JP2014120241A - 導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】カチオン発生剤を用いているにも関わらず、保存安定性に優れており、電極間を電気的に接続した場合に、電極間の導通信頼性を高めることができる導電材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る導電材料は、硬化性化合物と、カチオン発生剤と、アミン化合物と、導電性粒子５とを含む。上記アミン化合物は、芳香族環を有する第１級アミンである。本発明に係る接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、第１，第２の接続対象部材２，４を電気的に接続している接続部３とを備える。接続部３は、上記導電材料を硬化させることにより形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数の導電性粒子を含む導電材料に関し、例えば、フレキシブルプリント基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板、半導体チップ及び有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板などの様々な接続対象部材の電極間を電気的に接続するために用いることができる導電材料に関する。また、本発明は、上記導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。

ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂などに複数の導電性粒子が分散されている。

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。

上記異方性導電材料により、例えば、半導体チップの電極とガラス基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラス基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、半導体チップを積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、かつ導電性粒子を介して電極間を電気的に接続し、接続構造体を得る。

上記異方性導電材料の一例として、下記の特許文献１には、脂環式エポキシ樹脂と、ジオール類と、エポキシ基を有するスチレン系熱可塑性エラストマーと、紫外線活性型カチオン重合触媒と、導電性粒子とを含む異方性導電材料が開示されている。

また、下記の特許文献２には、カチオン重合触媒と、カチオン重合性有機材料とを含む組成物に、グアニジン系化合物、チアゾール系化合物、ベンゾチアゾール系化合物、チアゾールカルボン酸系化合物、スルフェンアミド化合物、チオウレア系化合物、エチレンチオ尿素、イミダゾール系化合物、ベンズイミダゾール系化合物又はアルキルフェニルスルフィド系化合物を安定剤として配合したカチオン重合性有機材料組成物が開示されている。なお、このカチオン重合性有機材料組成物は、導電性粒子を含まない。

特開平１１−０６０８９９号公報 特開平８−２８３３２０号公報

特許文献１に記載のようなカチオン重合触媒を含む従来の異方性導電材料が長期間保管されると、硬化性が変化することがある。すなわち、カチオン重合触媒を含む従来の異方性導電材料では、保存安定性が低いことがある。

また、カチオン重合触媒を含む従来の異方性導電材料では、導電性粒子の導電部の腐食が生じやすいという問題がある。このため、電極間の導通信頼性が低くなることがある。

また、特許文献２に記載のような安定剤を用いたとしても、カチオン重合触媒を含む組成物の保存安定性が低いことがある。

本発明の目的は、カチオン発生剤を用いているにも関わらず、保存安定性に優れており、電極間を電気的に接続した場合に、電極間の導通信頼性を高めることができる導電材料、並びに該導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。

本発明の広い局面によれば、硬化性化合物と、カチオン発生剤と、アミン化合物と、導電性粒子とを含み、前記アミン化合物が、芳香族環を有する第１級アミンである、導電材料が提供される。

本発明に係る導電材料は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子における電極の電気的な接続に好適に用いられる。本発明に係る導電材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス基板の電極と、封止基板の電極との電気的な接続により好適に用いられる。

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記導電性粒子が、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電層とを有する。

本発明に係る導電材料は、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して熱硬化されて用いられることが好ましい。

本発明の広い局面によれば、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、前記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電材料により形成されている、接続構造体が提供される。

本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第１の接続対象部材が表面に第１の電極を有し、前記第２の接続対象部材が表面に第２の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子により電気的に接続されている。

本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第１，第２の接続対象部材が、有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である。

本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とが、有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス基板と封止基板とである。

本発明の広い局面によれば、上述した接続構造体の製造方法であって、前記第１の接続対象部材の表面に、前記導電材料により導電材料層を配置する工程と、前記導電材料層の前記第１の接続対象部材側と反対側の表面に、前記第２の接続対象部材を配置する工程と、前記導電材料層を熱硬化させて、前記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部を形成する工程とを備える、接続構造体の製造方法が提供される。

本発明に係る導電材料は、硬化性化合物とカチオン発生剤とアミン化合物と導電性粒子とを含み、上記アミン化合物が、芳香族環を有する第１級アミンであるので、カチオン発生剤を用いているにも関わらず、保存安定性に優れており、電極間を電気的に接続した場合に、電極間の導通信頼性を高めることができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。 図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて、接続構造体を得る各工程を説明するための正面断面図である。 図３は、導電性粒子の一例を示す断面図である。

以下、本発明を詳細に説明する。

本発明に係る導電材料は、硬化性化合物と、カチオン発生剤と、アミン化合物と、導電性粒子とを含む。上記アミン化合物は、芳香族環を有する第１級アミンである。

本発明に係る導電材料が上述した組成を有することにより、特に上記カチオン発生剤と上記芳香族環を有する第１級アミンとを用いることにより、カチオン発生剤を用いているにも関わらず、導電材料の保存安定性がかなり高くなる。本発明に係る導電材料では、長期間保管されても、硬化性が変化し難い。この結果、導電材料により接着された接続対象部材の接着性がより一層高くなる。さらに、本発明に係る導電材料では、カチオン発生剤を用いているにも関わらず、電極間を電気的に接続した場合に、電極間の導通信頼性を高めることができる。

