JP2014115541A - 反射防止膜、それを用いた光学部材、及び光学機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】波長587.56nmのHe光源のd線に対する屈折率が1.43〜1.73の光学基材10の表面に、所定の屈折率及び光学膜厚を有する第1層21〜第7層27を基材10側からこの順に積層してなり、可視域の波長帯390〜720nmの光に対する反射率が0.2%以下であることを特徴とする反射防止膜20である。
【選択図】図1
Description
[1] 波長587.56 nmのHe光源のd線に対する屈折率が1.43〜1.73の光学基材の表面上に、第1層〜第7層を前記基材側からこの順に積層してなる反射防止膜であって、
前記第1層は前記d線に対する屈折率が1.37〜1.56であり、光学膜厚が230〜290 nmであり、
前記第2層は前記d線に対する屈折率が1.85〜2.7であり、光学膜厚が20〜80 nmであり、
前記第3層は前記d線に対する屈折率が1.37〜1.52であり、光学膜厚が10〜60 nmであり、
前記第4層は前記d線に対する屈折率が2.1〜2.7であり、光学膜厚が130〜220 nmであり、
前記第5層は前記d線に対する屈折率が1.37〜1.52であり、光学膜厚が5〜40 nmであり、
前記第6層は前記d線に対する屈折率が2.1〜2.7であり、光学膜厚が20〜90 nmであり、
前記第7層は前記d線に対する屈折率が1.37〜1.4であり、光学膜厚が100〜160 nmであり、
可視域の波長帯390〜720 nmの光に対する反射率が0.2%以下であることを特徴とする反射防止膜。
[2] 上記[1] に記載の反射防止膜において、前記第7層の屈折率は、前記第1層、前記第3層及び前記第5層の屈折率以下であることを特徴とした反射防止膜。
[3] 上記[1] 又は[2] に記載の反射防止膜において、前記第1層、前記第3層及び前記第5層はMgF2又はSiO2の単体又はSiO2とAl2O3、Nb2O5又はTiO2との混合物又は化合物からなり、前記第2層、前記第4層及び前記第6層はTiO2、Nb2O5、CeO2、Ta2O5又はZrO2の単体又はそれらとSiO2との混合物又は化合物からなり、第7層がMgF2の単体又はMgF2とSiO2、CaF2又はLiFとの混合物又は化合物からなることを特徴とした反射防止膜。
[4] 上記[1] 〜[3] のいずれかに記載の反射防止膜を施したことを特徴とする光学部材。
[5] 上記[4] に記載の光学部材を有することを特徴とする光学機器。
反射防止膜20の第1層21〜第7層27の屈折率及び光学膜厚、及び基材10の屈折率を最適化したシミュレーションを行った。各実施例1〜8の屈折率及び光学膜厚を図2(A) 〜図9(A) に示す。設計波長は550 nm(以下の例も同様)とした。各実施例1〜8の反射防止膜20に垂直に光を入射させたときの分光反射率をシミュレーションにより求めた。得られた反射率計算結果を図2(B) 〜図9(B) に示す。基材10及び各層21〜27の屈折率分散を考慮し、基材10の反射防止膜20が形成されていない面での反射はないものとした。
S-FSL5(株式会社オハラ製、nd=1.4875)からなる基材10に、図10(A) に示す材料からなる第1層21〜第7層27を真空蒸着法により形成してなる反射防止膜20に垂直に光を入射させたときの分光反射率をシミュレーションにより求めた。得られたシミュレーション結果を図10(B) に示す。基材10及び各層21〜27の屈折率分散を考慮し、基材10の反射防止膜20が形成されていない面での反射はないものとした。
S-BSL7(株式会社オハラ製、nd=1.5163)からなる基材10に、図11(A) に示す材料からなる第1層21〜第7層27を真空蒸着法により形成してなる反射防止膜20に垂直に光を入射させたときの分光反射率をシミュレーションにより求めた。得られたシミュレーション結果を図11(B) に示す。基材10及び各層21〜27の屈折率分散を考慮し、基材10の反射防止膜20が形成されていない面での反射はないものとした。
S-BSM15(株式会社オハラ製、nd=1.6230)からなる基材10に、図12(A) に示す材料からなる第1層21〜第7層27を真空蒸着法により形成してなる反射防止膜20に垂直に光を入射させたときの分光反射率をシミュレーションにより求めた。得られたシミュレーション結果を図12(B) に示す。基材10及び各層21〜27の屈折率分散を考慮し、基材10の反射防止膜20が形成されていない面での反射はないものとした。
S-LAL12(株式会社オハラ製、nd=1.6779)からなる基材10に、図13(A) に示す材料からなる第1層21〜第6層26をスパッタリング法により形成し、第7層27を真空蒸着法により形成してなる反射防止膜20に垂直に光を入射させたときの分光反射率をシミュレーションにより求めた。第1層21はスパッタ成膜成分の割合はTiO2が94%、SiO2が6%とした。得られたシミュレーション結果を図13(B) に示す。基材10及び各層21〜27の屈折率分散を考慮し、基材10の反射防止膜20が形成されていない面での反射はないものとした。
S-BSM15(株式会社オハラ製、nd=1.6230)からなる基材に、図14(A) に示す材料からなる第1層〜第9層を真空蒸着法により形成してなる反射防止膜に垂直に光を入射させたときの分光反射率をシミュレーションにより求めた。反射防止膜中のOH-5はキャノンオプトロン製のTiO2とZrO2の混合蒸着材料である。得られたシミュレーション結果を図14(B) に示す。基材及び各層の屈折率分散を考慮し、基材の反射防止膜が形成されていない面での反射はないものとした。
20・・・反射防止膜
Claims (5)
- 波長587.56 nmのHe光源のd線に対する屈折率が1.43〜1.73の光学基材の表面上に、第1層〜第7層を前記基材側からこの順に積層してなる反射防止膜であって、
前記第1層は前記d線に対する屈折率が1.37〜1.56であり、光学膜厚が230〜290 nmであり、
前記第2層は前記d線に対する屈折率が1.85〜2.7であり、光学膜厚が20〜80 nmであり、
前記第3層は前記d線に対する屈折率が1.37〜1.52であり、光学膜厚が10〜60 nmであり、
前記第4層は前記d線に対する屈折率が2.1〜2.7であり、光学膜厚が130〜220 nmであり、
前記第5層は前記d線に対する屈折率が1.37〜1.52であり、光学膜厚が5〜40 nmであり、
前記第6層は前記d線に対する屈折率が2.1〜2.7であり、光学膜厚が20〜90 nmであり、
前記第7層は前記d線に対する屈折率が1.37〜1.4であり、光学膜厚が100〜160 nmであり、
可視域の波長帯390〜720 nmの光に対する反射率が0.2%以下であることを特徴とする反射防止膜。 - 請求項1に記載の反射防止膜において、前記第7層の屈折率は、前記第1層、前記第3層及び前記第5層の屈折率以下であることを特徴とした反射防止膜。
- 請求項1又は2に記載の反射防止膜において、前記第1層、前記第3層及び前記第5層はMgF2又はSiO2の単体又はSiO2とAl2O3、Nb2O5又はTiO2との混合物又は化合物からなり、前記第2層、前記第4層及び前記第6層はTiO2、Nb2O5、CeO2、Ta2O5又はZrO2の単体又はそれらとSiO2との混合物又は化合物からなり、第7層がMgF2の単体又はMgF2とSiO2、CaF2又はLiFとの混合物又は化合物からなることを特徴とした反射防止膜。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の反射防止膜を施したことを特徴とする光学部材。
- 請求項4に記載の光学部材を有することを特徴とする光学機器。
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