JP2014127921A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 開口が形成された基板と、
   前記基板上に形成された振動膜と、
   前記振動膜上に形成され、圧電体を備えた超音波トランスデューサー素子と、
   前記基板の振動膜が形成された面と反対の面から前記振動膜に対して光を照射し、照射した光に対する反射光を検出する光検出部と、
   を含み、
   前記光検出部は、
   前記反射光を検出することにより、超音波エコーによる前記振動膜の振動を検出して、超音波の受信信号を出力することを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
2. 複数の開口がアレイ状に形成された基板と、
   前記基板上に形成された振動膜と、
   前記振動膜上に形成され、圧電体を備えた超音波トランスデューサー素子群と、
   前記複数の開口のうちのいずれかの開口において、前記基板の振動膜が形成された面と反対の面から前記振動膜に対して光を照射し、照射した光に対する反射光を検出する光検出部と、
   を含み、
   前記超音波トランスデューサー素子群の各超音波トランスデューサー素子は、
   前記複数の開口の各開口上の前記振動膜上に形成され、
   前記光検出部は、
   前記超音波トランスデューサー素子が形成された開口を介して前記振動膜に対して光を照射し、照射した光に対する前記反射光を検出することで、前記超音波エコーによる前記振動膜の振動を検出して、超音波の前記受信信号を出力することを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
3. 請求項２において、
   前記複数の開口の開口毎に前記光検出部が設けられることを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
4. 複数の開口がアレイ状に形成された基板と、
   前記基板上に形成された振動膜と、
   前記振動膜上に形成され、圧電体を備えた超音波トランスデューサー素子群と、
   前記複数の開口のうちのいずれかの開口において、前記基板の振動膜が形成された面と反対の面から前記振動膜に対して光を照射し、照射した光に対する反射光を検出する光検出部と、
   を含み、
   前記超音波トランスデューサー素子群の各超音波トランスデューサー素子は、
   前記複数の開口のうちの第１の開口群の各開口上の前記振動膜上に形成され、
   前記光検出部は、
   前記複数の開口のうち、前記超音波トランスデューサー素子が非形成の第２の開口群を介して前記振動膜に対して光を照射して、照射した光に対する前記反射光を検出することにより、前記超音波の前記受信信号を出力することを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
5. 複数の開口がアレイ状に形成された基板と、
   前記基板上に形成された振動膜と、
   前記振動膜上に形成され、圧電体を備えた超音波トランスデューサー素子群と、
   前記複数の開口のうちのいずれかの開口において、前記基板の振動膜が形成された面と反対の面から前記振動膜に対して光を照射し、照射した光に対する反射光を検出する光検出部と、
   を含み、
   前記超音波トランスデューサー素子群の各超音波トランスデューサー素子は、
   前記複数の開口のうちの第１の開口群の各開口上の前記振動膜上に形成され、
   前記複数の開口のうち前記超音波トランスデューサー素子が非形成の第２の開口と第３の開口との間に、前記第１の開口群が設けられ、
   前記第２の開口と前記第３の開口のそれぞれに対して前記光検出部が設けられることを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
6. 請求項１乃至５のいずれかにおいて、
   前記超音波トランスデューサー素子は、
   前記振動膜上に設けられた下部電極、上部電極及び圧電体膜を備えることを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の超音波トランスデューサーデバイスを含むことを特徴とする超音波測定装置。
8. 請求項７に記載の超音波測定装置を含むことを特徴とするプローブ。
9. 請求項７に記載の超音波測定装置と、
   表示用画像データを表示する表示部と、
   を含むことを特徴とする超音波診断装置。