JP2016146457A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体チップを破損させることなく複数のコネクタの間に挟み、該コネクタの少なくとも一部を樹脂から容易かつ低コストで露出させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体装置は、第１面と該第１面の反対側にある第２面とを有する第１金属部と、第３面と該第３面の反対側にある第４面とを有する第２金属部とを備える。半導体チップは、第１金属部の第２面と第２金属部の第３面との間に設けられている。第２金属部は、第３面から突出し第１金属部の第１面とほぼ面一かあるいは第１面より突出する第５面を有する突出部を含む。樹脂は、第１金属部の第１面および第２金属部の第４面を露出するように、半導体チップの周囲に設けられている。【選択図】図１

Description

本発明による実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。

ＤＳＯＰ（Double-heat sink Small Outline Package）等の両面放熱型の半導体パッケージでは、半導体チップを挟む複数のコネクタが半導体パッケージの上面および底面において露出されている。これらのコネクタは、放熱板として機能する。半導体パッケージの上面および底面においてそれぞれコネクタを露出させるためには、複数のコネクタは、ほぼ平行であることが好ましい。これらのコネクタが傾斜していると、樹脂封止のときに、樹脂用金型とコネクタとの間に樹脂が入り込み、コネクタの表面が樹脂で被覆されてしまうからである。

複数のコネクタを平行状態にするために、２つのリードフレーム（コネクタ）間に半導体チップを挟んで半田で接続した後、樹脂封止前に、２つのリードフレームを押圧しながら半田をリフローする。

しかし、半田をリフローする際、２つのリードフレームを押圧しても、半田の表面張力等によってリードフレームは依然として傾斜し、平行にならない場合がある。この場合、上述の通り、露出すべきリードフレームのコネクタ部分の表面が樹脂で被覆されてしまう。従って、リードフレームのコネクタ部分を露出させるために、半導体パッケージの上面の樹脂を研削する工程が必要になる。その結果、半導体パッケージの製造コストが高騰し、かつ、半導体パッケージの製造時間（リードタイム）も長くなる。

また、半田をリフローする際に、２つのリードフレーム間に半導体チップを挟んだ状態でそれらのリードフレームを強く押圧すると、半導体チップが割れる（クラックする）おそれがある。

特開平６−２０４３７３号公報

半導体チップを破損させることなく複数のコネクタの間に挟み、該コネクタの少なくとも一部を樹脂から容易かつ低コストで露出させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。

本実施形態による半導体装置は、第１面と該第１面の反対側にある第２面とを有する第１金属部と、第３面と該第３面の反対側にある第４面とを有する第２金属部とを備える。半導体チップは、第１金属部の第２面と第２金属部の第３面との間に設けられている。第２金属部は、第３面から突出し第１金属部の第１面とほぼ面一かあるいは第１面より突出する第５面を有する突出部を含む。樹脂は、第１金属部の第１面および第２金属部の第４面を露出するように、半導体チップの周囲に設けられている。

第１の実施形態による半導体装置１の構成の一例を示す平面図および断面図。 半導体装置１の製造に用いられる２枚のリードフレーム１００、２００の一例を示す概略平面図。 半田５１、５２のリフロー工程の様子を示す断面図。 第２の実施形態による半導体装置１の構成の一例を示す平面図および断面図。 第２の実施形態による半導体装置１の実装方法を示す断面図。

以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。以下の実施形態において、半導体パッケージの上下方向は、リードフレーム上にまたはコネクタ上に半導体チップが設けられる面を上とした場合の相対方向を示し、重力加速度に従った上下方向と異なる場合がある。

（第１の実施形態）
図１（Ａ）および図１（Ｂ）は、第１の実施形態による半導体装置１の構成の一例を示す平面図および断面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面を示す。

半導体装置（半導体パッケージ）１は、ソースコネクタ１０と、ゲートコネクタ１１と、ドレインコネクタ１２と、半導体チップ２０と、樹脂４０と、半田５１、５２とを備えている。