また、本発明者らは、カチオン発生剤を用いることで、カチオン発生剤以外の熱硬化剤（イミダゾール化合物など）を用いた場合と比べて、導通信頼性を効果的に高めることができることを見出した。

また、本発明者らは、上記芳香族環を有する第１級アミンを用いることで、芳香族環を有しないアミン化合物を用いたり、第１級アミン以外のアミン化合物を用いたりした場合と比べて、カチオン発生剤を含む導電材料において、導電材料の保存安定性、及び電極間の導通信頼性を高めることができることを見出した。

本発明に係る導電材料を硬化させる方法としては、導電材料に光を照射する方法、導電材料を加熱する方法、導電材料に光を照射した後、導電材料を加熱する方法、並びに導電材料を加熱した後、導電材料に光を照射する方法が挙げられる。また、光硬化の速度及び熱硬化の速度が異なる場合などには、光の照射と加熱とを同時に行ってもよい。なかでも、導電材料に光を照射した後、導電材料を加熱する方法が好ましい。光硬化と熱硬化との併用により、導電材料を短時間で硬化させることができる。本発明に係る導電材料を硬化させる際には、少なくとも加熱が行われることが好ましい。すなわち、本発明に係る導電材料は、熱硬化されて用いられることが好ましい。また、光硬化の速度及び熱硬化の速度が異なる場合などには、光の照射と加熱とを同時に行ってもよい。なかでも、導電材料に光を照射した後、導電材料を加熱する方法が好ましい。光硬化と熱硬化との併用により、導電材料を短時間で硬化させることができる。

上記硬化性化合物は、加熱により硬化可能な硬化性化合物（熱硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）であってもよく、光の照射により硬化可能な硬化性化合物（光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）であってもよい。上記硬化性化合物は、加熱により硬化可能な硬化性化合物（熱硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）であることが好ましい。

上記導電材料は、加熱により硬化可能な導電材料であり、上記硬化性化合物として、加熱により硬化可能な硬化性化合物（熱硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）を含んでいてもよい。該加熱により硬化可能な硬化性化合物は、光の照射により硬化しない硬化性化合物（熱硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。

また、上記導電材料は、光の照射と加熱との双方により硬化可能な導電材料であり、上記硬化性化合物として、光の照射により硬化可能な硬化性化合物（光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）をさらに含むことが好ましい。この場合には、光の照射により導電材料を半硬化（Ｂステージ化）させ、導電材料の流動性を低下させた後、加熱により導電材料を硬化させることができる。上記光の照射により硬化可能な硬化性化合物は、加熱により硬化しない硬化性化合物（光硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。

本発明に係る導電材料に含まれている上記カチオン発生剤は、加熱によりカチオンを発生するカチオン発生剤（熱カチオン発生剤、又は光及び熱カチオン発生剤）であってもよく、光の照射によりカチオンを発生する光カチオン発生剤（光カチオン発生剤、又は光及び熱カチオン発生剤）であってもよい。上記カチオン発生剤は、加熱によりカチオンを発生するカチオン発生剤（熱カチオン発生剤、又は光及び熱カチオン発生剤）であることが好ましい。

本発明に係る導電材料は、硬化剤を含む。本発明に係る導電材料は、上記硬化剤として、カチオン発生剤を含む。

本発明に係る導電材料は、光硬化開始剤を含んでいてもよい。本発明に係る導電材料は、上記光硬化開始剤として、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。

上記導電材料は、上記硬化性化合物として、熱硬化性化合物を含み、光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物を更に含むことが好ましい。上記導電材料は、上記硬化性化合物として、熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを含むことが好ましい。

以下、先ず、本発明に係る導電材料に好適に用いられる各成分の詳細を説明する。

（硬化性化合物）
上記導電材料に含まれている硬化性化合物は特に限定されない。上記硬化性化合物として、従来公知の硬化性化合物が使用可能である。上記硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化性化合物は、エポキシ基を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。エポキシ基を有する硬化性化合物は、エポキシ化合物である。上記エポキシ基を有する硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ基を有する硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環及びペリレン環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましく、ナフタレン環であることが更に好ましい。ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化させることが可能である。

上記導電材料の硬化性を高める観点からは、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記エポキシ基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記硬化性化合物の全量が上記エポキシ基を有する硬化性化合物であってもよい。上記エポキシ基を有する硬化性化合物と該エポキシ基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物とを併用する場合には、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記エポキシ基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。

上記硬化性化合物は、エポキシ基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物をさらに含有していてもよい。該他の硬化性化合物としては、不飽和二重結合を有する硬化性化合物、フェノール硬化性化合物、アミノ硬化性化合物、不飽和ポリエステル硬化性化合物、ポリウレタン硬化性化合物、シリコーン硬化性化合物及びポリイミド硬化性化合物等が挙げられる。上記他の硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記硬化性化合物は、不飽和二重結合を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。上記導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性を更に一層高めたりする観点からは、上記不飽和二重結合を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物であることが好ましい。上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物の使用により、Ｂステージ化した導電材料全体（光が直接照射された部分と光が直接照射されなかった部分とを含む）で硬化率を好適な範囲に制御することが容易になり、得られる接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。

