JP2014139743A - レギュレータ回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】負荷電流に応じて消費電流を制御できるようにして、消費電力を削減可能なレギュレータ回路を提供する。
【解決手段】レギュレータ回路1は、基準電圧を生成する基準電圧回路3と、電流源からの電流を用いて、出力電圧に相関する帰還電圧と基準電圧との電位差に応じた出力信号を生成して出力する差動増幅器8と、差動増幅器8の出力信号を増幅して出力電圧および帰還電圧を生成する出力段増幅器5〜7と、出力電圧を出力する出力ノードに流れる負荷電流に応じた基準電流を生成して、電流源から流れる電流を制御する基準電流回路2と、を備える。
【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、出力電圧を帰還させて基準電圧と比較するレギュレータ回路に関する。
従来のレギュレータ回路は、出力電圧を生成する増幅段を複数有する。出力電圧を出力する出力端子の負荷インピーダンスが小さくて出力電流が大量に流れる場合、増幅段は、過渡応答性を向上させるために、増幅段に流れる電流を増やす動作を行う。しなしながら、負荷インピーダンスが大きい場合には、このような増幅段は、増幅段で無駄に電流を消費してしまい、電力効率が悪いという問題がある。
特開2001−117650号公報
本発明は、負荷電流に応じて消費電流を制御できるようにして、消費電力を削減可能なレギュレータ回路を提供するものである。
本実施形態では、基準電圧を生成する基準電圧回路と、
電流源からの電流を用いて、出力電圧に相関する帰還電圧と前記基準電圧との電位差に応じた出力信号を生成して出力する差動増幅器と、
前記出力信号を増幅して前記出力電圧および前記帰還電圧を生成する出力段増幅器と、
出力ノードに流れる負荷電流に応じた基準電流を生成し、前記電流源から流れる電流を制御する基準電流回路と、を備えることを特徴とするレギュレータ回路が提供される。
第1の実施形態に係るレギュレータ回路の回路図。 基本的な基準電流回路の回路図。 第2の実施形態に係るレギュレータ回路の回路図。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
(第1の実施形態)
図1は第1の実施形態に係るレギュレータ回路1の回路図である。図1のレギュレータ回路1は、基準電流回路2と、基準電圧回路3と、1段目増幅回路4と、2段目増幅回路5と、3段目増幅回路6と、帰還回路7とを備えている。
基準電流回路2は、1段目増幅回路4と2段目増幅回路5で用いる基準電流を生成する。基準電圧回路3は、1段目増幅回路4で用いる基準電圧VREFを生成する。基準電圧回路3は、電源電圧VDDと接地電圧VSSの間に接続されている。
1段目増幅回路4は、差動増幅器8と電流源9とを有する。差動増幅器8は、電流源9からの電流を用いて、出力電圧VOUTに相関する帰還電圧Vdivと基準電圧VREFとの電位差に応じた出力信号を生成して出力する。
2段目増幅回路5(第1増幅器)、3段目増幅回路6(第2増幅器)および帰還回路7は出力段増幅器を構成している。出力段増幅器は、差動増幅器8の出力信号を増幅して出力電圧VOUTと帰還電圧Vdivを生成する。いる。2段目増幅回路5は、差動増幅器8の出力信号を増幅する。3段目増幅回路6は、2段目増幅回路5の出力信号をさらに増幅して出力電圧VOUTを生成する。帰還回路7は、出力電圧VOUTを抵抗分圧して帰還電圧Vdivを生成して、差動増幅器8に供給する。出力電圧VOUTは出力ノードOUTから出力される。
次に、図1のレギュレータ回路1内の各部の具体的な回路構成について説明する。
基準電流回路2は、電源電圧VDDと接地電圧VSSとの間に直列接続されるPMOSトランジスタMP1およびNMOSトランジスタMN1と、電源電圧VDDと接地電圧VSSとの間に直列接続されるPMOSトランジスタMP2、抵抗(第1インピーダンス素子)R1、抵抗(第2インピーダンス素子)R2およびNMOSトランジスタ(第5トランジスタ)MN2と、電源電圧VDDと接地電圧VSSとの間に直列接続されるPMOSトランジスタ(第2トランジスタ)MP3およびNMOSトランジスタ(第4トランジスタ)MN3と、抵抗R2に並列接続されるNMOSトランジスタ(第3トランジスタ)MN4とを有する。