第１金属部としてのソースコネクタ１０は、図１（Ｂ）に示すように第１面Ｆ１と第１面Ｆ１の反対側にある第２面Ｆ２とを有する。ソースコネクタ１０は、第２面Ｆ２において半田５１を介して半導体チップ２０のソース電極Ｓに電気的に接続されている。ソースコネクタ１０は、樹脂４０に部分的に被覆されているが、第１面Ｆ１において樹脂４０から露出されている。これにより、ソースコネクタ１０は放熱金属板として機能する。また、ソースコネクタ１０は、その一部（１０ｐ）が樹脂４０から突出している。突出部１０ｐはソース端子として機能する。

ゲートコネクタ１１は、ソースコネクタ１０およびドレインコネクタ１２から離間しており、樹脂４０によってソースコネクタ１０およびドレインコネクタ１２から電気的に絶縁されている。ゲートコネクタ１１は、半田（図示せず）を介して半導体チップ２０のゲート電極Ｇに電気的に接続されている。ゲートコネクタ１１の突出部１１ｐは、樹脂４０から突出しており、ゲート端子として機能する。尚、本実施形態では、ソースコネクタ１０を第１金属部として説明するが、ゲートコネクタ１１を第１金属部としてもよい。この場合、ゲートコネクタ１１の上面を第１面Ｆ１とし、その底面を第２面Ｆ２と考えればよい。

第２金属部としてのドレインコネクタ１２は、ソースコネクタ１０およびゲートコネクタ１１から離間しており、樹脂４０によってソースコネクタ１０およびゲートコネクタ１１から電気的に絶縁されている。ドレインコネクタ１２は、図１（Ｂ）に示すように第３面Ｆ３と第３面Ｆ３の反対側にある第４面Ｆ４とを有する。ドレインコネクタ１２は、第３面Ｆ３において半田５２を介して半導体チップ２０のドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。ゲートコネクタ１２は、樹脂４０に部分的に被覆されているが、第４面Ｆ４において樹脂４０から露出されている。これにより、ゲートコネクタ１２は放熱金属板としても機能する。また、ゲートコネクタ１２の第４面Ｆ４はドレイン端子として機能する。

ドレインコネクタ１２は、突出部１２ｐを有する。突出部１２ｐは、ドレインコネクタ１２の第３面Ｆ３からソースコネクタ１０へ向かって突出している。突出部１２ｐの上面（第５面Ｆ５）は、ソースコネクタ１０の第１面Ｆ１とほぼ面一となっている。あるいは、突出部１２ｐの第５面Ｆ５は、ソースコネクタ１０の第１面Ｆ１よりさらに突出していてもよい。突出部１２ｐが設けられていることによって、半田５１、５２のリフロー時に、ソースコネクタ１０とドレインコネクタ１２とをそれらの対向方向に押圧しても、半導体装置１のパッケージの厚みが突出部１２ｐの厚み未満にならない。即ち、突出部１２ｐは、ソースコネクタ１０およびドレインコネクタ１２の押圧時のストッパとして機能し、ソースコネクタ１０とドレインコネクタ１２との間の距離を決定する。また、第５面Ｆ５は、第４面Ｆ４と略平行である。これにより、第１面Ｆ１と第４面Ｆ４とを自己整合的に略平行にすることができる。突出部１２ｐのより詳細な構成および機能については後述する。

ソースコネクタ１０、ゲートコネクタ１１およびドレインコネクタ１２には、例えば、銅、ニッケルメッキされた銅、銀メッキされた銅、金メッキされた銅、銅合金、または、アルミニウム等の低抵抗かつ熱伝導率の高い金属を用いている。

