JP2014146593A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014146593A5 JP2014146593A5 JP2014003009A JP2014003009A JP2014146593A5 JP 2014146593 A5 JP2014146593 A5 JP 2014146593A5 JP 2014003009 A JP2014003009 A JP 2014003009A JP 2014003009 A JP2014003009 A JP 2014003009A JP 2014146593 A5 JP2014146593 A5 JP 2014146593A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- value
- parameter
- variable
- determining
- minimum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 25
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims description 6
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 claims description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000019800 disodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Images
Description
その一方で、パラメータが第１の値１２４を有する場合に変数１０６が極小値１１４ではないことを決定すると、操作１２２において、第１の値１２４は別の値、例えば第２の値１２６に変化する。例としては、第１の値１２４の供給に続いて、Ａ ＭＨｚ ＲＦ電源のプロセッサによってＡ ＭＨｚ ＲＦ電源のＤＡＳに他の値を供給する。即ち、第１の値１２４を供給した後、第１の値１２４と第２の値１２６との間には、Ａ ＭＨｚ ＲＦ電源のプロセッサによってＡ ＭＨｚ ＲＦ電源のＤＡＳに供給される値はない。さらに別の例としては、ホストシステムによってモータシステムに第２の値１２６を供給して、インピーダンスマッチング回路内で第２の値１２６の静電容量、またはインダクタンスを達成する。別の例としては、ホストシステムによってＡ ＭＨｚ ＲＦ電源に第２の値１２６を供給して、インピーダンスマッチング回路の第２の値１２６の動作周波数を達成する。さらに別の例としては、ホストシステムによってモータシステムに静電容量を供給し、ホストシステムによってモータシステムにインダクタンスを供給し、および／またはホストシステムによってインピーダンスマッチング回路を制御して、第２の値１２６を達成する周波数で動作させる。さらに別の例としては、ホストシステムによってモータシステムに静電容量を供給し、インピーダンスマッチング回路のインダクタに電流を供給し、および／またはホストシステムによってインピーダンスマッチング回路を制御して、第２の値１２６を達成する周波数で動作させる。
パラメータ１１０が第２の値１２６を有する場合、Ａ ＭＨｚ ＲＦ電源のセンサは伝送ラインにおいて情報を測定する。プラズマシステムの１つまたは複数のプロセッサは、パラメータ１１０が第２の値１２６を有する場合に測定した情報に基づいて、変数１０６の１つまたは複数の値を決定する。さらに、操作１１２では、パラメータ１１０が第２の値１２６を有する場合の変数１０６の１つまたは複数の値が極小値であるかどうかを決定する。
操作１４０の後、本方法１３６を繰り返す。例えば、第１の値１２４の代わりに学習値に対して、操作１０４、１１２、１２２、および１３８を実施する。即ち、パラメータ１１０が学習値を有する場合、Ａ ＭＨｚ ＲＦ電源のＤＡＳは、学習値に対応する値を有するＲＦ信号を生成して、伝送ラインを介してプラズマチャンバにこのＲＦ信号を供給する。学習値に対応する値を有するＲＦ信号をプラズマチャンバに供給する際、変数１０６の１つまたは複数の値を決定するための情報を受信する。パラメータ１１０が学習値を有する場合、Ａ ＭＨｚ ＲＦ電源のセンサは伝送ラインにおいて情報を測定する。変数１０６の１つまたは複数の値は、パラメータ１１０が学習値を有する場合の測定情報に基づいて、Ａ ＭＨｚ ＲＦ電源のプロセッサによって決定される。さらに、操作１１２では、パラメータ１１０が学習値を有する場合の変数１０６の１つまたは複数の値が極小値であるかどうかを決定する。また、操作１２２では、パラメータ１１０が学習値を有する場合に変数１０６の１つまたは複数の値が極小値でないことを決定すると、学習値を別の値に変更する。別の例としては、モータシステムがインピーダンスマッチング回路のキャパシタを制御して学習値を達成する場合、プラズマシステムの１つまたは複数のセンサは、伝送ライン上の順方向電力、および反射電力を感知する。１つまたは複数のセンサは、Ａ ＭＨｚ ＲＦ電源のＤＳＰを介してホストシステムに順方向電力値、および反射電力値を供給する。ホストシステムは、順方向電力値、および反射電力値から反射電力を決定し、反射電力値が極小値であるかどうかを決定する。
操作１５９では、イベントの数が限界を超えるかどうかを決定する。例えば、イベントの数が２、３、４、６、または別の正の整数を超えるかどうかを決定する。イベントの数が限界を超えないことを決定するのに対応して、操作１６４では、パラメータ１１０の更なるチューニングを中止する。例えば、操作１５８で達成された１つまたは複数の他の値は、パラメータ１１０の１つまたは複数の追加の値へと、さらに変化することはなく、これによってパラメータ１１０の更なるチューニングを中止する。
図５は、パラメータ１１０をチューニングするためのプラズマシステム１７２の実施形態のブロック図である。プラズマチャンバ１０９は、下側電極１９６、上側電極１９４、および他の部品（図示せず）、例えば上側電極１９４を取り囲む上側絶縁リング、上側絶縁リングを取り囲む上側電極延長部、下側電極１９６を取り囲む下側絶縁リング、下側絶縁リングを取り囲む下側電極延長部、上側プラズマ排除領域（ｐｌａｓｍａ ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ ｚｏｎｅ：ＰＥＺ）リング、下側ＰＥＺリング等を含む。上側電極１９４は、下側電極１９６の反対側に、これに対面するよう配置される。例えば半導体ウエハ、電子構成部品を有する半導体ウエハ等である基板１３０は、下側電極１９６の上側表面１９７上に支持される。下側電極１９６は、例えば陽極酸化アルミニウム、アルミニウム合金等の金属製である。また上側電極１９４は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金等の金属製である。
上側電極１９４と下側電極１９６との間にプロセスガスが供給されると、およびＲＦ電源１７４のＤＡＳ１８６が電力を生成して、インピーダンスマッチング回路１９２を介してこの電力を下側電極１９６に供給すると、プロセスガスは着火され、プラズマチャンバ１０９内でパルスプラズマ１０２が生成される。例えば、ＤＡＳ１８６は、プロセスガスに着火してプラズマ１０２を生成するために、電力を生成して、インピーダンスマッチング回路１９２を介してこの電力を供給する。以下で説明するように、下側電極１９６に供給されるＲＦ信号が２つの状態Ｓ１、およびＳ０の間で変化すると、プラズマ１０２はパルスを与えられる。
インピーダンスマッチング回路は、インピーダンスマッチング回路に結合された電源のインピーダンスを、インピーダンスマッチング回路に結合された負荷のインピーダンスに適合させるための、例えば電気回路構成部品、インダクタ、キャパシタ等の電気部品を含む。例えば、インピーダンスマッチング回路１９２は、ＲＦ電源１７４の１つ、もしくは複数の部分（例えばＤＡＳ１８６等）、および／または伝送ライン１０８のインピーダンスを、プラズマチャンバ１０９の１つ、もしくは複数の部分（例えばプラズマ１０２、部品等）のインピーダンスに適合させる。ＲＦ電源１７４、伝送ライン１０８、またはこれらの組み合わせは電源の例であり、プラズマチャンバ１０９は負荷の例である。電源と負荷との間のインピーダンスの適合は、電力が負荷から電源へ反射する可能性を低減する。
電力値Ｐ１、および／または周波数値Ｆ１を受信するとすぐに、パラメータ制御１７６は電力値Ｐ１、および／または周波数値Ｆ１をＤＡＳ１８６のドライバ１８２に供給する。ドライバの例としては、電力ドライバ、電流ドライバ、電圧ドライバ、トランジスタ等が挙げられる。ドライバ１８２は、電力値Ｐ１、および／または周波数値Ｆ１を有するＲＦ信号を生成し、このＲＦ信号をＤＡＳ１８６の増幅器１８４に供給する。
増幅器１８４は、電力値Ｐ１、および／または周波数値Ｆ１を有するＲＦ信号を増幅し、ドライバ１８２から受信したＲＦ信号に対応するＲＦ信号１２０を生成する。例えば、ＲＦ信号１２０は、電力値Ｐ１より高い電力量を有する。別の例としては、ＲＦ信号１２０は電力値Ｐ１と同一の電力量を有する。ＲＦ信号１２０は、伝送ライン１０８、およびマッチング回路１９２を介して下側電極１９６に伝送され、これによってプラズマ１０２のインピーダンスを制御する。
増幅器１８４は、電力値Ｐ０、および／または周波数値Ｆ０を有するＲＦ信号を増幅し、ドライバ１８２から受信したＲＦ信号に対応するＲＦ信号１２１を生成する。例えば、ＲＦ信号１２１は、電力値Ｐ０より高い電力量を有する。別の例としては、ＲＦ信号１２１は電力値Ｐ０と同一の電力量を有する。ＲＦ信号１２１は、伝送ライン１０８、およびマッチング回路１９２を介して下側電極１９６に伝送され、これによってプラズマ１０２のインピーダンスを制御する。
パラメータ制御１７８によって電力値Ｐ０、および／または周波数値Ｆ０がＤＡＳ１８６に供給され、ＲＦ信号１２１が生成されると、センサ１８８は伝送ライン１０８上で情報を感知する。センサ１８８はこの情報を制御システム１８７に送り、制御システム１８７はこの情報をアナログ形式からデジタル形式に変換する。制御システム１８７は、状態Ｓ０の間、センサ１８８から情報を受信し、センサ１８８から情報を受信し、方法１２９（図２）、方法１３６（図３）、または方法１５０（図４）を実行する。なお、方法１２９、１３６、および１５０は、デジタルパルス化信号１８５、またはプラズマ１２０のいずれかである状態中に実行される。例えば、ホストシステム１９０のプロセッサは、状態Ｓ０の間に測定された情報を受信するとすぐに、例えばＶＳＲ１８１を実行する。
