JP2014146907A - Piezoelectric device - Google Patents

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Akira Iwasaki
彰 岩崎
Kenji Suzuki
研治 鈴木
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric device having a structure for improving the reliability of frequency control and achieving impact resistance of metal wiring.SOLUTION: A piezoelectric device includes: a semiconductor circuit board 44 on which at least a semiconductor circuit 54 is mounted; a piezoelectric vibration element 41 provided on the semiconductor circuit board 44; an attachment terminal 48 of the piezoelectric vibration element 41 which supports one side of the piezoelectric vibration element 41; and a pad 52 for a piezoelectric vibrator which is connected with the attachment terminal 48 of the piezoelectric vibration element 41. The pad 52 for the piezoelectric vibrator is disposed in an extending direction of the piezoelectric vibration element 41 with reference to the attachment terminal 48 of the piezoelectric vibration element 41.

Description

本発明は、圧電デバイスに関し、より詳細には、周波数調整の信頼性の向上と金属配線への耐衝撃性の構造を有する圧電デバイスに関する。   The present invention relates to a piezoelectric device, and more particularly, to a piezoelectric device having a structure for improving the reliability of frequency adjustment and impact resistance to metal wiring.

近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源などとして水晶などを利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その１つとして、表面実装型の圧電振動子がある。また、この種の圧電振動子は、内部電極が形成されたベース基板上に圧電振動片が導電性接着剤で固定され、リッド基板で封止されたものが一般的に知られている。   In recent years, a piezoelectric vibrator using a crystal or the like is used in a mobile phone or a portable information terminal device as a time source, a timing source such as a control signal, or a reference signal source. Various types of this type of piezoelectric vibrator are known, and one of them is a surface-mount type piezoelectric vibrator. Also, this type of piezoelectric vibrator is generally known in which a piezoelectric vibrating piece is fixed with a conductive adhesive on a base substrate on which internal electrodes are formed, and sealed with a lid substrate.

例えば、特許文献１に記載のものは、特性を劣化させることなく、シリコン基板上に圧電振動片を実装した圧電振動子に関するもので、圧電振動片と取付端子との配線構造が開示されている。
図１は、特許文献１に記載されている圧電発振器を説明するための構成図で、図２は、図１のＢ−Ｂ線断面図である。 For example, the one described in Patent Document 1 relates to a piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece is mounted on a silicon substrate without deteriorating characteristics, and a wiring structure between the piezoelectric vibrating piece and a mounting terminal is disclosed. .
FIG. 1 is a configuration diagram for explaining a piezoelectric oscillator described in Patent Document 1, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.

圧電発振器２０のシリコン基板２１の表面には、発振回路２１Ａが形成されるとともに、圧電振動子１の接続用端子２５，２６と発振回路用電極端子２７，２８，２９，３０とが形成されている。また、シリコン基板２１の表面には、圧電振動子１の接続用端子２５，２６及び発振回路用電極端子２７，２８，２９，３０の部分は開口した形で、酸化膜やチッ化膜で構成される保護膜２２が形成されている。また、保護膜２２上に金属膜３が形成され、金属膜３を覆う形で絶縁膜４が形成されている。金属膜３は圧電振動片７の実装電極５，６の真下にあたる位置に配置されている。   An oscillation circuit 21A is formed on the surface of the silicon substrate 21 of the piezoelectric oscillator 20, and connection terminals 25 and 26 of the piezoelectric vibrator 1 and oscillation circuit electrode terminals 27, 28, 29, and 30 are formed. Yes. Further, on the surface of the silicon substrate 21, the connection terminals 25 and 26 of the piezoelectric vibrator 1 and the portions of the oscillation circuit electrode terminals 27, 28, 29, and 30 are opened, and are formed of an oxide film or a nitride film. A protective film 22 is formed. Further, the metal film 3 is formed on the protective film 22, and the insulating film 4 is formed so as to cover the metal film 3. The metal film 3 is disposed at a position directly below the mounting electrodes 5 and 6 of the piezoelectric vibrating piece 7.

