JP2014165335A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チップサイズパッケージの半導体装置1は、素子形成面2Aを有する基板2と、素子形成面2Aに設けられたパッド端子5と、パッド端子5から延び出たCu再配線9と、Cu再配線9の表面9Dを被覆する樹脂膜16とを含む。Cu再配線9の表面9Dは、粗化処理された粗面Sを含む。
【選択図】図1
Description
請求項1の構成によれば、Cu再配線の表面における粗面は、その凹凸が樹脂膜に食い込むように樹脂膜に密着する。これによって、樹脂膜はCu再配線の表面から剥がれにくくなるので、Cu再配線と、その周囲の樹脂膜との密着性の向上を図ることができる。
請求項2の構成によれば、有機被膜が、Cu再配線の表面のコーティング膜となって、Cu再配線の表面と樹脂膜とをより強固に密着させるので、Cu再配線と、その周囲の樹脂膜との密着性の更なる向上を図ることができる。
請求項4記載の発明のように、前記粗面における反射率は、20%以上25%以下であることが好ましい。
請求項5記載の発明のように、前記粗面の表面粗さRzは、0.95μm以上であることが好ましい。
請求項6の構成によれば、Cu再配線の表面における粗面は、その凹凸が樹脂膜の第2樹脂膜に食い込むように第2樹脂膜に密着する。これによって、第2樹脂膜はCu再配線の表面から剥がれにくくなるので、Cu再配線と、その周囲の第2樹脂膜との密着性の向上を図ることができる。
請求項7の構成によれば、第1樹脂膜および第2樹脂膜という樹脂膜同士が強固に密着していることから、第1樹脂膜と第2樹脂膜との接触部分の周囲においては、第2樹脂膜はCu再配線の表面から剥がれにくくなるので、Cu再配線と、その周囲の第2樹脂膜との密着性の更なる向上を図ることができる。
請求項8の構成によれば、外部接続端子の挟み部分が第2樹脂膜をCu再配線へ押さえ付けていることから、挟み部分の周囲においては、第2樹脂膜はCu再配線の表面から剥がれにくくなるので、Cu再配線と、その周囲の第2樹脂膜との密着性の更なる向上を図ることができる。
請求項10記載の発明のように、前記Cu再配線の表面の粗化処理は、エッチング液で当該表面をエッチングする処理を含むことが好ましい。
請求項12記載の発明は、前記Cu再配線の表面と前記樹脂膜との間に、CおよびNからなる有機被膜を形成する工程を含む、請求項9〜11のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法である。
請求項13記載の発明のように、前記樹脂膜を貫通して前記Cu再配線に接続される外部接続端子を形成する工程を含んでいてもよい。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の模式的な断面図である。図2は、図1の要部の平面図である。
図1を参照して、この半導体装置1は、ウェーハレベル−チップサイズパッケージ(WL−CSP)であり、スマートフォン等のモバイル機器に搭載され、高機能、小型化、軽量化に対応した超小型パッケージである。
基板2は、Si(シリコン)等の半導体からなり、所定の厚み(図1における上下方向の寸法)を有している。図1における基板2の上面が、素子形成面2Aである。素子形成面2Aには、トランジスタやダイオード等といった回路素子3が形成されている。なお、回路素子3は、複数設けられて、素子形成面2Aにおける複数の領域に配置されていてもよく、各回路素子3の種類(機能)が異なっていてもよい。
パッド端子5は、Al(アルミニウム)からなる膜状である。基板2の厚さ方向(以下では、単に「厚さ方向」という)から見た平面視(図1では上から見た場合であって、以下では、単に「平面視」という)において、パッド端子5は、たとえば矩形状をなしている(図2参照)。パッド端子5は、酸化膜4上(換言すれば、酸化膜4に被覆された素子形成面2A)に設けられている。パッド端子5は、素子形成面2Aに形成された回路素子3の数に応じて複数設けられていてもよい。パッド端子5は、対応する回路素子3に対して電気的に接続されている。パッド端子5において、素子形成面2A側とは反対側の面(図1における上面)を、表面5Aということにする。
