JP2014146677A - 配線構造体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置 - Google Patents
配線構造体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014146677A JP2014146677A JP2013014041A JP2013014041A JP2014146677A JP 2014146677 A JP2014146677 A JP 2014146677A JP 2013014041 A JP2013014041 A JP 2013014041A JP 2013014041 A JP2013014041 A JP 2013014041A JP 2014146677 A JP2014146677 A JP 2014146677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- terminal
- substrate
- inclined surface
- droplet discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 151
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 31
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKAJPFXKNNXMIZ-UHFFFAOYSA-N [Bi].[Ag].[Sn] Chemical compound [Bi].[Ag].[Sn] QKAJPFXKNNXMIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N tin zinc Chemical compound [Zn].[Sn] GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000969 tin-silver-copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1607—Production of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/161—Production of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1623—Manufacturing processes bonding and adhesion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1629—Manufacturing processes etching wet etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1643—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by plating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1646—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by sputtering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2002/14491—Electrical connection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
【課題】ベース基板に形成された複数の端子と、ベース基板に接合された配線基板に形成された複数の配線とを電気的に接続した配線構造体において、複数の端子同士間のピッチを小さくしても、配線の形成を容易なものとすることができる配線構造体を提供すること、および、かかる配線構造体を備える液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を提供すること。
【解決手段】液滴吐出ヘッドは、端子２７１，２７２が形成された振動板２３と、振動板２３に接合され、端子２７１に電気的に接続された配線２８１が形成された側面であって、板面に対して傾斜した傾斜面２４７を有するリザーバー形成基板２４と、振動板２３に接合され、端子２７２に電気的に接続された配線２８３が形成された側面であって、傾斜面２４７に沿って板面に対して傾斜した傾斜面３１１を有する配線基板３１と、を備える。
【選択図】図３
【解決手段】液滴吐出ヘッドは、端子２７１，２７２が形成された振動板２３と、振動板２３に接合され、端子２７１に電気的に接続された配線２８１が形成された側面であって、板面に対して傾斜した傾斜面２４７を有するリザーバー形成基板２４と、振動板２３に接合され、端子２７２に電気的に接続された配線２８３が形成された側面であって、傾斜面２４７に沿って板面に対して傾斜した傾斜面３１１を有する配線基板３１と、を備える。
【選択図】図３
Description
本発明は、配線構造体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置に関する。
液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを備える液滴吐出装置は、例えば、画像の形成やマイクロデバイスの配線製造に用いられる。
例えば、圧電駆動方式の液滴吐出ヘッドは、インクを貯留するリザーバーと、リザーバーに連通する複数の圧力発生室と、複数の圧力発生室にそれぞれ連通する複数のノズルと、複数の圧力発生室内の圧力をそれぞれ変化させる複数の圧電素子と、複数の圧電素子を駆動するドライバーＩＣとを備える。
例えば、圧電駆動方式の液滴吐出ヘッドは、インクを貯留するリザーバーと、リザーバーに連通する複数の圧力発生室と、複数の圧力発生室にそれぞれ連通する複数のノズルと、複数の圧力発生室内の圧力をそれぞれ変化させる複数の圧電素子と、複数の圧電素子を駆動するドライバーＩＣとを備える。
このような液滴吐出ヘッドでは、一般に、特許文献１に開示されているように、圧力発生室が形成された流路形成用基板（ベース基板）の一方の面に、圧電素子と、リザーバーが形成されたリザーバー形成用基板（配線基板）とがそれぞれ接合されている。そして、ドライバーＩＣは、リザーバー形成用基板の流路形成用基板とは反対側の面に接合され、リザーバー形成用基板に設けられた配線を介して、圧電素子に電気的に接続されている。
ここで、ドライバーＩＣと圧電素子との間には、リザーバー形成用基板の厚さに起因する段差が生じており、かかる段差を介して、ドライバーＩＣと圧電素子とを電気的に接続する必要がある。
そこで、特許文献１に記載の液滴吐出ヘッドでは、リザーバー形成用基板の側面を傾斜面とし、その傾斜面に、ドライバーＩＣと圧電素子とを電気的に接続する配線を形成している。
そこで、特許文献１に記載の液滴吐出ヘッドでは、リザーバー形成用基板の側面を傾斜面とし、その傾斜面に、ドライバーＩＣと圧電素子とを電気的に接続する配線を形成している。
ところで、近年、より高精細な画像形成や配線製造を実現すべく、ノズル同士間のピッチを小さくすることが望まれている。ノズル同士間のピッチを小さくすると、それに伴って、圧電素子の端子同士のピッチも小さくなる。
しかし、特許文献１に記載の液滴吐出ヘッドでは、配線が形成される面がリザーバー形成用基板の１つの側面であるため、配線同士のピッチの最小部が圧電素子の端子同士のピッチと同程度となってしまう。そのため、圧電素子の端子同士のピッチを小さくすると、配線の形成が難しいという問題があった。
しかし、特許文献１に記載の液滴吐出ヘッドでは、配線が形成される面がリザーバー形成用基板の１つの側面であるため、配線同士のピッチの最小部が圧電素子の端子同士のピッチと同程度となってしまう。そのため、圧電素子の端子同士のピッチを小さくすると、配線の形成が難しいという問題があった。
本発明の目的は、ベース基板に形成された複数の端子と、ベース基板に接合された配線基板に形成された複数の配線とを電気的に接続した配線構造体において、複数の端子同士間のピッチを小さくしても、配線の形成を容易なものとすることができる配線構造体を提供すること、および、かかる配線構造体を備える液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の配線構造体は、第１端子および第２端子が形成されたベース基板と、
前記ベース基板に接合され、前記第１端子に電気的に接続される第１配線が形成され、前記ベース基板に対して鋭角をなす第１傾斜面を有する第１配線基板と、
前記ベース基板に接合され、前記第２端子に電気的に接続される第２配線が形成され、前記第１傾斜面に沿って前記ベース基板に対して傾斜する第２傾斜面を有する第２配線基板と、を備えることを特徴とする。
本発明の配線構造体は、第１端子および第２端子が形成されたベース基板と、
前記ベース基板に接合され、前記第１端子に電気的に接続される第１配線が形成され、前記ベース基板に対して鋭角をなす第１傾斜面を有する第１配線基板と、
前記ベース基板に接合され、前記第２端子に電気的に接続される第２配線が形成され、前記第１傾斜面に沿って前記ベース基板に対して傾斜する第２傾斜面を有する第２配線基板と、を備えることを特徴とする。
このような配線構造体によれば、第１配線と第２配線とを別々の傾斜面に形成するため、第１配線同士間のピッチ、および、第２配線同士間のピッチを、それぞれ、第１端子と第２端子との間のピッチよりも大きくすることができる。そのため、第１端子と第２端子との間のピッチを小さくしても、第１配線および第２配線をそれぞれ容易に形成することができる。