図１２は、極小値が達成される供給電力を繰り返し制御できることを示すグラフ２４０、および２４２の実施形態を示す。この反復可能性により、基板１３０上で実施されるプロセスを制御できる（図５）。グラフ２４０は、供給電力信号ＳＧ１、ＳＧ２、およびＳＧ３を時間に対してプロットしたものであり、またグラフ２４２は、供給電力信号ＳＧ４、ＳＧ５、およびＳＧ６を時間に対してプロットしたものである。
図１３は、ホストシステム１９０のある実施形態のブロック図である（図５）。ホストシステム１９０は、入力ハードウェア部（ＨＵ）２５０、出力ＨＵ２５２、入力／出力（Ｉ／Ｏ）インタフェース２５４、Ｉ／Ｏインタフェース２５６、ネットワークインタフェースコントローラ（ＮＩＣ）２５８、バス２６０、プロセッサ２６２、および記憶ＨＵ２６４を含む。プロセッサ２６２、記憶ＨＵ２６４、入力ＨＵ２５０、出力ＨＵ２５２、Ｉ／Ｏインタフェース２５４、Ｉ／Ｏインタフェース２５６、およびＮＩＣ２５８は、バス２６０を介して互いに結合される。入力ＨＵ２５０の例としては、マウス、キーボード、スタイラス等が挙げられる。出力ＨＵ２５２の例としては、ディスプレイ、スピーカー、またはこれらの組み合わせが挙げられる。ディスプレイは液晶ディスプレイ、発光ダイオードディスプレイ、陰極線管、プラズマディスプレイ等であってよい。ＮＩＣ２５８の例としては、ネットワークインタフェースカード、ネットワークアダプタ等が挙げられる。記憶ＨＵの例としては、記憶デバイス、ＲＯＭ、ＲＡＭ、またはこれらの組み合わせが挙げられる。例えば、記憶ＨＵはフラッシュドライブ、記憶ディスクの冗長アレイ、ハードディスク等であってよい。
上述の実施形態は、理解を容易にする目的で、いくつかの詳細について説明したが、添付の請求項の範囲内において特定の変更、および改変を実行できることは明らかであろう。従って、本明細書で説明した実施形態は、例示的なものであって限定的なものではないと考えるべきであり、これらの実施形態は、本明細書に挙げた詳細に限定されるものではなく、添付の請求項の範囲、および均等物の範囲内で改変してよい。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、前記インピーダンスマッチング回路をチューニングするために前記第１の値を提供することと、
前記変数が極小値でないことを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの第２の値に変更することと、
前記パラメータが前記第２の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
適用例２：
適用例１の方法であって、
前記パラメータが第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定すること、もしくは
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定すること、または
これらの組み合わせ、を含む、方法。
適用例３：
適用例２の方法であって、
前記変数の振動が不足している場合に、前記変数は安定である、方法。
適用例４：
適用例２の方法であって、
前記変数が最小値と最大値との間で振動し、前記最小値と前記最大値との間の範囲が所定の範囲を超える場合、前記変数は不安定である、方法。
適用例５：
適用例１の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記方法は前記パラメータの学習値を用いることなく実施される、方法。
適用例６：
適用例５の方法であって、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。
適用例７：
適用例１の方法であって、
前記パラメータは、周波数、静電容量、インダクタンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。
適用例８：
適用例１の方法であって、
前記情報は、電圧、電流、電力、またはこれらの組み合わせを含み、
前記変数は、ガンマ、反射電力、複素電圧反射係数、プラズマインピーダンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。
適用例９：
適用例１の方法であって、
前記極小値は絶対最小値ではなく、
前記絶対最小値はゼロワットの反射電力を含む、方法。
適用例１０：
適用例１の方法であって、
前記プロセッサはホストシステム内にあり、
前記ホストシステムは、高周波（ＲＦ）電源に結合され、
前記ＲＦ電源は前記インピーダンスマッチング回路を介して前記プラズマチャンバに結合される、方法。
適用例１１：
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、高周波（ＲＦ）信号を生成するために前記第１の値を供給することであって、前記ＲＦ信号は前記第１の値に対応し、前記ＲＦ信号は前記プラズマチャンバへ送信されるようになっている、供給することと、
前記変数が極小値でないことを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの第２の値に変更することと、
前記パラメータが前記第２の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
適用例１２：
適用例１１の方法であって、
前記パラメータが第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定すること、もしくは
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定すること、または
これらの組み合わせ、を含む、方法。
適用例１３：
適用例１１の方法であって、
前記情報は、電圧、電流、電力、またはこれらの組み合わせを含み、
前記変数は、ガンマ、反射電力、複素電圧反射係数、プラズマインピーダンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。
適用例１４：
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記パラメータが前記第１の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、前記パラメータの前記第１の値が学習値の限界範囲内であるかどうかを決定することであって、前記学習値は学習ルーチン中に決定される、決定と、
前記パラメータの前記第１の値が前記限界範囲内であることを決定すると、高周波（ＲＦ）信号を生成するため、または前記インピーダンスマッチング回路をチューニングするために、前記学習値を供給することと、
前記パラメータが前記限界範囲外の前記第１の値を有することを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの前記第２の値に変更することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
適用例１５：
適用例１４の方法であって、
前記パラメータが第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定することと、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定することと、を含む、方法。
適用例１６：
適用例１５の方法であって、
前記変数が最小値と最大値との間で振動し、前記最小値と前記最大値との間の範囲が所定の範囲を超える場合、前記変数は不安定である、方法。
適用例１７：
適用例１６の方法であって、
前記変数の前記振動が不足している場合、前記変数は安定である、方法。
適用例１８：
適用例１５の方法であって、
基板の処理中に実行される、方法。
適用例１９：
適用例１８の方法であって、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。
適用例２０：
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記パラメータが前記第１の値である場合に達成される、前記変数の極小値を決定することと、
前記第１の値を前記パラメータの１つまたは複数の他の値に変更することによって、前記パラメータをチューニングすることと、
前記パラメータが前記１つまたは複数の他の値を有する場合に前記変数が不安定となるイベントの数を決定することと、
前記イベントの数が限界を超えるかどうかを決定することと、
前記イベントの数が前記限界を超えることを決定すると、前記パラメータのチューニングの方向を反転することと、
前記イベントの数が前記限界を超えないことを決定すると、前記パラメータの更なるチューニングを中止することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
適用例２１：
適用例２０の方法であって、
前記変数の前記極小値を決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えないことを決定することと、および
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であることを決定すること
を含む、方法。
適用例２２：
適用例２０の方法であって、
前記パラメータのチューニングの前記方向を反転することは、前記パラメータの値を増大させること、または前記パラメータの値を減少させることを含む、方法。
適用例２３：
適用例２０の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記方法は、前記パラメータの学習値に関する知識を用いることなく実行され、
前記極小値は絶対最小値ではなく、
前記プロセッサはホストシステム内にあり、前記ホストシステムは高周波（ＲＦ）電源に結合され、前記ＲＦ電源は前記インピーダンスマッチング回路を介して前記プラズマチャンバに結合される、方法。
適用例２４：
