JP2014165607A - 基板処理装置、基板処理装置の監視装置及び基板処理装置の監視方法 - Google Patents

基板処理装置、基板処理装置の監視装置及び基板処理装置の監視方法 Download PDF

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Abstract

【課題】突発的または不規則に発生する一般的な異常の検出を容易かつ確実に行える基板処理装置、基板処理装置の監視装置及び基板処理装置の監視方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置の監視装置は、被処理基板を処理するプロセスの状態を監視する基板処理装置の監視装置であって、前記プロセスの処理の状態を撮像する撮像部と、記憶部と、前記撮像手段によって撮像された動画にタイムスタンプを付加して前記記憶部に記憶する記憶制御部と、前記記憶部に記憶された複数の動画を、正常なグループの動画と前記正常なグループ以外の動画にグループ分けするグループ分類部と、前記グループ分類部によってグループ分けされた前記正常なグループの動画を基に、異常な動画を検出するための閾値を生成する閾値生成部とを具備する。
【選択図】図1

Description

本発明は、基板処理装置、基板処理装置の監視装置及び基板処理装置の監視方法に関する。
半導体装置の製造工程、例えば塗布装置において半導体ウエハにフォトレジストを塗布する塗布プロセス、現像装置における露光されたフォトレジストの現像プロセスなどでは、各種プロセスが実行される。
例えば、塗布プロセスでは、レジスト液などの液体を扱うことから、プロセスの状態を常に監視することが必要であり、プロセスにおける一連の処理の流れを、監視カメラ等によって撮像し、そして監視することが知られている(例えば特許文献1参照)。
このように、プロセスにおける一連の処理の流れを監視カメラによって撮像し、異常な事象の発生の有無を監視する上で、異常が発生する箇所がある程度特定される事象、例えばノズルからのレジスト液の液垂れなどは、ノズル部分を特定して監視することで電子的に異常の有無を検出できる。
しかし、液はねや液玉の発生などの異常事象は、特定の部位に限らず、突発的または不規則に発生する。このような一般的な異常を検出するためには、プロセスを撮像した動画像を時系列によってサンプリングしたデータとしてストアする。異常の発生が発覚した後、異常が発生した半導体ウエハが経由したプロセス装置のモジュールを調べる。そして、そのモジュールを通過した時刻のタイムスタンプから、該当時刻の動画像を特定しモニタに映し、作業員がそれを目視によってチェックし、プロセスの異常を確認するという方法が採られていた。
特開2011−14849号公報
しかしながら、上記のように監視カメラの動画像を人が目視によってチェックする場合、一瞬の異常現象などは見逃す可能性が高い。また、突発的または不規則に発生する異常についても電子的な判別が不可欠である。しかし、正常時の動画と異常発生時の動画との違いから異常を検出するためには、作業者がさまざまな異常を考慮した上で、異常検出のための閾値をチューニングし、設定する必要があり、閾値を定めることは容易ではない。
本発明は、上記従来の事情に対処することによってなされたものであり、突発的または不規則に発生するさまざまな異常の検出を容易かつ確実に行うことができる基板処理装置、基板処理装置の監視装置及び基板処理装置の監視方法を提供することを目的とする。
本発明の基板処理装置の一態様は、被処理基板を処理するプロセスの状態を監視する基板処理装置であって、前記プロセスの処理の状態を撮像する撮像部と、記憶部と、前記撮像手段によって撮像された動画にタイムスタンプを付加して前記記憶部に記憶する記憶制御部と、前記記憶部に記憶された複数の動画を、正常なグループの動画と前記正常なグループ以外の動画にグループ分けするグループ分類部と、前記グループ分類部によってグループ分けされた正常なグループの動画を基に、異常な動画を検出するための閾値を生成する閾値生成部とを具備することを特徴とする。
本発明の基板処理装置の監視装置の一態様は、被処理基板を処理するプロセスの状態を監視する基板処理装置の監視装置であって、前記プロセスの処理の状態を撮像する撮像部と、記憶部と、前記撮像手段によって撮像された動画にタイムスタンプを付加して前記記憶部に記憶する記憶制御部と、前記記憶部に記憶された複数の動画を、正常なグループの動画と前記正常なグループ以外の動画にグループ分けするグループ分類部と、前記グループ分類部によってグループ分けされた正常なグループの動画を基に、異常な動画を検出するための閾値を生成する閾値生成部とを具備することを特徴とする。
本発明の基板処理装置の監視方法の一態様は、被処理基板を処理するプロセスの状態を監視する基板処理装置の監視方法であって、前記プロセスの処理の状態を撮像する撮像ステップと、前記撮像ステップによって撮像された動画にタイムスタンプを付加して記憶する記憶ステップと、前記記憶された複数の動画を、正常なグループの動画と前記正常なグループ以外の動画にグループ分けするグループ分類ステップと、前記グループ分類ステップによってグループ分けされた正常なグループの動画を基に、異常な動画を検出するための閾値を生成する閾値生成ステップとを有することを特徴とする。
本発明によれば、突発的または不規則に発生する一般的な異常の検出を容易かつ確実に行うことができる基板処理装置、基板処理装置の監視装置及び基板処理装置の監視方法を提供することができる。
本発明の一実施形態の半導体製造装置のプロセス監視装置の構成を示す図。 動画管理情報の一例を示す図。 正常系動作情報の一例を示す図。 検査結果の一例を示す図。 本発明の一実施形態の塗布現像装置の構成を示す図。 本発明の一実施形態の塗布現像装置の構成を示す図。 本発明の一実施形態の塗布現像装置の構成を示す図。 実施形態の塗布現像装置の全体的な動作を示すフローチャート。 実施形態の塗布現像装置の動画の録画動作を示すフローチャート。 実施形態の塗布現像装置のROI設定動作を示すフローチャート。 実施形態の塗布現像装置の特徴量抽出動作を示すフローチャート。 検査結果の画面の一例を示す図。
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の基板処理装置に係る一実施形態の半導体製造装置のプロセス監視装置の構成を示すブロック図である。
図1において、100はプロセス監視装置を示し、110は被処理基板に所定の処理を施す半導体製造装置の一つの例の塗布現像装置を示している。塗布現像装置110は、被処理基板としての半導体ウエハにフォトレジストの塗布処理及び現像処理を施す装置である。
プロセス監視装置100は、カメラ101を備えている。このカメラ101は、塗布現像装置110の内部に組み込まれており、監視対象のプロセスを撮像可能な位置に配設されている。カメラ101は動画像を撮像し、監視するためのモニタカメラである。カメラ101はプロセスの処理の状態を撮像し、タイムスタンプを付加した動画データを取得する撮像部として機能する。このカメラ101は、例えば、塗布現像装置110の薬液塗布部、すなわちスピンコーティング装置の薬液供給ノズル(現像液供給ノズル又はレジスト供給ノズル等)、回転される半導体ウエハ等を撮像可能な位置に配設されている。
またプロセス監視装置100は、CPU、メモリ、ハードディスク装置、通信インターフェース、モニタ108、操作部109等を備えたコンピュータの一つである。プロセス監視装置100は、機能的には、録画制御部102、グループ演算部103、データ記憶部104、学習異常判定部105、検査結果出力部106、イベント発行部107を備えている。