また、本発明の配線構造体では、前記第１配線基板の前記ベース基板とは反対側の面には、前記第１配線に電気的に接続される第３端子と、前記第２配線に電気的に接続される第４端子と、がそれぞれ形成されていることが好ましい。
これにより、第１配線基板上に配置した半導体素子またはＩＣパッケージと第３端子および第４端子とを容易に電気的に接続することができる。
これにより、第１配線基板上に配置した半導体素子またはＩＣパッケージと第３端子および第４端子とを容易に電気的に接続することができる。
また、本発明の配線構造体では、前記第２配線と前記第４端子とは、導電性のバンプを介して接合されていることが好ましい。
これにより、第２配線と第４端子との電気的接続を容易かつ確実に行うことができる。また、第１配線と第２配線との間の隙間を大きくすることができることから、第１配線と第２配線との間の短絡を防止することができる。その結果、配線構造体の信頼性を高めることができる。
これにより、第２配線と第４端子との電気的接続を容易かつ確実に行うことができる。また、第１配線と第２配線との間の隙間を大きくすることができることから、第１配線と第２配線との間の短絡を防止することができる。その結果、配線構造体の信頼性を高めることができる。
また、本発明の配線構造体では、前記第３端子および前記第４端子は、交互に複数並んで配置されていることが好ましい。
これにより、第１配線同士間のピッチ、および、第２配線同士間のピッチを大きくし、その結果、第１配線および第２配線の形成を容易なものとすることができる。
また、本発明の配線構造体では、前記第２配線は、前記第２傾斜面から前記第２配線基板の前記ベース基板側の面まで延びていることが好ましい。
これにより、ベース基板と第２配線基板との間で第２端子と第２配線とを接合することができる。そのため、第２端子と第２配線との電気的接続が容易となる。
これにより、第１配線同士間のピッチ、および、第２配線同士間のピッチを大きくし、その結果、第１配線および第２配線の形成を容易なものとすることができる。
また、本発明の配線構造体では、前記第２配線は、前記第２傾斜面から前記第２配線基板の前記ベース基板側の面まで延びていることが好ましい。
これにより、ベース基板と第２配線基板との間で第２端子と第２配線とを接合することができる。そのため、第２端子と第２配線との電気的接続が容易となる。
また、本発明の配線構造体では、前記第２配線と前記第２端子とは、導電性のバンプを介して接合されていることが好ましい。
これにより、第２配線と第２端子との電気的接続を容易かつ確実に行うことができる。また、第２配線と第１端子との間の隙間を大きくすることができることから、第２配線と第１端子との間の短絡を防止することができる。その結果、配線構造体の信頼性を高めることができる。
これにより、第２配線と第２端子との電気的接続を容易かつ確実に行うことができる。また、第２配線と第１端子との間の隙間を大きくすることができることから、第２配線と第１端子との間の短絡を防止することができる。その結果、配線構造体の信頼性を高めることができる。
また、本発明の配線構造体では、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面とは、絶縁性の接着剤を介して接合されていることが好ましい。
これにより、第１配線基板と第２配線基板とを接合し、配線構造体の機械的強度の向上を図ることができる。また、第１配線と第２配線との間に絶縁性の接着剤を介在させることができることから、第２配線と第２端子との間の短絡を防止することができる。その結果、配線構造体の信頼性を高めることができる。
これにより、第１配線基板と第２配線基板とを接合し、配線構造体の機械的強度の向上を図ることができる。また、第１配線と第２配線との間に絶縁性の接着剤を介在させることができることから、第２配線と第２端子との間の短絡を防止することができる。その結果、配線構造体の信頼性を高めることができる。
また、本発明の配線構造体では、前記第１配線基板および前記第２配線基板は、それぞれ、前記ベース基板に対して絶縁性の接着剤を介して接合されていることが好ましい。
これにより、ベース基板と第１配線基板および第２配線基板とを接合し、配線構造体の機械的強度の向上を図ることができる。また、第１配線と第２端子との間、および、第２配線と第１端子との間にそれぞれ絶縁性の接着剤を介在させることができることから、これらの間の短絡を防止することができる。その結果、配線構造体の信頼性を高めることができる。
これにより、ベース基板と第１配線基板および第２配線基板とを接合し、配線構造体の機械的強度の向上を図ることができる。また、第１配線と第２端子との間、および、第２配線と第１端子との間にそれぞれ絶縁性の接着剤を介在させることができることから、これらの間の短絡を防止することができる。その結果、配線構造体の信頼性を高めることができる。
また、本発明の配線構造体では、前記第１配線基板および前記第２配線基板は、それぞれ、シリコンで構成され、
前記第１傾斜面および前記第２傾斜面は、それぞれ、シリコンの結晶面に沿って形成されていることが好ましい。
これにより、第１傾斜面および第２傾斜面を高い寸法精度で形成することができる。その結果、所望部位の電気的接続をより確実かつ容易なものとするとともに、不本意な部位間の短絡を防止し、配線構造体の信頼性を高めることができる。
前記第１傾斜面および前記第２傾斜面は、それぞれ、シリコンの結晶面に沿って形成されていることが好ましい。
これにより、第１傾斜面および第２傾斜面を高い寸法精度で形成することができる。その結果、所望部位の電気的接続をより確実かつ容易なものとするとともに、不本意な部位間の短絡を防止し、配線構造体の信頼性を高めることができる。
本発明の液滴吐出ヘッドは、本発明の配線構造体を備えることを特徴とする。
このような液滴吐出ヘッドによれば、液滴を吐出する複数のノズル間の狭ピッチ化が容易となる。
本発明の液滴吐出装置は、本発明の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする。
このような液滴吐出装置によれば、高精細な液滴吐出を実現することができる。
このような液滴吐出ヘッドによれば、液滴を吐出する複数のノズル間の狭ピッチ化が容易となる。
本発明の液滴吐出装置は、本発明の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする。
このような液滴吐出装置によれば、高精細な液滴吐出を実現することができる。
以下、本発明の配線構造体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る液滴吐出ヘッド（配線構造体）を示す斜視図、図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図である。また、図３は、図１に示す液滴吐出ヘッドのベース基板、第１配線基板および第２配線基板を説明するための図である。また、図４は、図２に示すベース基板の第１端子と第１配線基板の第１配線および第３端子とを説明するための断面図、図５は、図２に示すベース基板の第２端子と第１配線基板の第４端子と第２配線基板の第２配線とを説明するための断面図である。
図１は、本発明の実施形態に係る液滴吐出ヘッド（配線構造体）を示す斜視図、図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図である。また、図３は、図１に示す液滴吐出ヘッドのベース基板、第１配線基板および第２配線基板を説明するための図である。また、図４は、図２に示すベース基板の第１端子と第１配線基板の第１配線および第３端子とを説明するための断面図、図５は、図２に示すベース基板の第２端子と第１配線基板の第４端子と第２配線基板の第２配線とを説明するための断面図である。
なお、図１〜５では、説明の便宜上、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示しており、その図示された各矢印の先端側を「＋（プラス）」、基端側を「−（マイナス）」とする。また、以下の説明では、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」という。また、＋Ｚ軸側を「上」、−Ｚ軸側を「下」ともいう。
図１、図２に示す液滴吐出ヘッド１は、例えば、後述するような液滴吐出装置１００（印刷装置）に搭載されて用いられる。
この液滴吐出ヘッド１は、ノズル基板２１（ノズルプレート）と、流路形成基板２２と、振動板２３と、リザーバー形成基板２４（第１配線基板）と、複数の圧電素子２５と、コンプライアンス基板２６と、配線基板３１（第２配線基板）と、ＩＣ（Integrated Circuit）パッケージ９と有する。
この液滴吐出ヘッド１は、ノズル基板２１（ノズルプレート）と、流路形成基板２２と、振動板２３と、リザーバー形成基板２４（第１配線基板）と、複数の圧電素子２５と、コンプライアンス基板２６と、配線基板３１（第２配線基板）と、ＩＣ（Integrated Circuit）パッケージ９と有する。
ここで、ノズル基板２１、流路形成基板２２、振動板２３、リザーバー形成基板２４およびコンプライアンス基板２６は、この順に積層されている。また、これらの基板は、隣り合う２つの基板同士が互いに例えば接着剤や熱溶着フィルム等を介して接合されている。
このような液滴吐出ヘッド１では、圧電素子２５が振動板２３を振動させることにより、流路形成基板２２に形成された流路２２１の圧力発生室２２２内の圧力を変化させ、ノズル基板２１に形成された吐出口２１１からインク３００を液滴として吐出する。