また、金属膜３上で、かつ、絶縁膜４上に圧電振動片７の実装電極５，６を形成するときに、シリコン基板２１上の圧電振動子１の接続用端子２５，２６と圧電振動片７の実装電極５，６とを接続する接続電極２３，２４を同時に形成する。なお、図中符号１０は励振電極、１２，１３はマウント電極、１４，１５はバンプを示している。   Further, when the mounting electrodes 5 and 6 of the piezoelectric vibrating piece 7 are formed on the metal film 3 and on the insulating film 4, the piezoelectric vibrators 1 and the connection terminals 25 and 26 of the piezoelectric vibrator 1 on the silicon substrate 21 are vibrated. Connection electrodes 23 and 24 for connecting the mounting electrodes 5 and 6 of the piece 7 are formed simultaneously. In the figure, reference numeral 10 denotes an excitation electrode, 12 and 13 denote mount electrodes, and 14 and 15 denote bumps.

特開２０１１−９７５５３号公報JP 2011-97553 A

しかしながら、上述した特許文献１においては、水晶パッドからの配線が上部から見て露出している。一般的に、水晶振動子を製造する場合、水晶の周波数バラツキを抑えるため、周波数をモニタしながら、Ａｒプラズマなどで電極を加工することにより周波数を調整している。このとき、配線が上部からみて露出していると、配線にダメージを与えるため、製造上の信頼性に影響を与えるという問題があった。   However, in Patent Document 1 described above, the wiring from the crystal pad is exposed when viewed from above. In general, when manufacturing a crystal resonator, the frequency is adjusted by processing the electrode with Ar plasma or the like while monitoring the frequency in order to suppress the frequency variation of the crystal. At this time, if the wiring is exposed when viewed from above, the wiring is damaged, so that there is a problem in that it affects the manufacturing reliability.

したがって、ＴＳＸ（温度センサ付圧電振動子）回路では、圧電振動片の下に金属配線を隠すように配線することにより、周波数調整を実施した後の信頼性を高めることができる。更に、配線にダメージが加えられにくいため、配線をより細くすることができ、これにより配線に寄生するインピーダンスを小さくすることができる。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、周波数調整の信頼性の向上と金属配線への耐衝撃性の構造を有する圧電デバイスを提供することにある。 Therefore, in the TSX (piezoelectric vibrator with temperature sensor) circuit, the reliability after the frequency adjustment is performed can be improved by wiring the metal wiring under the piezoelectric vibrating piece. Furthermore, since it is difficult to damage the wiring, it is possible to make the wiring thinner, thereby reducing the parasitic impedance of the wiring.
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a piezoelectric device having an improved reliability of frequency adjustment and a structure that is resistant to metal wiring. .

本発明は、このような目的を達成するためになされたもので、請求項１に記載の発明は、少なくとも半導体回路を搭載した半導体回路基板と、該半導体回路基板上に設けられた圧電振動素子と、該圧電振動素子の一辺を支持する圧電振動素子の取付端子と、該圧電振動素子の取付端子と接続された圧電振動子用パッドとを備えた圧電デバイスにおいて、前記圧電振動子用パッドが、前記圧電振動素子の取付端子を基準として前記圧電振動素子の延在方向に配置されていることを特徴とする。   The present invention has been made to achieve such an object, and the invention according to claim 1 is directed to a semiconductor circuit board on which at least a semiconductor circuit is mounted, and a piezoelectric vibration element provided on the semiconductor circuit board. And a piezoelectric vibrator pad connected to the piezoelectric vibration element mounting terminal supporting one side of the piezoelectric vibration element, and the piezoelectric vibrator pad connected to the piezoelectric vibration element mounting terminal. The piezoelectric vibration element is disposed in the extending direction with reference to the attachment terminal of the piezoelectric vibration element.