半導体チップ２０は、半導体基板上に任意の半導体素子（図示せず）を備えている。例えば、半導体チップ２０は、その裏面に半導体素子のドレイン電極Ｄを有し、その表面に半導体素子のソース電極Ｓおよびゲート電極Ｇを有する。図１（Ｂ）に示すように、半導体チップ２０は、ソースコネクタ１０の第２面Ｆ２とドレインコネクタ１２の第３面Ｆ３との間に挟まれており、半田５１、５２によって固定されている。

第１接合材としての半田５１は、ソースコネクタ１０と半導体チップ２０との間に設けられており、半導体チップ２０のソース電極Ｓをソースコネクタ１０に電気的に接続する。第２接合材としての半田５２は、ドレインコネクタ１２と半導体チップ２０との間に設けられており、半導体チップ２０のドレイン電極Ｄをドレインコネクタ１２に電気的に接続する。

樹脂４０は、半導体チップ２０の周囲、半田５１、５２の周囲を封止するように設けられており、ソースコネクタ１０、ゲートコネクタ１１およびドレインコネクタ１２を部分的に被覆している。これにより、樹脂４０は、半導体チップ２０および半田５１、５２を保護し、ドレイン、ソースおよびゲートを相互に絶縁する。ソースコネクタ１０、ゲートコネクタ１１およびドレインコネクタ１２の一部は、樹脂４０から露出されており、メッキ（図示せず）で被覆されている。

次に、図１（Ｂ）を参照して、突出部１２ｐの構成および機能について説明する。

本実施形態において、突出部１２ｐは、ドレインコネクタ１２の第３面Ｆ３からソースコネクタ１０へ向かって突出している。これにより、ドレインコネクタ１２は、突出部１２ｐからドレインコネクタ１２が延伸する方向と第３面Ｆ３から第４面４へ向かう方向とを含む面で切断した断面において、図１（Ｂ）に示すようにＬ字形状を有する。突出部１２ｐは、ドレインコネクタ１２の一部であり、ドレインコネクタ１２と一体に形成されている。尚、突出部１２ｐは、ドレインコネクタ１２の端部に設けられているが、これに限定されない。例えば、突出部１２ｐは、ドレインコネクタ１２の中心部に設けられてもよい。ただし、大きな半導体チップ２０を搭載できるように、突出部１２ｐは、ドレインコネクタ１２の端部またはコーナー部に設けられていることが好ましい。また、第３面Ｆ３の上方から見た突出部１２ｐの面積は、リフロー時のストッパとして機能する限りにおいて、可及的に小さい方が好ましい。

突出部１２ｐの上面（第５面Ｆ５）は、上述の通り、ソースコネクタ１０の第１面Ｆ１とほぼ面一となっている。あるいは、突出部１２ｐの第５面Ｆ５は、ソースコネクタ１０の第１面Ｆ１より幾分突出していている。換言すると、第１面Ｆ１は、第５面Ｆ５とほぼ面一か、あるいは、第５面Ｆ５より幾分窪んでいる。これにより、突出部１２ｐにおけるドレインコネクタ１２の厚みＴ１２（ドレインコネクタ１２の第４面Ｆ４と突出部１２ｐの第５面Ｆ５との間の距離）は、ドレインコネクタ１２の第４面Ｆ２とソースコネクタ１０の第１面Ｆ１との間の距離とほぼ等しいかそれより厚くなる。即ち、半導体装置１のパッケージの底面は、ドレインコネクタ１２の第４面Ｆ４によって決定され、半導体装置１のパッケージの上面は、ドレインコネクタ１２の突出部１２ｐの第５面Ｆ５によって決定されている。即ち、図１（Ｂ）に示すように、半導体装置１の厚みは、ドレインコネクタ１２の厚みＴ１２によって決定される。