このような液滴吐出ヘッド１では、圧電素子２５が振動板２３を振動させることにより、流路形成基板２２に形成された流路２２１の圧力発生室２２２内の圧力を変化させ、ノズル基板２１に形成された吐出口２１１からインク３００を液滴として吐出する。
以下、液滴吐出ヘッド１の各部を順次詳細に説明する。
（ノズル基板）
図２に示すように、ノズル基板２１には、その厚さ方向に貫通する複数の吐出口２１１（ノズル）が形成されている。本実施形態では、この複数の吐出口２１１は、行列状に配置されている。より具体的には、ノズル基板２１は、Ｙ軸方向を長手方向とする長尺状をなしており、複数の吐出口２１１は、ノズル基板２１の長手方向（Ｙ軸方向）にｎ行（ｎは１以上の整数）、幅方向（Ｘ軸方向）に２列に配置されている。
（ノズル基板）
図２に示すように、ノズル基板２１には、その厚さ方向に貫通する複数の吐出口２１１（ノズル）が形成されている。本実施形態では、この複数の吐出口２１１は、行列状に配置されている。より具体的には、ノズル基板２１は、Ｙ軸方向を長手方向とする長尺状をなしており、複数の吐出口２１１は、ノズル基板２１の長手方向（Ｙ軸方向）にｎ行（ｎは１以上の整数）、幅方向（Ｘ軸方向）に２列に配置されている。
このようなノズル基板２１の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、シリコン材料またはステンレス鋼であるのが好ましい。このような材料は、耐薬品性に優れることから、長時間にわたってインク３００に曝されたとしても、ノズル基板２１が変質・劣化するのを確実に防止することができる。また、これらの材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高いノズル基板２１が得られる。このため、信頼性の高い液滴吐出ヘッド１が得られる。
また、このようなノズル基板２１は、例えば、上述したような材料で構成された基板にエッチング、レーザー加工等により吐出口２１１を形成することにより得ることができる。
また、このようなノズル基板２１は、例えば、上述したような材料で構成された基板にエッチング、レーザー加工等により吐出口２１１を形成することにより得ることができる。
（流路形成基板）
流路形成基板２２には、各吐出口２１１に向かってインク３００が通過する流路２２１が形成されている。図２に示すように、流路２２１は、複数の圧力発生室２２２と、中継室２２３（連通部）と、複数の圧力発生室２２２をそれぞれ中継室２２３と連通させる複数の連通路２２４（供給路）とを有する。
流路形成基板２２には、各吐出口２１１に向かってインク３００が通過する流路２２１が形成されている。図２に示すように、流路２２１は、複数の圧力発生室２２２と、中継室２２３（連通部）と、複数の圧力発生室２２２をそれぞれ中継室２２３と連通させる複数の連通路２２４（供給路）とを有する。
複数の圧力発生室２２２は、複数の吐出口２１１にそれぞれ対応して設けられている。本実施形態では、複数の圧力発生室２２２は、複数の吐出口２１１にそれぞれ対応して、Ｙ軸方向にｎ行（ｎは１以上の整数）、Ｘ軸方向に２列に配置されている。
中継室２２３は、圧力発生室２２２に対してインク３００の流通方向での上流側に設けられている。
中継室２２３は、圧力発生室２２２に対してインク３００の流通方向での上流側に設けられている。
連通路２２４は、圧力発生室２２２と中継室２２３との間に設けられている。
このような流路形成基板２２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、前述したノズル基板２１の構成材料と同じ材料を用いることができる。
また、このような流路形成基板２２は、例えば、上述したような材料で構成された基板にエッチングにより流路２２１を形成することにより得ることができる。
このような流路形成基板２２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、前述したノズル基板２１の構成材料と同じ材料を用いることができる。
また、このような流路形成基板２２は、例えば、上述したような材料で構成された基板にエッチングにより流路２２１を形成することにより得ることができる。
（振動板）
振動板２３は、その厚さ方向に振動可能に構成されている。また、振動板２３は、その一部が圧力発生室２２２に臨んでいる。すなわち、振動板２３の一部は、圧力発生室２２２を区画形成する壁部の一部を構成している。これにより、振動板２３が振動することにより、圧力発生室２２２内の圧力が変化して、当該圧力発生室２２２から吐出口２１１を介してインク３００を液滴として吐出することができる。
振動板２３は、その厚さ方向に振動可能に構成されている。また、振動板２３は、その一部が圧力発生室２２２に臨んでいる。すなわち、振動板２３の一部は、圧力発生室２２２を区画形成する壁部の一部を構成している。これにより、振動板２３が振動することにより、圧力発生室２２２内の圧力が変化して、当該圧力発生室２２２から吐出口２１１を介してインク３００を液滴として吐出することができる。
また、振動板２３は、流路形成基板２２側から順に弾性膜２３１と下電極膜２３２とを積層して構成されている。
弾性膜２３１は、例えば１〜２μｍ程度の厚さの酸化シリコン膜で構成されている。また、下電極膜２３２は、例えば０．２μｍ程度の厚さの金属膜で構成されている。この下電極膜２３２は、複数の圧電素子２５の共通電極としても機能する。
弾性膜２３１は、例えば１〜２μｍ程度の厚さの酸化シリコン膜で構成されている。また、下電極膜２３２は、例えば０．２μｍ程度の厚さの金属膜で構成されている。この下電極膜２３２は、複数の圧電素子２５の共通電極としても機能する。
（リザーバー形成基板）
リザーバー形成基板２４には、インク３００を一時的に貯留するリザーバー２４１が、前述した流路形成基板２２の複数の流路２２１にそれぞれ連通して形成されている。図２に示すように、リザーバー２４１は、第１室２４２（リザーバー部）と、第２室２４３（導入路）と、第１室２４２と第２室２４３とを連通させる連通路２４４とを有する。
リザーバー形成基板２４には、インク３００を一時的に貯留するリザーバー２４１が、前述した流路形成基板２２の複数の流路２２１にそれぞれ連通して形成されている。図２に示すように、リザーバー２４１は、第１室２４２（リザーバー部）と、第２室２４３（導入路）と、第１室２４２と第２室２４３とを連通させる連通路２４４とを有する。
第１室２４２は、流路形成基板２２の流路２２１の中継室２２３に連通している。なお、振動板２３は、第１室２４２と中継室２２３との間にて欠損しており、これにより、第１室２４２と中継室２２３とが連通している。
第２室２４３は、第１室２４２に対してインク３００の流通方向での上流側に設けられている。
第２室２４３は、第１室２４２に対してインク３００の流通方向での上流側に設けられている。
連通路２４４は、第１室２４２と第２室２４３との間に設けられている。
なお、液滴吐出ヘッド１では、中継室２２３がリザーバー２４１の一部を構成しているということもできる。
また、リザーバー形成基板２４には、複数の圧電素子２５を収納する圧電素子収納室２４５が形成されている。この圧電素子収納室２４５は、リザーバー２４１と独立して形成されている。
なお、液滴吐出ヘッド１では、中継室２２３がリザーバー２４１の一部を構成しているということもできる。
また、リザーバー形成基板２４には、複数の圧電素子２５を収納する圧電素子収納室２４５が形成されている。この圧電素子収納室２４５は、リザーバー２４１と独立して形成されている。
また、リザーバー形成基板２４には、その厚さ方向に貫通する貫通部２４６が形成されている。この貫通部２４６内には、後述する配線基板３１が挿通されている。
また、この貫通部２４６の内壁面は、リザーバー形成基板２４の板面に対して傾斜しており、振動板２３に対して鋭角をなす傾斜面２４７（第１傾斜面）を構成する。この傾斜面２４７およびその近傍には、帯状の複数の配線２８１および複数の配線２８２が形成されており（図３（ａ）参照）、この複数の配線２８１、２８２と後述する配線基板３１の複数の配線２８３とは、配線パターン２８を構成する。
また、この貫通部２４６の内壁面は、リザーバー形成基板２４の板面に対して傾斜しており、振動板２３に対して鋭角をなす傾斜面２４７（第１傾斜面）を構成する。この傾斜面２４７およびその近傍には、帯状の複数の配線２８１および複数の配線２８２が形成されており（図３（ａ）参照）、この複数の配線２８１、２８２と後述する配線基板３１の複数の配線２８３とは、配線パターン２８を構成する。
なお、傾斜面２４７および複数の配線２８１、２８２については、後述する配線基板３１の説明と併せて後に詳述する。
また、リザーバー形成基板２４の表面（少なくとも配線２８１、２８２が形成される面）には、絶縁膜が形成されている。例えば、リザーバー形成基板２４がシリコンで構成されている場合、熱酸化によりシリコン酸化膜を絶縁膜として形成することができる。このような絶縁膜が形成されていることにより、配線２８１、２８２間の短絡を防止することができる。
また、リザーバー形成基板２４の表面（少なくとも配線２８１、２８２が形成される面）には、絶縁膜が形成されている。例えば、リザーバー形成基板２４がシリコンで構成されている場合、熱酸化によりシリコン酸化膜を絶縁膜として形成することができる。このような絶縁膜が形成されていることにより、配線２８１、２８２間の短絡を防止することができる。
（圧電素子）
複数の圧電素子２５は、それぞれ、前述した流路形成基板２２とリザーバー形成基板２４との間に配されている。また、複数の圧電素子２５は、前述した複数の吐出口２１１および複数の圧力発生室２２２にそれぞれ対応して設けられている。