データ記憶部104は、メモリおよびハードディスク等からなる。録画制御部102、グループ演算部103、学習異常判定部105、検査結果出力部106、イベント発行部107は、メモリに記憶された制御プログラムをCPUが読み込むことによって実現される機能である。操作部109は、例えばマウス、キーボードなどの、CPUに対して指示を入力する入力装置である。
録画制御部102は、カメラ101によって撮像された動画データにタイムスタンプを付加し、そしてデータ記憶部104に記憶する。つまりカメラ101によって撮像された動画は、録画制御部102によって、動画データとしてデータ記憶部104に記憶される。
グループ演算部103は、データ記憶部104に記憶された複数の動画データを読み出して、複数の動画データを、正常なグループとこの正常なグループ以外のグループ(非正常なグループ)にグループ分けして、正常なグループの動画を抽出するグループ分類部として機能する。
この正常なクループの動画の抽出には、例えば相互部分空間法などの統計学的な分類手法を用いる。相互部分空間法は、各動画から得た特徴量の分布がどれだけ似ているかを類似度として出力する手法である。類似度は0-1の間の数値で出力されるので、この0-1の間で閾値を設定するか(例えば0.5等)、類似度の高い上位(所定数)の動画を抽出することで、正常なグループの動画を選出することができる。
またグループ演算部103は、グループ分けによって抽出した正常なグループの動画を基に、異常な動画を検出するための閾値を動画毎に生成し、データ記憶部104に記憶する閾値生成部として機能する。ここでの閾値の生成と下記学習異常判定部105の異常動画の判定には部分空間法を用いる。
学習異常判定部105は、グループ演算部103によって得られた正常なグループの動画から同時刻の複数のフレームの特徴量の空間上の分布(学習データ)を生成する。そして、学習異常判定部105は、生成した特徴量の空間上の分布(学習データ)と新たな検査対象フレームの特徴量とを比較して、検査対象フレームの特徴量(点)が学習データ(分布)からどの程度離れているかを距離で求めて異常度として出力する。
既に録画済の動画データを検査する場合、学習異常判定部105は、正常フレームの特徴量の空間上の分布に対して録画済みの動画データのフレームの特徴量がどの程度離れているかを求め、求めた距離と閾値とを比較して異常フレームを抽出(検出)する。具体的には、録画済みの動画データの中で、距離が閾値を超えているものを異常フレームとして抽出(検出)する。
すなわち、学習異常判定部105は、グループ演算部103によって生成された閾値に従いデータ記憶部104に記憶された動画データから異常な動画を抽出(検出)する異常抽出部として機能する。
また、学習異常判定部105は、正常なグループの動画の特徴量の空間上の分布や閾値を学習して正常なグループの範囲(特徴量の空間上の分布や閾値)を更新する学習部として機能する。
検査結果出力部106は、学習異常判定部105によって抽出された異常なフレームを選択して表示可能な画面70(図12参照)を出力する画面出力部として機能する。画面70に表示されたメニュー内のボタン操作によって次のポップアップ画面80またはポップアップ画面82等が表示される。
イベント発行部107は、学習異常判定部105によって異常なフレームが検出されたことを通知するためのイベント信号を、塗布現像装置110に設けられた報知装置(図示せず)へ送信する。報知装置は、例えばブザー、スピーカ、アラーム音発生器、メッセージ表示器などである。
データ記憶部104には、このプロセス監視装置100の制御プログラムや動画データ11の他、動画管理情報12、正常系動作情報13、検査結果14等が記憶される。動画管理情報12は、データ記憶部104に記憶した動画データ11を管理するための情報である。正常系動作情報13は、正常動作と判定された動画データ、その動画データを撮像したプロセス、ウエハ、レシピなどの情報である。検査結果14は、検査の結果、正常または異常と判定されたときの詳細情報である。
図2に示すように、動画管理情報12は、プロセスモジュールID、プロセスレシピID、PJID、ウエハID、時刻、動画データのファイル名(名称)を管理するための情報である。IDは識別子である。プロセスモジュールIDは、プロセスモジュールまたはチャンバーを特定する識別子である。プロセスレシピIDは、プロセスレシピを特定する識別子である。ウエハIDは、ウエハを特定する識別子である。
図3に示すように、正常系動作情報13は、プロセスモジュールID、プロセスレシピID、PJID、ウエハID、正常系動画名称、正常系学習データ、閾値、検索区間情報などの情報である。正常系動画名称は、n個の正常系動画のファイル名である。閾値は、固定値またはフレーム毎に設定される閾値である。
図4に示すように、検査結果14は、プロセスモジュールID、プロセスレシピID、動画名称、異常度データ、検査結果、発生時刻、異常の発生したフレームNo.、異常の発生した静止画などである。
この場合のプロセスモジュールIDは、異常が起きたプロセスモジュールの識別子である。プロセスレシピIDは、異常の起きたレシピである。動画名称は、検査対象の動画像の名称である。異常度データは、フレーム毎の異常度のデータである。検査結果は「正常」or「異常」が設定される。発生時刻は、異常の発生した時刻である。異常の発生した静止画は、異常発生個所のマークである。なお、発生時刻、異常の発生したフレームNo.、異常の発生した静止画などの情報は、異常の場合のみ格納(設定)される。
次に、図5〜7を参照して半導体製造装置の一つとしての塗布現像装置110の構成について説明する。図5は平面図、図6は正面図、図7は背面図である。
この塗布現像装置110は、カセットステーション111と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション112と、処理ステーション112に隣接して設けられる露光装置114と処理ステーション112との間で半導体ウエハWを受け渡すためのインターフェイスステーション113とを具備している。
上記カセットステーション111には、塗布現像装置110において処理を行う複数枚の半導体ウエハWが水平に収容されたウエハカセット(CR)が他のシステムから搬入される。また、逆にレジスト塗布現像装置110における処理が終了した半導体ウエハWが収容されたウエハカセット(CR)がカセットステーション111から他のシステムへ搬出される。さらにカセットステーション111はウエハカセット(CR)と処理ステーション112との間での半導体ウエハWの搬送を行う。
図5に示すように、カセットステーション111の入口側端部(図5中Y方向端部)には、X方向に沿って延在するカセット載置台120が設けられている。このカセット載置台120上にX方向に沿って1列に複数(図5では5個)の位置決め突起120aが配設されており、ウエハカセット(CR)はウエハ搬入出口を処理ステーション112側に向けてこの突起120aの位置に載置されるようになっている。
カセットステーション111には、カセット載置台120と処理ステーション112との間に位置するように、ウエハ搬送機構121が設けられている。このウエハ搬送機構121は、カセット配列方向(X方向)およびウエハカセット(CR)中の半導体ウエハWの配列方向(Z方向)に移動可能なウエハ搬送用ピック121aを有しており、このウエハ搬送用ピック121aは、図5中に示すθ方向に回転可能とされている。これによって、ウエハ搬送用ピック121aは、いずれのウエハカセット(CR)に対してもアクセスでき、かつ、後述する処理ステーション112の第3処理ユニット群Gに設けられたトランジションユニット(TRS−G)にアクセスできるようになっている。