Ｂステージ化した導電材料層の硬化率を容易に制御し、更に得られる接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を１個又は２個有することが好ましい。

Ｂステージ化した導電材料層の硬化率を容易に制御し、更に得られる接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を１個又は２個有することが好ましい。

上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物としては、エポキシ基を有さず、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物、及びエポキシ基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物が挙げられる。

上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物として、（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、（メタ）アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン（メタ）アクリレート等が好適に用いられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを示す。上記「（メタ）アクリル」は、アクリルとメタクリルとを示す。上記「（メタ）アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとを示す。

上記（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、２官能のエステル化合物及び３官能以上のエステル化合物のいずれも使用可能である。

上記エポキシ基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上有する化合物の一部のエポキシ基を、（メタ）アクリロイル基に変換することにより得られる硬化性化合物であることが好ましい。この硬化性化合物は、部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物である。

上記硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上有する化合物と、（メタ）アクリル酸との反応物を含有することが好ましい。この反応物は、エポキシ基を２個以上有する化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って触媒の存在下で反応させることにより得られる。エポキシ基の２０％以上が（メタ）アクリロイル基に変換（転化率）されていることが好ましい。転化率は、より好ましくは３０％以上、好ましくは８０％以下、より好ましくは７０％以下である。エポキシ基の４０％以上、６０％以下が（メタ）アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。

上記部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ（メタ）アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

上記硬化性化合物として、エポキシ基を２個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基が（メタ）アクリロイル基に変換された変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基と（メタ）アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。

また、上記硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。

上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、（メタ）アクリル酸アリル、（メタ）アクリル酸ビニル、ジビニルベンゼン、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。

上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート及びテトラデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを併用する場合には、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。上記導電材料は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜９０：１０で含むことが好ましく、５：９５〜６０：４０で含むことがより好ましく、１０：９０〜４０：６０で含むことが更に好ましい。

（硬化剤）
上記導電材料は、硬化剤を含む。該硬化剤は、熱硬化剤を含んでいてもよく、光硬化開始剤を含んでいてもよい。該硬化剤は、カチオン発生剤を含む。該カチオン発生剤として従来公知のカチオン発生剤が使用可能である。また、本発明では、カチオン発生剤は、導電材料を光硬化のみさせるための光カチオン発生剤として用いるのではなく、導電材料を少なくとも熱硬化させるための熱カチオン発生剤として用いることが好ましい。さらに、本発明では、カチオン発生剤は、導電材料を光硬化させるための光カチオン発生剤として用いるのではなく、導電材料を熱硬化させるための熱カチオン発生剤として用いることが好ましい。上記カチオン発生剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記カチオン発生剤として、ヨードニウム塩及びスルフォニウム塩が好適に用いられる。例えば、上記カチオン発生剤の市販品としては、三新化学社製のサンエイドＳＩ−４５Ｌ、ＳＩ−６０Ｌ、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−１００Ｌ、ＳＩ−１１０Ｌ、ＳＩ−１５０Ｌ、並びにＡＤＥＫＡ社製のアデカオプトマーＳＰ−１５０、ＳＰ−１７０等が挙げられる。

好ましいカチオン発生剤のアニオン部分としては、ＰＦ_６、ＢＦ_４、及びＢ（Ｃ_６Ｆ_５）_４が挙げられる。

また、上記カチオン発生剤の他の具体例としては、２−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、２−ブテニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、３−メチル−２−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、３−メチル−２−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、３−メチル−２−ブテニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、３−メチル−２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、３−メチル−２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、３−メチル−２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、４−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、４−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、α−ナフチルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、α−ナフチルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、α−ナフチルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、シンナミルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、シンナミルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、シンナミルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、シンナミルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、シンナミルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、シンナミルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、ビフェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビフェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、ビフェニルメチルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、ビフェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビフェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、ビフェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、フェニルメチルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、フェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フルオレニルメチルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フルオレニルメチルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、フルオレニルメチルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フルオレニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フルオレニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、及びフルオレニルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。

上記カチオン発生剤は、加熱により無機酸イオンを放出するか、又は加熱によりホウ素原子を含む有機酸イオンを放出することが好ましい。上記カチオン発生剤は、加熱により無機酸イオンを放出する成分であることが好ましく、加熱によりホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する成分であることも好ましい。

加熱により無機酸イオンを放出するカチオン発生剤は、アニオン部分としてＳｂＦ^６−又はＰＦ^６−を有する化合物であることが好ましい。上記カチオン発生剤は、アニオン部分としてＳｂＦ^６−を有する化合物であることが好ましく、アニオン部分としてＰＦ^６−を有する化合物であることも好ましい。

上記カチオン発生剤のアニオン部分がＢ（Ｃ_６Ｘ_５）_４ ⁻で表されることが好ましい。ホウ素原子を含む有機酸イオンを放出するカチオン発生剤は、下記式（１）で表されるアニオン部分を有する化合物であることが好ましい。

上記式（１）中、Ｘはハロゲン原子を表す。上記式（１）中のＸは、塩素原子、臭素原子又はフッ素原子であることが好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。