PMOSトランジスタMP1のゲートは、PMOSトランジスタMP2のドレインに接続されている。PMOSトランジスタMP2のゲートは、NMOSトランジスタMN2のドレインに接続されている。
NMOSトランジスタMN1のゲートおよびドレインと、NMOSトランジスタMN2のゲートと、MNOSトランジスタMN3のゲートとは、ともに接続されている。これにより、NMOSトランジスタMN1、MN2、MN3はカレントミラー回路を構成している。以下では、NMOSトランジスタMN2のドレイン−ソース間を流れる電流を基準電流と呼ぶ。
NMOSトランジスタMN4のゲートは、PMOSトランジスタMP3のドレインとNMOSトランジスタMN3のドレインとに接続されている。NMOSトランジスタMN4のドレイン−ソース間に抵抗R2が接続されて、並列回路10を構成している。
1段目増幅回路4内の差動増幅器8は、電源電圧VDDと電流源9との間に直列接続されるPMOSトランジスタMP4およびNMOSトランジスタMN5と、電源電圧VDDと電流源9との間に直列接続されるPMOSトランジスタMP5およびNMOSトランジスタMN6とを有する。PMOSトランジスタMP4のゲートおよびドレインと、PMOSトランジスタMP5のゲートとは互いに接続されている。これにより、PMOSトランジスタMP4、MP5はカレントミラー回路を構成している。
1段目増幅回路4内の電流源9は、NMOSトランジスタMN1〜MN3とカレントミラー回路を構成するNMOSトランジスタ(第6トランジスタ)MN7を有する。
2段目増幅回路5は、電源電圧VDDと接地電圧VSSとの間に直列接続されるPMOSトランジスタMP7およびNMOSトランジスタ(第1トランジスタ)MN8を有する。ソース接地増幅回路を構成するPMOSトランジスタMP7のゲートは、PMOSトランジスタMP5のドレインとNMOSトランジスタMN6のドレインとに接続されている。NMOSトランジスタMN8は、NMOSトランジスタMN1〜MN3、MN7とカレントミラー回路を構成している。これにより、NMOSトランジスタMN3、MN7およびMN8の各ドレイン−ソース間には、基準電流回路2で生成した基準電流に比例する電流が流れる。
3段目増幅回路6は、電源電圧VDDと出力ノードOUTとの間に接続されるPMOSトランジスタMP8を有する。このPMOSトランジスタMP8のゲートは、PMOSトランジスタMP7のドレインと、NMOSトランジスタMN8のドレインと、PMOSトランジスタMP3のゲートとに接続されており、これにより、PMOSトランジスタMP8、MP3はカレントミラー回路を構成している。
帰還回路7は、出力ノードOUTと接地電圧VSSとの間に直列接続される2つの抵抗R3,R4を有する。これら抵抗R3,R4により抵抗分圧された帰還電圧Vdivが差動増幅器8内のNMOSトランジスタMN6のゲートに供給される。一方、1段目増幅回路4内のNMOSトランジスタMN5のゲートには、基準電圧回路3からの基準電圧VREFが供給される。そして、1段目増幅回路4は、基準電圧VREFと帰還電圧Vdivとの電位差に応じた信号を生成して、2段目増幅回路5内のPMOSトランジスタMP7のゲートに供給する。
次に、図1のレギュレータ回路1の回路動作を説明する。
基準電流回路2内のPMOSトランジスタMP1、MP2を流れる電流をそれぞれI1、I2とする。電流I1はNMOSトランジスタMN1にも流れ、電流I2はNMOSトランジスタMN2にも流れる。上述したように、NMOSトランジスタMN1、MN2はカレントミラー回路を構成している。よって、(1)式に示すように、電流I1と電流I2は比例関係にある。
I1=k×I2 …(1)
ここで、kは、比例係数である。一般に、MOSトランジスタが強反転領域で動作しているとき、MOSトランジスタに流れるドレイン電流IDは、以下の(2)式で表されることが知られている。