Cu再配線9は、パッド端子5と、平面視においてパッド端子5から離れた位置にある外部接続端子13とを中継する配線である。Cu再配線9は、第1バリア膜8と同様に、第1樹脂膜7の貫通孔7Aに入り込んで、傾斜面7Bの全域を覆い、パッド端子5の表面5Aにおいてパッシベーション膜6の貫通孔6Aおよび第1樹脂膜7の貫通孔7Aから露出された部分の全域も覆っている。Cu再配線9は、平面視において直線的に延びる帯状であり(図2参照)、パッド端子5の表面5Aから、(図1では右側へ)延び出ている。Cu再配線9の長手方向(図1における左右方向)において、一端部(図1における左端部)9Aが、第1樹脂膜7の貫通孔7Aに入り込んで、第1バリア膜8を介して、パッド端子5の表面5Aに対して電気的に接続されている。一方、Cu再配線9の長手方向の他端部(図1における右端部)9Bは、当該長手方向において一端部9Aから最も離れている。ここで、Cu再配線9において一端部9Aと他端部9Bとの間の部分を、中間部9Cということにする。Cu再配線9における電気抵抗を下げて高効率化および省電力化を図るために、Cu再配線9の幅W(当該長手方向に直交する短手方向における寸法)は、690μmと比較的に広めになっている(図2参照)。
Cu再配線9の表面9Dに粗面Sを形成せずに、表面9Dを有機被膜10で覆うだけでも、密着力低下をある程度抑えることができる。しかし、前述したように、Cu再配線9の幅W(図2参照)は、690μmと比較的広いので、Cu再配線9と樹脂膜16(第2樹脂膜11)との対向面積が広くなっている。この場合、Cu再配線9と樹脂膜16との密着性を前記対向面積全域に亘って維持することは、Cu再配線9の表面9Dを有機被膜10で覆うだけでは困難である。特に、Cu再配線9において一端部9Aと他端部9Bとの間の中間部9C(図2において1点鎖線で囲った領域)における(Cu再配線9と樹脂膜16との)密着性の確保は難しい。
第2樹脂膜11では、平面視においてCu再配線9の他端部9Bと一致する部分に、貫通孔11Aが形成されている。第2樹脂膜11において貫通孔11Aを縁取る部分は、傾斜面11Bになっていて、貫通孔11Aは、基板2から離れるのに従って、次第に大きくなっている。第2樹脂膜11において、素子形成面2A側とは反対側の面(図1における上面)を、表面11Cということにする。
この半導体装置1では、回路素子3と、パッド端子5と、第1バリア膜8と、Cu再配線9と、第2バリア膜12と、外部接続端子13とが電気的に接続されている。そのため、半田ボール17からの外部電力が回路素子3に供給されることによって、回路素子3が動作することができる。
次に、図3および図4A〜図4Kを参照しながら、図1に示す半導体装置1の製造方法を説明する。
まず、図4Aに示すように、基板2(厳密には、基板2の元となるウエハ)を作製する。LSI製造工程として、基板2の素子形成面2Aに、前述した酸化膜4、パッド端子5、パッシベーション膜6を形成する。
次いで、スパッタ法により、Tiからなる膜(Ti膜20)と、Cuからなる膜(Cu膜21)とを、この順番で、第1樹脂膜7上に形成する。図4Cに示すように、Ti膜20およびCu膜21は、互いに重なった状態で、第1樹脂膜7の表面7Cの全域を覆い、さらに、第1樹脂膜7の貫通孔7Aに入り込んで、第1樹脂膜7の傾斜面7Bとパッド端子5の表面5Aとを覆っている。
次いで、Cu再配線9を形成する(図3のステップS2)。具体的には、図4Eに示すように、レジストパターン22の開口23から露出されているCu膜21の表面にCuのめっきを施す。このとき、開口23に露出されているCu膜21がシード層となり、Cu膜21上にCuが堆積する。Cu膜21上のCuが所定厚さになると、開口23内には、Cu膜21およびCu膜21上のCuによって、Cu再配線9が形成される。
次に、第1樹脂膜7および有機被膜10上の全域に、ポリイミド膜を形成する。このポリイミド膜を、リソグラフィ工程により、図示しないマスクを用いて露光し、当該ポリイミド膜に熱処理(キュア処理)を施す。すると、当該ポリイミド膜は、図4Iに示すように、貫通孔11Aおよび傾斜面11Bが形成された第2樹脂膜11(樹脂膜16)となり(図3のステップS4)、有機被膜10の表面10A(換言すれば、Cu再配線9の表面9D)を被覆している。
次いで、外部接続端子13を形成する(図3のステップS5)。具体的には、図4Kに示すように、レジストパターン26の開口27から露出されているCu膜25の表面にCuのめっきを施す。このとき、開口27に露出されているCu膜25がシード層となり、Cu膜25の上にCuが堆積する。Cu膜25上のCuが所定厚さになると、開口27内には、Cu膜25およびCu膜25上のCuによって、外部接続端子13が形成される。
