JP2014157210A - 光導波路、光インターポーザ及び光源 - Google Patents
光導波路、光インターポーザ及び光源 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】光導波路を、基板1と、基板の上方に設けられ、一方の側から他方の側へ向けて延び、且つ、他方の側へ向けて断面積が小さくなる第1テーパ領域3Aを有する第1コア3と、基板の上方で且つ第1コアの上方又は下方に第1クラッド層4を挟んで設けられ、基板及び第1コアと平行に延びる複数の第2コア5とを備えるものとする。
【選択図】図1
Description
従来、石英系材料を用いた平面光回路(PLC;Planar Lightwave Circuit)が用いられているが、近年、シリコン(Si)細線導波路加工技術を応用して、SOI(Silicon on Insulator)基板上に光回路を形成する技術の研究開発が進められている。
そこで、伝搬光を立体的に伝搬させるのに、導波損失(伝搬損失)を低減しながら、製造歩留まりを向上させたい。
本光インターポーザは、基板と、基板上に設けられた光導波路と、基板上に設けられた光変調器と、基板上に設けられた光検出器とを備え、光導波路は、上述のように構成されることを要件とする。
本実施形態にかかる光導波路は、例えば、ボード間、チップ間、チップ内などのSi基板上の光配線を用いる光インターコネクトのほか、光ファイバ通信などの分野において用いられる。
ここでは、基板1は、シリコン(Si)基板(半導体基板)である。また、下部クラッド層2、中間クラッド層4及び上部クラッド層6は、SiO2クラッド層である。また、下部コア3は、Siコアである。また、上部コア5は、SiNコアである。本実施形態では、Si基板1上にSiO2層であるBOX(Buried Oxide)層とSi層であるSOI層とを備えるSOI基板を用い、SOI層をエッチングし、エッチングによって残されたSOI層によって、下部クラッド層2としてのSiO2層(BOX層)上に、下部コア3としてのSiコアを形成している。また、下部クラッド層2としてのSiO2層(BOX層)及び下部コア3としてのSiコアを、中間クラッド層4としてのSiO2層で覆い、中間クラッド層4としてのSiO2層上に、上部コア5としての複数のSiNコアを、上方から見た場合にこれらのSiNコア5の間に、即ち、複数のSiNコア5のうち左右方向で最も外側に位置する2つのSiNコア5の間にSiコア3が位置するように形成している。そして、中間クラッド層4としてのSiO2層及び上部コア5としての複数のSiNコアを、上部クラッド層6としてのSiO2層で覆っている。なお、SiNは、Siよりも屈折率が低く、SiO2に近い。このため、中間クラッド層4、上部コア5及び上部クラッド層6によって構成される上部光導波路は、下部クラッド層2、下部コア3及び中間クラッド層4によって構成される下部光導波路よりも低屈折率差の光導波路になっていることになる。
また、複数の上部コアとしての複数のSiNコア5は、Siコア3の上方に中間クラッド層4を挟んで設けられ、Siコア3のテーパ領域3Aに対応する領域を含んで一方の側から一方の側の反対側へ向けて互いに平行に延びている。つまり、複数の上部コアとしての複数のSiNコア5は、基板1の上方で且つSiコア3の上方に中間クラッド層4を挟んで設けられ、基板1及びSiコア3と平行に延びている。この場合、複数のSiNコア5のうち左右方向で最も外側に位置する2つのSiNコア5は、Siコア3に対して左右両側に位置する。そして、これらの複数のSiNコア5を含む領域(光導波路)を伝搬する光は単一の光モード(基本モード)を形成するようになっている。つまり、複数のSiNコア5の寸法及びこれらの間隔は、複数のSiNコア5を含む領域を伝搬する光が単一の光モードを形成するように設定されている。
このように、Siコア3は、その幅が、一方の側で一定になっており、その後、光の伝搬方向(光の導波方向)に沿って緩やかにテーパ状に狭くなり、最も狭くなった箇所で終端された構造になっている。また、複数のSiNコア5は、その幅が、Siコア3の幅が一定になっている領域に対応する位置の先端(終端)で最も狭くなり、光の伝搬方向に沿って緩やかにテーパ状に広くなり、Siコア3が途切れた箇所で最も広くなり、その後、一定の幅を持つ構造となっている。
なお、ここでは、一方の側(図1中、手前側)、即ち、Siコア3を含む領域(導波路)の側から、一方の側の反対側(図1中、奥側)、即ち、SiNコア5を含む領域(導波路)の側へ光が伝搬する場合を例に挙げて説明する。