適用例２０の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、前記インピーダンスマッチング回路をチューニングするために前記第１の値を提供することと、
前記変数が極小値でないことを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの第２の値に変更することと、
前記パラメータが前記第２の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
適用例２：
適用例１の方法であって、
前記パラメータが第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定すること、もしくは
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定すること、または
これらの組み合わせ、を含む、方法。
適用例３：
適用例２の方法であって、
前記変数の振動が不足している場合に、前記変数は安定である、方法。
適用例４：
適用例２の方法であって、
前記変数が最小値と最大値との間で振動し、前記最小値と前記最大値との間の範囲が所定の範囲を超える場合、前記変数は不安定である、方法。
適用例５：
適用例１の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記方法は前記パラメータの学習値を用いることなく実施される、方法。
適用例６：
適用例５の方法であって、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。
適用例７：
適用例１の方法であって、
前記パラメータは、周波数、静電容量、インダクタンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。
適用例８：
適用例１の方法であって、
前記情報は、電圧、電流、電力、またはこれらの組み合わせを含み、
前記変数は、ガンマ、反射電力、複素電圧反射係数、プラズマインピーダンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。
適用例９：
適用例１の方法であって、
前記極小値は絶対最小値ではなく、
前記絶対最小値はゼロワットの反射電力を含む、方法。
適用例１０：
適用例１の方法であって、
前記プロセッサはホストシステム内にあり、
前記ホストシステムは、高周波（ＲＦ）電源に結合され、
前記ＲＦ電源は前記インピーダンスマッチング回路を介して前記プラズマチャンバに結合される、方法。
適用例１１：
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、高周波（ＲＦ）信号を生成するために前記第１の値を供給することであって、前記ＲＦ信号は前記第１の値に対応し、前記ＲＦ信号は前記プラズマチャンバへ送信されるようになっている、供給することと、
前記変数が極小値でないことを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの第２の値に変更することと、
前記パラメータが前記第２の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
適用例１２：
適用例１１の方法であって、
前記パラメータが第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定すること、もしくは
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定すること、または
これらの組み合わせ、を含む、方法。
適用例１３：
適用例１１の方法であって、
前記情報は、電圧、電流、電力、またはこれらの組み合わせを含み、
前記変数は、ガンマ、反射電力、複素電圧反射係数、プラズマインピーダンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。
適用例１４：
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記パラメータが前記第１の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、前記パラメータの前記第１の値が学習値の限界範囲内であるかどうかを決定することであって、前記学習値は学習ルーチン中に決定される、決定と、
前記パラメータの前記第１の値が前記限界範囲内であることを決定すると、高周波（ＲＦ）信号を生成するため、または前記インピーダンスマッチング回路をチューニングするために、前記学習値を供給することと、
前記パラメータが前記限界範囲外の前記第１の値を有することを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの前記第２の値に変更することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
適用例１５：
適用例１４の方法であって、
前記パラメータが第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定することと、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定することと、を含む、方法。
適用例１６：
適用例１５の方法であって、
前記変数が最小値と最大値との間で振動し、前記最小値と前記最大値との間の範囲が所定の範囲を超える場合、前記変数は不安定である、方法。
適用例１７：
適用例１６の方法であって、
前記変数の前記振動が不足している場合、前記変数は安定である、方法。
適用例１８：
適用例１５の方法であって、
基板の処理中に実行される、方法。
適用例１９：
適用例１８の方法であって、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。
適用例２０：
プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記パラメータが前記第１の値である場合に達成される、前記変数の極小値を決定することと、
前記第１の値を前記パラメータの１つまたは複数の他の値に変更することによって、前記パラメータをチューニングすることと、
前記パラメータが前記１つまたは複数の他の値を有する場合に前記変数が不安定となるイベントの数を決定することと、
前記イベントの数が限界を超えるかどうかを決定することと、
前記イベントの数が前記限界を超えることを決定すると、前記パラメータのチューニングの方向を反転することと、
前記イベントの数が前記限界を超えないことを決定すると、前記パラメータの更なるチューニングを中止することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。
適用例２１：
適用例２０の方法であって、
前記変数の前記極小値を決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えないことを決定することと、および
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であることを決定すること
を含む、方法。
適用例２２：
適用例２０の方法であって、
前記パラメータのチューニングの前記方向を反転することは、前記パラメータの値を増大させること、または前記パラメータの値を減少させることを含む、方法。
適用例２３：
適用例２０の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記方法は、前記パラメータの学習値に関する知識を用いることなく実行され、
前記極小値は絶対最小値ではなく、
前記プロセッサはホストシステム内にあり、前記ホストシステムは高周波（ＲＦ）電源に結合され、前記ＲＦ電源は前記インピーダンスマッチング回路を介して前記プラズマチャンバに結合される、方法。
適用例２４：
適用例２０の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。
Claims (24)
- プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、前記インピーダンスマッチング回路をチューニングするために前記第１の値を提供することと、
前記変数が極小値でないことを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの第２の値に変更することと、
前記パラメータが前記第２の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定すること、もしくは
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定すること、または
これらの組み合わせ、を含む、方法。 - 請求項２に記載の方法であって、
前記変数の振動が不足している場合に、前記変数は安定である、方法。 - 請求項２に記載の方法であって、
前記変数が最小値と最大値との間で振動し、前記最小値と前記最大値との間の範囲が所定の範囲を超える場合、前記変数は不安定である、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記方法は前記パラメータの学習値を用いることなく実施される、方法。 - 請求項５に記載の方法であって、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記パラメータは、周波数、静電容量、インダクタンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記情報は、電圧、電流、電力、またはこれらの組み合わせを含み、
前記変数は、ガンマ、反射電力、複素電圧反射係数、プラズマインピーダンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記極小値は絶対最小値ではなく、
前記絶対最小値はゼロワットの反射電力を含む、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、
前記プロセッサはホストシステム内にあり、
前記ホストシステムは、高周波（ＲＦ）電源に結合され、