また、請求項２に記載の発明は、少なくとも半導体回路を搭載した半導体回路基板と、該半導体回路基板上に設けられた圧電振動素子と、該圧電振動素子の一辺を支持する圧電振動素子の取付端子と、該圧電振動素子の取付端子と接続された圧電振動子用パッドとを備えた圧電デバイスにおいて、前記圧電振動素子が配置されている前記半導体回路基板側の表面上で、かつ前記圧電振動素子の取付端子と前記圧電振動子用パッドの間に配置されている金属配線層を備え、該金属配線層が、前記圧電振動素子を平面視した時に、前記金属配線層の少なくとも一部が前記圧電振動素子に覆われるように配置されていることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor circuit board on which at least a semiconductor circuit is mounted, a piezoelectric vibration element provided on the semiconductor circuit board, and a piezoelectric vibration element that supports one side of the piezoelectric vibration element. A piezoelectric device comprising a terminal and a pad for a piezoelectric vibrator connected to a mounting terminal of the piezoelectric vibration element, on the surface of the semiconductor circuit board side where the piezoelectric vibration element is disposed, and the piezoelectric vibration A metal wiring layer disposed between a mounting terminal of the element and the piezoelectric vibrator pad, and when the metal wiring layer is a plan view of the piezoelectric vibration element, at least a part of the metal wiring layer is It arrange | positions so that it may be covered with a piezoelectric vibration element, It is characterized by the above-mentioned.

また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、前記圧電振動子用パッドが、前記圧電振動素子の取付端子を基準として前記圧電振動素子の延在方向に配置されているとともに、前記圧電振動素子が配置されている前記半導体回路基板側の表面上で、かつ前記圧電振動素子の取付端子と前記圧電振動子用パッドの間に配置されている金属配線層を備え、該金属配線層が、前記圧電振動素子を平面視した時に、前記金属配線層の少なくとも一部が前記圧電振動素子に覆われるように配置されていることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, the piezoelectric vibrator pad is disposed in an extending direction of the piezoelectric vibration element with reference to an attachment terminal of the piezoelectric vibration element. And a metal wiring layer disposed on the surface of the semiconductor circuit board on which the piezoelectric vibration element is disposed and between the attachment terminal of the piezoelectric vibration element and the pad for the piezoelectric vibrator. And the metal wiring layer is arranged so that at least a part of the metal wiring layer is covered with the piezoelectric vibration element when the piezoelectric vibration element is viewed in plan view.

また、請求項４に記載の発明は、請求項１，２又は３に記載の発明において、前記圧電振動素子の中央位置の前記半導体回路基板側に配置された温度センサを設けていることを特徴とする。
また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記温度センサが、サーミスタであることを特徴とする。
また、請求項６に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記温度センサが、サーマルダイオードであることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the first, second, or third aspect of the present invention, a temperature sensor disposed on the semiconductor circuit board side at a central position of the piezoelectric vibration element is provided. And
The invention according to claim 5 is the invention according to claim 4, wherein the temperature sensor is a thermistor.
The invention according to claim 6 is the invention according to claim 4, wherein the temperature sensor is a thermal diode.

本発明によれば、圧電振動片の下に金属配線を隠すように配線することにより、周波数調整を実施した後の信頼性を高めることができる。更に、配線にダメージが加えられにくいため、配線をより細くすることができ、これにより配線に寄生するインピーダンスを小さくすることができる。   According to the present invention, by performing wiring so as to hide the metal wiring under the piezoelectric vibrating piece, reliability after frequency adjustment can be improved. Furthermore, since it is difficult to damage the wiring, it is possible to make the wiring thinner, thereby reducing the parasitic impedance of the wiring.

特許文献１に記載されている圧電発振器を説明するための構成図である。6 is a configuration diagram for explaining a piezoelectric oscillator described in Patent Document 1. FIG. 図１のＢ−Ｂ線断面図である。It is the BB sectional view taken on the line of FIG. （ａ），（ｂ）は、本発明に係る圧電デバイスの実施例を説明するための構成図である。(A), (b) is a block diagram for demonstrating the Example of the piezoelectric device which concerns on this invention.