処理ステーション112には、システム前面側に、カセットステーション111側から順に、第1処理ユニット群Gと第2処理ユニット群Gが配設されている。また、システム背面側に、カセットステーション111側から順に、第3処理ユニット群G、第4処理ユニット群Gおよび第5処理ユニット群Gが配設されている。また、第3処理ユニット群Gと第4処理ユニット群Gとの間に第1主搬送部Aが配設され、第4処理ユニット群Gと第5処理ユニット群Gとの間に第2主搬送部Aが配設されている。さらに、第1主搬送部Aの背面側には第6処理ユニット群Gが配設され、第2主搬送部Aの背面側には第7処理ユニット群Gが配設されている。
図5および図6に示すように、第1処理ユニット群Gには、カップ内で半導体ウエハWをスピンチャックに載せて所定の処理を行う液供給ユニットとしての5台のスピンナ型処理ユニット、例えば、3台の塗布ユニット(COT)と、露光時の光の反射を防止する反射防止膜を形成する2台のコーティングユニット(BARC)が計5段に重ねられて配設されている。また第2処理ユニット群Gには、5台のスピンナ型処理ユニット、例えば、5台の現像ユニット(DEV)が5段に重ねられて配設されている。これらの塗布ユニット(COT)と、コーティングユニット(BARC)と、現像ユニット(DEV)には、夫々図1に示した動画像モニタカメラ101が配設され、塗布現像装置110のプロセス監視装置100によって、そのプロセスが監視される構成となっている。
図7に示すように、第3処理ユニット群Gには、下から、温調ユニット(TCP)、カセットステーション111と第1主搬送部Aとの間での半導体ウエハWの受け渡し部となるトランジションユニット(TRS−G)、所望のオーブン型処理ユニット等を設けることができるスペア空間V、半導体ウエハWに精度のよい温度管理下で加熱処理を施す3台の高精度温調ユニット(CPL−G)、半導体ウエハWに所定の加熱処理を施す4台の高温度熱処理ユニット(BAKE)が、合計10段に重ねられて配設されている。
また、第4処理ユニット群Gには、下から、高精度温調ユニット(CPL−G)、レジスト塗布後の半導体ウエハWに加熱処理を施す4台のプリベークユニット(PAB)、現像処理後の半導体ウエハWに加熱処理を施す5台のポストベークユニット(POST)が、合計10段に重ねられて配設されている。
また、第5処理ユニット群Gには、下から、4台の高精度温調ユニット(CPL−G)、6台の露光後現像前の半導体ウエハWに加熱処理を施すポストエクスポージャーベークユニット(PEB)が、合計10段に重ねられて配設されている。
第3〜5処理ユニット群G〜Gに設けられている高温度熱処理ユニット(BAKE)、プリベークユニット(PAB)、ポストベークユニット(POST)、ポストエクスポージャーベークユニット(PEB)は、例えば、全て同じ構造を有し、加熱処理ユニットを構成する。また、第4処理ユニット群Gに設けられた膨張剤膨張用加熱ユニット(EXB)には、加熱機構の他に半導体ウエハWに光(紫外線等)を照射する光照射機構が設けられている。
なお、第3〜5処理ユニット群G〜Gの積み重ね段数およびユニットの配置は、図示するものに限らず、任意に設定することが可能である。
第6処理ユニット群Gには、下から、2台のアドヒージョンユニット(AD)と、半導体ウエハWを加熱するための2台の加熱ユニット(HP)とが合計4段に重ねられて配設されている。
第7処理ユニット群Gには、下から、レジスト膜厚を測定する膜厚測定装置(FTI)と、半導体ウエハWのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置(WEE)とが2段に重ねられて配設されている。
図5に示すように、第1主搬送部Aには、第1主ウエハ搬送装置116が設けられ、この第1主ウエハ搬送装置116は、第1処理ユニット群G、第3処理ユニット群G、第4処理ユニット群Gと第6処理ユニット群Gに備えられた各ユニットに選択的にアクセス可能となっている。
第2主搬送部Aには、第2主ウエハ搬送装置117が設けられ、この第2主ウエハ搬送装置117は、第2処理ユニット群G、第4処理ユニット群G、第5処理ユニット群G、第7処理ユニット群Gに備えられた各ユニットに選択的にアクセス可能となっている。
第1主ウエハ搬送装置116及び第2主ウエハ搬送装置117には、半導体ウエハWを保持するための3本のアームが上下方向に積層するように配設されている。そして、これらのアームは、半導体ウエハWを保持し、X方向、Y方向、Z方向及びθ方向の各方向に搬送するよう構成されている。
図5に示すように、第1処理ユニット群Gとカセットステーション111との間には液温調ポンプ124およびダクト128が設けられ、第2処理ユニット群Gとインターフェイスステーション113との間には液温調ポンプ125およびダクト129が設けられている。液温調ポンプ124、125は、それぞれ第1処理ユニット群Gと第2処理ユニット群Gに所定の処理液を供給するものである。また、ダクト128、129は、塗布現像装置110外に設けられた図示しない空調器からの清浄な空気を各処理ユニット群G〜Gの内部に供給するためのものである。
第1処理ユニット群G〜第7処理ユニット群Gは、メンテナンスのために取り外しが可能となっており、処理ステーション112の背面側のパネルも取り外しまたは開閉可能となっている。また、図6に示すように、第1処理ユニット群Gと第2処理ユニット群Gの下方には、第1処理ユニット群Gと第2処理ユニット群Gに所定の処理液を供給するケミカルユニット(CHM)126、127が設けられている。
インターフェイスステーション113は、処理ステーション112側の第1インターフェイスステーション113aと、露光装置114側の第2インターフェイスステーション113bとから構成されており、第1インターフェイスステーション113aには第5処理ユニット群Gの開口部と対面するように第1ウエハ搬送体162が配置され、第2インターフェイスステーション113bにはX方向に移動可能な第2ウエハ搬送体163が配置されている。
図7に示すように、第1ウエハ搬送体162の背面側には、下から順に、露光装置114から搬出された半導体ウエハWを一時収容するアウト用バッファカセット(OUTBR)、露光装置114に搬送される半導体ウエハWを一時収容するイン用バッファカセット(INBR)、周辺露光装置(WEE)が積み重ねられて構成された第8処理ユニット群Gが配置されている。イン用バッファカセット(INBR)とアウト用バッファカセット(OUTBR)は、複数枚、例えば25枚の半導体ウエハWを収容できるようになっている。
また、第1ウエハ搬送体162の正面側には、図6に示すように、下から順に、2段の高精度温調ユニット(CPL−G)と、トランジションユニット(TRS−G)とが積み重ねられて構成された第9処理ユニット群Gが配置されている。
図5に示すように、第1ウエハ搬送体162は、Z方向に移動可能かつθ方向に回転可能であり、さらにX−Y面内において進退自在なウエハ受け渡し用のフォーク162aを有している。このフォーク162aは、第5処理ユニット群G、第8処理ユニット群G、第9処理ユニット群Gの各ユニットに対して選択的にアクセス可能であり、これによってこれらのユニット間での半導体ウエハWの搬送を行うことが可能となっている。
