JP2014165314A - 圧電素子ウエハ形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】圧電素子ウエハ形成方法は、レジスト膜形成工程(S1)、露光工程(S2)、所定レジスト膜剥離工程(S3)、圧電ウエハエッチング工程(S4)、全レジスト膜剥離工程(S5)、段差用レジスト膜形成工程(S6)、段差用露光工程(S7)、段差用レジスト膜剥離工程(S8)、圧電ウエハエッチング工程(S9)、全段差用レジスト膜剥離工程(S10)を含み、圧電ウエハの表裏の主面に所望の段差が形成されるまで段差用レジスト膜形成工程(S6)と全段差用レジスト膜剥離工程(S10)とを繰り返し、所望の段差が形成された後、レジスト膜形成工程(S12)、露光工程(S13)、所定レジスト膜剥離工程(S14)、エッチングにより表面から裏面まで貫通させる圧電ウエハ外形エッチング工程(S15)、全レジスト膜剥離工程(S16)を含んで構成される。
【選択図】図1
Description
図1および図2(a)に示すように、レジスト膜形成工程(S1)は、圧電ウエハ100の表裏主面にレジスト膜20を形成する工程である。このレジスト膜20は、スピンコート法,電着レジスト法,スプレーコート法等により耐食膜2の圧電ウエハ100の表裏主面上に形成される。
図1および図2(b)に示すように、露光工程(S2)は、レジスト膜20が形成された圧電ウエハ100を所定の外形パターンが形成されたマスク30で挟み込んでレジスト膜20を露光させる工程である。これにより、圧電ウエハ100の表裏主面に設けられたレジスト膜20の面が所定の外形パターンで露光される。
図1および図2(c)に示すように、所定レジスト膜剥離工程(S3)は、露光工程(S2)により露光された又は露光されなかった圧電ウエハ100の表裏主面に設けられたレジスト膜20を現像することにより露光された又は露光されなかった圧電ウエハ100の表裏主面に設けられたレジスト膜20を剥離する工程である。また、現像方法は、露光したレジスト膜20が剥離されるポジ型方法と露光しなかったレジスト膜20が剥離されるネガ型方法がある。
図1および図2(d)に示すように、圧電ウエハエッチング工程(S4)は、所定のレジスト膜20が剥離されて露出している圧電ウエハ100の表裏の表面をエッチングによって所望の深さまで除去し、段差を形成する工程である。つまり、圧電ウエハエッチング工程(S4)において、圧電ウエハ100の圧電素子10となる部分は、エッチングされた圧電ウエハ100の表裏の表面が0段目1となり、レジスト膜20で覆われた圧電ウエハ100の表裏の表面が1段目2となる。
図1および図2(e)に示すように、全レジスト膜剥離工程(S5)は、圧電ウエハ100上に形成されたレジスト膜20を全て剥離する工程である。
図1および図2(f)に示すように、レジスト膜形成工程(S6)は、圧電ウエハ100の表裏主面にレジスト膜20を新たに形成する工程である。このレジスト膜20は、スピンコート法,電着レジスト法,スプレーコート法等により形成される。
図1および図2(g)に示すように、段差用露光工程(S7)は、レジスト膜20が形成された圧電ウエハ100を所定の外形パターンが形成されたマスク30で挟み込んでレジスト膜20を露光させる工程である。これにより、圧電ウエハ100の表裏主面に設けられたレジスト膜20の面が所定の外形パターンで露光される。また、このとき使用するマスク30の外形パターンは、圧電ウエハ100の圧電素子10となる部分の所定の段差となる部分の奇数段部のところが露光しないように形成されている。
図1および図2(h)に示すように、段差用レジスト膜剥離工程(S8)は、段差用露光工程(S7)により露光された圧電ウエハ100の表裏主面に設けられたレジスト膜20を現像することにより露光された圧電ウエハ100の表裏主面に設けられたレジスト膜20を剥離する工程である。また、現像方法は、露光したレジスト膜20が剥離されるポジ型方法と露光しなかったレジスト膜20が剥離されるネガ型方法がある。
図1および図2(i)に示すように、圧電ウエハエッチング工程(S9)は、段差用レジスト膜20が剥離されて露出している圧電ウエハ100の表裏の表面をエッチングによって所望の深さまで除去し、段差を形成する工程である。また、段差用レジスト膜20が剥離されて露出している圧電ウエハ100は、圧電ウエハ100の圧電素子10となる部分の所定の奇数段の段差となる部分にレジスト膜20が残っているため、圧電ウエハ100の圧電素子10となる部分の所定の偶数段の段差となる部分がエッチングされることとなる。つまり、圧電ウエハエッチング工程(S4)において形成された0段目1は、圧電ウエハエッチング工程(S9)においてエッチングされた0段目1の表裏の表面が0a段目3となり、レジスト膜20で覆われた0段目1の表裏の表面が0b段目4となる。また、圧電ウエハエッチング工程(S4)において形成された1段目2は、圧電ウエハエッチング工程(S9)においてエッチングされた1段目2の表裏の表面が1a段目5となり、レジスト膜20で覆われた1段目2の表裏の表面が1b段目6となる。したがって、1回の圧電ウエハエッチング工程(S9)によって、2倍の段差が形成されることとなる。
図1および図2(j)に示すように、全レジスト膜剥離工程(S10)は、圧電ウエハ100上に形成されたレジスト膜20を全て剥離する工程である。
圧電素子10は、振動エネルギーを圧電素子10の中心に集中させるために、圧電素子10の主面の中央部が圧電素子10の主面の端部より厚く形成する必要があった。また、圧電素子10は、電気的特性を向上させるため、圧電素子10の主面の表面を滑らかにする必要があった。これらの条件を満足させるために、圧電素子10の主面の中央部が圧電素子10の主面の端部より厚く形成させる方法は、圧電ウエハ100の圧電素子10となる部分の主面の端部から圧電ウエハ100の圧電素子10となる部分の主面の中央部に向けて複数の段差を設けることにより解決している。また、圧電素子10の主面の表面を滑らかにする方法は、圧電ウエハ100の圧電素子10となる部分の主面に複数の段差を設け、1段あたりの段差の高さを小さくして圧電ウエハ100の圧電素子10となる部分の主面を滑らかにしている。つまり、圧電ウエハ100の圧電素子10となる部分に所望の段差数が形成されたかを判定し、所望の段差数が形成されていない場合は、所望の段差数になるまでレジスト膜形成工程(S6)と全レジスト膜剥離工程(S10)とを繰り返す。また、圧電ウエハ100の圧電素子10となる部分に所望の段差数が形成された場合は、レジスト膜形成工程(S12)へと進むことにより解決している。