各圧電素子２５は、下電極膜２３２側から順に圧電体膜２５１と、上電極膜２５２とを積層して構成されている。なお、前述したように、下電極膜２３２が複数の圧電素子２５の共通電極としても機能することから、複数の圧電素子２５は、下電極膜２３２と複数の圧電体膜２５１と複数の上電極膜２５２とで構成されているということもできる。
複数の圧電素子２５は、それぞれ、前述した流路形成基板２２とリザーバー形成基板２４との間に配されている。また、複数の圧電素子２５は、前述した複数の吐出口２１１および複数の圧力発生室２２２にそれぞれ対応して設けられている。
各圧電素子２５は、下電極膜２３２側から順に圧電体膜２５１と、上電極膜２５２とを積層して構成されている。なお、前述したように、下電極膜２３２が複数の圧電素子２５の共通電極としても機能することから、複数の圧電素子２５は、下電極膜２３２と複数の圧電体膜２５１と複数の上電極膜２５２とで構成されているということもできる。
また、各上電極膜２５２には、端子２７が電気的に接続されている。この端子２７は、上電極膜２５２上から圧電体膜２５１の側面上を経由して振動板２３の弾性膜２３１上に延びている。そして、端子２７の上電極膜２５２とは反対側の端部は、前述したリザーバー形成基板２４の貫通部２４６内に臨んでいる。
なお、端子２７については、後述する配線基板３１の説明と併せて後に詳述する。
なお、端子２７については、後述する配線基板３１の説明と併せて後に詳述する。
このような各圧電素子２５では、上電極膜２５２と下電極膜２３２との間に電圧を印加することにより、圧電体膜２５１が圧電効果により変形する。この変形により、振動板２３をその厚さ方向に振動させることができる。
（コンプライアンス基板）
コンプライアンス基板２６は、リザーバー形成基板２４側から順に封止膜２６１と固定板２６２とを積層して構成されている。
封止膜２６１は、可撓性を有する材料（例えば、厚さ６μｍ程度のポリフェニレンスルフィドフィルム）で構成されている。この封止膜２６１の一部は、リザーバー２４１に臨んでいる。また、固定板２６２は、金属材料等のような比較的硬質の材料（例えば、厚さ３０μｍ程度のステンレス鋼）で構成されている。この固定板２６２には、封止膜２６１のリザーバー２４１に臨む部分に対応する領域が欠損した欠損部２６３が形成されている。
また、コンプライアンス基板２６には、封止膜２６１と固定板２６２とを一括して貫通する導入口２６４が形成されている。導入口２６４は、リザーバー２４１に連通しており、当該リザーバー２４１にインク３００を導入する部分である。
コンプライアンス基板２６は、リザーバー形成基板２４側から順に封止膜２６１と固定板２６２とを積層して構成されている。
封止膜２６１は、可撓性を有する材料（例えば、厚さ６μｍ程度のポリフェニレンスルフィドフィルム）で構成されている。この封止膜２６１の一部は、リザーバー２４１に臨んでいる。また、固定板２６２は、金属材料等のような比較的硬質の材料（例えば、厚さ３０μｍ程度のステンレス鋼）で構成されている。この固定板２６２には、封止膜２６１のリザーバー２４１に臨む部分に対応する領域が欠損した欠損部２６３が形成されている。
また、コンプライアンス基板２６には、封止膜２６１と固定板２６２とを一括して貫通する導入口２６４が形成されている。導入口２６４は、リザーバー２４１に連通しており、当該リザーバー２４１にインク３００を導入する部分である。
（配線基板）
配線基板３１は、前述したリザーバー形成基板２４とは別部材で構成されており、リザーバー形成基板２４の貫通部２４６内に配置されている。本実施形態では、配線基板３１は、貫通部２４６の形状に合致または相似した形状をなしている。これにより、貫通部２４６内の空間を配線基板３１により埋めることができる。また、配線基板３１の振動板２３とは反対側の面と、リザーバー形成基板２４の振動板２３とは反対側の面とを同一面に沿って配置することができる。そのため、ＩＣパッケージ９を配線基板３１およびリザーバー形成基板２４により安定的に支持することができる。
また、図３（ｂ）に示すように、配線基板３１は、配線基板３１の側面であって前述したリザーバー形成基板２４の傾斜面２４７に沿って板面および振動板２３に対して傾斜する傾斜面３１１（第２傾斜面）を有する。
配線基板３１は、前述したリザーバー形成基板２４とは別部材で構成されており、リザーバー形成基板２４の貫通部２４６内に配置されている。本実施形態では、配線基板３１は、貫通部２４６の形状に合致または相似した形状をなしている。これにより、貫通部２４６内の空間を配線基板３１により埋めることができる。また、配線基板３１の振動板２３とは反対側の面と、リザーバー形成基板２４の振動板２３とは反対側の面とを同一面に沿って配置することができる。そのため、ＩＣパッケージ９を配線基板３１およびリザーバー形成基板２４により安定的に支持することができる。
また、図３（ｂ）に示すように、配線基板３１は、配線基板３１の側面であって前述したリザーバー形成基板２４の傾斜面２４７に沿って板面および振動板２３に対して傾斜する傾斜面３１１（第２傾斜面）を有する。
この傾斜面３１１およびその近傍には、帯状の複数の配線２８３（第２配線）が形成されている。
前述したように、前述したリザーバー形成基板２４の複数の配線２８１、２８２と複数の配線２８３とは、複数の端子２７とＩＣパッケージ９とを電気的に接続する配線パターン２８を構成する。
前述したように、前述したリザーバー形成基板２４の複数の配線２８１、２８２と複数の配線２８３とは、複数の端子２７とＩＣパッケージ９とを電気的に接続する配線パターン２８を構成する。
以下、図３〜図５に基づいて、配線パターン２８について詳述する。なお、図３〜５では、説明の便宜上、圧電素子２５の図示が省略されている。
配線パターン２８は、図３（ａ）に示すようにリザーバー形成基板２４に形成された複数の配線２８１、２８２と、図３（ｂ）に示すように配線基板３１に形成された複数の配線２８３とで構成されている。
配線パターン２８は、図３（ａ）に示すようにリザーバー形成基板２４に形成された複数の配線２８１、２８２と、図３（ｂ）に示すように配線基板３１に形成された複数の配線２８３とで構成されている。
図３（ａ）に示すように、複数の配線２８１、２８２は、配線２８１と配線２８２とがＹ軸方向に交互に並んで配置されている。なお、図示では、配線２８１と配線２８２との間の間隔が長さ方向での全域に亘って一定となっているが、かかる間隔は、複数の端子２７のピッチとＩＣパッケージ９の複数の端子９３のピッチに応じて決められるものであり、ＩＣパッケージ９の複数の端子９３のピッチが複数の端子２７のピッチよりも大きい場合、下側から上側に向けて拡がる部分を有する。
複数の配線２８１は、前述した複数の圧電素子２５に電気的に接続された複数の端子２７のうち１つおきに並ぶ複数の端子２７１（第１端子）にそれぞれ対応して設けられている。そして、各配線２８１は、対応する端子２７１に電気的に接続されている。
この各配線２８１は、図４に示すように、リザーバー形成基板２４の上面（振動板２３とは反対側の面）に形成された端子部２８１ａと、傾斜面２４７に形成された配線部２８１ｂと、端子２７１に形成された接続部２８１ｃとを有する。すなわち、各配線２８１は、リザーバー形成基板２４の上面上から傾斜面２４７上を経由して端子２７上に延びている。
この各配線２８１は、図４に示すように、リザーバー形成基板２４の上面（振動板２３とは反対側の面）に形成された端子部２８１ａと、傾斜面２４７に形成された配線部２８１ｂと、端子２７１に形成された接続部２８１ｃとを有する。すなわち、各配線２８１は、リザーバー形成基板２４の上面上から傾斜面２４７上を経由して端子２７上に延びている。
ここで、各配線２８１または配線部２８１ｂは、第１傾斜面である傾斜面２４７に形成された第１配線を構成する。また、端子部２８１ａは、第１配線である配線２８１または配線部２８１ｂに電気的に接続された第３端子を構成する。また、複数の端子２７１は、ベース基板である振動板２３または弾性膜２３１に形成された第１端子を構成し、複数の端子２７のうち複数の端子２７１以外の複数の端子２７２は、ベース基板である振動板２３または弾性膜２３１に形成された第２端子を構成する。
一方、複数の配線２８２は、前述した複数の圧電素子２５に電気的に接続された複数の端子２７のうち複数の端子２７１以外の複数の端子２７２（第２端子）にそれぞれ対応して設けられている。そして、各配線２８２は、対応する端子２７２に電気的に接続されている。
この各配線２８２は、図５に示すように、リザーバー形成基板２４の上面（振動板２３とは反対側の面）に形成された端子部２８２ａと、傾斜面２４７の上端部に形成された接続部２８２ｂとを有する。すなわち、各配線２８２は、リザーバー形成基板２４の上面上から傾斜面２４７の上端部上に延びている。
この各配線２８２は、図５に示すように、リザーバー形成基板２４の上面（振動板２３とは反対側の面）に形成された端子部２８２ａと、傾斜面２４７の上端部に形成された接続部２８２ｂとを有する。すなわち、各配線２８２は、リザーバー形成基板２４の上面上から傾斜面２４７の上端部上に延びている。
ここで、配線２８２または端子部２８２ａは、第２配線である配線２８３に電気的に接続された第４端子を構成する。
また、傾斜面２４７は、リザーバー形成基板２４の上面側を向いており、複数の配線２８１および複数の配線２８２は、それぞれ、リザーバー形成基板２４の上側を向く面（上面および傾斜面２４７）に設けられているので、当該面側から気相成膜を用いて容易に形成することができる。
また、傾斜面２４７は、リザーバー形成基板２４の上面側を向いており、複数の配線２８１および複数の配線２８２は、それぞれ、リザーバー形成基板２４の上側を向く面（上面および傾斜面２４７）に設けられているので、当該面側から気相成膜を用いて容易に形成することができる。