このように、第５面Ｆ５は、第１面Ｆ１とほぼ面一か、あるいは、それより幾分突出している。従って、図１（Ｂ）に示すように突出部１２ｐの厚みＴ１２ｐ（ドレインコネクタ１２の第３面Ｆ３と突出部１２ｐの第５面Ｆ５との距離）は、ソース電極Ｓ上におけるソースコネクタ１０の厚み、半導体チップ２０の厚み、半田５１、５２の厚みの合計にほぼ等しいか、それよりも幾分厚い。これにより、突出部１２ｐは、ソースコネクタ１０およびドレインコネクタ１２の押圧時のストッパとして機能し、ソースコネクタ１０とドレインコネクタ１２との間の距離を決定しつつ、半導体チップ２０を保護することができる。その結果、半田５１、５２のリフロー時に、半導体チップ２０がソースコネクタ１０とドレインコネクタ１２との間で破損することを抑制することができる。

例えば、半導体チップ２０の厚みが約５５μｍであり、半田５１、５２の厚みがそれぞれ約２０μｍであり、ソース電極Ｓ上におけるソースコネクタ１０の厚みが約２５５μｍであり、ドレイン電極Ｄの下におけるドレインコネクタ１２の厚みが約１５０μｍであると仮定する。この場合、半導体装置１のパッケージの厚みは、約５００μｍとなる。これに適合するように、突出部１２ｐにおけるドレインコネクタ１２の厚みＴ１２は、約５００μｍに設計すればよい。また、突出部１２ｐの厚みＴ１２ｐは、約３５０μｍに設計すればよい。

次に、本実施形態による半導体装置１の製造方法を説明する。

図２（Ａ）および図２（Ｂ）は、半導体装置１の製造に用いられる２枚のリードフレーム１００、２００の一例を示す概略平面図である。尚、リードフレーム１００、２００の詳細なパターンについては図示を省略している。図２（Ｃ）は、リードフレーム１００と２００との間に半導体チップ２０を挟んだ状態を示す拡大平面図である。尚、図２（Ｃ）は、リードフレーム１００および２００の一部に対応するパターン（例えば、図２（Ａ）および図２（Ｂ）の枠Ｃの領域に対応するパターン）を拡大して示している。図３は、半田５１、５２のリフロー工程の様子を示す断面図である。

図２（Ａ）のリードフレーム１００は、複数のソースコネクタ１０および複数のゲートコネクタ１１を連結して形成されており、一対のソースコネクタ１０およびゲートコネクタ１１のパターンを繰り返し有する。図２（Ｂ）のリードフレーム２００は、複数のドレインコネクタ１２を連結して形成されており、ドレインコネクタ１２のパターンを繰り返し有する。例えば、リードフレーム２００は、上述の通り、ドレインコネクタ１２の一部が突出しており突出部１２ｐを有する異形条である。

まず、一方のリードフレーム１００（または２００）に半田を供給し、半導体チップ２０をその半田上に搭載する。次に、半導体チップ２０上に半田を供給し、さらに、他方のリードフレーム２００（または１００）を半導体チップ２０上に載せる。これにより、図２（Ｃ）および図３に示すように、半導体チップ２０をリードフレーム１００とリードフレーム２００と間に挟んだ状態にする。半導体チップ２０は、リードフレーム１００とリードフレーム２００と間において、半田によって接続されている。

図２（Ｃ）において、リードフレーム１００は、半導体チップ２０のソースコネクタ１０およびゲートコネクタ１１を有するリードフレームある。リードフレーム２００は、半導体チップ２０を搭載するベッド部のリードフレームである。リードフレーム２００は、ドレインコネクタ１２および突出部１２ｐを有する。図２（Ｃ）では、リードフレーム２００上にリードフレーム１００が搭載されている様子を示している。また、図２（Ｃ）では、３つの半導体装置１に対応するコネクタ１１〜１３の組が示されている。しかし、リードフレーム１００、２００は、４つ以上のコネクタ１１〜１３の組が連結されていてもよい。 次に、図３に示すように、リードフレーム１００とリードフレーム２００との間に半導体チップ２０を挟んだ状態で、加圧機３００がリードフレーム１００および２００をそれらの対向方向Ｄ１、Ｄ２に加圧（圧縮）する。それと同時に、半田５１、５２を加熱し、リフローする。これにより、リードフレーム１００の第１面Ｆ１とリードフレーム２００の第４面Ｆ４とをほぼ平行状態にしつつ、半導体装置１の厚みを所定の厚み（Ｔ１２）にする。尚、図３では、リードフレーム１００のうち単一の半導体装置１のソースコネクタ１０を示し、リードフレーム２００のうち単一の半導体装置１のドレインコネクタ１２を示している。即ち、図３は、図２（Ｃ）の３−３線に沿った断面を示している。