以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。
図３（ａ），（ｂ）は、本発明に係る圧電デバイスの実施例を説明するための構成図で、図３（ａ）は、図３（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、図３（ｂ）は上面図である。図中符号４１は圧電振動素子、４２は蓋（ＬＩＤ）部（パッケージ）、４３は接合材（Ｓｉ接着剤）、４４は半導体回路基板、４５は外部接続端子、４６はパッシベーション、４７は貫通電極配線、４８は圧電振動素子の取付端子、４９は圧電振動素子の接合材（導電性接着剤）、５０は金属再配線層、５１は電極パッド、５２は圧電振動素子用パッド、５３はグランド電位電極パッド、５４は半導体回路（ＩＣチップ）、５５は空間部、５６はＳｉ貫通電極を示している。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIGS. 3A and 3B are configuration diagrams for explaining an embodiment of the piezoelectric device according to the present invention. FIG. 3A is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 3 (b) is a top view. In the figure, reference numeral 41 is a piezoelectric vibration element, 42 is a lid (LID) portion (package), 43 is a bonding material (Si adhesive), 44 is a semiconductor circuit board, 45 is an external connection terminal, 46 is passivation, and 47 is a through electrode. Wiring 48 is a piezoelectric vibration element mounting terminal 49 is a piezoelectric vibration element bonding material (conductive adhesive) 50 is a metal rewiring layer 51 is an electrode pad 52 is a piezoelectric vibration element pad 53 is a ground potential An electrode pad, 54 is a semiconductor circuit (IC chip), 55 is a space, and 56 is a Si through electrode.

本発明の圧電デバイスは、少なくとも半導体回路５４を搭載した半導体回路基板４４と、この半導体回路基板４４上に設けられた圧電振動素子４１と、この圧電振動素子４１の一辺を支持する圧電振動素子４１の取付端子４８と、この圧電振動素子４１の取付端子４８と接続された圧電振動子用パッド５２とを備えた圧電デバイスである。
また、圧電振動子用パッド５２は、圧電振動素子４１の取付端子４８を基準として圧電振動素子４１の延在方向に配置されている。 The piezoelectric device of the present invention includes at least a semiconductor circuit board 44 on which a semiconductor circuit 54 is mounted, a piezoelectric vibration element 41 provided on the semiconductor circuit board 44, and a piezoelectric vibration element 41 that supports one side of the piezoelectric vibration element 41. And a piezoelectric vibrator pad 52 connected to the attachment terminal 48 of the piezoelectric vibration element 41.
The piezoelectric vibrator pad 52 is arranged in the extending direction of the piezoelectric vibration element 41 with the attachment terminal 48 of the piezoelectric vibration element 41 as a reference.

また、圧電振動素子４１が配置されている半導体回路基板４４側の表面上で、かつ圧電振動素子４１の取付端子４８と圧電振動子用パッド５２の間に配置されている金属配線層５０を備え、この金属配線層５０が、圧電振動素子４１を平面視した時に、金属配線層５０の少なくとも一部が圧電振動素子４１に覆われるように配置されている。
また、圧電振動子用パッド５２が、圧電振動素子４１の取付端子４８を基準として圧電振動素子４１の延在方向に配置されているとともに、圧電振動素子４１が配置されている半導体回路基板４４側の表面上で、かつ圧電振動素子４１の取付端子４８と圧電振動子用パッド５２の間に配置されている金属配線層５０を備え、この金属配線層５０が、圧電振動素子４１を平面視した時に、金属配線層５０の少なくとも一部が圧電振動素子４１に覆われるように配置されているもよい。 Further, a metal wiring layer 50 is provided on the surface on the semiconductor circuit board 44 side where the piezoelectric vibration element 41 is disposed and between the attachment terminal 48 of the piezoelectric vibration element 41 and the piezoelectric vibrator pad 52. The metal wiring layer 50 is arranged so that at least a part of the metal wiring layer 50 is covered with the piezoelectric vibration element 41 when the piezoelectric vibration element 41 is viewed in plan view.
In addition, the piezoelectric vibrator pad 52 is disposed in the extending direction of the piezoelectric vibration element 41 with respect to the mounting terminal 48 of the piezoelectric vibration element 41, and on the semiconductor circuit substrate 44 side where the piezoelectric vibration element 41 is disposed. The metal wiring layer 50 is disposed on the surface of the piezoelectric vibration element 41 and between the attachment terminal 48 of the piezoelectric vibration element 41 and the pad 52 for the piezoelectric vibrator, and the metal wiring layer 50 is a plan view of the piezoelectric vibration element 41. Sometimes, the metal wiring layer 50 may be disposed so as to be covered with the piezoelectric vibration element 41.