図３（ｂ）に示すように、複数の配線２８３は、Ｙ軸方向に並んで配置されている。なお、図示では、配線２８３同士の間の間隔が長さ方向での全域に亘って一定となっているが、かかる間隔は、複数の端子２７のピッチとＩＣパッケージ９の複数の端子９３のピッチに応じて決められるものであり、ＩＣパッケージ９の複数の端子９３のピッチが複数の端子２７のピッチよりも大きい場合、下側から上側に向けて拡がる部分を有する。
また、各配線２８３は、傾斜面３１１に対して垂直な方向からみたとき、複数の配線２８１同士の間に位置するように配置されている。すなわち、複数の配線２８３は、傾斜面３１１に対して垂直な方向からみたとき、配線２８１に重ならないように配置されている。これにより、配線２８１と配線２８３との間の距離を大きくし、これらの間での短絡を防止することができる。
複数の配線２８３は、前述した複数の圧電素子２５に電気的に接続された複数の端子２７のうち複数の端子２７１以外の複数の端子２７２にそれぞれ対応して設けられている。すなわち、複数の配線２８３は、前述した複数の配線２８２にそれぞれ対応して設けられている。そして、各配線２８３は、対応する端子２７２および配線２８２にそれぞれ電気的に接続されている。
この各配線２８３は、図５に示すように、配線基板３１の下面に形成された接続部２８３ａと、傾斜面３１１に形成された配線部２８３ｂとを有する。すなわち、各配線２８３は、配線基板３１の下面上から傾斜面３１１の上端部上にまで延びている。
ここで、配線２８３または配線部２８３ｂは、第２傾斜面である傾斜面３１１に形成された第２配線を構成する。
ここで、配線２８３または配線部２８３ｂは、第２傾斜面である傾斜面３１１に形成された第２配線を構成する。
また、傾斜面３１１は、配線基板３１の下面側を向いており、複数の配線２８３は、それぞれ、配線基板３１の下側を向く面（下面および傾斜面３１１）に設けられているので、当該面側から気相成膜を用いて容易に形成することができる。
このような配線パターン２８を含む配線構造体によれば、複数の配線２８１と複数の配線２８３とを別々の傾斜面に形成するため、複数の配線２８１同士間のピッチ、および、複数の配線２８３同士間のピッチを、それぞれ、複数の端子２７同士間のピッチ（端子２７１と端子２７２との間のピッチ）よりも大きくすることができる。そのため、複数の端子２７同士間のピッチを小さくしても、複数の配線２８１および複数の配線２８３をそれぞれ容易に形成することができる。
このような配線パターン２８を含む配線構造体によれば、複数の配線２８１と複数の配線２８３とを別々の傾斜面に形成するため、複数の配線２８１同士間のピッチ、および、複数の配線２８３同士間のピッチを、それぞれ、複数の端子２７同士間のピッチ（端子２７１と端子２７２との間のピッチ）よりも大きくすることができる。そのため、複数の端子２７同士間のピッチを小さくしても、複数の配線２８１および複数の配線２８３をそれぞれ容易に形成することができる。
また、リザーバー形成基板２４の振動板２３とは反対側の面に、配線２８１に電気的に接続された端子部２８１ａと、配線２８３に電気的に接続された端子部２８２ａとがそれぞれ形成されているので、リザーバー形成基板２４上に配置したＩＣパッケージ９と複数の端子２７とを配線２８１、２８３を介して容易に電気的に接続することができる。
また、本実施形態では、配線２８３と配線２８２の接続部２８２ｂとは、導電性のバンプ３５を介して接合されている。これにより、配線２８３と配線２８２との電気的接続を容易かつ確実に行うことができる。また、バンプ３５の高さに起因して、配線２８１と配線２８３との間の隙間を大きくすることができることから、配線２８１と配線２８３との間の短絡を防止することができる。その結果、配線パターン２８（配線構造体）の信頼性を高めることができる。
また、本実施形態では、配線２８３と配線２８２の接続部２８２ｂとは、導電性のバンプ３５を介して接合されている。これにより、配線２８３と配線２８２との電気的接続を容易かつ確実に行うことができる。また、バンプ３５の高さに起因して、配線２８１と配線２８３との間の隙間を大きくすることができることから、配線２８１と配線２８３との間の短絡を防止することができる。その結果、配線パターン２８（配線構造体）の信頼性を高めることができる。
このバンプ３５の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、錫−鉛系、錫−銀系、錫−亜鉛系、錫−ビスマス系、錫−アンチモン系、錫−銀−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀−銅系等の各種ろう材（半田）を用いることができる。
また、端子部２８１ａおよび端子部２８２ａは、交互に複数並んで配置されているので、配線２８１同士間のピッチ、および、配線２８３同士間のピッチを大きくし、その結果、配線２８１および配線２８３の形成を容易なものとすることができる。
また、端子部２８１ａおよび端子部２８２ａは、交互に複数並んで配置されているので、配線２８１同士間のピッチ、および、配線２８３同士間のピッチを大きくし、その結果、配線２８１および配線２８３の形成を容易なものとすることができる。
また、前述したように配線２８３は、接続部２８３ａを有する。すなわち、配線２８３は、傾斜面３１１から配線基板３１の振動板２３側の面まで延びている。これにより、振動板２３と配線基板３１との間で端子２７２と配線２８３とを接合することができる。そのため、端子２７２と配線２８３との電気的接続が容易となる。
本実施形態では、配線２８３と端子２７２とは、図５に示すように、導電性のバンプ３６を介して接合されている。これにより、配線２８３と端子２７２との電気的接続を容易かつ確実に行うことができる。また、バンプ３６の高さに起因して、配線２８３と端子２７１との間の隙間を大きくすることができることから、配線２８３と端子２７１との間の短絡を防止することができる。その結果、配線パターン２８（配線構造体）の信頼性を高めることができる。
このバンプ３６の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、前述したバンプ３５の構成材料と同様の材料を用いることができる。
本実施形態では、配線２８３と端子２７２とは、図５に示すように、導電性のバンプ３６を介して接合されている。これにより、配線２８３と端子２７２との電気的接続を容易かつ確実に行うことができる。また、バンプ３６の高さに起因して、配線２８３と端子２７１との間の隙間を大きくすることができることから、配線２８３と端子２７１との間の短絡を防止することができる。その結果、配線パターン２８（配線構造体）の信頼性を高めることができる。
このバンプ３６の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、前述したバンプ３５の構成材料と同様の材料を用いることができる。
また、傾斜面２４７と傾斜面３１１とは、絶縁性の接着剤３４を介して接合されている。これにより、リザーバー形成基板２４と配線基板３１とを接合し、これらの基板が接合された配線構造体の機械的強度の向上を図ることができる。また、配線２８１と配線２８３との間に絶縁性の接着剤３４を介在させることができることから、配線２８３と配線２８１との間の短絡を防止することができる。その結果、配線構造体の信頼性を高めることができる。
この接着剤３４の構成材料としては、傾斜面２４７と傾斜面３１１とを接着し得る接着性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、樹脂材料（特に硬化性樹脂）を含む樹脂組成物を用いることができる。この樹脂組成物には、絶縁性のフィラーが含まれていてもよい。
この接着剤３４の構成材料としては、傾斜面２４７と傾斜面３１１とを接着し得る接着性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、樹脂材料（特に硬化性樹脂）を含む樹脂組成物を用いることができる。この樹脂組成物には、絶縁性のフィラーが含まれていてもよい。
また、リザーバー形成基板２４が振動板２３に対して絶縁性の接着剤３２を介して接合されているとともに、配線基板３１が振動板２３に対して絶縁性の接着剤３３を介して接合されている。これにより、振動板２３とリザーバー形成基板２４および配線基板３１とを接合し、配線構造体の機械的強度の向上を図ることができる。また、配線２８１と端子２７２との間、および、配線２８３と端子２７１との間にそれぞれ絶縁性の接着剤３２または接着剤３３を介在させることができることから、これらの間の短絡を防止することができる。その結果、配線構造体の信頼性を高めることができる。
この接着剤３２、３３の構成材料としては、特に限定されず、例えば、前述した接着剤３４の構成材料と同様の材料を用いることができる。
この接着剤３２、３３の構成材料としては、特に限定されず、例えば、前述した接着剤３４の構成材料と同様の材料を用いることができる。
また、リザーバー形成基板２４と振動板２３との接着剤３２による接合は、リザーバー形成基板２４の貫通部２４６が下側から上側に向けて幅が大きくなっていることから、配線基板３１と振動板２３との接着剤３３による接合の前に行うか、または、リザーバー形成基板２４と配線基板３１との接着剤３４による接合の後に、配線基板３１と振動板２３との接着剤３３による接合と同時に行えばよい。なお、リザーバー形成基板２４と配線基板３１との接着剤３４による接合の際、配線２８２と配線２８３とのバンプ３５による接続も同時に行う。また、配線基板３１と振動板２３との接着剤３３による接合の際、端子２７２と配線２８３とのバンプ３６による接続も同時に行う。