ここで、リードフレーム１００のドレインコネクタ１２は、第３面Ｆ３において突出部１２ｐを有する。加圧機３００は、突出部１２ｐの第５面Ｆ５がソースコネクタ１０の第１面Ｆ１とほぼ面一となるようにリードフレーム１００とリードフレーム２００とを押圧（圧縮）する。このとき、突出部１２ｐが加圧機３００に対するストッパとして機能するので、加圧機３００は、突出部１２ｐにおけるドレインコネクタ１２の厚みＴ１２未満に半導体装置１を薄くすることができない。従って、半導体装置１の厚み（第１面Ｆ１と第４面Ｆ４との距離）は、突出部１２ｐにおけるドレインコネクタ１２の厚みＴ１２によって決定され、厚みＴ１２とほぼ等しくなる。即ち、リードフレーム１００およびリードフレーム２００を加圧することによって、ドレインコネクタ１２の厚みＴ１２（ドレインコネクタ１２の第４面Ｆ４と突出部１２ｐの第５面Ｆ５との間の距離）は、ドレインコネクタ１２の第４面Ｆ４とソースコネクタ１０の第１面Ｆ１との間の距離とほぼ等しくなる。このように、半導体装置１のパッケージの厚みは、突出部１２ｐにおけるドレインコネクタ１２の厚みＴ１２によって決定され得る。

また、リードフレーム１００およびリードフレーム２００を加圧することによって、突出部１２ｐの厚み（ドレインコネクタ１２の第３面Ｆ３と突出部１２ｐの第５面Ｆ５との距離）は、ソース電極Ｓ上のソースコネクタ１０の厚み、半導体チップ２０の厚み、半田５１、５２の厚みの合計の厚みとほぼ等しくなる。このように、ソースコネクタ１０の厚み、半導体チップ２０の厚み、半田５１、５２の厚みの合計の厚みは、突出部１２ｐの厚みＴ１２ｐによって決定され得る。

尚、加圧機３００の材料や圧力等によって、突出部１２ｐの第５面Ｆ５は、ソースコネクタ１０の第１面Ｆ１より幾分突出する場合もある。従って、第１面Ｆ１は、第５面Ｆ５とほぼ面一か、あるいは、第５面Ｆ５より幾分窪んでいる場合もある。この場合、リードフレーム１００およびリードフレーム２００を加圧することによって、ドレインコネクタ１２の厚みＴ１２（ドレインコネクタ１２の第４面Ｆ４と突出部１２ｐの第５面Ｆ５との間の距離）は、ドレインコネクタ１２の第４面Ｆ４とソースコネクタ１０の第１面Ｆ１との間の距離より幾分厚くなり得る。また、この場合、リードフレーム１００およびリードフレーム２００を加圧することによって、突出部１２ｐの厚み（ドレインコネクタ１２の第３面Ｆ３と突出部１２ｐの第５面Ｆ５との距離）は、ソース電極Ｓ上のソースコネクタ１０の厚み、半導体チップ２０の厚み、半田５１、５２の厚みの合計の厚みより幾分厚くなり得る。