図1および図3(a)に示すように、レジスト膜形成工程(S12)は、圧電ウエハ100の表裏主面にレジスト膜20を新たに形成する工程である。このレジスト膜20は、スピンコート法,電着レジスト法,スプレーコート法等により形成される。
図1および図3(b)に示すように、露光工程(S13)は、圧電ウエハ100の表裏主面に設けられたレジスト膜20上に圧電素子10となる部分の1辺を残すように形成された外形パターンを有したマスク30で挟み込んでレジスト膜20を露光させる工程である。これにより、圧電ウエハ100の表裏主面に設けられたレジスト膜20上に圧電素子10となる部分の1辺を残すように形成された所定の外形パターンで露光される。
図1および図3(c)に示すように、所定レジスト膜剥離工程(S14)は、露光工程(S13)により露光された又は露光されなかった圧電ウエハ100の表裏主面に設けられたレジスト膜20を現像することにより剥離する工程である。また、現像方法は、露光したレジスト膜20が剥離されるポジ型方法と露光しなかったレジスト膜20が剥離されるネガ型方法がある。また、レジスト膜20が剥離される部分は、圧電素子10となる部分の1辺を残すように形成された所定の外形パターンで露光されているため、圧電素子10となる部分の他の3辺となる。
図1および図3(d)に示すように、圧電ウエハ外形エッチング工程(S15)は、露出している圧電ウエハ100の表裏の表面の3辺をエッチングにより圧電ウエハ100の表面から裏面まで貫通させる工程である。
図1および図3(e)に示すように、全レジスト膜剥離工程(S16)は、圧電ウエハ100上に形成されたレジスト膜20を全て剥離する工程である。
2 1段目
3 0a段目
4 0b段目
5 1a段目
6 1b段目
10 圧電素子
20 レジスト膜
30 マスク
100 圧電ウエハ
Claims (1)
- 圧電ウエハの表裏の主面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜を所定の外形パターンで露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された又は露光されなかった前記レジスト膜を剥離する所定レジスト膜剥離工程と、
前記レジスト膜が剥離されて露出する部分をエッチングする圧電ウエハエッチング工程と、
前記圧電ウエハ上の全てのレジスト膜を剥離する全レジスト膜剥離工程と、
前記圧電ウエハの表裏の主面に段差用レジスト膜を形成する段差用レジスト膜形成工程と、
前記段差用レジスト膜を所定の段差の奇数段となる部分を覆う外形パターンで露光する段差用露光工程と、
前記段差用露光工程により露光された前記段差用レジスト膜を剥離する段差用レジスト膜剥離工程と、
前記段差用レジスト膜が剥離されて露出する部分をエッチングする圧電ウエハエッチング工程と、
前記圧電ウエハ上の全ての段差用レジスト膜を剥離する全段差用レジスト膜剥離工程とを含み、
前記圧電ウエハの表裏の主面に所望の段差が形成されるまで前記段差用レジスト膜形成工程と前記全段差用レジスト膜剥離工程とを繰り返し、
前記圧電ウエハの表裏の主面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜を所定の外形パターンで露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された又は露光されなかった前記レジスト膜を剥離する所定レジスト膜剥離工程と、
前記レジスト膜が剥離されて露出する部分をエッチングにより表面から裏面まで貫通させる圧電ウエハ外形エッチング工程と、
前記圧電ウエハ上の全てのレジスト膜を剥離する全レジスト膜剥離工程とを含んで構成されることを特徴とする圧電素子ウエハ形成方法。
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JP2013034634A JP6162426B2 (ja) | 2013-02-25 | 2013-02-25 | 圧電素子ウエハ形成方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015013994A (ja) * | 2014-08-14 | 2015-01-22 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 低結晶化度ハードブロックを含むエチレン/α−オレフィンインターポリマー |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006014270A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Seiko Epson Corp | 水晶振動子の製造方法、その装置及び水晶振動子 |
JP2010109527A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Epson Toyocom Corp | 水晶振動片およびその製造方法 |
JP2011199817A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-10-06 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動片の製造方法 |
-
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- 2013-02-25 JP JP2013034634A patent/JP6162426B2/ja active Active
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