JP2014090168A - 円板状物品の液体処理装置およびかかる装置で用いる加熱システム - Google Patents

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Abstract

【課題】円板状物品を処理するための装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック10と、少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子21,23,25とを備える。赤外線加熱素子は、スピンチャックが回転しても静止するように取り付けられる。赤外線加熱素子は、スピンチャック上に載置された円板状物品に隣接する別個に制御可能な内側、中間、および、外側の加熱領域を規定するように入れ子構成で配置される。
【選択図】図1

Description

本発明は、円板状物品の液体処理装置、および、かかる装置で用いる加熱システムに関する。
液体処理は、湿式エッチングおよび湿式洗浄の両方を含んでおり、処理されるウエハの表面領域は処理液で湿潤され、それによってウエハ上の層が除去されるか、または、不純物が除去される。液体処理のための装置が、米国特許第4,903,717号に記載されている。この装置において、液体の分配は、ウエハに与えられた回転運動によって支援されてよい。
半導体産業においては、通例、円板状物品の表面を処理する技術が、例えば、直径300mmまたは450mmのシリコンウエハに対して利用されている。ただし、かかる技術は、コンパクトディスク、フォトマスク、レチクル、磁気ディスク、または、フラットパネルディスプレイなど、その他の板状の物品に適用されてもよい。半導体産業で利用される場合、(例えば、シリコン・オン・インシュレータプロセスにおける)ガラス基板、III−V基板(例えば、GaAs)、もしくは、集積回路の製造に用いられる任意のその他の基板またはキャリアにも適用されうる。
加熱された処理液体を用いる場合、ウエハ表面にわたって温度の均一性を実現するが難しいという問題があり、ウエハ直径が大きくなるにつれて、深刻になるこの問題に対処する必要がある。
特に、ウエハ直径が大きくなるにつれて、ウエハの中央領域に供給されたばかりの液体と、半径方向外向きにウエハ周囲まで移動した後の同じ液体との間の温度差は、大きくなる。これにより、ウエハ中心からの距離の関数としてエッチング速度が変化するため、処理の均一性が低下してしまう。
この問題を軽減するための従来のアプローチの一つは、可動アーム(いわゆる「ブームスイング」分配器)から処理液体を供給する手法だが、こうすると、デバイスおよびその稼働のコストおよび複雑さが増すことになる。処理液体の流量を増やすことによって、および/または、ウエハの反対側に高温の液体(脱イオン水など)を供給することによって、ある程度はこの問題に対処できるが、これらの技術では、処理液体の消費量が増大してしまう。
本願の権利者が所有する同時係属出願の米国特許出願公開第2013/0061873号には、処理の均一性を高めるためにウエハを加熱する赤外線ヒータを備えた改良型装置が開示されている。この特許出願の装置は、従来技術よりも改善されてはいるが、処理の均一性および制御をさらに高める必要がある。
したがって、本発明の一態様は、円板状物品を処理するための装置に関し、その装置は、スピンチャックの上面に対して所定の向きに円板状物品を保持するためのスピンチャックと、スピンチャックの上面の上方、かつ、スピンチャック上に載置された円板状物品の下方に位置する少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子とを備える。赤外線加熱素子は、スピンチャックが回転しても静止するように取り付けられる。少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子は、スピンチャック上に載置された円板状物品に隣接する別個に制御可能な内側、中間、および、外側の加熱領域を規定するように入れ子構成で配置される。
本発明に従った装置の好ましい実施形態において、加熱素子の各々は、加熱素子の各々がスピンチャックの回転軸から異なる距離の領域を加熱するような形状および配置の少なくとも一方を有する。
本発明に従った装置の好ましい実施形態において、加熱素子の各々は、スピンチャックの回転軸から偏心した円の円弧に概して沿って伸びる曲線部分を備える。
本発明に従った装置の好ましい実施形態において、加熱素子の各々は、直線部分によって相互接続された2つの曲線部分を備えており、加熱素子の各々は、略C字形である。
本発明に従った装置の好ましい実施形態において、2つの曲線部分の内の第1の曲線部分は、第1の円の円弧に概して沿って伸びており、2つの曲線部分の内の第2の曲線部分は、第2の円の円弧に概して沿って伸びており、第1および第2の円は、互いにずれた中心を有する。
本発明に従った装置の好ましい実施形態において、2つの曲線部分の各々は、同じ円の円弧に概して沿って伸びる。