Figure 2014139743
ここで、IDはドレイン電流、μは多数キャリア移動度、Coxは酸化膜厚、Wはゲート幅、Lはゲート長、VGSはゲート−ソース間電圧、Vthは閾値電圧である。
本実施形態に係る基準電流回路2は、図2に示す基本的な基準電流回路2に、抵抗R2と、PMOSトランジスタMP3、NMOSトランジスタMN3、MN4を追加したものである。図2に示す基本的な基準電流回路2を流れる基準電流I2は、以下の(3)式で表される。
Figure 2014139743
ここで、(3)式の右辺の分母をa、bとして、さらに(1)式を用いて整理すると、(5)式が得られる。
Figure 2014139743
この(5)式からわかるように、図2の基準電流回路2を流れる基準電流I2は、抵抗R1の2乗に反比例する。また、上述した(1)式から、電流I1も抵抗R1の2乗に反比例する。
本実施形態では、図2に示す基本的な基準電流回路2は、抵抗R2とNMOSトランジスタMN4からなる並列回路10を抵抗R1に直列接続されている。そして、並列回路10のインピーダンスは、NMOSトランジスタMN4のゲート電圧により制御される。NMOSトランジスタMN4のゲート電圧は、PMOSトランジスタMP8とカレントミラー回路を構成するPMOSトランジスタMP3のソース−ドレイン間を流れる電流によって制御される。
このように、本実施形態に係る基準電流回路2は、基準電流I2が流れる電流経路上のインピーダンスを、並列回路10のインピーダンスを制御することにより可変させている。より具体的には、出力ノードOUTを流れる出力電流が多いときには、並列回路10のインピーダンスを下げて基準電流I2が多く流れるようにし、出力ノードOUTを流れる出力電流が少ないときには、並列回路10のインピーダンスを上げて基準電流I2を減らすような制御を行う。
以下、図1のレギュレータ回路1の回路図に沿って、本実施形態の回路動作を説明する。出力ノードOUTに接続された不図示の負荷のインピーダンスが小さい場合は、出力ノードOUTから負荷に流れる電流が多くなる。この状態では、PMOSトランジスタMP7のソース−ドレイン間電流が増大して、PMOSトランジスタMP7のゲート電圧が低下する。よって、PMOSトランジスタMP8とカレントミラー回路を構成するPMOSトランジスタMP3のソース−ドレイン間電流も増大し、NMOSトランジスタMN4のゲート電圧が上昇して、NMOSトランジスタMN4はオンする。これにより、抵抗R2はほとんど無視できるようになる。すなわち、抵抗R2とNMOSトランジスタMN4からなる並列回路10のインピーダンスは低くなり、図1の基準電流回路2は、抵抗R2がない図2の基準電流回路2と実質的に同じ動作を行う。すなわち、基準電流回路2を流れる基準電流I2は、上述した(5)式に示すように、抵抗R1に反比例する。
また、NMOSトランジスタMN1〜MN3、MN7、MN8はカレントミラー回路を構成しているため、これらNMOSトランジスタMN1〜MN3、MN7、MN8にも、抵抗R1に反比例する電流が流れる。
一方、出力ノードOUTに接続された負荷のインピーダンスが大きい場合は、出力ノードOUTから負荷に流れる電流が減少する。この状態では、PMOSトランジスタMP7のソース−ドレイン間電流が減少して、PMOSトランジスタMP8のゲート電圧が上昇する。よって、PMOSトランジスタMP8とカレントミラー回路を構成するPMOSトランジスタMP3のソース−ドレイン間電流も減少し、NMOSトランジスタMN4のゲート電圧が低下して、NMOSトランジスタMN4はオフする。これにより、抵抗R2の両端はオープン状態になり、NMOSトランジスタMN4は無視できるようになり、基準電流回路2の電流経路上に抵抗R1とR2が直列接続された状態と等価になる。よって、基準電流回路2の電流経路を流れる基準電流は、(5)式より、(R1+R2)の2乗に反比例した電流量になり、抵抗R1だけの場合と比べて、基準電流が減少する。特に、抵抗R2の抵抗値をより大きくしておけば、基準電流をより減少させることができ、消費電流の抑制が図れる。