伝搬光は、Siコア3を含む領域を単一モードの光として伝搬してくる。ここでは、伝搬光の単一モードを保つために、Siコア3の寸法は例えば約450nm程度の幅を有するものとなっている。この伝搬光は、Siコア3のテーパ領域3Aを含む領域(導波路)と複数のSiNコア5を含む領域(導波路)とがオーバーラップしている領域に入ると、Siコア3のテーパ領域3Aで光の伝搬方向に沿ってコア幅が狭くなっていくため、光が染み出してスポットサイズが大きくなり、Siコア3のテーパ領域3Aを含む領域で光のモードが広がる。そして、スポットサイズが大きくなった光、即ち、モードが広がった光は、Siコア3の上方に中間クラッド層4を挟んで設けられている複数のSiNコア5、即ち、1層のクラッド層4の厚さ分だけ上方に位置する複数のSiNコア5の影響を受け、断熱的に複数のSiNコア5へ結合していく。つまり、Siコア3から複数のSiNコア5へ断熱的に光強度が結合していくことで、Siコア3を含む領域を伝搬してきた光は、このオーバーラップ領域で複数のSiNコア5を含む領域に乗り移って伝搬していく。このように、伝搬光は、下部クラッド層2上に設けられたSiコア3を含む領域から、Siコア3の上方に中間クラッド層4を挟んで設けられた複数のSiNコア5を含む領域へ、高さ(厚さ)方向へシフトして、三次元的(立体的)に伝搬していく。つまり、伝搬光は、一の高さ方向位置にあるSiコア3から、Si基板1からの距離が異なる他の高さ方向位置にある複数のSiNコア5へ、高さ方向へシフトして、三次元的(立体的)に伝搬していく。この場合、Siコア3と複数のSiNコア5とを光が伝搬する際に伝搬光は高さ方向(上下方向)にずれて伝搬することになる。この際、Siコア3のテーパ領域3Aの断面積が小さくなるにつれて、伝搬光は複数のSiNコア5を含む領域に強く閉じ込められていく。つまり、このオーバーラップ領域にSiコア3のテーパ領域3Aが設けられているため、複数のSiNコア5を含む領域に伝搬光を確実に閉じ込めることが可能となる。そして、複数のSiNコア5の断面積一定領域5Bを単一モードの光として伝搬していく。このため、本光導波路を立体光導波路、あるいは、立体導波機構ともいう。このような立体光導波路を用いることで、一の層上のコアから別の層のコアへ(即ち、一の光配線層から他の光配線層へ)低損失で立体的に光を伝搬させることができるため、光配線層の多層化による高密度化を実現することが可能である。
ここでは、上述のように、複数のSiNコア5の寸法及びこれらの間隔は、伝搬光が単一の光モードを形成するように設定されている。つまり、複数のSiNコア5によって光を閉じ込め、複数のSiNコア5を含む領域を伝搬する伝搬光が単一の光モードを形成するように、複数のSiNコア5の寸法及びこれらの間隔を設定すれば良い。例えば、複数のSiNコア5のうち左右方向で最も外側に位置する2つのSiNコア5の間隔を約1μm程度とし、Siコア3が設けられている側の終端における複数のSiNコア5のそれぞれの寸法を、約300nmの幅を有し、約300nmの高さ(厚さ)を有するものとすれば良い。これにより、伝搬光は複数のSiNコア5を含む領域を単一モードの光として伝搬する。なお、複数のSiNコア5のうち左右方向で最も外側に位置する2つのSiNコア5の間隔が約1μm程度であれば、複数のSiNコア5を含む領域を伝搬する伝搬光は単一の光モードを形成する。この場合、複数のSiNコア5のうち左右方向で最も外側に位置する2つのSiNコア5の間隔を広くしすぎると、複数のSiNコア5のうち左右方向で最も外側に位置する2つのSiNコア5を含む領域に、それぞれ独立した2つの導波路が形成されてしまうことになり、複数のSiNコア5を含む領域を伝搬する伝搬光が単一の光モードを形成しなくなってしまう。また、複数のSiNコア5のそれぞれの寸法を大きくしすぎると、複数のSiNコア5を含む領域を伝搬する伝搬光が単一の光モードを形成しなくなってしまう。
以下、具体的な構成例について説明する。
まず、具体的な構成例について、図2を参照しながら説明する。