第2ウエハ搬送体163も同様に、X方向およびZ方向に移動可能、かつ、θ方向に回転可能であり、さらにX−Y面内において進退自在なウエハ受け渡し用のフォーク163aを有している。このフォーク163aは、第9処理ユニット群Gの各ユニットと、露光装置114のインステージ114aおよびアウトステージ114bに対して選択的にアクセス可能であり、これら各部の間で半導体ウエハWの搬送を行うことができるようになっている。
図6に示すように、カセットステーション111の下部には、この塗布現像装置110全体を制御する集中制御部119が設けられている。この集中制御部119に、図1に示したプロセス監視装置100のカメラ101以外の部分が配設されている。
このように構成された塗布現像装置110を用いて、半導体ウエハWに対するレジスト塗布、現像工程等を以下のように実施する。
まず、ウエハ搬送機構121が、ウエハカセット(CR)から処理前の半導体ウエハWを1枚ずつ取り出し、この半導体ウエハWを処理ステーション112の処理ユニット群Gに配置されたトランジションユニット(TRS−G)に搬送する。
次に、温調ユニット(TCP)は、半導体ウエハWに対し、温調処理を行う。その後、半導体ウエハWは、第1処理ユニット群Gに属するコーティングユニット(BARC)によって反射防止膜の形成し、加熱ユニット(HP)における加熱処理、高温度熱処理ユニット(BAKE)におけるベーク処理を行う。なお半導体ウエハWは、コーティングユニット(BARC)による半導体ウエハWへの反射防止膜の形成前にアドヒージョンユニット(AD)によってアドヒージョン処理を行ってもよい。
次に、高精度温調ユニット(CPL−G)で半導体ウエハWの温調を行った後、半導体ウエハWを第1処理ユニット群Gに属するレジスト塗布ユニット(COT)へ搬送し、レジスト液の塗布処理を行う。
次に、半導体ウエハWは、第4処理ユニット群Gに設けられたプリベークユニット(PAB)にてプリベーク処理が施され、周辺露光装置(WEE)によって周辺露光処理が施された後、高精度温調ユニット(CPL−G)等によって温調される。その後、半導体ウエハWは、第2ウエハ搬送体163によって露光装置114内に搬送される。
露光装置114によって露光処理がなされた半導体ウエハWは、第2ウエハ搬送体163によってトランジションユニット(TRS−G)に搬入する。この後、半導体ウエハWに、第5処理ユニット群Gに属するポストエクスポージャーベークユニット(PEB)によってポストエクスポージャーベーク処理が行われる。さらに、半導体ウエハWは、第2処理ユニット群Gに属する現像ユニット(DEV)によって現像処理、ポストベークユニット(POST)によってポストベーク処理、高精度温調ユニット(CPL−G)によって温調処理が行われる。以上の手順によって、レジストパターンのパターニングが行われる。
図1に示したプロセス監視装置100によってプロセスの監視を行う場合、プロセスの監視を開始する前に、予め半導体ウエハに対するプロセスが正常に行われた際の動画像をカメラ101によって撮像する。そして、撮影した動画データをデータ記憶部104に記憶しておき、グループ演算部103がデータ記憶部104の動画データの中から正常なグループを区分けし、その正常なグループの情報(特徴量)を利用することによって閾値を求めておくものとする。
この動画データの収集は、装置モジュール毎に、かつ、レシピ毎に行う必要があり、また、液の揺らぎ等があるため、1レシピについて複数回(例えば、10〜20回)動画データを収集(取得)する。なお、データ記憶部104に予め前回までの閾値が設定されている場合は、上述した事前準備のための処理作業(動画取得)は不要である。
以下、図8のフローチャートを参照してこの実施形態の塗布現像装置110の動作を説明する。
この塗布現像装置110では、処理を開始する際に、集中制御部119からプロセス監視装置100にプロセス開始コマンドが発行される。
プロセス監視装置100では、プロセス開始コマンドが受信されると(図8のステップS101のYes)、録画制御部102がカメラ101に対して撮像を指示する。これによってカメラ101によって半導体ウエハWに対するレジスト塗布等の処理の様子(状態)の撮像が開始される。
カメラ101によって撮像された動画像(動画データ)は録画制御部102によって取得される。
録画制御部102は、取得した動画データにタイムスタンプを付加し、そして動画ファイルとしてデータ記憶部104に順次バッファリング、つまり録画する(ステップS102)。この際、各動画ファイルの動画管理情報(図2参照)が記憶される。タイムスタンプとは、動画データの各フレーム毎に対して録画制御部102が付加する録画時刻(動画取得時刻)の情報であり、その中には、録画開始時刻、録画終了時刻などが含まれる。
そして、数十回の処理が行われて、データ記憶部104に一定の数の動画ファイル(例えば10〜20ファイルなど)が蓄積(収集)されると(ステップS103のYes)、グループ演算部103は、データ記憶部104の動画ファイルを動画データとして読み出す。そして、読み出した動画データからフレーム画像を順次切り出すことによって、フレーム毎の特徴量を抽出し(ステップS104)、データ記憶部104に記憶する。
グループ演算部103は、データ記憶部104に記憶した動画データの中から、予め設定された条件に従って検査対象の区間を特定する(ステップS105)。
ここで、例えば定常的に行われる処理の一環の動作でノズルやアームが動く動画が含まれる区間(時間帯)などを検査対象外の区間として除外するものとする。
予め設定された条件とは、処理前の事前確認の動作で、例えば5つの正常動画のうち3つ以上の動画の異常度が閾値を超えていた場合、その区間を除外フレームとする等である。なお除外フレームの端を決める際には、録画開始のタイミングを考慮し、除外フレームとして特定したフレームの前後2フレームも除外フレームとする。
グループ演算部103は、特定した検査対象の区間において複数回行った処理の同時刻のフレームの複数の特徴量をデータ記憶部104から読み出し、複数の特徴量から同じグループに属するフレーム(特徴量)とそれ以外のフレーム(特徴量)とを分類(グループ分け)する(ステップS106)。
ここでの正常な動画のグループの抽出(グループ分け)に相互部分空間法を用いる。
相互部分空間法は、動画のフレームどうしの特徴量の分布がどれだけ似ているかを類似度として出力する手法である。類似度は0-1の間の数値で出力されるので、この0-1の間で閾値を設定する(例えば0.5等)。また、この他、類似度の高い上位半分のフレームを抽出することで、正常なグループのフレームを選出することができる。
そして、グループ演算部103は、同じグループに属するフレーム画像を正常な処理のフレーム画像とし、その情報を正常系動作情報(図3参照)としてデータ記憶部104に記憶する。
続いて、グループ演算部103は、データ記憶部104の選出された正常な動画データの異常度を求め、求めた異常度を基に異常判定用の閾値をフレーム毎に生成する。
ここでの異常度は、部分空間法によって求める。具体的には、正常な動画データの同時刻の複数のフレーム画像の特徴量の空間上の分布と、正常な動画データの中の一つのフレーム画像の特徴量とを比較し、互いの距離を異常度として算出する。この異常度をフレーム毎に求める。そして、求めた複数の異常度の上位の値に一定の係数をかけて異常判定用の閾値をフレーム毎に生成し、データ記憶部104に記憶(設定)する(ステップS107)。