このように、本実施形態では、出力ノードOUTに接続された負荷のインピーダンスが小さい場合はNMOSトランジスタMN4をオンさせ、負荷のインピーダンスが大きい場合はNMOSトランジスタMN4をオフさせる。これを確実に実現するには、NMOSトランジスタMN4は、PMOSトランジスタMP3が非飽和領域に陥ったときにオンし、NMOSトランジスタMN3が非飽和領域に陥ったときにオフしなければならない。そのためには、NMOSトランジスタMN4の閾値電圧は、以下の(6)式を満たす必要がある。
|VGSMN3|−|VthMN3|<VthMN4<VDD−|VGSMP3|+|VthMP3| …(6)
ここで、VGSMN3はNMOSトランジスタMN3のゲート−ソース間電圧、VthMN3はNMOSトランジスタMN3の閾値電圧、VGSMN3はNMOSトランジスタMN3のゲート−ソース間電圧、VthMP3はPMOSトランジスタMP3の閾値電圧である。
このように、第1の実施形態では、出力ノードOUTから負荷に流れる負荷電流に応じて、基準電流回路2を流れる基準電流の電流量が可変制御されるようにする。より具体的には、負荷電流が少なくなると基準電流も減らして消費電流を削減できるとともに、負荷電流が多くなると基準電流を増大して出力電圧VOUTが落ち込まないような制御が可能となる。これにより、消費電力の削減と負荷変動に対する出力電圧VOUTの変動防止とを両立させることができる。
(第2の実施形態)
以下に説明する第2の実施形態では、レギュレータ回路1内の一部のトランジスタの導電型を第1の実施形態とは逆にしたものである。
図3は第2の実施形態に係るレギュレータ回路1の回路図である。図3のレギュレータ回路1は、図1と同様に、基準電流回路2と、基準電圧回路3と、1段目増幅回路4と、2段目増幅回路5と、3段目増幅回路6と、帰還回路7とを備えているが、基準電流回路2と1段目増幅回路4内の各トランジスタの導電型を図1とは逆にしている。
基準電流回路2は、電源電圧VDDと接地電圧VSSとの間に直列接続されるPMOSトランジスタMP9およびNMOSトランジスタMN9と、電源電圧VDDと接地電圧VSSとの間に直列接続されるPMOSトランジスタ(第9トランジスタ)MP10、抵抗R1、抵抗R2およびNMOSトランジスタMN10と、電源電圧VDDと接地電圧VSSとの間に直列接続されるPMOSトランジスタ(第8トランジスタ)MP11およびNMOSトランジスタ(第7トランジスタ)MN11と、電源電圧VDDと接地電圧VSSとの間に直列接続されるPMOSトランジスタMP3およびNMOSトランジスタ(第4トランジスタ)MN3と、抵抗R2に並列接続されるNMOSトランジスタMN4とを有する。
PMOSトランジスタMP9〜MP11はカレントミラー回路を構成している。同様に、NMOSトランジスタMN3およびMN11はカレントミラー回路を構成している。
1段目増幅回路4内の電流源9の一端には電源電圧VDDが供給される。1段目増幅回路4内の差動増幅器8は、電流源9と接地電圧VSSとの間に直列接続されるPMOSトランジスタMP12およびNMOSトランジスタMN12と、電流源9と接地電圧VSSとの間に直列接続されるPMOSトランジスタMP13およびNMOSトランジスタMN13とを有する。
1段目増幅回路4内の電流源9は、電源電圧VDDと差動増幅器8との間に接続されるPMOSトランジスタ(第10トランジスタ)MP14を有する。このPMOSトランジスタMP14は、PMOSトランジスタMP7およびMP9〜MP11とカレントミラー回路を構成している。
図3のレギュレータ回路1は、図1のレギュレータ回路1と同様の回路動作を行うが、基準電流回路2と1段目増幅回路4内の各トランジスタの導電型を逆にした関係で、基準電流回路2内に余計に二つのトランジスタMP11およびMN11が設けられている。
図1では、負荷電流に応じた電流が流れるNMOSトランジスタMN3が、基準電流回路2内で基準電流を流すNMOSトランジスタMN2とカレントミラー回路を構成していた。これと同様の回路動作を行うために、図3では、NMOSトランジスタMN3とカレントミラー回路を構成するNMOSトランジスタMN11が新たに設けられる。また、これとともに、このNMOSトランジスタMN11に直列接続されるPMOSトランジスタMP11が設けられる。図3では、このPMOSトランジスタMP11が基準電流回路2内で基準電流を流すPMOSトランジスタMP10とカレントミラー回路を構成するようにしている。