前記ＲＦ電源は前記インピーダンスマッチング回路を介して前記プラズマチャンバに結合される、方法。 - プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、高周波（ＲＦ）信号を生成するために前記第１の値を供給することであって、前記ＲＦ信号は前記第１の値に対応し、前記ＲＦ信号は前記プラズマチャンバへ送信されるようになっている、供給することと、
前記変数が極小値でないことを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの第２の値に変更することと、
前記パラメータが前記第２の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定すること、もしくは
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定すること、または
これらの組み合わせ、を含む、方法。 - 請求項１１に記載の方法であって、
前記情報は、電圧、電流、電力、またはこれらの組み合わせを含み、
前記変数は、ガンマ、反射電力、複素電圧反射係数、プラズマインピーダンス、またはこれらの組み合わせを含む、方法。 - プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記パラメータが前記第１の値である場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することと、
前記変数が極小値であることを決定すると、前記パラメータの前記第１の値が学習値の限界範囲内であるかどうかを決定することであって、前記学習値は学習ルーチン中に決定される、決定と、
前記パラメータの前記第１の値が前記限界範囲内であることを決定すると、高周波（ＲＦ）信号を生成するため、または前記インピーダンスマッチング回路をチューニングするために、前記学習値を供給することと、
前記パラメータが前記限界範囲外の前記第１の値を有することを決定すると、前記第１の値を前記パラメータの前記第２の値に変更することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。 - 請求項１４に記載の方法であって、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が極小値であるかどうかを決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えるかどうかを決定することと、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であるかどうかを決定することと、を含む、方法。 - 請求項１５に記載の方法であって、
前記変数が最小値と最大値との間で振動し、前記最小値と前記最大値との間の範囲が所定の範囲を超える場合、前記変数は不安定である、方法。 - 請求項１６に記載の方法であって、
前記変数の前記振動が不足している場合、前記変数は安定である、方法。 - 請求項１５に記載の方法であって、
基板の処理中に実行される、方法。 - 請求項１８に記載の方法であって、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。 - プラズマインピーダンスに関連するパラメータをチューニングするための方法であって、
変数を決定するための情報を受信することであって、前記情報は伝送ラインにおいて測定され、前記情報は、前記パラメータが第１の値を有する時に測定され、前記伝送ラインを用いて、インピーダンスマッチング回路を介してプラズマチャンバに電力を供給する、受信と、
前記パラメータが前記第１の値である場合に達成される、前記変数の極小値を決定することと、
前記第１の値を前記パラメータの１つまたは複数の他の値に変更することによって、前記パラメータをチューニングすることと、
前記パラメータが前記１つまたは複数の他の値を有する場合に前記変数が不安定となるイベントの数を決定することと、
前記イベントの数が限界を超えるかどうかを決定することと、
前記イベントの数が前記限界を超えることを決定すると、前記パラメータのチューニングの方向を反転することと、
前記イベントの数が前記限界を超えないことを決定すると、前記パラメータの更なるチューニングを中止することと、を含み、
プロセッサによって実行される、方法。 - 請求項２０に記載の方法であって、
前記変数の前記極小値を決定することは、
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が閾値を超えないことを決定することと、および
前記パラメータが前記第１の値を有する場合に前記変数が安定であることを決定すること
を含む、方法。 - 請求項２０に記載の方法であって、
前記パラメータのチューニングの前記方向を反転することは、前記パラメータの値を増大させること、または前記パラメータの値を減少させることを含む、方法。 - 請求項２０に記載の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記方法は、前記パラメータの学習値に関する知識を用いることなく実行され、
前記極小値は絶対最小値ではなく、
前記プロセッサはホストシステム内にあり、前記ホストシステムは高周波（ＲＦ）電源に結合され、前記ＲＦ電源は前記インピーダンスマッチング回路を介して前記プラズマチャンバに結合される、方法。 - 請求項２０に記載の方法であって、
前記方法は基板の処理中に実行され、
前記基板は電子デバイス内に実装される、方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/740,047 US9155182B2 (en) | 2013-01-11 | 2013-01-11 | Tuning a parameter associated with plasma impedance |
| US13/740,047 | 2013-01-11 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014146593A JP2014146593A (ja) | 2014-08-14 |
| JP2014146593A5 true JP2014146593A5 (ja) | 2017-02-09 |
| JP6404569B2 JP6404569B2 (ja) | 2018-10-10 |
Family
ID=51145109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014003009A Active JP6404569B2 (ja) | 2013-01-11 | 2014-01-10 | プラズマインピーダンスに関連するパラメータのチューニング |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US9155182B2 (ja) |
| JP (1) | JP6404569B2 (ja) |
| KR (1) | KR102304002B1 (ja) |
| CN (1) | CN103926850B (ja) |
| SG (2) | SG10201605648SA (ja) |
| TW (1) | TWI609406B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9318304B2 (en) | 2013-11-11 | 2016-04-19 | Applied Materials, Inc. | Frequency tuning for dual level radio frequency (RF) pulsing |
| KR102021961B1 (ko) * | 2014-01-13 | 2019-11-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비의 관리방법 |
| CN105591629B (zh) * | 2014-10-22 | 2018-01-26 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 自动频率调谐阻抗匹配的匹配频率的获取方法和装置 |
| US9754767B2 (en) * | 2015-10-13 | 2017-09-05 | Applied Materials, Inc. | RF pulse reflection reduction for processing substrates |
| US9966231B2 (en) * | 2016-02-29 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Direct current pulsing plasma systems |
| KR20170117312A (ko) * | 2016-04-13 | 2017-10-23 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 값들을 사용함으로써 상태 전이들 동안 반사된 전력을 감소시키기 위한 시스템들 및 방법들 |
| US10009028B2 (en) | 2016-09-30 | 2018-06-26 | Lam Research Corporation | Frequency and match tuning in one state and frequency tuning in the other state |
| US10410836B2 (en) * | 2017-02-22 | 2019-09-10 | Lam Research Corporation | Systems and methods for tuning to reduce reflected power in multiple states |
| CN108199742B (zh) | 2017-11-13 | 2020-12-01 | 深圳市万普拉斯科技有限公司 | 自调谐方法、自调谐系统及移动终端 |
| EP3745825A4 (en) * | 2018-01-23 | 2021-01-20 | Fuji Corporation | PLASMA GENERATOR AND INFORMATION PROCESSING METHOD |
| CN110299279B (zh) * | 2019-08-22 | 2019-11-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种射频电源系统、等离子体处理器及其调频匹配方法 |
Family Cites Families (116)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3027828A1 (de) | 1980-07-23 | 1982-03-04 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Frequenz/phasenregelschleife |
| US4353777A (en) | 1981-04-20 | 1982-10-12 | Lfe Corporation | Selective plasma polysilicon etching |
| US4457820A (en) | 1981-12-24 | 1984-07-03 | International Business Machines Corporation | Two step plasma etching |
| US4454001A (en) | 1982-08-27 | 1984-06-12 | At&T Bell Laboratories | Interferometric method and apparatus for measuring etch rate and fabricating devices |
| US4500563A (en) | 1982-12-15 | 1985-02-19 | Pacific Western Systems, Inc. | Independently variably controlled pulsed R.F. plasma chemical vapor processing |
| US4855897A (en) | 1987-07-13 | 1989-08-08 | The Foxboro Company | Method and apparatus for statistical set point bias control |
| DE3923662A1 (de) | 1989-07-18 | 1991-01-24 | Leybold Ag | Schaltungsanordnung zum automatischen abstimmen eines anpassungsnetzwerks |
| SE468532B (sv) * | 1990-06-17 | 1993-02-01 | Kvaser Consultant Ab | Anordning och foerfarande foer att i ett system styra ett organ |
| JP3001658B2 (ja) * | 1991-03-28 | 2000-01-24 | 日本原子力研究所 | 高周波加熱装置 |
| US5788801A (en) | 1992-12-04 | 1998-08-04 | International Business Machines Corporation | Real time measurement of etch rate during a chemical etching process |
| JPH0765993A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-10 | Anelva Corp | 有磁場マイクロ波放電反応装置 |
| US5571366A (en) | 1993-10-20 | 1996-11-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US5989999A (en) | 1994-11-14 | 1999-11-23 | Applied Materials, Inc. | Construction of a tantalum nitride film on a semiconductor wafer |
| US6042686A (en) | 1995-06-30 | 2000-03-28 | Lam Research Corporation | Power segmented electrode |
| JP2888179B2 (ja) * | 1995-08-24 | 1999-05-10 | 日本電気株式会社 | アンテナ同調制御装置 |
| US5892198A (en) | 1996-03-29 | 1999-04-06 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for electronically controlling r.f. energy supplied to a vacuum plasma processor and memory for same |
| US6110214A (en) | 1996-05-03 | 2000-08-29 | Aspen Technology, Inc. | Analyzer for modeling and optimizing maintenance operations |
| US5689215A (en) | 1996-05-23 | 1997-11-18 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for controlling reactive impedances of a matching network connected between an RF source and an RF plasma processor |
| US6048435A (en) | 1996-07-03 | 2000-04-11 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
| US6246972B1 (en) | 1996-08-23 | 2001-06-12 | Aspen Technology, Inc. | Analyzer for modeling and optimizing maintenance operations |
| US5866985A (en) | 1996-12-03 | 1999-02-02 | International Business Machines Corporation | Stable matching networks for plasma tools |
| US5694207A (en) | 1996-12-09 | 1997-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Etch rate monitoring by optical emission spectroscopy |
| US5889252A (en) | 1996-12-19 | 1999-03-30 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for independently controlling electric parameters of an impedance matching network |
| US6110405A (en) | 1997-09-15 | 2000-08-29 | Wellman, Inc. | Melt spinning colored polycondensation polymers |
| US6351683B1 (en) | 1997-09-17 | 2002-02-26 | Tokyo Electron Limited | System and method for monitoring and controlling gas plasma processes |
| US6020794A (en) | 1998-02-09 | 2000-02-01 | Eni Technologies, Inc. | Ratiometric autotuning algorithm for RF plasma generator |
| US6157867A (en) | 1998-02-27 | 2000-12-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method and system for on-line monitoring plasma chamber condition by comparing intensity of certain wavelength |
| US6021672A (en) | 1998-09-18 | 2000-02-08 | Windbond Electronics Corp. | Simultaneous in-situ optical sensing of pressure and etch rate in plasma etch chamber |
| US7361287B2 (en) | 1999-04-30 | 2008-04-22 | Robert Bosch Gmbh | Method for etching structures in an etching body by means of a plasma |
| US6431112B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for plasma processing of a substrate utilizing an electrostatic chuck |
| US6441555B1 (en) | 2000-03-31 | 2002-08-27 | Lam Research Corporation | Plasma excitation coil |
| US6472822B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-10-29 | Applied Materials, Inc. | Pulsed RF power delivery for plasma processing |
| JP4240259B2 (ja) | 2000-08-21 | 2009-03-18 | 富士電機システムズ株式会社 | プラズマ電位測定方法と測定用プローブ |
| US6492774B1 (en) | 2000-10-04 | 2002-12-10 | Lam Research Corporation | Wafer area pressure control for plasma confinement |
| US6750711B2 (en) | 2001-04-13 | 2004-06-15 | Eni Technology, Inc. | RF power amplifier stability |
| US6669783B2 (en) | 2001-06-28 | 2003-12-30 | Lam Research Corporation | High temperature electrostatic chuck |
| KR100557842B1 (ko) | 2001-12-10 | 2006-03-10 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 고주파 전원 및 그 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| US20030119308A1 (en) | 2001-12-20 | 2003-06-26 | Geefay Frank S. | Sloped via contacts |
| JP4024053B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2007-12-19 | キヤノンアネルバ株式会社 | 高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置 |
| US7480571B2 (en) | 2002-03-08 | 2009-01-20 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for improving the stability of RF power delivery to a plasma load |
| JP2003282545A (ja) | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及びプラズマ処理装置 |
| US6873114B2 (en) | 2002-09-26 | 2005-03-29 | Lam Research Corporation | Method for toolmatching and troubleshooting a plasma processing system |
| US20040060660A1 (en) | 2002-09-26 | 2004-04-01 | Lam Research Inc., A Delaware Corporation | Control of plasma density with broadband RF sensor |
| US6781317B1 (en) | 2003-02-24 | 2004-08-24 | Applied Science And Technology, Inc. | Methods and apparatus for calibration and metrology for an integrated RF generator system |
| US7795153B2 (en) | 2003-05-16 | 2010-09-14 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling a chamber based upon predetermined concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of selected chamber parameters |
| US6862557B2 (en) | 2003-06-12 | 2005-03-01 | Lam Research Corporation | System and method for electronically collecting data in a fabrication facility |
| US7625460B2 (en) | 2003-08-01 | 2009-12-01 | Micron Technology, Inc. | Multifrequency plasma reactor |
| US7405521B2 (en) | 2003-08-22 | 2008-07-29 | Lam Research Corporation | Multiple frequency plasma processor method and apparatus |
| JP2005130198A (ja) | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Ulvac Japan Ltd | 高周波装置 |
| US7838430B2 (en) | 2003-10-28 | 2010-11-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma control using dual cathode frequency mixing |
| US7190119B2 (en) | 2003-11-07 | 2007-03-13 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for optimizing a substrate in a plasma processing system |
| US6983215B2 (en) | 2003-12-02 | 2006-01-03 | Mks Instruments, Inc. | RF metrology characterization for field installation and serviceability for the plasma processing industry |
| US7879185B2 (en) | 2003-12-18 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Dual frequency RF match |
| US6972524B1 (en) | 2004-03-24 | 2005-12-06 | Lam Research Corporation | Plasma processing system control |
| US7435926B2 (en) | 2004-03-31 | 2008-10-14 | Lam Research Corporation | Methods and array for creating a mathematical model of a plasma processing system |
| US20050241762A1 (en) | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Applied Materials, Inc. | Alternating asymmetrical plasma generation in a process chamber |
| US7169256B2 (en) | 2004-05-28 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Plasma processor with electrode responsive to multiple RF frequencies |
| US20060065631A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Chia-Cheng Cheng | Methods and apparatus for monitoring a process in a plasma processing system by measuring impedance |
| US7323116B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-01-29 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for monitoring a process in a plasma processing system by measuring self-bias voltage |
| US20060065632A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Chia-Cheng Cheng | Methods and apparatus for monitoring a process in a plasma processing system by measuring a plasma frequency |
| US7459100B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-12-02 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for sequentially alternating among plasma processes in order to optimize a substrate |
| US7364623B2 (en) | 2005-01-27 | 2008-04-29 | Lam Research Corporation | Confinement ring drive |
| JP4799947B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2011-10-26 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源装置および高周波電源の制御方法 |
| JP4739793B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-08-03 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源装置 |
| US7602127B2 (en) | 2005-04-18 | 2009-10-13 | Mks Instruments, Inc. | Phase and frequency control of a radio frequency generator from an external source |
| US7359177B2 (en) | 2005-05-10 | 2008-04-15 | Applied Materials, Inc. | Dual bias frequency plasma reactor with feedback control of E.S.C. voltage using wafer voltage measurement at the bias supply output |
| JP5116667B2 (ja) | 2005-06-10 | 2013-01-09 | バード テクノロジーズ グループ インク． | 半導体プラズマ発生システムにおける電力潮流を解析するシステムと方法 |
| US20070021935A1 (en) | 2005-07-12 | 2007-01-25 | Larson Dean J | Methods for verifying gas flow rates from a gas supply system into a plasma processing chamber |
| US20080179948A1 (en) | 2005-10-31 | 2008-07-31 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power delivery system |
| US7764140B2 (en) | 2005-10-31 | 2010-07-27 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power delivery system |
| CN100530529C (zh) | 2006-07-17 | 2009-08-19 | 应用材料公司 | 具有静电卡盘电压反馈控制的双偏置频率等离子体反应器 |
| US20080029385A1 (en) | 2006-08-03 | 2008-02-07 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US8192576B2 (en) | 2006-09-20 | 2012-06-05 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for measuring and controlling wafer potential in pulsed RF bias processing |
| US7902991B2 (en) | 2006-09-21 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Frequency monitoring to detect plasma process abnormality |
| US7732728B2 (en) | 2007-01-17 | 2010-06-08 | Lam Research Corporation | Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor |
| US7858898B2 (en) | 2007-01-26 | 2010-12-28 | Lam Research Corporation | Bevel etcher with gap control |
| US7728602B2 (en) | 2007-02-16 | 2010-06-01 | Mks Instruments, Inc. | Harmonic derived arc detector |
| US8241457B2 (en) | 2007-03-30 | 2012-08-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system, plasma measurement system, plasma measurement method, and plasma control system |
| US20170213734A9 (en) * | 2007-03-30 | 2017-07-27 | Alexei Marakhtanov | Multifrequency capacitively coupled plasma etch chamber |
| KR100870121B1 (ko) | 2007-04-19 | 2008-11-25 | 주식회사 플라즈마트 | 임피던스 매칭 방법 및 이 방법을 위한 매칭 시스템 |
| CN101295345B (zh) | 2007-04-29 | 2010-06-16 | 晨星半导体股份有限公司 | 射频识别读取装置 |
| CN101374381B (zh) * | 2007-08-20 | 2011-07-27 | 清华大学 | 实现射频阻抗匹配的方法及射频阻抗匹配系统 |
| WO2009060213A1 (en) | 2007-11-06 | 2009-05-14 | Microoncology Limited | Microwave plasms sterilisation system and applicators therefor |
| JP5319150B2 (ja) | 2008-03-31 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| CN201226589Y (zh) * | 2008-05-15 | 2009-04-22 | 重庆医科大学 | 一种超声压电换能器自动阻抗匹配器 |
| US7967944B2 (en) | 2008-05-29 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Method of plasma load impedance tuning by modulation of an unmatched low power RF generator |
| US8337661B2 (en) | 2008-05-29 | 2012-12-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with plasma load impedance tuning for engineered transients by synchronized modulation of an unmatched low power RF generator |
| US8264238B1 (en) | 2008-06-13 | 2012-09-11 | Mks Instruments, Inc. | Method for calibrating a broadband voltage/current probe |
| WO2010019430A2 (en) | 2008-08-12 | 2010-02-18 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck assembly |
| US8103492B2 (en) | 2008-09-05 | 2012-01-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma fluid modeling with transient to stochastic transformation |
| CN102160155A (zh) | 2008-09-22 | 2011-08-17 | 应用材料公司 | 适合蚀刻高深宽比特征结构的蚀刻反应器 |
| US8447255B2 (en) * | 2008-10-28 | 2013-05-21 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Variable impedance matching network and method for the same |
| US8313664B2 (en) | 2008-11-21 | 2012-11-20 | Applied Materials, Inc. | Efficient and accurate method for real-time prediction of the self-bias voltage of a wafer and feedback control of ESC voltage in plasma processing chamber |
| US8382999B2 (en) | 2009-03-26 | 2013-02-26 | Applied Materials, Inc. | Pulsed plasma high aspect ratio dielectric process |
| JP2010250959A (ja) | 2009-04-10 | 2010-11-04 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| US8674606B2 (en) | 2009-04-27 | 2014-03-18 | Advanced Energy Industries, Inc. | Detecting and preventing instabilities in plasma processes |
| US8271121B2 (en) | 2009-06-30 | 2012-09-18 | Lam Research Corporation | Methods and arrangements for in-situ process monitoring and control for plasma processing tools |
