KR102069078B1 - 기판 처리장치 - Google Patents

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Abstract

기판 처리장치에 관한 발명이 개시된다. 개시된 기판 처리장치는, 기판을 지지하는 기판지지부재와, 기판에 약액을 공급하는 약액공급부재와, 약액공급부재에서 공급된 약액이 기판에 공급되는 위치에 따라 가열 정도를 달리하여 기판을 가열하는 기판가열부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판 처리장치{SUBSTRATE PRECESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 습식 매엽 공정에 있어서, 기판의 온도를 균일하게 유지할 수 있는 기판 처리장치에 관한 것이다.
기판 처리장치는 공정에 따라 기판을 가열하는 방식이 달라진다. 건식 공정에는 적외선 램프를 이용한 직접 가열이나 열 손실을 방지하기 위한 밀폐식 구조 등을 적용하고 있으며, 습식 공정에는 두 종류 이상의 액체를 혼합하여 화학 반응열을 이용하거나, 액체를 직접 가열하여 공급하는 방식 등이 적용된다.
또한, 건식 공정 중 배치 공정의 경우 대류열과 복사열을 주로 이용하며, 매엽 공정에서는 복사열을 이용하여 열 에너지를 공급한다. 습식 공정 중 여러 장의 기판을 동시에 처리하는 배치 공정의 경우 액체를 직접 가열하여 공급하는 방식이 적용되고 있으며, 개별 기판을 처리하는 매엽 공정의 경우에는 화학 반응열을 이용한 방식이 주로 적용된다.
일반적인 건식 매엽 공정은 적외선 램프를 이용하여 단시간 내에 많은 열 에너지를 공급하여 공정을 완료한다. 일반적으로 이러한 공정을 Rapid Thermal Process(RTP)라고 한다. RTP 공정의 경우, 기판을 균일한 열 에너지를 이용하여 가열하는 경우 기판의 중심부 온도가 주변부 온도보다 높은 경향을 보인다.
반면, 습식 매엽 공정의 경우, 기판에 약액이 공급되므로 약액이 공급되는 영역의 온도가, 하강하여 기판의 온도가 위치에 따라 불균일해지는 문제점이 발생된다.
본 발명의 배경 기술은, 대한민국 공개특허공보 제2007-0094674호(2007.09.21 공개, 발명의 명칭: 매엽식 기판 처리장치)에 개시되어 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위해 안출된 것으로서, 약액이 공급되는 부위의 온도를 보상하여 기판의 온도를 전체적으로 균일하게 유지할 수 있는 기판 처리장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 기판 처리장치는, 기판을 지지하는 기판지지부재; 상기 기판에 약액을 공급하는 약액공급부재; 및 상기 약액공급부재에서 공급된 약액이 상기 기판에 공급되는 위치에 따라 가열 정도를 달리하여 상기 기판을 가열하는 기판가열부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 기판가열부재는, 상기 기판의 상측에 위치하는 램프장착부; 및 상기 램프장착부에 위치하고, 복수 개의 가열램프를 포함하며, 상기 기판에 약액이 분사되는 영역에 대응하는 영역의 단위면적당 출력을 조절하여 상기 기판을 가열하는 가열램프부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 가열램프부는, 약액이 상기 기판에 공급되는 영역에 대응되는 영역을 가열하는 상기 가열램프의 출력을 조절하여, 상기 가열램프 위치별 출력을 조절하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 가열램프부는, 약액이 상기 기판에 공급되는 영역에 대응되는 영역을 가열하는 상기 가열램프의 단위면적당 개수를 조절하여, 상기 가열램프의 위치별 출력을 조절하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 기판 처리장치는, 상기 기판의 온도를 측정하는 온도측정부재; 및
상기 온도측정부재에서 측정한 상기 기판의 온도 분포에 따라 상기 가열램프의 출력을 조절하는 제어부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 기판 처리장치는, 약액이 공급되는 부위에 대응되는 위치의 가열램프부의 출력을 조절하여 온도를 보상함으로써, 기판의 온도를 균일하게 유지할 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명은, 온도측정부재 및 제어부재를 이용하여 가열램프부의 출력을 조절함으로써, 기판의 온도 불균일을 실시간으로 조정할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치의 정면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 영역을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 출력을 달리하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 밀도를 달리하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 출력이 상이한 가열램프가 적용된 상태를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 영역을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 출력을 달리하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 밀도를 달리하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 출력이 상이한 가열램프가 적용된 상태를 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 영역을 나타내는 도면이다.
도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 출력을 달리하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 밀도를 달리하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 16은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 출력이 상이한 가열램프가 적용된 상태를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 기판 처리장치의 일 실시예를 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.
또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치의 정면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치(1)는 기판지지부재(100), 약액공급부재(200) 및 기판가열부재(300)를 포함한다.
기판지지부재(100)는 기판(S)을 지지하며, 기판(S)을 회전시킨다. 본 실시예에서 기판지지부재(100)는 척테이블부(110), 회전축부(130) 및 구동부(150)를 포함한다.