なお、閾値の決め方として、例えば前後5フレームずつ(計11フレーム)の範囲内での最大の異常度の値を取得し、取得した値に係数をかけて閾値としてもよい。また異常度の値に単に係数(固定値)をかけるだけでなく、すべての正常動画のフレームの異常度のうち異常度が比較的高い数パーセントのフレームの異常度の値を閾値としてもよい。
学習異常判定部105は、監視対象のプロセスをカメラ101が撮像して新たな動画データがデータ記憶部104に記憶される。そして、学習異常判定部105は、データ記憶部104から動画データを読み出して、プロセスの異常事象の発生の有無を監視する。
この際、データ記憶部104に記憶された学習データ(学習された正常な動画データの異常度から求めた閾値)と、新たにプロセスをカメラ101が撮像して取り込んだ検査対象の動画データの異常度とをフレーム毎に比較して正常か異常かを判定する。
判定の結果、新たに取り込んだ検査対象の動画データの異常度が閾値を超え、異常と判定した場合、学習異常判定部105は、該当する動画データから異常フレームを抽出し(ステップS108)、検査結果(図4参照)としてデータ記憶部104に記憶する。そして、異常を示すイベントを発行するようイベント発行部107に指示し、イベント発行部107は、この指示に従い異常イベントを発行する(ステップS109)。
具体的には、新たな動画のフレーム画像から算出した特徴量の異常度の値と異常を示す閾値とを比較し、新たな動画の特徴量の異常度の値が異常を示す閾値を超えている場合は、イベント発行部107から異常事象が発生した旨のイベント発報を行う。
これによって、塗布現像装置110の異常事象が発生したモジュールが停止され、プロセス状態が不良な半導体ウエハが大量に発生することを防止することができる。
(学習動作)
また、学習異常判定部105は、正常な動画データのフレーム画像の特徴量を計算し、フレーム画像と対応する特徴量とをデータ記憶部104に登録する。
さらに、学習に十分な数の正常な動画データがデータ記憶部104に登録された後は、このデータ記憶部104から正常な動画データの同時刻の特徴量を読み出し、異常判定用の閾値を生成および更新することによって学習し、そして、正常な動画のグループの範囲とそれ以外のものとの境界をより現実の処理に則したものに近づける。
以下、図9〜図11のフローチャートを参照して、上述した図8のフローチャートについて詳細に説明する。
(S102:動画録画)
録画制御部102は、プロセスの処理開始コマンドか受信されると(図9のステップS201)、データ記憶部104への動画の録画(バッファリング)を開始し(ステップS202)、プロセスの処理終了コマンドが受信されると(ステップS203のYes)、バッファリングしている動画を、プロセスモジュールID、レシピID、ウエハIDと対応づけてデータ記憶部104に保存する(ステップS204)。
(S104:特徴量抽出のための前処理)
特徴量抽出処理を行うためには、事前処理として、動画データの前処理を行う。
この場合は、グループ演算部103は、まず、データ記憶部104に記憶されている動画データからフレームを一枚読み出し画像を切り出す(図10のステップ211)。
読み出した画像は、カラー画像のため、次に、グループ演算部103は、カラー画像をグレー化するグレー化処理を行い(ステップ212)、メディアンフィルタ等によって、ノイズ除去処理を行った後(ステップ213)、2値化処理を行う(ステップ214)。
最後に、グループ演算部103は、画像をパッチ分割し、細かなメッシュ領域を設定する。つまりグループ演算部103は、ROI(Region Of Interest)設定を行い(ステップ215)、ROIの単位によって画像全体の検査を行う。これによって、ROI設定動作が終了する。
(S104:特徴量抽出)
例えばST−patch(space-time-patch)特徴量抽出などの手法によって動画フレームの特徴量抽出を行う。
特徴量を抽出する場合、具体的には、図11に示すように、まず、ROI内でのパッチ(patch)サイズ、移動間隔の設定を行う。この設定は、例えば10×10ピクセル等とする(ステップS221)。
次に、パッチ内の各ピクセルで、dx,dx×dy,dx×dt,dy,dy×dt,dtの6次元ベクトルを計算する(ステップS222)。
この後、パッチ内の各ピクセルのベクトルを要素ごとに総和(Σdx,Σdx×dy,Σdx×dt,Σdy,Σdy×dt,Σdt)をとる(ステップS223)。
そして、ROI内の各パッチの特徴量ベクトルをつなげていった6×(パッチ数)次元の特徴量を生成する(ステップS224。)
(S108:異常フレーム検出)
学習異常判定部105は、部分空間法を用いて異常なフレームを検出する。
すなわち、学習異常判定部105は、特徴量抽出によって生成された検査対象のフレームの特徴量と、正常時動画のフレームの特徴量の空間上の分布との距離がどの程度離れているか、つまり互いの差を距離(スカラー量)として求める。そして、求めた距離を異常判定用の閾値と比較する。比較の結果、距離が閾値を超える場合、学習異常判定部105は、検査対象のフレームを異常フレームと判定し、そのフレームを異常フレームとして出力するよう検査結果出力部106に指示する。
検査結果出力部106は、学習異常判定部105からの指示に従い、当該動画データのフレーム番号およびフレーム位置を出力し、出力された検査結果の情報がモニタ108に出力され、図12に示す画面70の異常フレームの番号表示欄73に追加される。
図12に示すように、画面70には、動画ファイルのファイル名71、異常フレームの数の表示欄72、異常フレームの番号表示欄73、選択した画像(フレーム)の表示を指示するボタン74、当該フレームの特徴量を、ROIの番号によって選択するためのボタン75、選択されたROIの番号の特徴量の異常度と閾値をグラフ化して表示することを指示するためのボタン76などが表示されている。
作業者が、画面70の番号表示欄73から所望の番号をカーソルなどによって選択し、ボタン74をクリック操作することで、検査結果出力部106は、該当フレーム画像をデータ記憶部104から読み出して、ポップアップ画面80に表示する。
ポップアップ画面80に表示されたフレーム画像には、図中円形で囲んだ領域81に、液玉が発生している。
なお、液玉の発生とは、ノズルから吐出した液が玉状となって半導体ウエハ上を転がる事象である。液玉が止まって半導体ウエハ上に付着する際に、現像工程において形成されるレジストパターンが倒れる可能性がある。
また、作業者が、画面70のボタン75にてROIの番号を選択し、ボタン76をクリック操作することによって、検査結果出力部106は、該当動画の各フレーム画像の異常度と正常動画の各フレーム画像から求めた閾値とをデータ記憶部104から読み出し、異常度と閾値のそれぞれのグラフを生成し、ポップアップ画面82に表示する。ポップアップ画面82のグラフの縦軸はノルムによる距離、横軸は動画のフレーム画像の番号(位置)を示すものである。
また、符号85の破線は、フレーム毎の閾値の線グラフ(フレーム毎の閾値の点を線で繋げたもの)を示し、符号86の実線は、実側された動画の各フレームの異常度の線グラフ(フレーム毎の異常度の値の点を線で繋げたもの)を示す。
この場合、ポップアップ画面80に表示されたフレーム画像の図中円形で囲んだ領域81が液玉の発生した部位である。ポップアップ画面82のグラフでは、実線86のこの位置の距離87が他と比べて突出した状態となっていることが分かる。これによって、異常事象が発生したことを検知することができる。