上記カチオン発生剤のアニオン部分がＢ（Ｃ_６Ｆ_５）_４ ⁻で表されることが好ましい。上記ホウ素原子を含む有機酸イオンを放出するカチオン発生剤は、下記式（１Ａ）で表されるアニオン部分を有する化合物であることがより好ましい。

上記カチオン発生剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物１００重量部に対して、上記カチオン発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記硬化性化合物に対する上記カチオン発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料が充分に硬化する。

上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記カチオン発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記加熱により硬化可能な硬化性化合物に対する上記カチオン発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料が充分に熱硬化する。

電極間の導通信頼性及び接続構造体の高湿下での接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電材料は、上記カチオン発生剤と、熱ラジカル発生剤との双方を含むことが好ましい。上記熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤として、従来公知の熱ラジカル発生剤を用いることができる。上記熱ラジカル発生剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。ここで、「熱ラジカル発生剤」とは、加熱によってラジカル種を生成する化合物を意味する。

上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び過酸化物等が挙げられる。上記過酸化物としては、ジアシルパーオキサイド化合物、パーオキシエステル化合物、ハイドロパーオキサイド化合物、パーオキシジカーボネート化合物、パーオキシケタール化合物、ジアルキルパーオキサイド化合物、及びケトンパーオキサイド化合物等が挙げられる。

上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記熱硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料を充分に熱硬化させることができる。上記熱硬化剤の含有量は、上記熱硬化剤が熱カチオン発生剤のみである場合には、カチオン発生剤の含有量を示し、上記熱硬化剤がカチオン発生剤と他の熱硬化剤（熱ラジカル発生剤など）との双方を含む場合には、カチオン発生剤と他の熱硬化剤との合計の含有量を示す。

上記硬化剤が熱ラジカル発生剤を含む場合に、上記硬化性化合物中の上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱ラジカル発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。上記熱ラジカル発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料を充分に熱硬化させることができる。

上記導電材料は、上記硬化剤として、光硬化開始剤を含んでいてもよい。光硬化開始剤には、上述した光カチオン発生剤（光カチオン発生剤、又は光及び熱カチオン発生剤）が含まれる。上記光硬化開始剤は特に限定されない。上記光硬化開始剤として、従来公知の光硬化開始剤を用いることができる。電極間の導通信頼性及び接続構造体の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電材料は、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記光硬化開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記カチオン発生剤以外の他の光硬化開始剤としては、特に限定されず、アセトフェノン光硬化開始剤（アセトフェノン光ラジカル発生剤）、ベンゾフェノン光硬化開始剤（ベンゾフェノン光ラジカル発生剤）、チオキサントン、ケタール光硬化開始剤（ケタール光ラジカル発生剤）、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。

上記光硬化開始剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の上記光の照射により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記光硬化開始剤の含有量は、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。上記光硬化開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料を適度に光硬化させることができる。導電材料に光を照射し、Ｂステージ化することにより、導電材料の流動を抑制できる。上記光硬化開始剤の含有量は、上記光硬化開始剤がカチオン発生剤のみである場合には、カチオン発生剤の含有量を示し、上記光硬化開始剤がカチオン発生剤と他の光硬化開始剤との双方を含む場合には、カチオン発生剤と他の光硬化開始剤との合計の含有量を示す。

（アミン化合物）
上記導電材料に含まれているアミン化合物は、芳香族環を有する第１級アミンである。この特定のアミン化合物の使用は、カチオン発生剤を含む導電材料の保存安定性の向上に大きく寄与する。上記アミン化合物は、芳香族環を有する第１級アミンであれば特に限定されない。上記アミン化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記第１級アミンにおける芳香族環としては、上記硬化性化合物の芳香族環として挙げた芳香族環が挙げられる。なかでも、ベンゼン環が好ましい。

上記芳香族環を有する第１級アミンの具体例としては、ベンジルアミン、α，α−ジメチルベンジルアミン、アニリン、２−ナフチルアミン、１−ナフチルメチルアミン、２−アミノビフェニル及び４−アミノビフェニル等が挙げられる。

上記導電材料中のカチオン発生剤と上記芳香族環を有する第１級アミンとの含有量は、重量比（カチオン発生剤：第１級アミン）で、９９．９：０．１〜９７：３であることが好ましく、９９．５：０．５〜９８：２であることがより好ましい。

上記芳香族環を有する第１級アミンの含有量が、上述した好ましい範囲内であると、導電材料の保存安定性と電極間の導通信頼性とがより一層安定する。

（導電性粒子）
上記導電性粒子は、導電性の表面に導電部を有していればよい。該導電部は導電層であることが好ましい。図３に、導電性粒子の一例を断面図で示すように、導電性粒子１１は、基材粒子１２と、基材粒子１２の表面上に配置された導電層１３とを備えていてもよい。導電性粒子は、全体が導電部である金属粒子であってもよい。なかでも、コストを低減したり、導電性粒子の柔軟性を高くして、電極間の導通信頼性を高めたりする観点からは、基材粒子と、基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子が好ましい。

上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。

上記基材粒子は、樹脂により形成された樹脂粒子であることが好ましい。導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子であると、上記圧着の際に導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。

