JP2014136668A - 結晶性ガラス基板及び結晶化ガラス基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板材料として、結晶性ガラス基板を用い、これを有機EL照明に適用する。ガラス組成として、質量%で、SiO255〜73%、Al2O317〜27%、Li2O 2〜5%、MgO 0〜1.5%、ZnO 0〜1.5%、Na2O 0〜1%、K2O 0〜1%、TiO20〜3.8%、ZrO20〜2.5%、SnO20〜0.6%を含有することを特徴とする結晶性ガラス基板で、As2O3及びSb2O3の含有量が共に0.1質量%未満であることが好ましい。また該結晶性ガラス基板は、板厚が2.0mm以下であることが好ましい。
【選択図】なし
Description
熱処理条件(2) 核形成:780℃−2時間 → 結晶成長:1160℃−1時間
熱処理条件(3) 核形成:保持なし → 結晶成長:900℃−1時間
続いて、熱処理前の試料No.23に対して、以下の熱処理条件(A)〜(C)で熱処理を行い、図1に示す測定装置により、光散乱機能を評価した。
(B)炉内温度940℃に維持された徐冷炉内に投入し、1時間保持した後、炉内から試料を取り出し、室温にて静置する。
(C)電気炉で室温から760℃まで20℃/分で昇温し、760℃で1分間保持した上で、940℃まで20℃/分で昇温し、940℃で1時間保持した後に、炉内から試料を取り出し、室温にて静置する。
2 半球レンズ
3 積分球
4 レーザー
Claims (15)
- 有機EL照明に用いることを特徴とする結晶性ガラス基板。
- ガラス組成として、質量%で、SiO2 40〜80%、Al2O3 10〜35%、Li2O 1〜10%を含有することを特徴とする請求項1に記載の結晶性ガラス基板。
- ガラス組成として、質量%で、SiO2 55〜73%、Al2O3 17〜27%、Li2O 2〜5%、MgO 0〜1.5%、ZnO 0〜1.5%、Na2O 0〜1%、K2O 0〜1%、TiO2 0〜3.8%、ZrO2 0〜2.5%、SnO2 0〜0.6%を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の結晶性ガラス基板。
- 実質的にAs2O3及びSb2O3を含まないことを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の結晶性ガラス基板。
- 板厚が2.0mm以下であることを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の結晶性ガラス基板。
- 屈折率ndが1.500超であることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の結晶性ガラス基板。
- ロールアウト法により成形されてなることを特徴とする請求項1乃至6の何れかに記載の結晶性ガラス基板。
- フロート法により成形されてなることを特徴とする請求項1乃至7の何れかに記載の結晶性ガラス基板。
- 結晶性ガラス基板を熱処理してなる結晶化ガラス基板であって、
結晶性ガラス基板が、請求項1乃至8の何れかに記載の結晶性ガラス基板であることを特徴とする結晶化ガラス基板。 - 主結晶がβ−石英固溶体又はβ−スポジュメン固溶体であることを特徴とする請求項9に記載の結晶化ガラス基板。
- 平均結晶粒子径が10〜2000nmであることを特徴とする請求項9又は10の結晶化ガラス基板。
- ヘイズ値が0.2%以上であることを特徴とする請求項9乃至11の何れかに記載の結晶化ガラス基板。
- 一方の表面から臨界角以上の光を入射した際に、他方の表面から光が取り出される性質を有することを特徴とする請求項9乃至12の何れかに記載の結晶化ガラス基板。
- (一方の表面から入射角60°の光を照射して、他方の表面から得られる放射束値)/(一方の表面から入射角0°の光を照射して、他方の表面から得られる放射束値)の値が0.005以上であることを特徴とする請求項9乃至13の何れかに記載の結晶化ガラス基板。
- 請求項1乃至8の何れかに記載の結晶性ガラス基板を熱処理して、結晶化ガラス基板を得る結晶化ガラス基板の製造方法であって、
熱処理の際に、結晶性ガラス基板の結晶核成長温度域で30分間以上保持すると共に、結晶核形成温度域で30分間以上保持しないことを特徴とする結晶化ガラス基板の製造方法。
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