そして、隣り合う半導体装置1を、境界線Lで分離すると、個々の半導体装置1が得られる。
飽和蒸気加圧試験とは、半導体装置1に対して飽和蒸気を浴びせ続ける耐久試験であり、飽和蒸気加圧試験の最中に、Cu再配線9の表面9DにCuの酸化物が形成された半導体装置1は、NG(不合格)となる。飽和蒸気加圧試験の時間が長くなるほど、半導体装置1にとっては厳しくなる。
(1)粗化処理なし(粗化処理時間は0s)の場合、平均反射率は、28.3%であり、表面粗さRzは、0.89μm。
(2)粗化処理時間が30sの場合、平均反射率は、22.7%であり、表面粗さRzは、0.96μm。
(3)粗化処理時間が60sの場合、平均反射率は、21.9%であり、表面粗さRzは、1.11μm。
(4)粗化処理時間が90sの場合、平均反射率は、21.5%であり、表面粗さRzは、1.20μm。
たとえば、前述した実施形態では、Cu再配線9の表面9Dの全域に粗面Sを設けているが、表面9Dにおいて、第2樹脂膜11との密着性が弱い領域だけに粗面Sを設けても構わない。
2 基板
2A 素子形成面
5 パッド端子
7 第1樹脂膜
9 Cu再配線
9D 表面
10 有機被膜
11 第2樹脂膜
13 外部接続端子
13A 挟み部分
16 樹脂膜
S 粗面
Claims (13)
- チップサイズパッケージの半導体装置であって、
素子形成面を有する基板と、
前記素子形成面に設けられたパッド端子と、
前記パッド端子から延び出たCu再配線と、
前記Cu再配線の表面を被覆する樹脂膜とを含み、
前記Cu再配線の表面は、粗化処理された粗面を含む、半導体装置。 - 前記Cu再配線の表面と前記樹脂膜との間に配置される有機被膜を含む、請求項1記載の半導体装置。
- 前記有機被膜は、C、NおよびCuを含む化合物からなる、請求項2記載の半導体装置。
- 前記粗面における反射率は、20%以上25%以下である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記粗面の表面粗さRzは、0.95μm以上である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記樹脂膜は、
前記基板と前記Cu再配線との間に配置された第1樹脂膜と、
前記Cu再配線に対する前記第1樹脂膜の反対側に配置される第2樹脂膜とを含み、
前記粗面は、前記Cu再配線における前記第2樹脂膜との界面に設けられている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1樹脂膜と前記第2樹脂膜とが接触している、請求項6記載の半導体装置。
- 前記第2樹脂膜を貫通して前記Cu再配線に接続された外部接続端子を含み、
前記外部接続端子は、前記Cu再配線との間で前記第2樹脂膜を挟む挟み部分を含む、請求項6または7記載の半導体装置。 - チップサイズパッケージの半導体装置の製造方法であって、
基板の素子形成面にパッド端子を形成する工程と、
前記パッド端子から延び出るCu再配線を形成する工程と、
前記Cu再配線の表面を粗化処理し、当該表面に粗面を形成する工程と、
前記Cu再配線の表面を、樹脂膜で被覆する工程とを含む、半導体装置の製造方法。 - 前記Cu再配線の表面の粗化処理は、エッチング液で当該表面をエッチングする処理を含む、請求項9記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチング液は、H2O2およびH2SO4を含む、請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Cu再配線の表面と前記樹脂膜との間に、CおよびNからなる有機被膜を形成する工程を含む、請求項9〜11のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂膜を貫通して前記Cu再配線に接続される外部接続端子を形成する工程を含む、請求項9〜12のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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