上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ジビニルベンゼン重合体、並びにジビニルベンゼン系共重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン系共重合体等としては、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体及びジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記樹脂粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。

上記無機粒子を形成するための無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。

上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。

上記導電部を形成するための金属は特に限定されない。さらに、導電性粒子が、全体が導電部である金属粒子である場合、該金属粒子を形成するための金属は特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）及びはんだ等が挙げられる。なかでも、電極間の接続抵抗がより一層低くなるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウムが好ましい。

上記導電層は、１つの層により形成されていてもよい。導電層は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、導電層は、２層以上の積層構造を有していてもよい。導電層が複数の層により形成されている場合には、最外層は、金層、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は錫と銀とを含む合金層であることが好ましく、金層であることがより好ましい。最外層がこれらの好ましい導電層である場合には、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、最外層が金層である場合には、耐腐食性がより一層高くなる。

上記基材粒子の表面に導電層を形成する方法は特に限定されない。導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、導電層の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。

上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下である。導電性粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積を充分に大きくなり、かつ導電層を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電層が基材粒子の表面から剥離し難くなる。

上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。

上記導電層の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、更に好ましくは０．３μｍ以下である。導電層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、充分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が充分に変形する。

上記導電層が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電層の厚みは、特に最外層が金層である場合の金層の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下である。上記最外層の導電層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電層による被覆が均一になり、耐腐食性が充分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗が充分に低くなる。また、上記最外層が金層である場合の金層の厚みが薄いほど、コストが低くなる。

上記導電層の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子又は導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。

電極と導電性粒子との接触面積を大きくし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層（第１の導電層）とを有することが好ましい。

上記導電性粒子の含有量は特に限定されない。上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、更に好ましくは１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下、更に好ましくは１９重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。

（他の成分）
上記導電材料は、フィラーを含むことが好ましい。フィラーの使用により、導電材料の硬化物の熱線膨張率を抑制できる。上記フィラーの具体例としては、シリカ、窒化アルミニウム、アルミナ、ガラス、窒化ボロン、窒化ケイ素、シリコーン、カーボン、グラファイト、グラフェン及びタルク等が挙げられる。フィラーは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。熱伝導率が高いフィラーを用いると、本硬化時間が短くなる。

上記導電材料は、溶剤を含んでいてもよい。該溶剤の使用により、導電材料の粘度を容易に調整できる。上記溶剤としては、例えば、酢酸エチル、メチルセロソルブ、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、テトラヒドロフラン及びジエチルエーテル等が挙げられる。

（導電材料の詳細及び用途）
本発明に係る導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。本発明に係る導電材料は、電極の電気的な接続に用いられる導電材料であることが好ましい。本発明に係る導電材料は、ペースト状又はフィルム状の導電材料であり、ペースト状の導電材料であることが好ましい。ペースト状の導電材料は、導電ペーストである。フィルム状の導電材料は、導電フィルムである。導電材料が導電フィルムである場合、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。

また、本発明に係る導電材料は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子における電極の電気的な接続に好適に用いられる。本発明に係る導電材料は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板の電極間の電気的な接続により好適に用いられる。上記有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板としては、有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス基板及び封止基板等が挙げられる。上記封止基板は、有機エレクトロルミネッセンス素子を封止するための基板である。本発明に係る導電材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス基板の電極と、封止基板の電極との電気的な接続により好適に用いられる。

接続対象部材の熱劣化を抑制する観点からは、本発明に係る導電材料は、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して、熱硬化されて用いられることが好ましく、１００℃を超える温度に加熱せずに、１００℃以下の温度に加熱して、熱硬化されて用いられることがより好ましい。有機エレクトロルミネッセンス素子用基板では、１２０℃を超える温度に加熱されると、熱劣化がかなり問題となることがある。本発明に係る導電材料の使用により、上記温度以下に加熱して、熱硬化させることが可能である。

導電材料の保存安定性をより一層高くし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電材料の２５℃でのｐＨは、好ましくは４以上、より好ましくは５以上、更に好ましくは６以上、好ましくは１０以下、より好ましくは９以下、更に好ましくは８以下である。

本発明に係る導電材料は、導電ペーストであって、ペースト状の状態で接続対象部材上に塗布される導電ペーストであることが好ましい。

上記導電ペーストの２５℃での粘度は、好ましくは２０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１００Ｐａ・ｓ以上、好ましくは７００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３００Ｐａ・ｓ以下である。上記粘度が上記下限以上であると、導電ペースト中での導電性粒子の沈降を抑制できる。上記粘度が上記上限以下であると、導電性粒子の分散性がより一層高くなる。塗布前の上記導電ペーストの上記粘度が上記範囲内であれば、第１の接続対象部材上に導電ペーストを塗布した後に、硬化前の導電ペーストの流動をより一層抑制でき、更にボイドがより一層生じ難くなる。なお、ペースト状には液状も含まれる。

本発明に係る導電材料は、様々な接続対象部材を接着するために使用できる。上記導電材料は、第１，第２の接続対象部材が電気的に接続されている接続構造体を得るために好適に用いられる。上記導電材料は、第１，第２の接続対象部材の電極間が電気的に接続されている接続構造体を得るためにより好適に用いられる。