척테이블부(110)는 기판(S)을 지지한다. 본 실시예에서 척테이블부(110)는 척테이블(111), 고정핀(113) 및 척핀(115)을 포함한다.
척테이블(111)은 중심부가 회전축부(130)에 결합되어, 회전축부(130)와 함께 회전한다. 본 실시예에서 척테이블(111)은 판 형상이며, 상측에 고정핀(113) 및 척핀(115)이 위치한다.
고정핀(113)은 하단부가 척테이블(111)에 볼팅 등의 방식으로 결합되고, 상단부에 기판(S)이 안착된다.
척핀(115)은 기판(S)의 둘레부를 지지하여 기판(S)의 이탈을 방지한다. 척핀(115)은 이동부(미도시) 등에 의하여 지지위치와 대기위치 사이를 이동한다. 여기서 지지위치는 척핀(115)이 기판(S)의 둘레부에 접촉되는 위치를 의미하고, 대기위치는 기판(S)을 안착 또는 탈거할 수 있도록 기판(S)의 둘레부에서 척핀(115)이 이격되는 위치를 의미한다.
회전축부(130)는 척테이블(111)의 회전중심에 연결되며 구동부(150)에 의하여 척테이블부(110)와 함께 회전된다.
구동부(150)는 전기모터 등을 포함하여, 외부에서 인가되는 전기에너지를 회전에너지로 전환하고, 이를 이용하여 회전축부(130)를 회전시킨다.
약액공급부재(200)는 기판(S)에 약액을 공급한다. 본 실시예에서 약액공급부재(200)는 약액저장부(210), 약액공급부(230) 및 약액안내부(250)를 포함한다.
약액저장부(210)는 약액이 저장된다. 본 실시예에서 약액저장부(210)의 형상 및 재질 등은 약액의 종류 및 성분 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 약액저장부(210)는 약액의 종류에 따라 복수 개 구비되어 약액을 종류별로 저장할 수 있으며, 약액을 별도로 가열할 수 있는 가열수단을 구비한다.
약액공급부(230)는 기판(S)의 상측에 위치하며, 약액을 기판(S)에 분사한다. 본 실시예에서 약액공급부(230)는 약액을 기판(S) 처리면으로 분사하는 노즐로 예시되며, 기판(S)의 크기, 약액의 종류 등에 따라 다양한 구성 및 형상의 노즐을 적용할 수 있다.
약액안내부(250)는 약액저장부(210)와 약액공급부(230)를 연결하여, 약액저장부(210)의 약액이 약액공급부(230)로 공급되도록 안내한다. 본 실시예에서 약액안내부(250)는 양단부가 각각 약액저장부(210)에 연결되는 약액안내관(251)과, 약액안내관(251)에 결합되어 약액안내관(251)을 흐르는 약액의 유량을 조절하는 밸브(253)를 포함한다.
기판가열부재(300)는 약액공급부(230)에서 분사된 약액이 기판(S)에 공급되는 위치에 따라 가열 정도를 달리하여 기판(S)을 가열한다. 즉, 기판가열부재(300)는 약액의 공급에 의하여 국소적으로 온도가 감소한 기판(S)을, 기판(S)의 위치에 따라 가열 정도를 달리하여 가열함으로써, 위치에 따른 온도를 균일하게 한다. 본 실시예에서 기판가열부재(300)는 램프장착부(310) 및 가열램프부(330)를 포함한다.
램프장착부(310)는 기판(S)의 상측에 위치하여 가열램프부(330)를 지지한다. 본 실시예에서 램프장착부(310)는 금속 재질을 포함하여 이루어지며, 판 형상으로 형성되어, 처리공정실(미도시) 등에 결합된다.
가열램프부(330)는 램프장착부(310)에 결합되며, 복수개의 가열램프(331)를 포함하여, 기판(S)에 약액이 분사되는 영역에 대응하는 영역의 단위면적당 출력을 조절하여 기판(S)을 가열한다.
본 실시예에서 가열램프부(330)는 약액이 기판(S)에 공급되는 영역에 대응되는 영역, 즉 약액이 기판(S)에 분사될 때 닿는 부위에 대응되는, 구체적으로 닿는 부위의 연직선 상의 상측 또는 하측에 위치하는 가열램프(331)의 출력을 조절하여 단위면적당 출력을 조절한다.
약액이 공급되는 부분에 대응되는 위치의 가열램프부(330)의 출력을 조절하는 방식은 다양하게 구현될 수 있다. 예를 들어 복수 개의 가열램프(331) 중에서 일부 가열램프(331)의 출력을 조절하는 방식, 가열램프(331)의 단위면적당 개수를 조절하는 방식 또는 출력, 크기 등이 상이한 가열램프(331)를 적용하는 방식 등이 가능하다.
우선 동일한 크기의 복수 개의 가열램프(331)가 균일하게 배열된 상태에서, 약액이 분사되는 부위에 대응되는 위치에 해당하는 가열램프(331)의 출력을 조절함으로써 약액이 공급되는 부위의 기판(S) 부위를 집중 가열하여 약액의 공급에 따른 기판(S)의 온도 불균일을 저감할 수 있다.