ここでは、上述のように、2つのSiNコア5の間隔(中心間隔)を、約1μm程度とし、Siコア3が設けられている側の終端における2つのSiNコア5のそれぞれの寸法を、約300nmの幅を有し、約300nmの高さ(厚さ)を有するものとすれば良い。これにより、伝搬光は2つのSiNコア5を含む領域を単一モードの光として伝搬する。また、2つのSiNコア5を、それぞれ、別の1つのSiNコア50が設けられている側の終端の最小幅が約300nm、最大幅が約400nm、長さが約80μmのテーパ領域5Cを有するものとし、また、別の1つのSiNコア50を、2つのSiNコア5が設けられている側の終端の最小幅が約300nm、最大幅が約400nm、長さが約80μmのテーパ領域50Aを有するものすれば良い。これにより、2つのSiNコア5を含む領域を伝搬してきた光は、面内方向へシフトし、別の1つのSiNコア50を含む領域を単一モードの光として伝搬していく。
Si基板1上に、厚さ約2μmのBOX層(SiO2層)と、厚さ約220nmのSOI層(Si層)とを有するSOI基板を用いる。このため、下部クラッド層2としてのSiO2層の厚さは約2μmであり、下部コア3としてのSiコアの厚さは約220nmである。また、下部コア3としてのSiコアは、終端(先端)の最小幅が約100nm、最大幅が約450nm、長さが約80μmのテーパ領域3Aと、幅が約450nmの断面積一定領域3Bとを有するものとする。また、中間クラッド層4としてのSiO2層は、厚さを約1μmとする。また、2つのSiNコア5は、上述のテーパ領域5Cに加え、いずれも、Siコア3が設けられている側の終端の最小幅が約300nm、最大幅が約400nm、長さが約80μmのテーパ領域5Aと、幅が約400nmの断面積一定領域5Bとを有するものとする。また、別の1つのSiNコア50は、上述のテーパ領域50Aに加え、幅が約400nmの断面積一定領域50Bを有するものとする。なお、2つのSiNコア5及び別の1つのSiNコア50は、高さ(厚さ)はその全長にわたって一定であり、約300nmである。また、上部クラッド層6としてのSiO2層は、厚さを約1μmとする。なお、テーパ領域を先細テーパ領域ともいう。
ここで、図2には、このような光導波路の各箇所における光強度分布(モードプロファイル)の計算結果を等高線で示してある。なお、図2に示される光強度分布において、光強度は、外側の等高線上よりも内側の等高線上のほうが強い。また、光導波路が延びる方向に垂直な断面における光強度分布が示されている。
ところで、上述の実施形態及び具体的な構成例では、2つのSiNコア5がSiコア3に対して左右両側に位置するようにしているが、これに限られるものではなく、Siコア3の直上又は直下に2つのSiNコア5のいずれか一方が位置するようにしても良い。つまり、上方から見た場合にSiコア3が2つのSiNコア5の間に挟まれているか、又は、Siコア3の直上又は直下に一方のSiNコア5が位置し、これに対して水平方向(左右方向)に離間して他方のSiNコア5が位置していれば良い。
なお、本発明は、上述した実施形態、具体的な構成例及びその変形例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
例えば図6に示すように、下層のSiコア3を含む導波路から上層の複数(ここでは2つ)のSiNコア5を含む導波路へ立体的に伝搬させた後、さらに、上層の複数のSiNコア5を含む導波路から下層の他のSiコア30を含む導波路へ立体的に伝搬させるようにしても良い。つまり、伝搬光を立体的に伝搬させる立体光導波路を、一方の側とこれの反対側の他方の側の2箇所に設けても良い。
(付記1)
基板と、
前記基板の上方に設けられ、一方の側から他方の側へ向けて延び、且つ、前記他方の側へ向けて断面積が小さくなる第1テーパ領域を有する第1コアと、
前記基板の上方で且つ前記第1コアの上方又は下方に第1クラッド層を挟んで設けられ、前記基板及び前記第1コアと平行に延びる複数の第2コアとを備えることを特徴とする光導波路。
前記第1テーパ領域は、前記他方の側へ向けて幅が狭くなる幅テーパ領域であることを特徴とする、付記1に記載の光導波路。
(付記3)
前記複数の第2コアは、それぞれ、前記一方の側に前記他方の側へ向けて断面積が大きくなる第2テーパ領域を有することを特徴とする、付記1又は2に記載の光導波路。
前記第2テーパ領域は、前記他方の側へ向けて幅が広くなる幅テーパ領域であることを特徴とする、付記3に記載の光導波路。
(付記5)
前記第1コアは、前記第1テーパ領域の前記一方の側に連なり、一定の断面積を有する第1断面積一定領域を有し、
前記複数の第2コアは、それぞれ、前記第1断面積一定領域に対応する位置から前記他方の側へ向けて延びていることを特徴とする、付記1〜4のいずれか1項に記載の光導波路。
