それにより、凹部１２を設ける。この加工が最も容易にできる角度は４５°である。加工方法としては、リードフレームのプレス順送金型により、凸状のパンチ金型を押しつけ、変形させることができる。例えば、ヤゲンパンチを用いてＶ字形状とすることができる。順送金型の中で加工するので、リードフレーム製造と同時におこなうことができる。

図３に示すように、モールド内部領域５においてリードフレーム１のダイパッド２上に、接合材よりトランジスタやＩＣなどの半導体素子７を搭載する。そして、ワイヤ８により半導体素子７とリード端子３を接続する。

図４に示すように、モールド内部領域５の半導体素子７とワイヤ８をモールド樹脂９で樹脂封止する。その際に、樹脂封止金型とだれ部６との隙間が発生する。図示していないが、樹脂封止金型は四角形形状の空間にリード端子３を挟み込む。だれ部６は空間の内側に入るので隙間ができる。これにより、モールド外部領域４においてリードフレーム１のリード端子３のだれ部５に樹脂バリ１０が発生する。（図５も参照）

次に、図示していないが、リード端子３と隣り合うリード端子３の間にパンチング金型により、樹脂バリ１０を打ち抜き、除去する。その後、リードフレームのリード端子３を含めた、モールド外部領域４に、外装はんだめっきを付ける。以上により、本発明の実施例１に係る半導体装置が製造される。

次に、本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法について効果を説明する。

本発明の実施例１に係る半導体装置が製造方法はリードフレーム１のリード端子３のだれ部６に凹部１２を加工している。これにより、樹脂封止の樹脂バリが発生しても、製造工程を増加することなく、樹脂バリを容易に除去できる。

また、上述のようにリードフレーム製造と同時に凹部１２の加工をおこなうことできる。これにより、特別な製造工程を追加することがないため、加工時間・コストも低減し、安価に、製造することができる。

また、強固に密着している樹脂バリ１０を凹部１２により、パンチング金型による樹脂バリ取り時に、樹脂バリ１０に破壊応力がかかる。その時、凹部１２の変形している頂点を起点として、樹脂バリ１０のクラックや剥離が起こり、細かく破損できるため、樹脂バリ１３をパンチング金型によるバリ取りで容易に除去することができる。

また、樹脂バリが残っていると、リード端子３部の外装はんだめっき後に、ひげ状のめっきバリ１１が発生する。これにより、はんだバリ１１が隣り合うリード端子３に接触して、ショート不良が発生する（図７参照）。従って、樹脂バリが容易に除去できるので、リード端子３部の外装はんだめっきのはんだバリ１１の発生を抑制することができる。

上述のように、本発明を実施するための形態を記載したが、この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例が可能であることが明らかになるはずである。

上述の例では、凹部１２を、Ｖ字形状で図示したが、四角形状やＵ字形状であってもよい。

また、凹部１２をリード端子３の片側に３つを図示したが、任意数であってもよい。すなわち、リード端子における凹部の形状や数量の構成は、上述の効果を奏する限りにおいて適宜設定することができる。

１、リードフレーム
２、ダイパッド
３、リード端子
４、モールド外部領域
５、モールド内部領域
６、だれ部
７、半導体素子
８、ワイヤ
９、モールド樹脂
１０、樹脂バリ
１１、めっきバリ
１２、凹部

Claims (2)

1. モールド外部領域とモールド内部領域を有し、プレス加工するリードフレームを用いた半導体装置の製造方法であって、前記モールド外部領域の前記リードフレームのリード端子がだれ部 を有し、前記だれ部に凹部を加工するフレーム加工工程と、前記モールド内部領域の前記リードフレーム上面に半導体素子を搭載し、モールド樹脂で封止するモールド工程と、前記モールド外部領域において前記リードフレームの前記だれ部に発生した樹脂バリを除去するバリ取り工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
   
2. 前記リードフレームの前記リード端子の表面にはんだめっきを設けるめっき工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。

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