また、リザーバー形成基板２４および配線基板３１は、それぞれ、シリコンで構成され、傾斜面２４７および傾斜面３１１は、それぞれ、シリコンの結晶面に沿って形成されていることが好ましい。これにより、傾斜面２４７および傾斜面３１１を高い寸法精度で形成することができる。その結果、所望部位の電気的接続（例えば、配線２８２と配線２８３との接続や、配線２８３と端子２７２との接続）をより確実かつ容易なものとするとともに、不本意な部位間の短絡（例えば、配線２８１と配線２８３との間の短絡）を防止し、配線構造体の信頼性を高めることができる。
例えば、面方位（１００）のシリコン基板をＫＯＨ、硝酸等のエッチング液を用いてウエットエッチング（異方性エッチング）することにより、リザーバー形成基板２４の傾斜面２４７や配線基板３１の傾斜面３１１を形成した場合、傾斜面２４７、３３１をそれぞれシリコンの（１１１）面で構成することができ、この場合、傾斜面２４７、３３１の傾斜角度は、約５４度となる。
このように、傾斜面２４７、３３１をそれぞれシリコンの結晶面で構成することにより、傾斜面２４７、３３１の平坦性をそれぞれ優れたものとするとともに、傾斜面２４７、３３１が互いに平行となるように傾斜面２４７、３３１の傾斜角度を高精度に設定することができる。
このように、傾斜面２４７、３３１をそれぞれシリコンの結晶面で構成することにより、傾斜面２４７、３３１の平坦性をそれぞれ優れたものとするとともに、傾斜面２４７、３３１が互いに平行となるように傾斜面２４７、３３１の傾斜角度を高精度に設定することができる。
配線２８１、２８２、２８３の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、Ａｌ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＡｕまたはＡｇ等の金属材料が挙げられる。
また、配線２８１、２８２、２８３は、２層以上の積層構造を有していてもよい。
配線２８１、２８２、２８３の形成方法としては、特に限定されず、公知の成膜法を用いることができる。また、例えば、配線２８１、２８２、２８３が２層の積層構造を有する場合、下地層をスパッタリング等の気相成膜法で形成し、その下地層上に無電解メッキによりメッキ層を形成することができる。
また、配線２８１、２８２、２８３は、２層以上の積層構造を有していてもよい。
配線２８１、２８２、２８３の形成方法としては、特に限定されず、公知の成膜法を用いることができる。また、例えば、配線２８１、２８２、２８３が２層の積層構造を有する場合、下地層をスパッタリング等の気相成膜法で形成し、その下地層上に無電解メッキによりメッキ層を形成することができる。
また、配線２８１、２８２の形成は、リザーバー形成基板２４と振動板２３との接着剤３２による接合の前に行ってもよいし後に行ってもよいが、配線２８１、２８２が２層の積層構造を有する場合、リザーバー形成基板２４と振動板２３との接着剤３２による接合前に下地層をスパッタリング等の気相成膜法で形成し、リザーバー形成基板２４と振動板２３との接着剤３２による接合後にその下地層上に無電解メッキによりメッキ層を形成することができる。
なお、配線２８１、２８２の形成をリザーバー形成基板２４と振動板２３との接着剤３２による接合前に行う場合、配線２８３の接続部２８３ａのように、配線２８１をリザーバー形成基板２４の下面まで延ばし、端子２７１と接触または導電性のバンプを介して接続すればよい。
また、配線２８３の形成は、配線基板３１と振動板２３との接着剤３３による接合の前に行う。
また、配線２８３の形成は、配線基板３１と振動板２３との接着剤３３による接合の前に行う。
（ＩＣパッケージ）
ＩＣパッケージ９は、複数の圧電素子２５を駆動する機能を有する。
図２に示すように、ＩＣパッケージ９は、電子回路（半導体素子）９１と、電子回路９１を収納するケーシング（パッケージ）９２と、ケーシング９２から突出し、電子回路９１と電気的に接続された複数の端子９３とを有している。なお、ＩＣパッケージ９には、ＩＣチップ（接続バンプ付きＩＣチップ）等も含まれる。
ＩＣパッケージ９は、複数の圧電素子２５を駆動する機能を有する。
図２に示すように、ＩＣパッケージ９は、電子回路（半導体素子）９１と、電子回路９１を収納するケーシング（パッケージ）９２と、ケーシング９２から突出し、電子回路９１と電気的に接続された複数の端子９３とを有している。なお、ＩＣパッケージ９には、ＩＣチップ（接続バンプ付きＩＣチップ）等も含まれる。
電子回路９１は、例えば、半導体で構成され、圧電素子２５を駆動するための駆動回路が含まれている。
ケーシング９２は、小片状または板状をなし、その内部に電子回路９１を収納している。ケーシング９２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、各種樹脂材料、各種金属材料またはセラミックス等が挙げられる。
複数の端子９３は、配線パターン２８を介して、前述した複数の端子２７に電気的に接続されている。
ケーシング９２は、小片状または板状をなし、その内部に電子回路９１を収納している。ケーシング９２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、各種樹脂材料、各種金属材料またはセラミックス等が挙げられる。
複数の端子９３は、配線パターン２８を介して、前述した複数の端子２７に電気的に接続されている。
ここで、複数の端子９３は、前述した複数の端子部２８１ａ、２８２ａ（第３端子および第４端子）にそれぞれ対応して設けられている。そして、各端子９３は、対応する端子部２８１ａまたは端子部２８２ａに接触している。これにより、電子回路９１（ＩＣパッケージ９）は、各端子９３を介して、複数の端子部２８１ａ、２８２ａと電気的に接続される。
この各端子９３の構成材料としては、特に限定されず、例えば、金や銅等のような電気抵抗が比較的小さい金属材料を用いることができる。
このようなＩＣパッケージ９は、配線パターン２８を介して各圧電素子２５と電気的に接続されている。
この各端子９３の構成材料としては、特に限定されず、例えば、金や銅等のような電気抵抗が比較的小さい金属材料を用いることができる。
このようなＩＣパッケージ９は、配線パターン２８を介して各圧電素子２５と電気的に接続されている。
本実施形態では、ＩＣパッケージ９は、リザーバー形成基板２４の上面側から配線基板３１および配線パターン２８を覆うように設けられている。また、ＩＣパッケージ９とリザーバー形成基板２４との間には、接着剤２９が充填されている。これにより、ＩＣパッケージ９をリザーバー形成基板２４に対して固定するとともに、配線パターン２８を外部から遮断して保護することができる。その結果、配線パターン２８の腐食や劣化等を防止することができる。
なお、ＩＣパッケージ９は、前述した配置、大きさ、数等に限定されず、例えば、平面視で配線基板３１を挟むように配置された１対のＩＣパッケージで構成されていてもよい。
なお、ＩＣパッケージ９は、前述した配置、大きさ、数等に限定されず、例えば、平面視で配線基板３１を挟むように配置された１対のＩＣパッケージで構成されていてもよい。
以上説明したような液滴吐出ヘッド１によれば、複数の配線２８１と複数の配線２８３とを別々の傾斜面に形成するため、複数の配線２８１同士間のピッチ、および、複数の配線２８３同士間のピッチを、それぞれ、複数の端子２７同士間のピッチ（端子２７１と端子２７２との間のピッチ）よりも大きくすることができる。そのため、複数の端子２７同士間のピッチを小さくしても、複数の配線２８１および複数の配線２８３をそれぞれ容易に形成することができる。その結果、液滴を吐出する複数の吐出口２１１間の狭ピッチ化が容易となる。
次に、本発明の液滴吐出装置の一例として、前述した液滴吐出ヘッド１を備えた液滴吐出装置１００について説明する。
図６は、本発明の液滴吐出装置の一例を示す斜視図である。
図６に示す液滴吐出装置１００（印刷装置）は、記録媒体２００にインクジェット方式で印刷する印刷装置である。この液滴吐出装置１００は、装置本体５０と、液滴吐出ヘッド１が搭載された記録ヘッドユニット２０Ａおよび２０Ｂと、インク３００を供給するインクカートリッジ３０Ａおよび３０Ｂと、記録ヘッドユニット２０Ａおよび２０Ｂを搬送するキャリッジ４０と、キャリッジ４０を移動させる移動機構７０と、キャリッジ４０を移動可能に支持する（案内する）キャリッジ軸６０とを備えている。
図６は、本発明の液滴吐出装置の一例を示す斜視図である。
図６に示す液滴吐出装置１００（印刷装置）は、記録媒体２００にインクジェット方式で印刷する印刷装置である。この液滴吐出装置１００は、装置本体５０と、液滴吐出ヘッド１が搭載された記録ヘッドユニット２０Ａおよび２０Ｂと、インク３００を供給するインクカートリッジ３０Ａおよび３０Ｂと、記録ヘッドユニット２０Ａおよび２０Ｂを搬送するキャリッジ４０と、キャリッジ４０を移動させる移動機構７０と、キャリッジ４０を移動可能に支持する（案内する）キャリッジ軸６０とを備えている。
インクカートリッジ３０Ａは、記録ヘッドユニット２０Ａに着脱自在に装着され、その装着状態で記録ヘッドユニット２０Ａにインク３００（ブラックインク組成物）を供給することができる。
インクカートリッジ３０Ｂも、記録ヘッドユニット２０Ｂに着脱自在に装着され、その装着状態で記録ヘッドユニット２０Ｂにインク３００（カラーインク組成物）を供給することができる。
インクカートリッジ３０Ｂも、記録ヘッドユニット２０Ｂに着脱自在に装着され、その装着状態で記録ヘッドユニット２０Ｂにインク３００（カラーインク組成物）を供給することができる。
移動機構７０は、駆動モーター７０１と、駆動モーター７０１に連結されたタイミングベルト７０２とを有している。そして、駆動モーター７０１の駆動力（回転力）がタイミングベルト７０２を介してキャリッジ４０に伝達されることにより、キャリッジ４０を記録ヘッドユニット２０Ａおよび２０Ｂごとキャリッジ軸６０方向に沿って移動させることができる。