さらに、第５面Ｆ５は、第４面Ｆ４と略平行である。従って、加圧機３００がドレインコネクタ１２の第４面Ｆ４および第５面Ｆ５を略平行に押圧することによって、ソースコネクタ１０（およびゲートコネクタ１１）の第１面Ｆ１も自己整合的に第４面Ｆ４および第５面Ｆ５に従って略平行な面になる。これにより、リードフレーム１００、２００を押圧することによって、半田の表面張力の影響を受けることなく、ソースコネクタ１０（およびゲートコネクタ１１）の第１面Ｆ１をドレインコネクタ１２の第４面Ｆ４および第５面Ｆ５に対して自己整合的に略平行にすることができる。

次に、樹脂封止工程において、半導体チップ２０の周囲、半田５１、５２の周囲を封止するように樹脂４０を成形する。このとき、樹脂４０は、ソースコネクタ１０、ゲートコネクタ１１およびドレインコネクタ１２を部分的に被覆し、ソースコネクタ１０の第１面Ｆ１およびドレインコネクタ１２の第４面Ｆ４、第５面Ｆ５を露出している。その後、リードフレーム１００、２００をダイシングすることによって、半導体装置１のパッケージをリードフレーム１００、２００から個別化する。これにより、半導体装置１が完成する。尚、樹脂４０から露出されている第１面Ｆ１、第４面Ｆ４、第５面Ｆ５等は、メッキ処理されていてもよい。

本実施形態によれば、突出部１２ｐがドレインコネクタ１２の第３面Ｆ３からソースコネクタ１０へ向かって突出している。これにより、突出部１２ｐは、ソースコネクタ１０およびドレインコネクタ１２の押圧時のストッパとして機能し、ソースコネクタ１０とドレインコネクタ１２との間の距離を決定する。その結果、半田５１、５２のリフロー時に、半導体チップ２０がソースコネクタ１０とドレインコネクタ１２との間で破損することを抑制することができる。

また、本実施形態によれば、半導体装置１の厚み（第１面Ｆ１と第４面Ｆ４との距離）は、突出部１２ｐにおけるドレインコネクタ１２の厚みＴ１２によって決定される。また、ソースコネクタ１０の厚み、半導体チップ２０の厚み、半田５１、５２の厚みの合計の厚みは、突出部１２ｐの厚みＴ１２ｐによって決定され得る。これにより、複数の半導体装置１において厚みのばらつきを抑制し、それらの厚みをほぼ均一にすることができる。

さらに、本実施形態において、第５面Ｆ５は、第４面Ｆ４と略平行である。これにより、リードフレーム１００、２００を略平行に押圧することによって、半田の表面張力の影響を受けることなく、ソースコネクタ１０（およびゲートコネクタ１１）の第１面Ｆ１をドレインコネクタ１２の第４面Ｆ４および第５面Ｆ５に対して自己整合的に略平行にすることができる。従って、コネクタを露出させるための研削が不要となる。即ち、ＵＶシートにリードフレームを吸着させる工程、半導体パッケージの上面を研削する工程、ＵＶ（Ultraviolet）を照射してＵＶシートをリードフレームから剥がす工程等が不要となる。これにより、ＵＶシート貼付け機、上面研削機、ＵＶ照射機、ＵＶシート剥し機、研削砥石、ＵＶシート等の装置および材料が不要となる。その結果、半導体装置１の製造コストは低減し、かつ、半導体装置１の製造時間（リードタイム）が短縮される。

（第２の実施形態）
図４は、第２の実施形態による半導体装置１の構成の一例を示す平面図および断面図である。第２の実施形態による半導体装置１は、ソースコネクタ１０が半導体装置１の厚み方向の中間部分において樹脂４０から突出している。即ち、半導体装置１は、所謂、ガルウィング構造を有する。第２の実施形態のその他の構成は、第１の実施形態の対応する構成と同様でよい。