なお、ポップアップ画面82のグラフとポップアップ画面80のフレーム画像とが関連付けられている。また、上記操作とは逆にグラフを先に表しておき、グラフ上でピークの位置を、マウスによってクリック操作し指定する。そして、検査結果出力部106は、その位置のフレーム画像をデータ記憶部104から読み出し、ポップアップ画面80に表示するので、グラフの突出した位置(符号87の部位)を選択することで異常フレームの個所を容易に見つけることもできる。
したがって、作業者が、ポップアップ画面82のグラフを見ることによって、異常事象の発生の有無を容易に認識することができ、グラフ上の異常事象の発生位置を指定することによって、異常事象の発生した動画のフレーム画像を容易に確認することができる。これによって、異常事象が例えば液玉の発生であることを容易に確認することができる。
なお、塗布現像装置110においては、上記した液玉の他、例えば、リンス液スプラッシュの発生、表面揺らぎ、現像液飛び跳ね等の異常事象がある。リンス液スプラッシュとは、半導体ウエハ脇において吐出された薬液が振り切られ、大きな液滴となって半導体ウエハを囲むカップの壁に衝突し跳ね返って半導体ウエハ上に落下する現象であり、半導体ウエハ上に形成されたレジストパターンを倒す可能性がある。表面揺らぎは、ノズルからの吐出量が多すぎる場合等に液面が揺らぐ減少であり、ムラが発生する可能性がある。現像液飛び跳ねは、ノズルからの吐出圧力が高すぎる等の原因によって、薬液が飛び跳ねる現象であり、薬液が半導体ウエハ上に落下した際に、半導体ウエハ上に形成されたレジストパターンを倒す可能性がある。
正常な動画のフレーム画像から閾値を生成しているので、この閾値を超える特徴量を持つものは、全て異常フレームとされるので、上記さまざまな異常事象についても検出することができる。
上記実施形態の塗布現像装置110によれば、カメラ101によって複数回撮像されたタイムスタンプ付きの動画データは、データ記憶部104に記憶し、複数の動画データの同時刻のフレームを、正常なグループとこのグループ以外のものにグループ分けする。そして、異常なフレームを検出するための閾値は、正常なグループのフレームを基に生成する。よって、上記閾値を超えるような、正常なフレームのグループに属さない値をとるものは、全て異常と判定できるので、例えばリンス液スプラッシュの他、液玉の発生、表面揺らぎ、現像液飛び跳ね等のさまざまな異常事象を検出することができる。
すなわち、突発的または不規則に発生する一般的な異常の検出を容易かつ確実に行うことができる。
上記実施形態では、半導体ウエハにフォトレジストの塗布処理及び現像処理を施す塗布現像装置110を例として、半導体ウエハにノズルから液体を供給し、そして処理する場合の監視について説明した。また、上記実施形態の半導体製造装置において、他の処理の監視についても同様に適用することができる。
例えば、半導体製造装置においては、半導体ウエハを搬送する搬送系の監視についても同様に適用できる。搬送系の監視の場合、搬送装置上における半導体ウエハの位置ズレ等を監視し、異常と判定された場合は搬送を停止することによって、半導体ウエハを構造物からに衝突させて破損してしまうことを未然に防止することができる。
また、被処理基板としては、半導体ウエハに限らず、例えば液晶表示装置用の基板、有機EL用基板、太陽光パネル等の処理の監視についても同様に適用することができる。
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、実施形態に示した構成要素の中で各種の変更(構成要素の組み合わせの変更や一部削除等)が可能であることは勿論である。
100……プロセス監視装置、101……カメラ、102……録画制御部、103……グループ演算部、104……データ記憶部、105……学習異常判定部、106……検査結果出力部、107……イベント発行部、110……塗布現像装置。

Claims (9)

  1. 被処理基板を処理するプロセスの状態を監視する基板処理装置の監視装置であって、
    前記プロセスの処理の状態を撮像する撮像部と、
    記憶部と、
    前記撮像手段によって撮像された動画にタイムスタンプを付加して前記記憶部に記憶する記憶制御部と、
    前記記憶部に記憶された複数の動画を、正常なグループの動画と前記正常なグループ以外の動画にグループ分けするグループ分類部と、
    前記グループ分類部によってグループ分けされた前記正常なグループの動画を基に、異常な動画を検出するための閾値を生成する閾値生成部と
    を具備することを特徴とする基板処理装置の監視装置。
  2. 前記閾値生成部によって生成された閾値に従い前記記憶部に記憶された動画から、異常動画のフレームを抽出する異常抽出部を具備することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置の監視装置。
  3. 前記異常抽出部によって抽出された異常フレームを表示可能な画面を出力する画面出力部を具備することを特徴とする請求項1または請求項2いずれかに記載の基板処理装置の監視装置。
  4. 前記グループ分類部は、
    部分空間法を用いて前記動画をグループ分けすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置の監視装置。
  5. 前記閾値生成部は、
    前記閾値を動画毎に生成する請求項1記載の基板処理装置の監視装置。
  6. 前記閾値生成部は、
    前記正常なグループの動画を学習して正常なグループの範囲を更新する学習部を具備することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置の監視装置。
  7. 前記異常抽出部によって異常フレームが検出されたことを通知するためのイベント信号を所定の報知先へ送信するイベント発行部を具備することを特徴とする請求項3記載の基板処理装置の監視装置。
  8. 被処理基板を処理するプロセスの状態を監視する基板処理装置において、
    前記プロセスの処理の状態を撮像する撮像部と、
    記憶部と、
    前記撮像手段によって撮像された動画にタイムスタンプを付加して前記記憶部に記憶する記憶制御部と、
    前記記憶部に記憶された複数の動画を、正常なグループの動画と前記正常なグループ以外の動画にグループ分けするグループ分類部と、
    前記グループ分類部によってグループ分けされた前記正常なグループの動画を基に、異常な動画を検出するための閾値を生成する閾値生成部と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  9. 被処理基板を処理するプロセスの状態を監視する基板処理装置の監視方法であって、
    前記プロセスの処理の状態を撮像する撮像ステップと、
    前記撮像ステップによって撮像された動画にタイムスタンプを付加して記憶する記憶ステップと、
    前記記憶された複数の動画を、正常なグループの動画と前記正常なグループ以外の動画にグループ分けするグループ分類ステップと、
    前記グループ分類ステップによってグループ分けされた前記正常なグループの動画を基に、異常な動画を検出するための閾値を生成する閾値生成ステップと
    を有することを特徴とする基板処理装置の監視方法。
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KR1020140015363A KR102147549B1 (ko) 2013-02-22 2014-02-11 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 감시 장치 및 기판 처리 장치의 감시 방법
