JP2014146701A - 量子ドットおよび太陽電池 - Google Patents
量子ドットおよび太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014146701A JP2014146701A JP2013014441A JP2013014441A JP2014146701A JP 2014146701 A JP2014146701 A JP 2014146701A JP 2013014441 A JP2013014441 A JP 2013014441A JP 2013014441 A JP2013014441 A JP 2013014441A JP 2014146701 A JP2014146701 A JP 2014146701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quantum dot
- solar cell
- quantum
- semiconductor
- quantum dots
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【課題】 サイズが大きくても光電変換特性の得られる量子ドットと、それを適用した太陽電池を提供する。
【解決手段】 量子ドット5aの主体が非晶質である。量子ドット5aの主体が結晶性の低い非晶質でも電子の閉じ込め効果を発揮する。また、太陽電池は、半導体基板1の主面上に、非晶質が主体の量子ドットを内包している量子ドット層を有している。これによりキャリアの輸送効率を高めることができ、光電変換効率の高い太陽電池を得ることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 量子ドット5aの主体が非晶質である。量子ドット5aの主体が結晶性の低い非晶質でも電子の閉じ込め効果を発揮する。また、太陽電池は、半導体基板1の主面上に、非晶質が主体の量子ドットを内包している量子ドット層を有している。これによりキャリアの輸送効率を高めることができ、光電変換効率の高い太陽電池を得ることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、量子ドットと、これを利用した太陽電池に関する。
太陽電池は、二酸化炭素の排出が無く、発電時の燃料が不要という利点を有している。そのため、様々な種類の太陽電池に関する研究が盛んに進められている。現在、実用化されている太陽電池の中では、単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いた、一組のpn接合を有する単接合太陽電池が主流となっている。
ところが、従来の半導体構造では高いエネルギーを持った波長の短い光はpn接合領域のみで電子を励起するのではなく、p型あるいはn型の各半導体領域でも電子を励起する。これらの各半導体領域で発生したキャリアはp型あるいはn型の半導体領域に存在する不純物準位や熱エネルギー等に起因する少数キャリアとの相互作用により熱エネルギーとして散逸してしまうため、理論限界効率が30%に満たないものであった。このため、理論限界効率をさらに向上させる新たな方法が検討されている。
これまでに検討されている新たな方法の1つに、半導体の量子ドットを利用した太陽電池(以下において、「量子ドット型太陽電池」という。)がある。
量子ドット型太陽電池に関する技術として、例えば特許文献1には、シリコン基板の主面上に3次元量子閉じ込め作用をもつ量子ドットを含み、量子ドット及びそれを含有して囲むバリア層からなる量子ドット層を有する太陽電池が開示されている。
図2は、特許文献1に開示された太陽電池に代表される従来の量子ドット型太陽電池を示す断面模式図である。図2では量子ドット層105の層数を単純化し1層しか示していないが、量子ドット層105は少なくとも数十層積層された構造となっている。ここで、量子ドット層105は量子ドット105aである半導体粒子とその周囲に形成された高抵抗層であるマトリクス105bとから構成されている。
ここで、量子ドット型太陽電池に形成される量子ドット105aは、サイズが約10nm程度の半導体ナノ結晶である。量子ドット105aに光106が照射されると、量子ドット105a内における電子は、量子ドット105aの閉じ込め効果により半導体が本来持つバンドギャップより高いエネルギーギャップの量子準位にまで励起される。その結果、従来の太陽電池では吸収することのできなかった短い波長領域の太陽光スペクトルを、p型の半導体とn型の半導体との境界に形成された量子ドット層105内で効率よく吸収させることが可能となり、これにより光電変換効率を高めることができるとされている。
太陽電池を構成する単接合の半導体が本来持つバンドギャップより高いエネルギーギャップの量子準位を有する量子ドットのサイズとしては、球状体の場合、その直径は4nm以下であるとされている。
ところが、実際には、直径が4nm以下の粒子状の物質で光電変換特性を示す量子ドットを得ることは極めて難しいという問題があった。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、サイズが大きくても光電変換特性の得られる量子ドットと、それを適用した太陽電池を提供することを目的とする。