図５（Ａ）および図５（Ｂ）は、第２の実施形態による半導体装置１の実装方法を示す断面図である。第２の実施形態による半導体装置１は、図５（Ａ）に示すように、ドレインコネクタ１２の第４面Ｆ４を実装基板４００へ向けて実装されてもよい。この場合、ソースコネクタ１０の露出部分は、第４面Ｆ４方向へ屈曲させて、実装基板４００へ接続される。この場合、ソースコネクタ１０の第１面Ｆ１の露出面積がドレインコネクタ１２の第４面Ｆ４のそれよりも広い。従って、ソースコネクタ１０からの放熱特性が良好である。

一方、第２の実施形態による半導体装置１は、図５（Ｂ）に示すように、ソースコネクタ１０の第１面Ｆ１を実装基板４００へ向けて実装されてもよい。この場合、ソースコネクタ１０の露出部分は、第１面Ｆ１方向へ屈曲させて、実装基板４００へ接続される。この場合、ドレインコネクタ１２の第４面Ｆ４の露出面積がソースコネクタ１０の第１面Ｆ１のそれよりも広い。従って、ドレインコネクタ１２からの放熱特性が良好である。

このように、第２の実施形態による半導体装置１はガルウィング構造を有するので、ドレインコネクタ１２の第４面Ｆ４またはソースコネクタ１０の第１面Ｆ１のいずれを実装基板４００へ向けて実装されても、ソースコネクタ１０を実装基板４００に接続することができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１・・・半導体装置、１０・・・ソースコネクタ、１１・・・ゲートコネクタ、１２・・・ドレインコネクタ、１２ｐ・・・突出部、２０・・・半導体チップ、４０・・・樹脂、５１、５２・・・半田、Ｆ１〜Ｆ５・・・第１面〜第５面

Claims (8)

1. 第１面と該第１面の反対側にある第２面とを有する第１金属部と、
   前記第１金属部の前記第２面に対向する第３面と該第３面の反対側にある第４面とを有する第２金属部であって、前記第３面から突出し前記第１金属部の前記第１面とほぼ面一かあるいは該第１面より突出する第５面を有する突出部を含む第２金属部と、
   前記第１金属部の前記第２面と前記第２金属部の前記第３面との間に設けられた半導体チップと、
   前記第１金属部の前記第１面および前記第２金属部の前記第４面を露出するように、前記半導体チップの周囲に設けられた樹脂とを備えた
   半導体装置。
2. 前記第２金属部の前記第４面と前記突出部の前記第５面との間の距離は、前記第２金属部の前記第４面と前記第１金属部の前記第１面との間の距離以上である、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１金属部と前記半導体チップとの間に設けられた第１接合材と、
   前記第２金属部と前記半導体チップとの間に設けられた第２接合材とをさらに備え、
   前記第２金属部の前記第３面と前記突出部の前記第５面との距離は、前記第１金属部の厚み、前記半導体チップの厚み、前記第１接合材の厚みおよび前記第２接合材の厚みの合計以上である、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第２金属部は、前記突出部から前記第２金属部が延伸する方向と前記第３面から前記第４面へ向かう方向とを含む面で切断した断面においてＬ字形状を有する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
5. 前記第５面は、前記第４面と略平行である、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 前記突出部は、前記第２金属部の端部またはコーナー部に設けられている、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。
7. 第１面および該第１面の反対側にある第２面を有する第１金属部の前記第２面と第３面および該第３面の反対側にある第４面とを有する第２金属部の前記第３面との間に半導体チップを挟んだ状態で前記第１金属部および前記第２金属部を加圧し、かつ、前記第１金属部と前記半導体チップとの間の第１接合材および前記第２金属部と前記半導体チップとの間の第２接合材を加熱することを具備し、
   前記第１金属部および前記第２金属部を加圧することによって、前記第２金属部の第３面から前記第１金属部ヘ向かって突出する突出部の第５面が、前記第１金属部の前記第１面とほぼ面一となるかあるいは該第１面より突出する、半導体装置の製造方法。
8. 前記第５面は、前記第４面と略平行である、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。

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