前記複数の第2コアは、それぞれ、前記第2テーパ領域の前記他方の側に連なり、一定の断面積を有する第2断面積一定領域を有し、
前記第1コアは、前記第2断面積一定領域に対応する位置で終端されていることを特徴とする、付記3〜5のいずれか1項に記載の光導波路。
さらに、前記基板の上方に設けられ、前記他方の側から前記一方の側へ向けて延び、且つ、前記一方の側へ向けて断面積が小さくなる第3テーパ領域を有する第3コアを備え、
前記複数の第2コアは、前記第3コアの上方又は下方に第2クラッド層を挟んで設けられていることを特徴とする、付記1〜6のいずれか1項に記載の光導波路。
前記複数の第2コアは、それぞれ、前記他方の側に前記他方の側へ向けて断面積が小さくなる第4テーパ領域を有することを特徴とする、付記7に記載の光導波路。
(付記9)
前記第3コアは、前記第3テーパ領域の前記他方の側に連なり、一定の断面積を有する第3断面積一定領域を有し、
前記複数の第2コアは、それぞれ、前記第3断面積一定領域に対応する位置から前記一方の側へ向けて延びていることを特徴とする、付記7又は8に記載の光導波路。
前記複数の第2コアは、それぞれ、前記第4テーパ領域の前記一方の側に連なり、一定の断面積を有する第2断面積一定領域を有し、
前記第3コアは、前記第2断面積一定領域に対応する位置で終端されていることを特徴とする、付記8又は9に記載の光導波路。
前記第2コアの下方に、前記第2コアに対して交差する方向へ延びる立体交差コアを備えることを特徴とする、付記1〜10のいずれか1項に記載の光導波路。
(付記12)
前記複数の第2コアとして、前記他方の側に前記他方の側へ向けて断面積が小さくなる第3テーパ領域と、前記第3テーパ領域の前記一方の側に連なり、一定の断面積を有する第2断面積一定領域とを有する2つの第2コアを備え、
さらに、前記2つの第2コアの間に設けられ、前記2つの第2コアと平行に延び、前記一方の側に前記他方の側へ向けて断面積が大きくなる第4テーパ領域と、前記第4テーパ領域の前記他方の側に連なり、一定の断面積を有する第3断面積一定領域とを有する第3コアを備えることを特徴とする、付記1〜6のいずれか1項に記載の光導波路。
前記第3コアは、前記第3断面積一定領域の前記他方の側に連なり、前記他方の側へ向けて断面積が小さくなる第5テーパ領域を備え、
さらに、前記第3コアに対して両側に設けられ、前記第3コアと平行に延び、前記一方の側に前記他方の側へ向けて断面積が大きくなる第6テーパ領域と、前記第6テーパ領域の前記他方の側に連なり、一定の断面積を有する第4断面積一定領域とを有する2つの第4コアと、
前記基板の上方に設けられ、前記他方の側から前記一方の側へ向けて延び、且つ、前記一方の側へ向けて断面積が小さくなる第7テーパ領域を有する第5コアとを備え、
前記2つの第4コアは、それぞれ、前記第5コアの上方又は下方に第2クラッド層を挟んで設けられていることを特徴とする、付記12に記載の光導波路。
前記2つの第4コアは、それぞれ、前記第4断面積一定領域の前記他方の側に連なり、前記他方の側へ向けて断面積が小さくなる第8テーパ領域を有することを特徴とする、付記13に記載の光導波路。
(付記15)
前記第5コアは、前記第7テーパ領域の前記他方の側に連なり、一定の断面積を有する第5断面積一定領域を有し、
前記2つの第4コアは、それぞれ、前記第5断面積一定領域に対応する位置から前記一方の側へ向けて延びていることを特徴とする、付記13又は14に記載の光導波路。
前記第5コアは、前記第4断面積一定領域に対応する位置で終端されていることを特徴とする、付記13〜15のいずれか1項に記載の光導波路。
(付記17)
前記第3コアの下方に、前記第3コアに対して交差する方向へ延びる立体交差コアを備えることを特徴とする、付記12〜16のいずれか1項に記載の光導波路。
基板と、
前記基板上に設けられた光導波路と、
前記基板上に設けられた光変調器と、
前記基板上に設けられた光検出器とを備え、
前記光導波路は、
前記基板の上方に設けられ、一方の側から他方の側へ向けて延び、且つ、前記他方の側へ向けて断面積が小さくなる第1テーパ領域を有する第1コアと、
前記基板の上方で且つ前記第1コアの上方又は下方に第1クラッド層を挟んで設けられ、前記基板及び前記第1コアと平行に延びる複数の第2コアとを備えることを特徴とする光インターポーザ。
前記第2コアの下方に、前記第2コアに対して交差する方向へ延びる立体交差コアを備えることを特徴とする、付記18に記載の光インターポーザ。
(付記20)
基板と、
前記基板上に設けられた光導波路と、
前記基板上に設けられた発光体とを備え、