本発明の量子ドットは、非晶質が主体であることを特徴とする。
本発明の太陽電池は、半導体基板の主面上に、上記の量子ドットを内包している量子ドット層を有してなることを特徴とする。
本発明によれば、光電変換効率の高い量子ドットと、それを適用した太陽電池を得ることできる。
量子ドット型太陽電池に形成される量子ドットは、これまで、電子の閉じ込め効果により、pn接合を有する単接合太陽電池の光電変換波長領域とは異なる波長における光電変換を効率的に発揮できるサイズとしては、球状体の場合、直径が4nm以下であるのが良いとされてきた。
ところが、実際には、直径が4nm以下の粒子状の物質で光電変換特性を示す量子ドットを得ることは極めて難しいという問題がある。
そこで、本出願人は、量子ドットについて種々検討した結果、結晶性の異なる量子ドットを作製し、そのサイズとエネルギーギャップとの関係を調べたところ、従来、量子ドットとしては結晶化度が高いものが良いとされてきたことと異なり、量子ドット5aの主体が結晶性の低い非晶質でも電子の閉じ込め効果を発揮することを見出した。
ここで、非晶質とは、例えば、量子ドットについてX線回折を行ったときに、X線回折パターン中に明確な回折ピーク(1000cps以上)が見られず、ブロードになっている状態か、または電子線回折を行ったときに格子点の間隔および/または角度が揃っていない状態で観察されることをいう。また、主体とは上記の分析により認められる最も大きな割合を示す部分をいう。
そして、本実施形態の量子ドットでは、内部が非晶質であることが望ましい。量子ドットの表面は、通常、格子が不整合の状態にあるため、自ずと結晶性が低いものとなっているが、この実施形態の量子ドットは内部が非晶質である。このような状態でも、例えば、量子ドットがシリコンの場合、多結晶シリコンのサイズ(通常、100nm以上)のエネルギーギャップ(1.1eV)よりも高いものとなる。
この場合、エネルギーギャップを1.1eVよりも高いレベル、特には、1.3〜2.0eVにできる量子ドットのサイズ(直径)としては、5nm以上、10nm以下であることが望ましい。
また、量子ドットが非晶質であると、結晶質の量子ドットに比較して、そのサイズのばらつきに対するエネルギーギャップの変化が小さいことから、粒径に多少のばらつきを有していてもよく、この場合、平均粒径をx、標準偏差をσとしたときに、σ/xで表される粒径のばらつきが30%以上までは許容できるものとなる。なお、σ/xで表される粒径のばらつきの上限としては50%が望ましい。
このように、本実施形態の量子ドットは、粒径およびそのばらつきが大きくても量子効果を有するものとなるため、その外形状は球形状に限らず、円柱状および多角形状のうちのいずれかであってもよく、球形状、円柱状および多角形状であるものが混在しているものでもよいため量産性に向いている。
図1は、本発明の太陽電池の一実施形態を示す断面模式図である。本実施形態の太陽電池は、半導体基板の主面上に、上記の量子ドットを内包している量子ドット層を有している図1に示されるような太陽電池に適用できる。
本実施形態の太陽電池は半導体基板1の主面3上に量子ドット層5を有している。量子ドット層5は、量子ドット5aと、量子ドット5aを内包し、母体となっているマトリックス5bとで構成されている。この場合、マトリックス5b内に内包された量子ドット5aは非晶質を主体とするものである。図1では量子ドット5aを横一列に並べた単純構造を示しているにすぎないが、本実施形態の太陽電池を構成する量子ドット層5には量子ドット5aが多層化されており、また、量子ドット層5も多層化されている。
これにより、量子ドット層5に光6が照射された場合に、通常の400〜1100nmの波長である可視光などを変換できる機能を有する他に、例えば、通常では吸収できない長波長(1200〜1700nmの波長)の光6を吸収し、発電に有効利用することもできる。
このような量子ドット層5を構成する量子ドット5aとしては、半導体粒子を主体とするものからなり、エネルギーギャップ(Eg)は用いる材料によって異なるが、0.15〜2.50evを有するものが好適である。具体的な量子ドット5aの材料としては、ゲルマニウム(Ge)、シリコン(Si)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、銅(Cu)、鉄(Fe)、硫黄(S)、鉛(Pb)、テルル(Te)およびセレン(Se)から選ばれるいずれか1種またはこれらの化合物半導体を用いることが望ましい。
マトリックス5bの材料としては、半導体粒子に比較して約2倍以上15倍以下のエネルギーギャップを有している材料が好ましく、エネルギーギャップ(Eg)が1.0〜10.0evを有するものが好ましい。マトリックス5bの材料としては、Si、C、Ti、Cu、Ga、S、InおよびSeから選ばれる少なくとも1種の元素を含む化合物(半導体、炭化物、酸化物、窒化物)が好ましい。
量子ドット5aの周囲にマトリックス5bが配されていると、量子ドット5a内で生成した電子の量子ドット5a内における閉じ込め効果を高めることができる。この場合、量子ドット5a内における電子の閉じ込め効果をさらに高められるという点で、マトリックス5bが量子ドット5aの周囲の全面を取り囲んでいることが望ましい。