また、装置本体５０には、キャリッジ軸６０の下側にその軸方向に沿ってプラテン８０が設けられている。図示しない給紙ローラーなどにより給紙された記録媒体２００がプラテン８０上に搬送されるようになっている。そして、プラテン８０上で記録媒体２００に対してインク３００が吐出されて印刷が施される。
このような液滴吐出装置によれば、高精細な液滴吐出を実現することができる。
このような液滴吐出装置によれば、高精細な液滴吐出を実現することができる。
以上、本発明の配線構造体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、配線構造体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
また、前述した実施形態では、本発明の配線構造体を液滴吐出ヘッドに適用した例を説明したが、本発明の配線構造体は、これに限定されず、ベース基板に形成された複数の端子と、ベース基板に接合された配線基板の側面に形成された複数の配線とを電気的に接続したものであれば、各種配線構造体に適用可能である。
また、前述した実施形態では、本発明の配線構造体を液滴吐出ヘッドに適用した例を説明したが、本発明の配線構造体は、これに限定されず、ベース基板に形成された複数の端子と、ベース基板に接合された配線基板の側面に形成された複数の配線とを電気的に接続したものであれば、各種配線構造体に適用可能である。
また、前述した実施形態では、液滴吐出蔵置が印刷用紙等のような記録媒体にインクを液滴として吐出して印刷を施すよう構成された場合を例に説明したが、本発明の液滴吐出装置は、これに限定されず、例えば、液晶表示デバイス形成用材料を液滴として吐出して液晶表示デバイス（液晶表示装置）を製造したり、有機ＥＬ形成用材料を液滴として吐出して有機ＥＬ表示デバイス（有機ＥＬ装置）を製造したり、配線パターン形成用材料を液滴として吐出して電子回路の配線パターンを形成して回路基板を製造することもできる。
１‥‥液滴吐出ヘッド ９‥‥ＩＣパッケージ ２０Ａ‥‥記録ヘッドユニット ２０Ｂ‥‥記録ヘッドユニット ２１‥‥ノズル基板 ２２‥‥流路形成基板 ２３‥‥振動板 ２４‥‥リザーバー形成基板 ２５‥‥圧電素子 ２６‥‥コンプライアンス基板 ２７‥‥端子 ２８‥‥配線パターン ２９‥‥接着剤 ３０Ａ‥‥インクカートリッジ ３０Ｂ‥‥インクカートリッジ ３１‥‥配線基板 ３２‥‥接着剤 ３３‥‥接着剤 ３４‥‥接着剤 ３５‥‥バンプ ３６‥‥バンプ ４０‥‥キャリッジ ５０‥‥装置本体 ６０‥‥キャリッジ軸 ７０‥‥移動機構 ８０‥‥プラテン ９１‥‥電子回路 ９２‥‥ケーシング ９３‥‥端子 １００‥‥液滴吐出装置 ２００‥‥記録媒体 ２１１‥‥吐出口 ２２１‥‥流路 ２２２‥‥圧力発生室 ２２３‥‥中継室 ２２４‥‥連通路 ２３１‥‥弾性膜 ２３２‥‥下電極膜 ２４１‥‥リザーバー ２４２‥‥第１室 ２４３‥‥第２室 ２４４‥‥連通路 ２４５‥‥圧電素子収納室 ２４６‥‥貫通部 ２４７‥‥傾斜面 ２５１‥‥圧電体膜 ２５２‥‥上電極膜 ２６１‥‥封止膜 ２６２‥‥固定板 ２６３‥‥欠損部 ２６４‥‥導入口 ２７１‥‥端子 ２７２‥‥端子 ２８１‥‥配線 ２８１ａ‥‥端子部 ２８１ｂ‥‥配線部 ２８１ｃ‥‥接続部 ２８２‥‥配線 ２８２ａ‥‥端子部 ２８２ｂ‥‥接続部 ２８３‥‥配線 ２８３ａ‥‥接続部 ２８３ｂ‥‥配線部 ３００‥‥インク ３１１‥‥傾斜面 ７０１‥‥駆動モーター ７０２‥‥タイミングベルト
Claims (11)
- 第１端子および第２端子が形成されたベース基板と、
前記ベース基板に接合され、前記第１端子に電気的に接続される第１配線が形成され、前記ベース基板に対して鋭角をなす第１傾斜面を有する第１配線基板と、
前記ベース基板に接合され、前記第２端子に電気的に接続される第２配線が形成され、前記第１傾斜面に沿って前記ベース基板に対して傾斜する第２傾斜面を有する第２配線基板と、を備えることを特徴とする配線構造体。 - 前記第１配線基板の前記ベース基板とは反対側の面には、前記第１配線に電気的に接続される第３端子と、前記第２配線に電気的に接続される第４端子と、がそれぞれ形成されている請求項１に記載の配線構造体。
- 前記第２配線と前記第４端子とは、導電性のバンプを介して接合されている請求項２に記載の配線構造体。
- 前記第３端子および前記第４端子は、交互に複数並んで配置されている請求項２または３に記載の配線構造体。
- 前記第２配線は、前記第２傾斜面から前記第２配線基板の前記ベース基板側の面まで延びている請求項２ないし４のいずれか１項に記載の配線構造体。
- 前記第２配線と前記第２端子とは、導電性のバンプを介して接合されている請求項５に記載の配線構造体。
- 前記第１傾斜面と前記第２傾斜面とは、絶縁性の接着剤を介して接合されている請求項１ないし６のいずれか１項に記載の配線構造体。
- 前記第１配線基板および前記第２配線基板は、それぞれ、前記ベース基板に対して絶縁性の接着剤を介して接合されている請求項１ないし７のいずれか１項に記載の配線構造体。
- 前記第１配線基板および前記第２配線基板は、それぞれ、シリコンで構成され、
前記第１傾斜面および前記第２傾斜面は、それぞれ、シリコンの結晶面に沿って形成されている請求項１ないし８のいずれか１項に記載の配線構造体。 - 請求項１ないし９のいずれか１項に記載の配線構造体を備えることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
- 請求項１０に記載の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする液滴吐出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013014041A JP6326715B2 (ja) | 2013-01-29 | 2013-01-29 | 配線構造体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置 |
| CN201410035965.4A CN103972205B (zh) | 2013-01-29 | 2014-01-24 | 布线结构体、液滴喷头以及液滴喷出装置 |
| US14/165,667 US9064782B2 (en) | 2013-01-29 | 2014-01-28 | Wiring structure, droplet discharge head, and droplet discharge apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013014041A JP6326715B2 (ja) | 2013-01-29 | 2013-01-29 | 配線構造体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014146677A true JP2014146677A (ja) | 2014-08-14 |
| JP6326715B2 JP6326715B2 (ja) | 2018-05-23 |
Family
ID=51222044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013014041A Expired - Fee Related JP6326715B2 (ja) | 2013-01-29 | 2013-01-29 | 配線構造体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9064782B2 (ja) |
| JP (1) | JP6326715B2 (ja) |
| CN (1) | CN103972205B (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006281763A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-10-19 | Seiko Epson Corp | デバイス実装構造とデバイス実装方法、液滴吐出ヘッド及び駆動ユニット並びに半導体装置 |
| JP2007283691A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | 配線構造、デバイス、デバイスの製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出ヘッドの製造方法、及び液滴吐出装置 |
| JP2011071417A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Murata Mfg Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6616270B1 (en) * | 1998-08-21 | 2003-09-09 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording head and ink jet recording apparatus comprising the same |
| JP3726909B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2005-12-14 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッドの製造方法 |