US14/183,912 US9927373B2 (en) 2013-02-22 2014-02-19 Substrate processing apparatus, monitoring device of substrate processing apparatus, and monitoring method of substrate processing apparatus

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020091829A (ja) * 2018-11-27 2020-06-11 株式会社アジラ 不審体・異常体検出装置
JPWO2021152685A1 (ja) * 2020-01-28 2021-08-05
WO2023127240A1 (ja) 2021-12-27 2023-07-06 株式会社Screenホールディングス 動作監視方法および製造装置
WO2023127239A1 (ja) 2021-12-27 2023-07-06 株式会社Screenホールディングス 動作監視方法および製造装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10043060B2 (en) * 2008-07-21 2018-08-07 Facefirst, Inc. Biometric notification system
JP6948128B2 (ja) * 2017-01-13 2021-10-13 キヤノン株式会社 映像監視装置及びその制御方法及びシステム
US10656518B2 (en) * 2017-12-17 2020-05-19 United Microelectronics Corp. Automatic inline detection and wafer disposition system and method for automatic inline detection and wafer disposition
JP2021108367A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、基板処理方法、基板処理システム、及び学習用データの生成方法
FR3115619B1 (fr) * 2020-10-23 2022-10-28 Framatome Sa Méthode et ensemble d’inspection d’une pluralité d’éléments d’une installation industrielle

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000047651A (ja) * 1998-07-29 2000-02-18 Mitsubishi Electric Corp 映像再生装置
JP2003017378A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Toshiba Corp 半導体処理装置、半導体処理システムおよび半導体処理管理方法
JP2004031381A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Hitachi High-Technologies Corp 半導体製造装置及びその診断装置ならびに半導体製造装置の運用システム
JP2008234551A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Hitachi Ltd 異常検知装置及び異常検知プログラム
JP2011007553A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検出方法及び装置
JP2012239518A (ja) * 2011-05-16 2012-12-10 Hoya Corp 電子内視鏡システム並びに画像処理方法及びソフトウェア

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5032727A (en) * 1990-09-14 1991-07-16 Digital Equipment Corporation Product defect detection using thermal ratio analysis
JP3017384B2 (ja) * 1993-07-19 2000-03-06 シャープ株式会社 特徴領域抽出装置
US20020110354A1 (en) * 1997-01-09 2002-08-15 Osamu Ikeda Image recording and editing apparatus, and method for capturing and editing an image
JP3752338B2 (ja) * 1997-01-31 2006-03-08 オリンパス株式会社 マクロ検査装置及びプロセスモニタリング方法
US6476913B1 (en) * 1998-11-30 2002-11-05 Hitachi, Ltd. Inspection method, apparatus and system for circuit pattern
US6845342B1 (en) * 1999-05-21 2005-01-18 The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services Determination of an empirical statistical distribution of the diffusion tensor in MRI
JP2001168160A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Sony Corp 半導体ウェハの検査システム
EP1762979B1 (en) * 2000-12-15 2011-04-13 Sony Corporation Layered image based rendering
CA2476072A1 (en) * 2002-02-13 2003-09-18 Reify Corporation Method and apparatus for acquisition, compression, and characterization of spatiotemporal signals
JP4095860B2 (ja) * 2002-08-12 2008-06-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
US20060044398A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Foong Annie P Digital image classification system
JP2006080918A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Toshiba Corp メタデータのデータ構造及びメタデータの再生装置と方法
JP2007206833A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Toshiba Corp 生体照合方法および生体照合装置