本発明に従った装置の好ましい実施形態において、加熱素子の各々は、曲線部分によって相互接続された2つの直線部分を備える。
本発明に従った装置の好ましい実施形態において、2つの直線部分は互いに平行である。
本発明に従った装置の好ましい実施形態において、加熱素子の各々は、円の円弧に沿って伸びる曲線部分を備え、各加熱素子の円は、加熱素子の内の少なくとも2つの他の加熱素子の円と同心である。
本発明に従った装置の好ましい実施形態において、少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子の内のいずれの加熱素子の放射部分に外接する円も、少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子の内の他の加熱素子の放射部分に外接する円と交わらない。
本発明に従った装置の好ましい実施形態において、装置は、さらに、少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子によって放射された赤外線放射に対して透過性のあるプレートを備えており、プレートは、少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子と、スピンチャック上に載置された円板状物品との間に位置する。
本発明に従った装置の好ましい実施形態において、プレートは、少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子を囲むハウジングの一部である。
本発明に従った装置の好ましい実施形態において、ハウジングは、スピンチャックが回転しても静止するように取り付けられる。
別の態様において、本発明は、円板状物品を処理するための装置で用いる赤外線加熱アセンブリに関する。赤外線加熱アセンブリは、共通フレームコネクタに取り付けられた少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子を備える。少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子は、別個に制御可能な内側、中間、および、外側の加熱領域を規定するように入れ子構成で配置されている。加熱素子の各々は、加熱素子の各々が赤外線加熱アセンブリに外接する円の中心から異なる距離の領域に広がるような形状および配置の少なくとも一方を有する。
本発明に従った赤外線加熱アセンブリの好ましい実施形態において、少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子の各々は、少なくとも1つの曲線部分および少なくとも1つの直線部分を備える。
本発明に従った赤外線加熱アセンブリの好ましい実施形態において、隣接する赤外線加熱素子の曲線部分は同心円に沿って伸び、隣接する加熱素子の直線部分は互いに平行である。
本発明に従った赤外線加熱アセンブリの好ましい実施形態において、共通フレームコネクタは、少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子と同じ数の複数の電気コネクタを備え、それにより、少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子の各々に別個に電力供給するためのコントローラに少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子の各々を別個に接続することを可能にする。
本発明に従った赤外線加熱アセンブリの好ましい実施形態において、アセンブリは、少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子を囲むハウジングを備えており、ハウジングは、その上側部分を形成するプレートを備え、プレートは、少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子によって放射された赤外線放射に対して透過性がある。
さらに別の態様において、本発明は、円板状ワークピースの加熱に用いる赤外線ランプに関し、赤外線ランプは、赤外線ランプおよび円板状ワークピースが互いに相対的に回転する間に、円板状ワークピース上に光を放射して、円板状ワークピースを加熱する。赤外線ランプは、円板状ワークピースの回転軸から偏心した円を概して描く円弧状放射部と、円の内側に配置されると共に円の弦に概して沿って円弧状放射部から伸びる隣接放射部とを備える。
本発明に従った円板状ワークピースの加熱に用いる赤外線ランプの好ましい実施形態において、隣接放射部は直線形状を有する。
本発明に従った円板状ワークピースの加熱に用いる赤外線ランプの好ましい実施形態において、赤外線ランプは、円弧状放射部の反対側の隣接放射部の端部に第2の円弧状放射部を備える。
本発明に従った円板状ワークピースの加熱に用いる赤外線ランプの好ましい実施形態において、隣接放射部は、円弧状放射部の端部に一体的に結合されている。
本発明に従った円板状ワークピースの加熱に用いる赤外線ランプの好ましい実施形態において、円弧状放射部および隣接放射部は一体的に形成され、各々の断面は円形である。
さらに別の態様において、本発明は、円板状ワークピースに対向して配置された赤外線ランプを備える加熱装置に関し、加熱装置は、赤外線ランプおよび円板状ワークピースが互いに相対的に回転する間に、赤外線ランプが円板状ワークピース上に光を放射することによって、円板状ワークピースを加熱する。赤外線ランプは、円板状ワークピースの回転軸から偏心した円を概して描く円弧状放射部と、円の内側に配置されると共に円の弦に概して沿って円弧状放射部から伸びる隣接放射部とを備える。加熱装置は、複数の赤外線ランプを備えており、赤外線ランプの円弧状放射部は、互いに同心に配置されている。
本発明に従った加熱装置の好ましい実施形態において、赤外線ランプの各々の隣接放射部は、内側に位置する赤外線ランプの円弧状放射部に外接する円と交わらない。
本発明に従った加熱装置の好ましい実施形態において、赤外線ランプは、さらに、円弧状放射部の反対側の隣接放射部の端部に第2の円弧状放射部を備える。
本発明に従った加熱装置の好ましい実施形態において、円弧状放射部および第2の円弧状放射部の端部は、交点が円板状物品の回転軸上にある角度をなす。
本発明に従った加熱装置の好ましい実施形態において、赤外線ランプの各々の隣接放射部は、対応する円弧状放射部の端部に一体的に結合されている。
本発明に従った加熱装置の好ましい実施形態において、赤外線ランプの各々の隣接放射部は、対応する円弧状放射部によって描かれる円の外側に伸びない。
添付の図面を参照しつつ、本発明の好ましい実施形態についての以下の詳細な説明を読めば、本発明の他の課題、特徴、および、利点が明らかになる。
本発明の一実施形態に従って、円板状物品を処理するための装置を示す分解斜視図。
図1の実施形態の上面図。
図2のラインIII−IIIにおける図1および図2のチャックの軸方向断面図。
本発明に従って、装置の別の実施形態について図2と同様に示した図。
本発明に従って、装置のさらに別の実施形態について図2と同様に示した図。
本発明に従って、装置のまた別の実施形態について図2と同様に示した図。
図6の実施形態で用いられているランプの相対的な形状およびサイズをさらにわかりやすく示した説明図。
図1〜図3の実施形態のランプアセンブリを用いて、3つの赤外線ランプすべてをオフにした場合にエッチングされた材料の深さを示すグラフ。
図1〜図3の実施形態のランプアセンブリを用いて、3つの赤外線ランプすべてをオンにした場合にエッチングされた材料の深さを示すグラフ。
図1〜図3の実施形態のランプアセンブリを用いて、内側および中間の赤外線ランプをオンにすると共に外側の赤外線ランプをオフにした場合にエッチングされた材料の深さを示すグラフ。
図1〜図3の実施形態のランプアセンブリを用いて、内側および中間の赤外線ランプをオフにすると共に外側の赤外線ランプをオンにした場合にエッチングされた材料の深さを示すグラフ。
ここで、図面を参照すると、図1および図2は、2つの主要なサブアセンブリ、すなわち、ベースとなるスピンチャック10およびモジュール式赤外線加熱アセンブリ20で構成された装置を示す。スピンチャック10は、静止した中央の中空ポスト14を中心に回転するように取り付けられた回転本体12を備える。このポスト14は、スピンチャックに取り付けられたウエハの下側に処理液体または気体を供給するための中央ノズル18と、ポスト14のショルダ部に配置された一連のメス電気ソケット15とを備えており、ソケットは、加熱アセンブリ20から下方に伸びる対応するオスコネクタ(図示せず)を受け入れ、アセンブリ20内の赤外線加熱ランプに駆動電流を供給する。
チャック本体12には、上記で参照した米国特許第4,903,717号に記載されているように概して動作する一連のグリップピン16が取り付けられており、ピン16は、半径方向外側の開位置と、これらのピンの上端が処理対象の円板状物品のエッジに係合する半径方向内側の閉位置との間で、共通リングギアによって一斉に駆動される。
この実施形態の加熱アセンブリ20は、赤外線ランプ21、23、25を収容する下側の皿状のハウジングすなわちシェル22を備えたモジュール式ユニットとして形成される。カバー24が、一連の周囲のねじ26(この実施形態では6つ)によって下側ハウジング22にねじ止めされる。
この実施形態のカバー24は、ランプ21、23、25によって放射される赤外線放射の波長に対して透過性のある材料から形成されたプレートであり、このプレート24は、当業者に周知の通り、例えば、サファイアまたは石英ガラスで形成されてよい。プレート24には、供給ノズル18の上端を通すことができるように、小さい中央開口部19が形成されている。
加熱アセンブリ20のハウジングの内部すなわち下側ハウジングの内部、かつ、透過性のプレート24の下方には、3つの赤外線加熱ランプ21、23、25が取り付けられており、それらのランプは、関連する給電配線(図示せず)を組み込んだ共通のフレーム29によって支えられている。この実施形態において、下側シェル22および上側プレート24で形成されたハウジング、フレーム29、ならびに、ランプ21、23、25によって形成されたアセンブリは、静止したポスト14にしっかりと取り付けられる。
ここで、図2によると、加熱アセンブリ20の外周に隣接して突き出たピン16の端部によってウエハWが支持されていることがわかる。図2および図3の一点鎖線は、装置によって保持された時のウエハWの位置を示しており、ウエハWの下側は、小さい規定のギャップだけカバー24から離間されている。
ウエハWは、加熱アセンブリ20の上方で中央に配置され、加熱アセンブリは、下にあるスピンチャックの回転軸を中心に配置されている。したがって、スピンチャック10が、特定の直径のウエハWを保持するよう設計されることは明らかである。本明細書に記載の実施形態において、その直径は300mmであり、これは、現在のシリコンウエハで一般的な直径である。しかしながら、装置は、もちろん、200mmおよび450mmなど、他の直径の円板状物品を保持するよう設計されてもよい。
図2の平面図に示すように、この実施形態の3つの加熱素子の各々は、直線部分(外側の加熱素子25の場合には25−2)によって相互接続された2つの曲線部分(外側の加熱素子25の場合には25−1および25−3)で形成されている。中間の加熱素子23および内側の加熱素子21も、同じ形状を有する。このように、この実施形態の加熱素子21、23、25は、略C字形である。さらに、これらの加熱素子の曲線部分(例えば、25−1、25−3)は、概して円弧に沿っており、すべての3つの加熱素子の隣接する曲線部分は実質的に同心であることが好ましいが、それらの曲線部分を含む円は、この実施形態においては、加熱アセンブリ20の中心と同心ではないため、スピンチャックの回転軸とも同心ではない。
結果的に、この実施形態において、加熱素子21、23、25の配置および形状の組み合わせによれば、ウエハWがチャック10によって、静止した加熱素子21、23、25と相対的に回転された時に、各加熱素子は、回転するウエハWに対して半径方向に効果的に「移動し」、加熱素子の断面直径よりも大幅に広く半径方向に広がる環状の領域を加熱する。本実施形態について、それらの領域は、図2の破線で示した円で区切られており、図2ではZ1、Z2、および、Z3の符号で示されている。
当然のことながら、各加熱素子は、隣接する1または複数の領域の加熱にも、或る程度は貢献する。したがって、図2の破線の円は、その位置に対してより高い加熱効果を持つ加熱素子が1つの加熱素子から次の加熱素子へと移行する位置を表している。
図3に示すように、フレーム29は、ハウジング22、24の内部で支持されており、加熱アセンブリ20のハウジングは、この実施形態において、静止ポスト14にしっかりと固定されているため、フレーム29およびランプ21、23、25も、ポスト14へ固定的に取り付けられている。ランプ21、23、25によって放射された赤外放射を上向きに方向付けて、透過性プレート24を通して、ウエハWの下面に向けるのを支援するために、下側ハウジング部すなわちシェル22の上面には、適切な赤外反射コーティング31を施すことが好ましい。
静止ポスト14は、装置のフレーム32に取り付けられており、フレーム32は、この実施形態では、ステータ34も支えている。ステータ34は、ロータ36を駆動し、ロータ36は、スピンチャック10の本体12に取り付けられている。図3には、上述のリングギア11が図示されており、グリッピングピン16を一斉に駆動する。
本明細書に記載の実施形態においては、例えば、本願の権利者が所有する同時係属出願の米国特許出願公開第2013/0061873号に開示された加熱アセンブリに関して記載されているように、加熱アセンブリ全体が、ポスト14上に固定的に取り付けられていることがわかる。
図4は、別の実施形態を示しており、その実施形態では、赤外線ランプ21’、23’、25’は、上述の実施形態とは異なる形状を有する。特に、各ランプは、2つの直線部分21−1’、21−3’、23−1’、23−3’、25−1’、25−3’、および、1つの直線部分21−2’、23−2’、25−2’を備える。これらの素子の直線部分の形状および配置が、上述の実施形態に関して説明したように、加熱領域の形成に寄与する。
図5は、さらに別の実施形態を示しており、その実施形態では、3つの加熱素子41、43、45の各々は、連続的な曲線管状素子である。さらに、これらの加熱素子は、概して円弧に沿っており、すべての3つの加熱素子は実質的に同心であることが好ましいが、それらの加熱素子を含む円は、この実施形態においては、加熱アセンブリ20の中心と同心ではないため、スピンチャックの回転軸とも同心ではない。
結果的に、この実施形態において、加熱素子41、43、45の配置および形状の組み合わせによれば、ウエハWがチャック10によって、静止した加熱素子41、43、45と相対的に回転された時に、各加熱素子は、上述の実施形態と同様に、加熱素子の断面直径よりも大幅に広く半径方向に広がる環状の領域を加熱する。
図6および図7は、加熱ランプのさらなる設計アプローチを示す。この実施形態では、4つの個別に制御可能な赤外線加熱ランプ51、53、55、57が、上述の実施形態に関連して説明したような方法で、適切なキャリアフレーム59に取り付けられる。ハウジング20およびスピンチャック10は、以前に述べた通りである。
図7の概念図は、これらのランプ51、53、55、57の形状およびサイズの間の相互関係を示している。特に、ランプ53の曲線部分の外周は、ランプ51の曲線部分の内周とも一致する円R1を描く。同様に、ランプ55の曲線部分の外周は、ランプ53の曲線部分の内周とも一致する円R2を描き、ランプ57の曲線部分の外周は、ランプ55の曲線部分の内周とも一致する円R3を描く。さらに、最大のランプ51の外周は、円形のハウジング20が描く円の四分円にほぼ一致する。
したがって、ランプ51、53、55、57が図6に示すように取り付けられると、ウエハが静止したランプと相対的に回転された時に、効果的に、ウエハWの加熱される領域におけるギャップがなくなる。
上述の実施形態の各々における加熱ランプは、別個に制御できることが好ましいことに注意されたい。特に、各ランプを他のランプと独立してオンオフできるだけでなく、各ランプのワット数を独立して変更できることが好ましい。これにより、種々の有利なプロセス制御が可能になる。
例えば、図8は、比較の目的で、図1〜図3の加熱ランプアセンブリを用いて、3つの赤外線ランプ21、23、25のいずれかに電力供給しなかった場合に達成されたエッチングプロファイルを示している。図からわかるように、周辺領域と比較してウエハの中央領域では、ウエハから顕著に多くの材料が除去されている。これは、ウエハの中央に供給されたエッチャントが、300mm直径のウエハにわたって半径方向外向きに移動する際に、実質的に冷却されたからである。さらに、この望ましくないエッチングプロファイルは、エッチング剤、温度、および、流量が、4Aの材料をエッチングするために選択されたものでも、9Aの材料をエッチングするために選択されたものでも、概して同じである。いずれの場合でも、ウエハの外周で除去される材料が、約2A分少ない。
対照的に、図9は、3つのランプ21、23、25すべてに適切に電力供給することによって達成されたエッチングプロファイルを示す。エッチングプロファイルは、図8とほぼ逆になっている。これらのプロファイルは、図8のデータよりも低い流量および短い処理時間で達成されることにも注意されたい。多くの処理仕様に対して、理想的なエッチングプロファイルは、必ずしも平坦なプロファイルではなく、図9のように、周辺のウエハ領域の「オーバーエッチング」、例えば、ウエハ中央よりもウエハ縁部で約10%多くの材料を除去するエッチングが、しばしば、所望のエッチングプロファイルになることに注意されたい。図9からわかるように、本発明の装置および加熱アセンブリは、かかる用途に特に適している。
図10は、ランプ21、23のみが電力供給された場合に達成されたプロファイルを示しており、図11は、ランプ25だけが電力供給された場合に達成されたプロファイルを示す。いずれの場合も、結果として得られるプロファイルは、図9と類似していない。
本発明は様々な好ましい実施形態に関連して説明されているが、それらの実施形態は、本発明の例示のために提供されているに過ぎず、添付の特許請求の範囲の真の範囲および精神によって与えられる保護範囲を限定するための根拠として用いるべきではないことを理解されたい。

Claims (33)

  1. 円板状物品を処理するための装置であって、
    スピンチャックの上面に対して所定の向きに前記円板状物品を保持するためのスピンチャックと、
    前記スピンチャックの前記上面の上方、かつ、前記スピンチャック上に載置された前記円板状物品の下方に位置する少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子と
    を備え、
    前記赤外線加熱素子は、前記スピンチャックが回転しても静止するように取り付けられ、
    前記少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子は、前記スピンチャック上に載置された前記円板状物品に隣接する別個に制御可能な内側、中間、および、外側の加熱領域を規定するように入れ子構成で配置される装置。
  2. 請求項1に記載の装置であって、前記加熱素子の各々は、前記加熱素子の各々が前記スピンチャックの回転軸から異なる距離の領域を加熱するような形状および配置の少なくとも一方を有する装置。
  3. 請求項2に記載の装置であって、前記加熱素子の各々は、実質的に前記スピンチャックの回転軸から偏心した円の円弧に沿って伸びる曲線部分を備える装置。
  4. 請求項1に記載の装置であって、前記加熱素子の各々は、曲線部分によって相互接続された2つの直線部分を備える装置。
  5. 請求項1に記載の装置であって、前記2つの直線部分は互いに平行である装置。
  6. 請求項1に記載の装置であって、前記加熱素子の各々は、円の円弧に沿って伸びる曲線部分を備え、各加熱素子の前記円は、前記加熱素子の内の少なくとも他の2つの前記円と同心である装置。
  7. 請求項1に記載の装置であって、前記少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子の内のいずれの加熱素子の放射部分に外接する円も、前記少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子の内の他の加熱素子の放射部分に外接する円と交わらない装置。
  8. 請求項1に記載の装置であって、さらに、前記少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子によって放射された赤外線放射に対して透過性のあるプレートを備え、
    前記プレートは、前記少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子と、前記スピンチャック上に載置された円板状物品との間に位置する装置。
  9. 請求項8に記載の装置であって、前記プレートは、前記少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子を囲むハウジングの一部である装置。
  10. 請求項9に記載の装置であって、前記ハウジングは、前記スピンチャックが回転しても静止するように取り付けられる装置。
  11. 円板状物品を処理するための装置で用いる赤外線加熱アセンブリであって、
    共通フレームコネクタに取り付けられた少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子を備え、
    前記少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子は、別個に制御可能な内側、中間、および、外側の加熱領域を規定するように入れ子構成で配置され、
    前記加熱素子の各々は、前記加熱素子の各々が前記赤外線加熱アセンブリに外接する円の中心から異なる距離の領域に広がるような形状および配置の少なくとも一方を有する赤外線加熱アセンブリ。
  12. 請求項11に記載の赤外線加熱アセンブリであって、前記少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子の各々は、少なくとも1つの曲線部分および少なくとも2つの直線部分を備える赤外線加熱アセンブリ。
  13. 請求項12に記載の赤外線加熱アセンブリであって、隣接する赤外線加熱素子の前記曲線部分は同心円に沿って伸び、隣接する加熱素子の前記直線部分は互いに平行である赤外線アセンブリ。
  14. 請求項11に記載の赤外線加熱アセンブリであって、前記共通フレームコネクタは、前記少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子と同じ数の複数の電気コネクタを備え、それにより、前記少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子の各々に別個に電力供給するためのコントローラに前記少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子の各々を別個に接続することを可能にする赤外線加熱アセンブリ。
  15. 請求項11に記載の赤外線加熱アセンブリであって、さらに、前記少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子を囲むハウジングを備え、
    前記ハウジングは、その上側部分を形成するプレートを備え、前記プレートは、前記少なくとも3つの別個に制御可能な赤外線加熱素子によって放射された赤外線放射に対して透過性がある赤外線加熱アセンブリ。
  16. 円板状ワークピースの加熱に用いる赤外線ランプであって、前記赤外線ランプは、前記赤外線ランプおよび前記円板状ワークピースが互いに相対的に回転する間に、前記円板状ワークピース上に光を放射して、前記円板状ワークピースを加熱し、前記赤外線ランプは、
    前記円板状ワークピースの回転軸から偏心した円を概して描く円弧状放射部と、
    前記円の内側に配置されると共に前記円の弦に概して沿って前記円弧状放射部から伸びる隣接放射部と
    を備える赤外線ランプ。
  17. 請求項16に記載の赤外線ランプであって、前記隣接放射部は直線形状を有するランプ。
  18. 請求項16に記載の赤外線ランプであって、さらに、前記円弧状放射部の反対側の前記隣接放射部の端部に第2の円弧状放射部を備える赤外線ランプ。
  19. 請求項17に記載の赤外線ランプであって、さらに、前記円弧状放射部の反対側の前記隣接放射部の端部に第2の円弧状放射部を備える赤外線ランプ。
  20. 請求項16に記載の赤外線ランプであって、前記隣接放射部は、前記円弧状放射部の端部に一体的に結合されている赤外線ランプ。
  21. 請求項17に記載の赤外線ランプであって、前記隣接放射部は、前記円弧状放射部の端部に一体的に結合されている赤外線ランプ。
  22. 請求項19に記載の赤外線ランプであって、前記円弧状放射部および前記隣接放射部は一体的に形成され、各々の断面は円形である赤外線ランプ。
  23. 請求項20に記載の赤外線ランプであって、前記円弧状放射部および前記隣接放射部は一体的に形成され、各々の断面は円形である赤外線ランプ。
  24. 円板状ワークピースに対向して配置された赤外線ランプを備える加熱装置であって、前記加熱装置は、前記赤外線ランプおよび前記円板状ワークピースが互いに相対的に回転する間に、前記赤外線ランプが前記円板状ワークピース上に光を放射することによって、前記円板状ワークピースを加熱し、前記赤外線ランプは、前記円板状ワークピースの回転軸から偏心した円を概して描く円弧状放射部と、前記円の内側に配置されると共に前記円の弦に概して沿って前記円弧状放射部から伸びる隣接放射部とを備え、
    前記加熱装置は、複数の前記赤外線ランプを備え、前記赤外線ランプの前記円弧状放射部は、互いに同心に配置されている加熱装置。
  25. 請求項24に記載の加熱装置であって、前記赤外線ランプの各々の前記隣接放射部は、内側に位置する赤外線ランプの前記円弧状放射部に外接する円と交わらない加熱装置。
  26. 請求項24に記載の加熱装置であって、前記赤外線ランプは、さらに、前記円弧状放射部の反対側の前記隣接放射部の端部に第2の円弧状放射部を備える加熱装置。
  27. 請求項25に記載の加熱装置であって、前記赤外線ランプは、さらに、前記円弧状放射部の反対側の前記隣接放射部の端部に第2の円弧状放射部を備える加熱装置。
  28. 請求項26に記載の加熱装置であって、前記円弧状放射部および前記第2の円弧状放射部の端部は、頂点が前記円板状ワークピースの回転軸上に位置するような角度をなす加熱装置。
  29. 請求項27に記載の加熱装置であって、前記円弧状放射部および前記第2の円弧状放射部の端部は、頂点が前記円板状ワークピースの回転軸上に位置するような角度をなす加熱装置。
  30. 請求項24に記載の加熱装置であって、前記赤外線ランプの各々の前記隣接放射部は、対応する前記円弧状放射部の端部に一体的に結合されている加熱装置。
  31. 請求項25に記載の加熱装置であって、前記赤外線ランプの各々の前記隣接放射部は、対応する前記円弧状放射部の端部に一体的に結合されている加熱装置。
  32. 請求項30に記載の加熱装置であって、前記赤外線ランプの各々の前記隣接放射部は、対応する前記円弧状放射部によって描かれる前記円の外側に伸びない加熱装置。
  33. 請求項31に記載の加熱装置であって、前記赤外線ランプの各々の前記隣接放射部は、対応する前記円弧状放射部によって描かれる前記円の外側に伸びない加熱装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160025650A (ko) * 2014-08-27 2016-03-09 주식회사 제우스 기판 처리장치
KR20160042688A (ko) * 2014-10-10 2016-04-20 주식회사 제우스 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치
KR20160046140A (ko) * 2014-10-20 2016-04-28 주식회사 제우스 기판지지장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치
JP2017524269A (ja) * 2014-10-10 2017-08-24 ゼウス カンパニー リミテッド 基板処理用ヒーター装置及びこれを備えた基板液処理装置
JP2017183307A (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 大日本印刷株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
JP2017224807A (ja) * 2016-05-31 2017-12-21 ラム・リサーチ・アーゲーLam Research Ag ウエハ形状の物品を処理するための方法および装置
JPWO2017204083A1 (ja) * 2016-05-26 2019-03-14 三益半導体工業株式会社 回転テーブル用ウェーハ加熱保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
CN111403316A (zh) * 2020-03-18 2020-07-10 沈阳拓荆科技有限公司 一种提高硅片温度均匀性的加热系统

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101681183B1 (ko) 2014-07-11 2016-12-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102263006B1 (ko) 2019-07-18 2021-06-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102407266B1 (ko) 2019-10-02 2022-06-13 세메스 주식회사 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102564838B1 (ko) 2020-07-24 2023-08-10 세메스 주식회사 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164555A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Ebara Corp 基板乾燥装置及び方法
JP2001291677A (ja) * 2000-04-06 2001-10-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP2005032933A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW563196B (en) * 2000-10-30 2003-11-21 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus
JP4428717B2 (ja) * 2006-11-14 2010-03-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
JP4548735B2 (ja) * 2006-11-14 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164555A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Ebara Corp 基板乾燥装置及び方法
JP2001291677A (ja) * 2000-04-06 2001-10-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP2005032933A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160025650A (ko) * 2014-08-27 2016-03-09 주식회사 제우스 기판 처리장치
KR102069078B1 (ko) * 2014-08-27 2020-01-23 주식회사 제우스 기판 처리장치
KR20160042688A (ko) * 2014-10-10 2016-04-20 주식회사 제우스 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치
JP2017524269A (ja) * 2014-10-10 2017-08-24 ゼウス カンパニー リミテッド 基板処理用ヒーター装置及びこれを備えた基板液処理装置
KR102082151B1 (ko) * 2014-10-10 2020-02-27 주식회사 제우스 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치
KR20160046140A (ko) * 2014-10-20 2016-04-28 주식회사 제우스 기판지지장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치
KR102123563B1 (ko) * 2014-10-20 2020-06-16 주식회사 제우스 기판지지장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치
JP2017183307A (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 大日本印刷株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
JPWO2017204083A1 (ja) * 2016-05-26 2019-03-14 三益半導体工業株式会社 回転テーブル用ウェーハ加熱保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
US11056362B2 (en) 2016-05-26 2021-07-06 Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. Wafer heating and holding mechanism and method for rotary table, and wafer rotating and holding device
JP2017224807A (ja) * 2016-05-31 2017-12-21 ラム・リサーチ・アーゲーLam Research Ag ウエハ形状の物品を処理するための方法および装置
CN111403316A (zh) * 2020-03-18 2020-07-10 沈阳拓荆科技有限公司 一种提高硅片温度均匀性的加热系统

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