本実施形態の太陽電池は、上述のように、量子ドット層5が半導体基板1の主面3上に設けられたものであるが、図1に示しているように、量子ドット層5の上面側にも半導体基板7が設けられている。この場合、例えば、量子ドット層5の下面側に配置されている半導体基板1がp型(キャリアがホール)の半導体である場合には、量子ドット層5の上
面側に配置される半導体基板7はn型となる。なお、p型とn型とを逆転させた構成にしてもよい。また、半導体基板1、7は、多結晶、単結晶のいずれでもよいが、量産性が高く、低コストという点で多結晶であるのがよい。
面側に配置される半導体基板7はn型となる。なお、p型とn型とを逆転させた構成にしてもよい。また、半導体基板1、7は、多結晶、単結晶のいずれでもよいが、量産性が高く、低コストという点で多結晶であるのがよい。
次に、本実施形態の量子ドットおよび太陽電池を製造する方法について説明する。
本実施形態における量子ドット5aは、上述した半導体材料を含む金属化合物の溶液からバイオミネラリゼーションにより金属成分を析出させる方法を用いる。
まず、上述した半導体粒子を主成分とする金属化合物と溶媒とフェリチンとを準備し、加熱しながら混合して半導体粒子を合成する。
金属化合物としては、Siを含む化合物の例として、例えば、ケイ酸ナトリウム、ヘキサフルオロケイ酸塩、有機シラン等から選ばれる1種を用いる。
一方、フェリチンとしてはアポフェリチン(ウマ脾臓由来)溶液を準備し、これに上記のSiを含む化合物を添加する。ここでpHは7〜10程度であるのがよい。
次に、アポフェリチン(ウマ脾臓由来)溶液にSiを含む化合物を分散させておいて、フェリチンの内壁にSiを金属として付着させる。フェリチンはタンパク質であることからバイオ的なサイズの制御が可能となり、球形状に近い粒子の合成も可能であり、また、粒径のばらつきも小さいものを得ることができる。
次に、合成した半導体粒子を有するフェリチン内から半導体粒子を取り出す。この場合、例えば、フェリチン溶液にアルカリ水溶液を加えて、溶液のpHを10以上とし、フェリチンを溶解させることにより行う。
次に、得られた半導体粒子(量子ドット)を溶剤中に分散させてスラリーを作製し、このスラリーを半導体基板1の表面に塗布し、乾燥させる。この場合、半導体粒子が半導体基板の表面に整列して堆積するように粘度および蒸発性を考慮した溶剤を選択する。具体的には、溶剤としては、フタル酸エステルやグリセリンなどが好適である。
なお、半導体粒子を含むスラリー中に半導体基板1を浸漬させて引き上げる方法によっても半導体基板1の表面に半導体粒子(量子ドット)を堆積させることができる。
次に、半導体粒子を堆積させた半導体基板1をアルゴンまたは窒素などの不活性ガス中、又は、水素を含む還元ガス中にて、300〜1000℃の温度に加熱して半導体粒子を焼結させる。この場合、半導体粒子の表面に形成された酸化膜がマトリックスとなる。
以上より得られる太陽電池は、量子ドット層5を構成する量子ドット5aが非晶質を主体とするものであり、これにより連続したバンド構造を形成することが可能となり、量子ドット5aによる光の吸収量を高めることが可能になることから、光電変換効率を向上させることができる。
1、7・・・・・・・・半導体基板
3・・・・・・・・・・主面
5、105・・・・・・量子ドット層
5a、105a・・・・量子ドット
5b、105b・・・・マトリックス
3・・・・・・・・・・主面
5、105・・・・・・量子ドット層
5a、105a・・・・量子ドット
5b、105b・・・・マトリックス
Claims (6)
- 非晶質が主体であることを特徴とする量子ドット。
- 内部が非晶質であることを特徴とする請求項1に記載の量子ドット。
- 直径が5nm以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の量子ドット。
- 平均粒径をx、標準偏差をσとしたときに、σ/xで表される粒径のばらつきが30%以上であることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれかに記載の量子ドット。
- 外形が球形状、円柱状および多角形状であるものが混在していることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれかに記載の量子ドット。
- 半導体基板の主面上に、請求項1乃至5のうちいずれかに記載の量子ドットを内包している量子ドット層を有してなることを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013014441A JP2014146701A (ja) | 2013-01-29 | 2013-01-29 | 量子ドットおよび太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013014441A JP2014146701A (ja) | 2013-01-29 | 2013-01-29 | 量子ドットおよび太陽電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014146701A true JP2014146701A (ja) | 2014-08-14 |