図１に、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いた接続構造体の一例を模式的に正面断面図で示す。

図１に示す接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、第１，第２の接続対象部材２，４を電気的に接続している接続部３とを備える。接続部３は、硬化物層であり、導電性粒子５を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。接続部３は、異方性導電材料を硬化させることにより形成されていることが好ましい。

第１の接続対象部材２は表面（上面）に、複数の第１の電極２ａを有する。第２の接続対象部材４は表面（下面）に、複数の第２の電極４ａを有する。第１の電極２ａと第２の電極４ａとが、１つ又は複数の導電性粒子５により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材２，４が導電性粒子５により電気的に接続されている。

第１，第２の電極２ａ，４ａ間の接続は、通常、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とを導電材料を介して第１，第２の電極２ａ，４ａ同士が対向するように重ね合わせた後に、導電材料を硬化させる際に、加圧することにより行われる。加圧により、一般に導電性粒子５は圧縮される。

第１，第２の接続対象部材は、特に限定されない。第１，第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記導電材料は、電子部品の接続に用いられる導電材料であることが好ましい。

本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記第１の接続対象部材の表面に、上記導電材料により導電材料層を配置する工程と、上記導電材料層の上記第１の接続対象部材側と反対側の表面に、上記第２の接続対象部材を配置する工程と、上記導電材料層を熱硬化させて、上記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部を形成する工程とを備えることが好ましい。この場合に、上記導電材料は、１２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して、熱硬化されることが好ましく、１００℃を超える温度に加熱せずに、１００℃以下の温度に加熱して、熱硬化されることがより好ましい。

また、図１に示す接続構造体１は、例えば、図２（ａ）〜（ｃ）に示す状態を経て、以下のようにして得ることができる。

図２（ａ）に示すように、第１の電極２ａを表面（上面）に有する第１の接続対象部材２を用意する。次に、第１の接続対象部材２の表面に、複数の導電性粒子５を含む導電材料を配置し、第１の接続対象部材２の表面に導電材料層３Ａを形成する。このとき、第１の電極２ａ上に、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されていることが好ましい。

次に、導電材料層３Ａに光を照射することにより、導電材料層３Ａの硬化を進行させる。図２（ａ）〜（ｃ）では、導電材料層３Ａに光を照射して、導電材料層３Ａの硬化を進行させて、導電材料層３ＡをＢステージ化している。すなわち、図２（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２の表面に、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを形成している。Ｂステージ化により、第１の接続対象部材２とＢステージ化された導電材料層３Ｂとが仮接着される。Ｂステージ化された導電材料層３Ｂは、半硬化状態にある半硬化物である。Ｂステージ化された導電材料層３Ｂは、完全に硬化しておらず、熱硬化が更に進行され得る。但し、導電材料層３ＡをＢステージ化せずに、導電材料層３Ａに光を照射又は導電材料層３Ａを加熱して、導電材料層３Ａを一度に硬化させてもよい。導電材料層３Ａを加熱して、導電材料層３Ａを熱硬化させることが好ましい。

導電材料層３Ａの硬化を効果的に進行させるために、光を照射する際の光照射強度は０．１〜８０００ｍＷ／ｃｍ^２の範囲内であることが好ましい。積算光量は、０．１〜２００００Ｊ／ｃｍ^２であることが好ましい。光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長４２０ｎｍ以下に充分な発光分布を有する光源等が挙げられる。また、光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ及びＬＥＤランプ等が挙げられる。

次に、図２（ｃ）に示すように、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂの第１の接続対象部材２側とは反対の表面に、第２の接続対象部材４を積層する。第１の接続対象部材２の表面の第１の電極２ａと、第２の接続対象部材４の表面の第２の電極４ａとが対向するように、第２の接続対象部材４を積層する。

さらに、第２の接続対象部材４の積層の際に、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを加熱することにより、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを更に硬化させ、接続部３を形成する。但し、第２の接続対象部材４の積層の前に、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを加熱してもよい。さらに、第２の接続対象部材４の積層の後にＢステージ化された導電材料層３Ｂを加熱してもよい。

加熱により導電材料層３Ａ又はＢステージ化された導電材料層３Ｂを硬化させる際の加熱温度は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは８０℃以上、より一層好ましくは１００℃以上、更に好ましくは１４０℃以上、特に好ましくは１６０℃以上、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下である。本発明に係る導電材料が、有機エレクトロルミネッセンス表示素子における電極の電気的な接続に用いられる場合には、上記導電材料層３Ａ又はＢステージ化された導電材料層３Ｂを硬化させる際の加熱温度は１２０℃以下であることが好ましく、１００℃以下であることがより好ましい。

Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを硬化させる際に、加圧することが好ましい。加圧によって第１の電極２ａと第２の電極４ａとで導電性粒子５を圧縮することにより、第１，第２の電極２ａ，４ａと導電性粒子５との接触面積を大きくすることができる。このため、導通信頼性を高めることができる。さらに、導電性粒子５を圧縮することで、第１，第２の電極２ａ，４ａ間の距離が拡がっても、この拡がりに追従するように導電性粒子５の粒子径が大きくなる。

Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを硬化させることにより、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とが、接続部３を介して接続される。また、第１の電極２ａと第２の電極４ａとが、導電性粒子５を介して電気的に接続される。このようにして、導電材料を用いた図１に示す接続構造体１を得ることができる。ここでは、光硬化と熱硬化とが併用されているため、導電材料を短時間で硬化させることができる。

本発明に係る導電材料は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用できる。なかでも、上記導電材料は、ＦＯＧ用途又はＣＯＧ用途に好適であり、ＣＯＧ用途により好適である。本発明に係る導電材料は、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続、又は半導体チップとガラス基板との接続に用いられる導電材料であることが好ましく、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続に用いられる導電材料であることがより好ましい。

本発明に係る接続構造体では、上記第２の接続対象部材と上記第１の接続対象部材とが、フレキシブルプリント基板とガラス基板とであるか、又は半導体チップとガラス基板とであることが好ましく、フレキシブルプリント基板とガラス基板とであることがより好ましい。

また、本発明に係る接続構造体は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子であることも好ましい。上記有機エレクトロルミネッセンス表示素子における電極が、上記導電材料に含まれる導電性粒子により電気的に接続されていてもよい。

また、上記第１，第２の接続対象部材はそれぞれ、有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板であることが好ましい。上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とが、有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス基板と封止基板とであることが好ましい。この場合に、上記第１の接続対象部材が上記有機エレクトロルミネッセンス基板でありかつ上記第２の接続対象部材が上記封止基板であってもよく、上記第１の接続対象部材が上記封止基板でありかつ上記第２の接続対象部材が上記有機エレクトロルミネッセンス基板であってもよい。

電極幅（第１の電極幅及び第２の電極幅）は、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下である。電極間幅（第１の電極間幅及び第２の電極間幅）は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下である。また、電極幅／電極間幅であるＬ／Ｓ（ライン／スペース）は、好ましくは５μｍ／５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ／１０μｍ以上、好ましくは５００μｍ／５００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ／３００μｍ以下である。

以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

（実施例１）
（１）異方性導電材料の調製：
ビスフェノールＡ変性エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ ＥＸＡ−４８５０−１５０」）４０重量部、及びビスフェノールＦエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８３５ＬＶ」）３０重量部に、カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌ（三新化学社製のサンエイド）３重量部と、光硬化性化合物であるエポキシアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）２０重量部と、光硬化開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物（チバ・ジャパン社製「ＤＡＲＯＣＵＲ ＴＰＯ」）１重量部と、フィラーである平均粒子径０．２５μｍのシリカ１０重量部と、ベンジルアミン０．０５重量部と、平均粒子径１０μｍの導電性粒子Ａ４重量部とを添加し、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、導電ペーストを得た。

なお、用いた導電性粒子Ａは、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている導電層を有する導電性粒子である。

（２）接続構造体の作製：
有機ＥＬ素子を備えており、Ｌ／Ｓが５００μｍ／５００μｍ、長さが２０ｍｍのＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ電極パターンが上面に形成された有機ＥＬ基板（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが５００μｍ／５００μｍ、長さが２０ｍｍのＭｏ／ＡＬ／Ｍｏ電極パターンが下面に形成された封止基板（第２の接続対象部材）を用意した。

上記第１の接続対象部材上に、作製直後の導電ペーストを幅２ｍｍ、厚さ５０μｍとなるようにディスペンサーを用いて塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記第２の接続対象部材を、電極同士が対向するように積層した。３６５ｎｍの紫外線を光照射強度が３０００ｍＷ／ｃｍ^２となるように３秒間照射し、光重合によって異方性導電ペースト層を半硬化させ、Ｂステージ化した。この積層体を用いて、かつ貼り合せ装置を用いて、０．３ＭＰａの圧力をかけて１００℃で３０分間異方性導電ペースト層を硬化させ、有機ＥＬ表示素子（接続構造体Ｘ）を得た。

また、導電ペーストを遮光プラスチック容器中３０℃で７２時間放置した。作製直後の導電ペーストにかえて、３０℃で７２時間放置した後の導電ペーストを用いたこと以外は接続構造体Ｘと同様にして、有機ＥＬ表示素子（接続構造体Ｙ）を得た。

（実施例２）
ベンジルアミンの添加量を０．０５重量部から０．０９重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。

（実施例３）
ベンジルアミンの添加量を０．０５重量部から０．００３重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。

（実施例４）
上記アミン化合物の種類を、ベンジルアミンから、α，α−ジメチルベンジルアミンに変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。

（実施例５）
熱硬化性化合物の種類を、ビスフェノールＦエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８３５ＬＶ」）から、ビスフェノールＥ（プリンテック社製「ＥＰＯＸ−ＭＫ Ｒ１７１０」）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。

（実施例６）
カチオン発生剤の種類を、ＳＩ−６０Ｌ（三新化学社製のサンエイド）から、ＣＸＣ−１６１２（Ｋ−ＰＵＲＥ社製のＫ−ＰＵＲＥ ＣＸＣ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。

（比較例１）
ベンジルアミンを添加しなかったこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。

（比較例２）
上記アミン化合物の種類を、ベンジルアミンから、Ｎ−メチルベンジルアミン（芳香族環を有する第２級アミン）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。