前記光導波路は、
前記基板の上方に設けられ、一方の側から他方の側へ向けて延び、且つ、前記他方の側へ向けて断面積が小さくなる第1テーパ領域を有する第1コアと、
前記基板の上方で且つ前記第1コアの上方又は下方に第1クラッド層を挟んで設けられ、前記基板及び前記第1コアと平行に延びる複数の第2コアとを備えることを特徴とする光源。
2 下部クラッド層
3 Siコア(下部コア;上部コア;第1コア)
3A テーパ領域(第1テーパ領域)
3B 断面積一定領域(第1断面積一定領域)
3X 終端部(第1終端部)
4 中間クラッド層(第2クラッド層)
5 複数のSiNコア(上部コア;下部コア;第2コア)
5A テーパ領域(第2テーパ領域)
5B 断面積一定領域(第2断面積一定領域)
5C テーパ領域(第3テーパ領域)
5X 終端部
6 上部クラッド層
10 第1立体光導波路
11 第2立体光導波路
12 伝搬部
20 光インターポーザ
21 基板
22 光導波路(立体光導波路;立体交差光導波路)
23 発光体
24 光変調器
25 光検出器
26 送受信部
27 信号処理用の光配線としての下部光導波路
28 集積回路
30 他のSiコア(第3コア;第5コア)
30A テーパ領域(第3テーパ領域;第7テーパ領域)
30B 断面積一定領域(第3断面積一定領域;第5断面積一定領域)
30X 終端部(第2終端部)
40 光源
41 基板
42 光導波路(立体光導波路;立体交差光導波路)
43 発光体(LD)
44 第1光導波路
45 第2光導波路
46 第3光導波路
44A、45A、46A コアのLDに接続される側の部分
44B、45B、46B コアの中間部
44C、45C、46C コアの光源の出力端の近傍の部分
47 下部クラッド層(BOX層)
48A 第1中間クラッド層
48B 第2中間クラッド層
49 上部クラッド層
50 別の1つのSiNコア(第3コア)
50A テーパ領域(第4テーパ領域)
50B 断面積一定領域(第3断面積一定領域)
50C テーパ領域(第5テーパ領域)
300 立体交差コア(Siコア)
500 他の2つのSiNコア(第4コア)
500A テーパ領域(第6テーパ領域)
500B 断面積一定領域(第4断面積一定領域)
500C テーパ領域(第8テーパ領域)
Claims (12)
- 基板と、
前記基板の上方に設けられ、一方の側から他方の側へ向けて延び、且つ、前記他方の側へ向けて断面積が小さくなる第1テーパ領域を有する第1コアと、
前記基板の上方で且つ前記第1コアの上方又は下方に第1クラッド層を挟んで設けられ、前記基板及び前記第1コアと平行に延びる複数の第2コアとを備えることを特徴とする光導波路。 - 前記複数の第2コアは、それぞれ、前記一方の側に前記他方の側へ向けて断面積が大きくなる第2テーパ領域を有することを特徴とする、請求項1に記載の光導波路。
- さらに、前記基板の上方に設けられ、前記他方の側から前記一方の側へ向けて延び、且つ、前記一方の側へ向けて断面積が小さくなる第3テーパ領域を有する第3コアを備え、
前記複数の第2コアは、前記第3コアの上方又は下方に第2クラッド層を挟んで設けられていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の光導波路。 - 前記複数の第2コアは、それぞれ、前記他方の側に前記他方の側へ向けて断面積が小さくなる第4テーパ領域を有することを特徴とする、請求項3に記載の光導波路。
- 前記第2コアの下方に、前記第2コアに対して交差する方向へ延びる立体交差コアを備えることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光導波路。
- 前記複数の第2コアとして、前記他方の側に前記他方の側へ向けて断面積が小さくなる第3テーパ領域と、前記第3テーパ領域の前記一方の側に連なり、一定の断面積を有する第2断面積一定領域とを有する2つの第2コアを備え、
さらに、前記2つの第2コアの間に設けられ、前記2つの第2コアと平行に延び、前記一方の側に前記他方の側へ向けて断面積が大きくなる第4テーパ領域と、前記第4テーパ領域の前記他方の側に連なり、一定の断面積を有する第3断面積一定領域とを有する第3コアを備えることを特徴とする、請求項1又は2に記載の光導波路。 - 前記第3コアは、前記第3断面積一定領域の前記他方の側に連なり、前記他方の側へ向けて断面積が小さくなる第5テーパ領域を備え、