US8337405B2 (en) * 2007-06-08 2012-12-25 Raytheon Company System and method for automatic detection of anomalies in images
JP4616864B2 (ja) * 2007-06-20 2011-01-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 外観検査方法及びその装置および画像処理評価システム
JP5156452B2 (ja) * 2008-03-27 2013-03-06 東京エレクトロン株式会社 欠陥分類方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び欠陥分類装置
JP5369643B2 (ja) * 2008-06-10 2013-12-18 富士通セミコンダクター株式会社 欠陥検査装置
US8457390B1 (en) * 2008-10-10 2013-06-04 Cognex Corporation Method and apparatus for training a probe model based machine vision system
US20100269232A1 (en) * 2009-04-17 2010-10-21 Richard Kenton Workman Scanning Probe Microscope that Outputs Metadata with Image
JP5195673B2 (ja) 2009-07-06 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP5366756B2 (ja) * 2009-10-19 2013-12-11 キヤノン株式会社 情報処理装置及び情報処理方法
US8600108B2 (en) * 2010-01-25 2013-12-03 Hewlett-Packard Development Compant, L.P. Data processing system and method
JP2011247957A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Toshiba Corp パターン検査方法および半導体装置の製造方法
JP5672480B2 (ja) * 2010-08-30 2015-02-18 スズキ株式会社 ビードの終端部の形状を判定する装置及びその方法
KR20120035422A (ko) * 2010-10-05 2012-04-16 삼성전자주식회사 반도체 소자의 이미지 형성 방법, 이를 이용한 반도체 소자의 결함 검사 방법
JP2012185149A (ja) * 2011-02-17 2012-09-27 Ricoh Co Ltd 欠陥検査装置及び欠陥検査処理方法
JP2013152535A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Fujitsu Ltd 画像ファイル生成装置、画像ファイル解析装置、画像ファイル生成方法、画像ファイル解析方法、画像ファイル生成プログラム、及び画像ファイル解析プログラム
JP5497144B2 (ja) * 2012-03-07 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置のプロセス監視装置及び半導体製造装置のプロセス監方法並びに半導体製造装置
WO2013140667A1 (ja) * 2012-03-21 2013-09-26 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 画像処理装置
JP5799928B2 (ja) * 2012-09-28 2015-10-28 カシオ計算機株式会社 閾値設定装置、被写体検出装置、閾値設定方法及びプログラム
US9317781B2 (en) * 2013-03-14 2016-04-19 Microsoft Technology Licensing, Llc Multiple cluster instance learning for image classification

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000047651A (ja) * 1998-07-29 2000-02-18 Mitsubishi Electric Corp 映像再生装置
JP2003017378A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Toshiba Corp 半導体処理装置、半導体処理システムおよび半導体処理管理方法
JP2004031381A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Hitachi High-Technologies Corp 半導体製造装置及びその診断装置ならびに半導体製造装置の運用システム
JP2008234551A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Hitachi Ltd 異常検知装置及び異常検知プログラム
JP2011007553A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検出方法及び装置
JP2012239518A (ja) * 2011-05-16 2012-12-10 Hoya Corp 電子内視鏡システム並びに画像処理方法及びソフトウェア

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
松本 一則,ほか: "ショット検出を頑強にするための学習用データの生成手法", 電子情報通信学会技術研究報告, vol. 105, no. 118, JPN6015020022, 16 June 2005 (2005-06-16), JP, pages 31 - 36, ISSN: 0003078288 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020091829A (ja) * 2018-11-27 2020-06-11 株式会社アジラ 不審体・異常体検出装置
US11238597B2 (en) 2018-11-27 2022-02-01 Asilla, Inc. Suspicious or abnormal subject detecting device
JPWO2021152685A1 (ja) * 2020-01-28 2021-08-05
WO2021152685A1 (ja) * 2020-01-28 2021-08-05 日本電信電話株式会社 異常度算出装置、異常音検知装置、これらの方法及びプログラム
JP7310937B2 (ja) 2020-01-28 2023-07-19 日本電信電話株式会社 異常度算出装置、異常音検知装置、これらの方法及びプログラム
WO2023127240A1 (ja) 2021-12-27 2023-07-06 株式会社Screenホールディングス 動作監視方法および製造装置
WO2023127239A1 (ja) 2021-12-27 2023-07-06 株式会社Screenホールディングス 動作監視方法および製造装置

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