これにより、第2の実施形態においても、負荷電流が少なくなると基準電流も減らして消費電流を削減できるとともに、負荷電流が多くなると基準電流を増大して出力電圧VOUTが落ち込まないような制御が可能となる。
本発明の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形も含むものであり、本発明の効果も上述した内容に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。
1 レギュレータ回路、2 基準電流回路、3 基準電圧回路、4 1段目増幅回路、5 2段目増幅回路、6 3段目増幅回路、7 帰還回路、8 差動増幅器、9 電流源 10 並列回路

Claims (6)

  1. 基準電圧を生成する基準電圧回路と、
    電流源からの電流を用いて、出力電圧に相関する帰還電圧と前記基準電圧との電位差に応じた出力信号を生成して出力する差動増幅器と、
    前記出力信号を増幅して前記出力電圧および前記帰還電圧を生成する出力段増幅器と、
    出力ノードに流れる負荷電流に応じた基準電流を生成し、前記電流源から流れる電流を制御する基準電流回路と、を備えることを特徴とするレギュレータ回路。
  2. 前記出力段増幅器は、前記出力信号に相関する信号を増幅して前記出力電圧を生成する第1トランジスタを有し、
    前記基準電流回路は、
    前記第1トランジスタとカレントミラー回路を構成する第2トランジスタと、
    前記第2トランジスタの出力電流経路を流れる電流に応じて前記基準電流を制御する第3トランジスタと、を有することを特徴とする請求項1に記載のレギュレータ回路。
  3. 前記基準電流が流れる電流経路上に直列接続される第1インピーダンス素子および第2インピーダンス素子を備え、
    前記第2インピーダンス素子は、前記第3トランジスタのドレイン−ソース間に並列接続されて並列回路を形成し、この並列回路のインピーダンスは、前記負荷電流により制御されることを特徴とする請求項2に記載のレギュレータ回路。
  4. 前記出力段増幅器は、
    前記出力信号を増幅する第1増幅器と、
    前記第1増幅器の出力信号を増幅して前記出力電圧を生成する第2増幅器と、
    前記出力電圧を分圧して前記帰還電圧を生成する帰還回路と、を有し、
    前記第1トランジスタは、前記第2増幅器内に設けられることを特徴とする請求項2または3に記載のレギュレータ回路。
  5. 前記基準電流回路は、
    前記第2トランジスタに直列接続される第4トランジスタと、
    前記第4トランジスタとカレントミラー回路を構成してドレイン−ソース間に前記基準電流を流す第5トランジスタと、を有し、
    前記電流源は、前記第4および第5トランジスタとカレントミラー回路を構成する第6トランジスタを有することを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載のレギュレータ回路。
  6. 前記第2トランジスタに直列接続される第4トランジスタと、
    前記第4トランジスタとカレントミラー回路を構成する第7トランジスタと、
    前記第7トランジスタに直列接続される第8トランジスタと、
    前記第8トランジスタとカレントミラー回路を構成してソース−ドレイン間に前記基準電流を流す第9トランジスタと、を備え、
    前記電流源は、前記第8および第9トランジスタとカレントミラー回路を構成する第10トランジスタを有することを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載のレギュレータ回路。
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