| JP4492520B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2010-06-30 | セイコーエプソン株式会社 | 液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置。 |
| CN100526078C (zh) * | 2005-01-26 | 2009-08-12 | 精工爱普生株式会社 | 安装构造、设备的制造方法、液滴喷头及其制造方法 |
| KR101914168B1 (ko) * | 2011-08-10 | 2018-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 이의 제조 방법 |
| KR20130109586A (ko) * | 2012-03-28 | 2013-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도전 패턴의 형성 방법, 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판 |
| CN102830560A (zh) * | 2012-08-27 | 2012-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
-
2013
- 2013-01-29 JP JP2013014041A patent/JP6326715B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-01-24 CN CN201410035965.4A patent/CN103972205B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-01-28 US US14/165,667 patent/US9064782B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006281763A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-10-19 | Seiko Epson Corp | デバイス実装構造とデバイス実装方法、液滴吐出ヘッド及び駆動ユニット並びに半導体装置 |
| JP2007283691A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | 配線構造、デバイス、デバイスの製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出ヘッドの製造方法、及び液滴吐出装置 |
| JP2011071417A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Murata Mfg Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9064782B2 (en) | 2015-06-23 |
| US20140210094A1 (en) | 2014-07-31 |
| CN103972205A (zh) | 2014-08-06 |
| JP6326715B2 (ja) | 2018-05-23 |
| CN103972205B (zh) | 2018-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8322823B2 (en) | Liquid ejecting head, manufacturing method thereof, and liquid ejecting apparatus | |
| JP6504348B2 (ja) | ヘッド及び液体噴射装置 | |
| JP2007331137A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
| JP2006116767A (ja) | 液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置 | |
| US9579892B2 (en) | Wiring structure, method of manufacturing wiring structure, liquid droplet ejecting head, and liquid droplet ejecting apparatus | |
| JP2007050639A (ja) | デバイス実装構造、デバイス実装方法、電子装置、液滴吐出ヘッド、及び液滴吐出装置 | |
| JP6160119B2 (ja) | 配線構造体、配線構造体の製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置 | |
| JP2011136462A (ja) | 液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 | |
| JP2009226923A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエータ装置 | |
| JP5003306B2 (ja) | 吐出ヘッドおよび吐出ヘッドの製造方法 | |
| JP6269164B2 (ja) | 配線実装構造、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
| JP6326715B2 (ja) | 配線構造体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置 | |
| US9822452B2 (en) | Conduction structure, method of manufacturing conduction structure, droplet ejecting head, and printing apparatus | |
| JP4737389B2 (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
| JP2012218251A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
| JP2021030648A (ja) | 配線接続構造、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
| JP2015150793A (ja) | 配線実装構造の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法及び配線実装構造 | |
| JP2010099871A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
| JP7087511B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、電子デバイス | |
| JP2015217571A (ja) | 配線実装構造及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
| JP2016060177A (ja) | 液体噴射ヘッド及びその製造方法並びに液体噴射装置 | |
| JP4645220B2 (ja) | 液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 | |
| JP2012218156A (ja) | 液体噴射ヘッドと同液体噴射ヘッド用アクチュエータ装置の製造方法 | |
| JP2019093725A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
| JP2007062035A (ja) | 液滴吐出ヘッド、液滴吐出ヘッドの製造方法、及び液滴吐出装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150109 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151209 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160610 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20160624 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161028 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161206 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170202 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170808 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171004 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180320 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180402 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6326715 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |