JP2014107446A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 半導体基板に形成された複数のフォトダイオードを備えるフォトダイオードアレイであって、
   前記フォトダイオードのそれぞれは、
   前記半導体基板に設けられた第１導電型の第１半導体領域と、
   所定領域を囲むように前記第１半導体領域に対して前記半導体基板の一方の面側に設けられ、前記第１半導体領域と共に光検出領域を構成する第２導電型の第２半導体領域と、
   前記第１半導体領域及び前記所定領域を通るように前記一方の面と前記半導体基板の他方の面との間を貫通する貫通孔内に設けられ、前記第２半導体領域と電気的に接続された貫通電極と、を有し、
   前記貫通孔は、前記一方の面から前記他方の面に向かって拡がった部分を含んでいる、フォトダイオードアレイ。
2. 前記所定領域には、前記貫通孔が通り前記第１半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する前記第１導電型の第３半導体領域が存在し、
   前記第２半導体領域と前記第３半導体領域とは、離間しており、
   前記第２半導体領域と前記第３半導体領域との間には、前記第３半導体領域を囲むように前記第１半導体領域の一部が存在している、請求項１記載のフォトダイオードアレイ。
3. 前記第３半導体領域の内縁と外縁との間隔は、前記第３半導体領域の外縁と前記第２半導体領域の内縁との間隔よりも大きい、請求項２記載のフォトダイオードアレイ。
4. 前記第２半導体領域の内縁は、前記半導体基板の厚さ方向から見た場合に、前記他方の面側の前記貫通孔の開口を囲んでいる、請求項１〜３のいずれか一項記載のフォトダイオードアレイ。
5. 前記フォトダイオードのそれぞれは、前記一方の面上に形成され、前記第２半導体領域と前記貫通電極とを電気的に接続させるコンタクト電極を含んでおり、
   前記コンタクト電極の外縁は、前記半導体基板の厚さ方向から見た場合に、前記他方の面側の前記貫通孔の開口を囲んでいる、請求項１〜４のいずれか一項記載のフォトダイオードアレイ。
6. 前記一方の面側の前記貫通孔の開口は、円形状を呈している、請求項１〜５のいずれか一項記載のフォトダイオードアレイ。