つまり、半導体回路基板４４には、半導体回路５４とＳｉ貫通電極（ＴＳＶ；ｔｈｒｏｕｇｈ−ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）５６が設けられており、このＳｉ貫通電極５６は、電子部品である半導体の実装技術の１つであり、シリコン製半導体チップの内部を垂直に貫通する電極である。また、半導体回路５４上の中央位置の圧電振動素子４１には、図示しないが励振電極が設けられているとともに、この励振電極の端部には引出電極が設けられている。また、引出電極の周辺の半導体回路５４上には、蒸着法やめっき法又は印刷法により形成された圧電振動素子４１の取付端子４８が設けられている。この圧電振動子４１の取付端子４８には、配線用リードとしての金属再配線層５０が設けられている。   That is, the semiconductor circuit substrate 44 is provided with a semiconductor circuit 54 and a Si through electrode (TSV) 56, and this Si through electrode 56 is one of the mounting techniques of a semiconductor that is an electronic component. It is an electrode that vertically penetrates the inside of a silicon semiconductor chip. The piezoelectric vibration element 41 at the center position on the semiconductor circuit 54 is provided with an excitation electrode (not shown), and an extraction electrode is provided at the end of the excitation electrode. In addition, on the semiconductor circuit 54 around the extraction electrode, an attachment terminal 48 of the piezoelectric vibration element 41 formed by a vapor deposition method, a plating method, or a printing method is provided. The attachment terminal 48 of the piezoelectric vibrator 41 is provided with a metal rewiring layer 50 as a wiring lead.

このような半導体回路基板４４上に、パッケージ４２が、Ｓｉ接着剤４３によって取り付けられており、半導体回路５４上に空間部５５が形成されている。この空間部５５中に圧電振動素子４１が配置され、端部が圧電振動素子４１の接合材４９により圧電振動素子４１の取付端子４８に取り付けられている。
また、圧電振動子用パッド５２は、圧電振動素子４１を外部と接続するための電極パッドである。検査用プロービングパッドとして使用されると同時に、シリコン貫通電極用パッドとしても使用される。 On such a semiconductor circuit substrate 44, the package 42 is attached by a Si adhesive 43, and a space 55 is formed on the semiconductor circuit 54. The piezoelectric vibration element 41 is disposed in the space portion 55, and an end portion is attached to the attachment terminal 48 of the piezoelectric vibration element 41 by a bonding material 49 of the piezoelectric vibration element 41.
The piezoelectric vibrator pad 52 is an electrode pad for connecting the piezoelectric vibration element 41 to the outside. At the same time it is used as a probing pad for inspection, it is also used as a pad for through silicon vias.

また、図示していないが、圧電振動素子４１の中央位置の半導体回路基板４４側に温度センサを設けてもよい。温度センサは、サーマルダイオードであることが好ましい。つまり、圧電振動素子４１を励振する励振電極の中央下部の位置における半導体回路５１内の中央位置に温度センサが配置されていても良い。
また、温度センサ電圧回路用パッド（又はサーミスタ用パッド）５１は、温度測定部が接続させる電極パッドで、蓋の貼り付け前は、検査用プロービング用パッドとして使用される。また、シリコン貫通電極用パッドとしても使用される。
また、グランド電位用パッド（又はサーミスタ用パッド）５３は、基板電位と同等のグランド電位を外部と接続するための電極パッドで、温度センサ電圧回路用パッド５１と同様に、検査用プロービング用パッドとシリコン貫通電極用パッドとして使用される。 Although not shown, a temperature sensor may be provided on the semiconductor circuit board 44 side at the center position of the piezoelectric vibration element 41. The temperature sensor is preferably a thermal diode. That is, the temperature sensor may be arranged at the center position in the semiconductor circuit 51 at the position of the center lower portion of the excitation electrode for exciting the piezoelectric vibration element 41.
The temperature sensor voltage circuit pad (or thermistor pad) 51 is an electrode pad to be connected by the temperature measuring unit, and is used as a probing pad for inspection before the cover is attached. Moreover, it is used also as a pad for silicon penetration electrodes.
A ground potential pad (or a thermistor pad) 53 is an electrode pad for connecting a ground potential equivalent to the substrate potential to the outside. Like the temperature sensor voltage circuit pad 51, a test probing pad and Used as a pad for a through silicon via.

また、温度測定部は、圧電素子（水晶）の温度を測定するために、半導体回路基板４４上に配置される回路である。この回路としては、温度によって抵抗値が変化するサーミスタ抵抗が挙げられ、この場合、温度センサ電圧回路用パッド５１とグランド電位用パッド５３に抵抗の両端が接続される。他の例として、シリコンのＰＮ接合を利用したサーマルダイオードが挙げられ、適当な抵抗や電流源を用いて順方向に電流を流すことにより、温度に依存する電圧を温度センサ電圧回路用パッド５１に発生させることができる。
このように構成したことにより、圧電振動素子の取付端子と圧電振動子用パッドを金属表面配線した時に、表面配線した時に配線を圧電振動素子の下に隠せるという効果を奏する。 The temperature measurement unit is a circuit arranged on the semiconductor circuit substrate 44 in order to measure the temperature of the piezoelectric element (crystal). An example of this circuit is a thermistor resistor whose resistance value varies with temperature. In this case, both ends of the resistor are connected to a temperature sensor voltage circuit pad 51 and a ground potential pad 53. Another example is a thermal diode using a silicon PN junction, and a current dependent current or current source is used to flow a current in the forward direction, whereby a temperature-dependent voltage is applied to the temperature sensor voltage circuit pad 51. Can be generated.
With this configuration, when the attachment terminal of the piezoelectric vibration element and the piezoelectric vibrator pad are wired on the metal surface, the wiring can be hidden under the piezoelectric vibration element when the surface wiring is performed.

１ 圧電振動子
３ 金属膜
４ 絶縁膜
５，６ 振動片実装電極
７ 圧電振動片
１０ 励振電極
１２，１３ マウント電極
１４，１５ バンプ
２０ 圧電発振器
２１ シリコン基板
２１Ａ 発振回路
２２ 保護膜
２３，２４ 接続電極
２５，２６ 圧電振動子接続用端子
２７，２８，２９，３０ 発振回路用電極端子
４１ 圧電振動素子
４２ 蓋（ＬＩＤ）部（パッケージ）
４３ 接合材
４４ 半導体回路基板
４５ 外部接続端子
４６ パッシベーション
４７ 貫通電極配線
４８ 圧電振動素子の取付端子
４９ 圧電振動素子の接合材
５０ 金属再配線層
５１ 電極パッド
５２ 圧電振動素子用パッド
５３ グランド電位電極パッド
５４ 半導体回路（ＩＣチップ）
５５ 空間部
５６ Ｓｉ貫通電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Piezoelectric vibrator 3 Metal film 4 Insulating film 5, 6 Vibration piece mounting electrode 7 Piezoelectric vibration piece 10 Excitation electrode 12, 13 Mount electrode 14, 15 Bump 20 Piezoelectric oscillator 21 Silicon substrate 21A Oscillation circuit 22 Protective film 23, 24 Connection electrode 25, 26 Piezoelectric vibrator connection terminals 27, 28, 29, 30 Oscillator circuit electrode terminals 41 Piezoelectric vibration element 42 Lid (LID) part (package)
43 Bonding material 44 Semiconductor circuit board 45 External connection terminal 46 Passivation 47 Through electrode wiring 48 Piezoelectric vibration element mounting terminal 49 Piezoelectric vibration element bonding material 50 Metal rewiring layer 51 Electrode pad 52 Piezoelectric vibration element pad 53 Ground potential electrode pad 54 Semiconductor circuit (IC chip)
55 Space part 56 Si penetration electrode

Claims (6)

少なくとも半導体回路を搭載した半導体回路基板と、該半導体回路基板上に設けられた圧電振動素子と、該圧電振動素子の一辺を支持する圧電振動素子の取付端子と、該圧電振動素子の取付端子と接続された圧電振動子用パッドとを備えた圧電デバイスにおいて、
前記圧電振動子用パッドが、前記圧電振動素子の取付端子を基準として前記圧電振動素子の延在方向に配置されていることを特徴とする圧電デバイス。 A semiconductor circuit board on which at least a semiconductor circuit is mounted; a piezoelectric vibration element provided on the semiconductor circuit board; a mounting terminal for the piezoelectric vibration element supporting one side of the piezoelectric vibration element; and a mounting terminal for the piezoelectric vibration element; In a piezoelectric device comprising a connected piezoelectric vibrator pad,
The piezoelectric device, wherein the piezoelectric vibrator pad is disposed in an extending direction of the piezoelectric vibration element with reference to an attachment terminal of the piezoelectric vibration element. 少なくとも半導体回路を搭載した半導体回路基板と、該半導体回路基板上に設けられた圧電振動素子と、該圧電振動素子の一辺を支持する圧電振動素子の取付端子と、該圧電振動素子の取付端子と接続された圧電振動子用パッドとを備えた圧電デバイスにおいて、
前記圧電振動素子が配置されている前記半導体回路基板側の表面上で、かつ前記圧電振動素子の取付端子と前記圧電振動子用パッドの間に配置されている金属配線層を備え、
該金属配線層が、前記圧電振動素子を平面視した時に、前記金属配線層の少なくとも一部が前記圧電振動素子に覆われるように配置されていることを特徴とする圧電デバイス。 A semiconductor circuit board on which at least a semiconductor circuit is mounted; a piezoelectric vibration element provided on the semiconductor circuit board; a mounting terminal for the piezoelectric vibration element supporting one side of the piezoelectric vibration element; and a mounting terminal for the piezoelectric vibration element; In a piezoelectric device comprising a connected piezoelectric vibrator pad,
A metal wiring layer disposed on the surface of the semiconductor circuit board on which the piezoelectric vibration element is disposed and between the attachment terminal of the piezoelectric vibration element and the pad for the piezoelectric vibrator;
The piezoelectric device, wherein the metal wiring layer is disposed so that at least a part of the metal wiring layer is covered with the piezoelectric vibration element when the piezoelectric vibration element is viewed in plan view. 前記圧電振動子用パッドが、前記圧電振動素子の取付端子を基準として前記圧電振動素子の延在方向に配置されているとともに、
前記圧電振動素子が配置されている前記半導体回路基板側の表面上で、かつ前記圧電振動素子の取付端子と前記圧電振動子用パッドの間に配置されている金属配線層を備え、
該金属配線層が、前記圧電振動素子を平面視した時に、前記金属配線層の少なくとも一部が前記圧電振動素子に覆われるように配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の圧電デバイス。 The piezoelectric vibrator pad is disposed in the extending direction of the piezoelectric vibration element with reference to the attachment terminal of the piezoelectric vibration element, and
A metal wiring layer disposed on the surface of the semiconductor circuit board on which the piezoelectric vibration element is disposed and between the attachment terminal of the piezoelectric vibration element and the pad for the piezoelectric vibrator;
The metal wiring layer is arranged so that at least a part of the metal wiring layer is covered with the piezoelectric vibration element when the piezoelectric vibration element is viewed in plan. Piezoelectric device. 前記圧電振動素子の中央位置の前記半導体回路基板側に配置された温度センサを設けていることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の圧電デバイス。   4. The piezoelectric device according to claim 1, further comprising a temperature sensor disposed on a side of the semiconductor circuit board at a central position of the piezoelectric vibration element. 前記温度センサが、サーミスタであることを特徴とする請求項４に記載の圧電デバイス。   The piezoelectric device according to claim 4, wherein the temperature sensor is a thermistor. 前記温度センサが、サーマルダイオードであることを特徴とする請求項４に記載の圧電デバイス。   The piezoelectric device according to claim 4, wherein the temperature sensor is a thermal diode.
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