Family
ID=51426709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013014441A Pending JP2014146701A (ja) | 2013-01-29 | 2013-01-29 | 量子ドットおよび太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014146701A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021523345A (ja) * | 2018-03-30 | 2021-09-02 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 電力を自給する量子ドット放射線検出器モジュール |
-
2013
- 2013-01-29 JP JP2013014441A patent/JP2014146701A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021523345A (ja) * | 2018-03-30 | 2021-09-02 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 電力を自給する量子ドット放射線検出器モジュール |
JP7330203B2 (ja) | 2018-03-30 | 2023-08-21 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 電力を自給する量子ドット放射線検出器モジュール |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI441346B (zh) | 第ⅱ型量子點太陽能電池 | |
JP5077109B2 (ja) | 光電デバイス | |
JP5687765B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP5607589B2 (ja) | 量子ドット配列材料並びにこれを用いた光電変換素子及び波長変換素子 | |
JP5538530B2 (ja) | ホットキャリアエネルギー変換構造、及びその製造方法 | |
Tex et al. | Efficient upconverted photocurrent through an Auger process in disklike InAs quantum structures for intermediate-band solar cells | |
JP2017507872A (ja) | 新規な化合物半導体及びその活用 | |
JP2013229378A (ja) | 太陽電池 | |
JP6039215B2 (ja) | 太陽電池 | |
TW201251087A (en) | Energy conversion device with selective contacts | |
US10707399B2 (en) | Thermoelectric material, thermoelectric element, optical sensor, and method of manufacturing thermoelectric material | |
Dai et al. | Fabrication and micro-photoluminescence property of CdSe/CdS core/shell nanowires | |
JP6385720B2 (ja) | 高変換効率太陽電池およびその調製方法 | |
JP2014146701A (ja) | 量子ドットおよび太陽電池 | |
JP6121757B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP6336731B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP2012124392A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2014165288A (ja) | 量子ドットおよび太陽電池 | |
JP2015122388A (ja) | 量子ドット複合体、量子ドット膜および太陽電池 | |
JP6239830B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP2014168052A (ja) | 量子ドット集積体および量子ドット層、ならびにそれを用いた太陽電池 | |
JP6258712B2 (ja) | 受光素子および受光素子を備えた太陽電池 | |
JP2014165198A (ja) | 太陽電池 | |
JP5586049B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP5630304B2 (ja) | 光電変換素子 |