| US8473089B2 (en) | 2009-06-30 | 2013-06-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for predictive preventive maintenance of processing chambers |
| US8404598B2 (en) | 2009-08-07 | 2013-03-26 | Applied Materials, Inc. | Synchronized radio frequency pulsing for plasma etching |
| US8901935B2 (en) | 2009-11-19 | 2014-12-02 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for detecting the confinement state of plasma in a plasma processing system |
| US8501631B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-08-06 | Lam Research Corporation | Plasma processing system control based on RF voltage |
| SG10201406954SA (en) | 2009-11-19 | 2014-11-27 | Lam Res Corp | Methods and apparatus for controlling a plasma processing system |
| US20110139748A1 (en) | 2009-12-15 | 2011-06-16 | University Of Houston | Atomic layer etching with pulsed plasmas |
| KR20120022251A (ko) | 2010-09-01 | 2012-03-12 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각방법 및 그의 장치 |
| US9076826B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-07-07 | Lam Research Corporation | Plasma confinement ring assembly for plasma processing chambers |
| US8723423B2 (en) | 2011-01-25 | 2014-05-13 | Advanced Energy Industries, Inc. | Electrostatic remote plasma source |
| US8679358B2 (en) | 2011-03-03 | 2014-03-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and computer-readable storage medium |
| US9907908B2 (en) | 2011-03-08 | 2018-03-06 | Baxter International Inc. | Non-invasive radio frequency medical fluid level and volume detection system and method |
| US20130122711A1 (en) | 2011-11-10 | 2013-05-16 | Alexei Marakhtanov | System, method and apparatus for plasma sheath voltage control |
| US9224618B2 (en) | 2012-01-17 | 2015-12-29 | Lam Research Corporation | Method to increase mask selectivity in ultra-high aspect ratio etches |
| US10157729B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-12-18 | Lam Research Corporation | Soft pulsing |
| TWM432209U (en) * | 2012-02-23 | 2012-06-21 | Taiwan Carol Electronics Co Ltd | Wireless microphone receiver |
| US9210790B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-12-08 | Advanced Energy Industries, Inc. | Systems and methods for calibrating a switched mode ion energy distribution system |
| US9408288B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Edge ramping |
| KR102048959B1 (ko) | 2012-10-30 | 2019-11-27 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레?드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 규소-함유 필름의 에칭을 위한 방법 및 에칭 가스 |
| US9460894B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-10-04 | Lam Research Corporation | Controlling ion energy within a plasma chamber |
-
2013
- 2013-01-11 US US13/740,047 patent/US9155182B2/en active Active
-
2014
- 2014-01-03 SG SG10201605648SA patent/SG10201605648SA/en unknown
- 2014-01-03 SG SG2014000905A patent/SG2014000905A/en unknown
- 2014-01-10 TW TW103101032A patent/TWI609406B/zh active
- 2014-01-10 JP JP2014003009A patent/JP6404569B2/ja active Active
- 2014-01-13 CN CN201410014140.4A patent/CN103926850B/zh active Active
- 2014-01-13 KR KR1020140004239A patent/KR102304002B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-03-30 US US14/673,567 patent/US9320127B2/en active Active
-
2016
- 2016-03-07 US US15/063,430 patent/US9627182B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014146593A5 (ja) | ||
| JP6404569B2 (ja) | プラズマインピーダンスに関連するパラメータのチューニング | |
| JP6374647B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP6424024B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| TWI620471B (zh) | 射頻傳輸模型之一變數値的決定 | |
| JP6312405B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP6400272B2 (ja) | インピーダンスに基づいた電力および周波数の調整 | |
| US9620337B2 (en) | Determining a malfunctioning device in a plasma system | |
| KR102223863B1 (ko) | 이중 제어 모드 | |
| TWI599272B (zh) | 根據三個或更多狀態之功率及頻率調整 | |
| JP2014089945A5 (ja) | ||
| JP2014089945A (ja) | エッジランピング | |
| JP2013171840A (ja) | 多周波数ｒｆパルス出力のための、周波数改善インピーダンス依存電力制御 | |
| JP7356409B2 (ja) | キロヘルツ無線周波数発生器の存在下でメガヘルツ無線周波数発生器の供給電力の効率性を高めるためのシステムおよび方法 | |
| KR20180036531A (ko) | 일 상태에서의 주파수 및 매칭 튜닝과 다른 상태에서의 주파수 튜닝 | |
| JP2018107202A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ制御方法 | |
| JP6055537B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2023533499A (ja) | プラズマ処理システムの無線周波数供給システムからプロセス制御情報を抽出するためのシステムおよび方法 | |
| JP2011023356A (ja) | プラズマ処理装置及び基板処理方法 | |
| JP6584329B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2006288009A5 (ja) | ||
| JP2006288009A (ja) | 高周波電源装置 | |
| TW202307913A (zh) | 多重控制模式 |