JP2014130145A - 撮像のための試料調製方法 - Google Patents
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- H01L21/30655—Plasma etching; Reactive-ion etching comprising alternated and repeated etching and passivation steps, e.g. Bosch process
Abstract
【解決手段】最終ミリング直前又はその間に、荷電粒子ビームを用いることによって試料上に材料が堆積される。その結果アーティファクトの存在しない表面が得られる。硬度の異なる複数の材料層を有する試料のSEM観察用の断面の調製、および、薄いTEM用試料の調製に有用である。
【選択図】図3
Description
− 試料へ向けてイオンビームを案内することで、材料を除去し、かつ、不規則性を有する表面を曝露させる段階;
− 前記の曝露された表面に材料を堆積する段階であって、前記堆積された材料は前記不規則性を滑らかにする、段階;
− 前記試料へ向けてイオンビームを案内して、前記堆積された材料と一部の材料を前記曝露された表面から除去することで、滑らかな断面を生成する段階、を有する。
− イオン源;
− 真空チャンバ内で前記イオンを試料へ集束させる集束鏡筒;
− 前記試料の表面に前駆体気体を供する気体注入システム;
− 記憶されたコンピュータ可読命令に従って当該荷電粒子システムの動作を制御する制御装置;
− 前記試料へ向けてイオンビームを案内することで、材料を除去し、かつ、不規則性を有する表面を曝露させ、前記不規則性を滑らかにするように前記の曝露された表面に材料を堆積し、前記試料へ向けてイオンビームを案内して、前記堆積された材料と一部の材料を前記曝露された表面から除去することで、滑らかな断面を生成するように、当該荷電粒子システムを制御するコンピュータ命令を記憶するコンピュータ可読メモリ、を有する。
− 試料の表面へ向けて集束イオンビームを案内して、材料を除去して前記試料の内側表面を曝露する段階;及び
− 前記試料へ向けて堆積前駆体を案内する一方で前記集束イオンビームを案内する段階であって、前記イオンビームは、前記前駆体気体の分解を開始することで、前記試料の表面上に材料を堆積すると同時に、前記基板から材料をミリングすることで、観察用の滑らかな表面を生成する、段階、を有する。
15 長方形
51A 試料面
51B 試料面
52 過剰ミリング領域
54 前駆体気体
56 材料
102 試料の一部分
104 集束イオンビーム
108 バルク試料材料
110 薄片
702 デュアルビームシステム
704 電子鏡筒
706 イオン鏡筒
800 試料
802 アルミニウム酸化物層
804 アルミニウム層
806 保護層
810 テラス端部
812 不規則性
902 試料
904 酸化物層
906 アルミニウム層
908 保護層
1102 試料
1104 アルミニウム酸化物層
1106 アルミニウム層
1110 保護層
1112 トレンチ
1114 断面
1116 イオンビーム
1117 ビーム
1118 ビーム
1120 テラス効果の領域
1122 不規則性
1124 材料
1128 滑らかな表面
Claims (15)
- 解析用の試料を調製する方法であって:
− 試料へ向けてイオンビームを案内することで、材料を除去し、かつ、不規則性を有する表面を曝露させる段階;
− 前記の曝露された表面に材料を堆積する段階であって、前記堆積された材料は前記不規則性を滑らかにする、段階;
− 前記試料へ向けてイオンビームを案内して、前記堆積された材料と一部の材料を前記曝露された表面から除去することで、滑らかな断面を生成する段階;
を有する方法。 - 前記試料材料は有孔性材料である、請求項1に記載の方法。
- 前記堆積材料は前駆体材料の分解によって生成され、かつ、
前記前駆体材料は、前記曝露された表面を、電子、イオン、X線、光、熱、マイクロ波に曝露することによって活性化され、その結果、前記前駆体の材料は、前記堆積物を生成する不揮発部分と揮発部分に分解する、
請求項1に記載の方法。 - 荷電粒子ビーム堆積を用いることによって前記試料の表面に保護層を堆積する段階をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 前記試料へ向けてイオンビームを案内して、前記堆積された材料と一部の材料を前記曝露された表面から除去する段階は、イオンビームを前記試料の表面に対して垂直に案内する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記曝露された表面に材料を堆積する段階は、前記試料を傾斜させる段階及び荷電粒子ビーム堆積を用いることによって前記材料を堆積する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記試料へ向けてイオンビームを案内して、材料を除去して表面を曝露する段階は、第1イオン電流を用いて前記イオンビームを案内する段階を含み、かつ、
前記試料へ向けてイオンビームを案内して、前記堆積された材料を除去する段階は、前記第1ビーム電流未満である第2ビーム電流を用いて前記イオンビームを案内する段階を含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記試料へ向けてイオンビームを案内して、材料を除去して表面を曝露する段階は、50nA未満のビーム電流を有するイオンビームをプラズマイオン源から案内する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記試料へ向けてイオンビームを案内して、材料を除去する段階は、切断によってトレンチを生成することで、走査電子顕微鏡による観察用に断面を曝露する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記試料へ向けてイオンビームを案内して、材料を除去する段階は、透過電子顕微鏡での観察用に薄片を生成する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記試料へ向けてイオンビームを案内する段階は、様々な硬度の材料の層で構成される試料へ向けてイオンビームを案内する段階を含み、
前記イオンビームは、固い層を通過した後に柔らかい層内に不規則性を生成する、
請求項1に記載の方法。 - 前記試料へ向けてイオンビームを案内する段階は、少なくとも金属の層と酸化物の層又は窒化物の層で構成される試料へ向けてイオンビームを案内する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記試料へ向けてイオンビームを案内して第2面を曝露する段階;
該曝露された第2面上に材料の層を堆積する段階;
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 荷電粒子ビーム装置であって:
− イオン源;
− 真空チャンバ内で前記イオンを試料へ集束させる集束鏡筒;
− 前記試料の表面に前駆体気体を供する気体注入システム;
− 記憶されたコンピュータ可読命令に従って当該荷電粒子システムの動作を制御する制御装置;
− 前記試料へ向けてイオンビームを案内することで、材料を除去し、かつ、不規則性を有する表面を曝露させ、前記不規則性を滑らかにするように前記の曝露された表面に材料を堆積し、前記試料へ向けてイオンビームを案内して、前記堆積された材料と一部の材料を前記曝露された表面から除去することで、滑らかな断面を生成するように、当該荷電粒子システムを制御するコンピュータ命令を記憶するコンピュータ可読メモリ;
を有する、装置。 - コンピュータに、請求項1に記載の方法の段階を実行させるように荷電粒子システムを制御させる、コンピュータプログラムを備える非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
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