さらに、前記第3コアに対して両側に設けられ、前記第3コアと平行に延び、前記一方の側に前記他方の側へ向けて断面積が大きくなる第6テーパ領域と、前記第6テーパ領域の前記他方の側に連なり、一定の断面積を有する第4断面積一定領域とを有する2つの第4コアと、
前記基板の上方に設けられ、前記他方の側から前記一方の側へ向けて延び、且つ、前記一方の側へ向けて断面積が小さくなる第7テーパ領域を有する第5コアとを備え、
前記2つの第4コアは、それぞれ、前記第5コアの上方又は下方に第2クラッド層を挟んで設けられていることを特徴とする、請求項6に記載の光導波路。 - 前記2つの第4コアは、それぞれ、前記第4断面積一定領域の前記他方の側に連なり、前記他方の側へ向けて断面積が小さくなる第8テーパ領域を有することを特徴とする、請求項7に記載の光導波路。
- 前記第3コアの下方に、前記第3コアに対して交差する方向へ延びる立体交差コアを備えることを特徴とする、請求項6〜8のいずれか1項に記載の光導波路。
- 基板と、
前記基板上に設けられた光導波路と、
前記基板上に設けられた光変調器と、
前記基板上に設けられた光検出器とを備え、
前記光導波路は、
前記基板の上方に設けられ、一方の側から他方の側へ向けて延び、且つ、前記他方の側へ向けて断面積が小さくなる第1テーパ領域を有する第1コアと、
前記基板の上方で且つ前記第1コアの上方又は下方に第1クラッド層を挟んで設けられ、前記基板及び前記第1コアと平行に延びる複数の第2コアとを備えることを特徴とする光インターポーザ。 - 前記第2コアの下方に、前記第2コアに対して交差する方向へ延びる立体交差コアを備えることを特徴とする、請求項10に記載の光インターポーザ。
- 基板と、
前記基板上に設けられた光導波路と、
前記基板上に設けられた発光体とを備え、
前記光導波路は、
前記基板の上方に設けられ、一方の側から他方の側へ向けて延び、且つ、前記他方の側へ向けて断面積が小さくなる第1テーパ領域を有する第1コアと、
前記基板の上方で且つ前記第1コアの上方又は下方に第1クラッド層を挟んで設けられ、前記基板及び前記第1コアと平行に延びる複数の第2コアとを備えることを特徴とする光源。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013027473A JP6247824B2 (ja) | 2013-02-15 | 2013-02-15 | 光導波路、光インターポーザ及び光源 |
US14/165,845 US9904011B2 (en) | 2013-02-15 | 2014-01-28 | Optical waveguide, optical interposer and light source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013027473A JP6247824B2 (ja) | 2013-02-15 | 2013-02-15 | 光導波路、光インターポーザ及び光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014157210A true JP2014157210A (ja) | 2014-08-28 |
JP6247824B2 JP6247824B2 (ja) | 2017-12-13 |
Family
ID=51351226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013027473A Active JP6247824B2 (ja) | 2013-02-15 | 2013-02-15 | 光導波路、光インターポーザ及び光源 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9904011B2 (ja) |
JP (1) | JP6247824B2 (ja) |
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Also Published As
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---|---|
US20140233881A1 (en) | 2014-08-21 |
US9904011B2 (en) | 2018-02-27 |
JP6247824B2 (ja) | 2017-12-13 |
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