（比較例３）
上記アミン化合物の種類を、上記ベンジルアミンから、ｎ−ヘキシルアミン（脂肪族骨格を有する第１級アミン）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。

（参考例１）
カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌを添加せずに、熱硬化剤（イミダゾール化合物、四国化成工業社製「２Ｐ−４ＭＺ」）１５重量部を添加したこと以外は、実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。

（参考例２）
カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌを添加せずに、熱硬化剤（イミダゾール化合物、四国化成工業社製「２Ｐ−４ＭＺ」）１５重量部を添加したこと、並びにベンジルアミンを添加しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体Ｘ，Ｙを得た。

（評価）
（１）導電材料のｐＨ
作製直後の導電ペーストの２５℃でのｐＨを測定した。ｐＨを下記の基準で判定した。

［ｐＨの判定基準］
Ａ：ｐＨが６以上、８以下
Ｂ：ｐＨが４以上、６未満、又は８を超え、１０以下
Ｃ：ｐＨが４未満、又は１０を超える

（２）保存安定性（硬化性）
作製直後の導電ペーストを用意して、導電ペーストを遮光プラスチック容器中３０℃で７２時間放置した。作製直後（放置前）の導電ペーストと、放置後の導電ペーストとを１００℃１時間オーブンにて硬化させ、硬化物（直径１０ｍｍ、厚み１ｍｍ）を得た。

ショア硬度計（Ｄ型）にて作製直後（放置前）の導電ペーストの硬化物の硬度Ｄ１と、放置後の導電ペーストの硬化物の硬度Ｄ２とから、導電ペーストの硬化性を下記の基準で判定した。

［保存安定性（硬化性）の判定基準］
○：硬度Ｄ２の硬度Ｄ１に対する比が０．９以上
△：硬度Ｄ２の硬度Ｄ１に対する比が０．８以上、０．９未満
×：硬度Ｄ２の硬度Ｄ１に対する比が０．８未満

（３）保存安定性（粘度）
作製直後の導電ペーストを用意して、導電ペーストを３０℃で７２時間放置した。作製直後（放置前）の導電ペーストの粘度η１と、放置後の導電ペーストの粘度η２とから、導電ペーストの保存安定性を下記の基準で判定した。なお、上記粘度η１及びη２は、Ｅ型粘度測定装置（ＴＯＫＩ ＳＡＮＧＹＯ ＣＯ．ＬＴＤ社製「ＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ ＴＶ−２２」、コーンローター：Ｎｏ．７）を用いて、２．５ｒｐｍ及び２５℃の条件で測定された値である。

［保存安定性（粘度）の判定基準］
○○：粘度η２の粘度η１に対する比が１．２未満
○：粘度η２の粘度η１に対する比が１．２以上、１．４未満
△：粘度η２の粘度η１に対する比が１．４以上、１．６未満
×：粘度η２の粘度η１に対する比が１．６以上

（４）導通信頼性（接続抵抗値）
得られた接続構造体Ｘ，Ｙの上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。１００箇所の接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。得られた接続構造体Ｘ，Ｙの導通信頼性を下記の基準で判定した。

［導通信頼性の判定基準］
○○：３Ω未満
○：３Ω以上、４Ω未満
△：４Ω以上、５Ω未満
×：５Ω以上

１…接続構造体
２…第１の接続対象部材
２ａ…第１の電極
３…接続部
３Ａ…導電材料層
３Ｂ…Ｂステージ化された導電材料層
４…第２の接続対象部材
４ａ…第２の電極
５…導電性粒子
１１…導電性粒子
１２…基材粒子
１３…導電層

Claims (10)

1. 硬化性化合物と、カチオン発生剤と、アミン化合物と、導電性粒子とを含み、
   前記アミン化合物が、芳香族環を有する第１級アミンである、導電材料。
2. 有機エレクトロルミネッセンス表示素子における電極の電気的な接続に用いられる、請求項１に記載の導電材料。
3. 有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス基板の電極と、封止基板の電極との電気的な接続に用いられる、請求項１又は２に記載の導電材料。
4. 前記導電性粒子が、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電層とを有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電材料。
5. １２０℃を超える温度に加熱せずに、１２０℃以下の温度に加熱して熱硬化されて用いられる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電材料。
6. 第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、前記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備え、
   前記接続部が、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電材料により形成されている、接続構造体。
7. 前記第１の接続対象部材が表面に第１の電極を有し、
   前記第２の接続対象部材が表面に第２の電極を有し、
   前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子により電気的に接続されている、請求項６に記載の接続構造体。
8. 前記第１，第２の接続対象部材が、有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である、請求項６又は７に記載の接続構造体。
9. 前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とが、有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス基板と封止基板とである、請求項６〜８のいずれか１項に記載の接続構造体。
10. 請求項６〜９のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法であって、
    前記第１の接続対象部材の表面に、前記導電材料により導電材料層を配置する工程と、
    前記導電材料層の前記第１の接続対象部材側と反対側の表面に、前記第２の接続対象部材を配置する工程と、
    前記導電材料層を熱硬化させて、前記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部を形成する工程とを備える、接続構造体の製造方法。

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