이러한, 가열램프(331)의 출력 조정은, 약액공급부(230)에서 약액이 분사되는 위치를 사전에 판단하고, 판단된 위치를 기초로 해당되는 위치를 가열하는 가열램프(331)의 출력을 조절하거나, 후술할 온도측정부재(400)에서 측정한 기판(S)의 실시간 온도를 바탕으로 제어부재(500)에서 일부 가열램프(331)의 출력을 조절하는 방식도 가능하다.
이와 다르게, 복수 개의 가열램프(331)의 배열을 달리하여 기판(S)의 온도를 보상하는 것도 가능하다. 결국 가열램프(331)의 밀도, 즉 가열램프(331)의 배열을 조절하거나, 출력 또는 형상이 상이한 가열램프(331)를 배열하여 기판(S)의 온도를 보상할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 상태를 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 영역을 나타내는 도면이다.
도 2 내지 도 3을 참조하면, 도 2에서와 같이 약액공급부(230a)에서 분사된 약액이 기판(S)의 영역 "A" 부위의 분사되는 경우에는, 영역 "A" 부위의 온도가 낮아지게 된다. 낮아지는 온도를 보상하거나, 낮아지는 것을 방지하여, 기판(S)의 온도를 보상하기 위해서는 "A" 영역 부위를 다른 부위에 비하여 더 강하게 가열할 필요가 있다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 출력을 달리하는 상태를 나타내는 도면이고, 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 밀도를 달리하는 상태를 나타내는 도면이며, 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치에서 출력이 상이한 가열램프가 적용된 상태를 나타내는 도면이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 가열램프부(330)의 출력을 조절하는 방법이 예시된다. 복수 개의 가열램프(331)중 "A'" 영역에 해당하는 부위에 위치하는 가열램프(331a)에 인가되는 출력을 상승시키면, "A'"가 가열하는 "A" 영역에 전달되는 열전달량이 상승하고, 이에 따라 약액이 공급되는 "A" 영역의 온도가 상승하여 온도가 보상된다.(도 4 참조)
"A'" 영역에서 발산되는 열량은 상술한 바와 같이 가열램프(331b)의 단위면적 당 개수를 증가시키거나(도 5 참조), 출력이 크거나, 형상이 상이한 가열램프(331c, 331d)를 적용하여 "A" 영역의 온도를 보상할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 상태를 나타내는 도면이고, 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 영역을 나타내는 도면이다.
도 7 내지 도 8을 참조하면, 막대형 약액공급부(230b)가 적용된 경우를 나타낸다. 도 7은 막대형 약액공급부(230b)가 기판(S)의 회전중심(C)에서 반경방향으로 연장 형성된 것을 나타내는데, 이러한 경우에 약액은 도 8에서와 같이 "B" 영역에 분사되며, "B" 영역의 온도가 하강할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 출력을 달리하는 상태를 나타내는 도면이고, 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 밀도를 달리하는 상태를 나타내는 도면이며, 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 출력이 상이한 가열램프가 적용된 상태를 나타내는 도면이다.
도 9 내지 도 11을 참조하면, "B" 영역에 대응하는 가열램프(331)의 "B'" 영역의 출력을 조절하는 것을 나타낸다. 즉 제2 실시예에서 가열램프(331a)는 "B'" 영역의 출력을 상승시키기 위하여, "B'"영역에 해당하는 가열램프(331a)의 출력을 증대시키거나(도 9 참조), 해당 위치의 가열램프(331b)의 밀도를 늘리거나(도 10 참조), 해당 위치에 크기, 형상, 출력 등이 상이한 가열램프(331e)를 적용하여(도 11 참조) 기판(S)의 "B" 영역의 온도저하를 보상한다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 상태를 나타내는 도면이고, 도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 약액이 분사되는 영역을 나타내는 도면이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 소정의 경로를 따라 이동하면서 약액을 분사하는 약액공급부(230c)를 나타낸다. 도 12는 이동형 약액공급부(230c)가 적용된 경우 기판(S)에 약액이 분사되는 영역인 "C"를 나타낸다.
도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 출력을 달리하는 상태를 나타내는 도면이고, 도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리장치에서 가열램프의 밀도를 달리하는 상태를 나타내는 도면이며, 도 16은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치에서 출력이 상이한 가열램프가 적용된 상태를 나타내는 도면이다.
도 14 내지 도 16을 참조하면, "C" 영역에 대응하는 가열램프(331)의 "C'" 영역의 출력을 조절하는 것을 나타낸다. 즉 제2 실시예에서 가열램프(331)는 "C'" 영역의 출력을 상승시키기 위하여, "C'"영역에 해당하는 가열램프(331a)의 출력을 증대시키거나(도 14 참조), 해당 위치의 가열램프(331b)의 밀도를 늘리거나(도 15 참조), 해당 위치에 크기, 형상, 출력 등이 상이한 가열램프(331f)를 적용하여(도 16 참조) 기판(S)의 "B" 영역의 온도저하를 보상한다.
본 실시예에서 기판 처리장치(1)는 온도측정부재(400) 및 제어부재(500)를 더 포함한다. 온도측정부재(400)는 기판(S)의 온도를 측정하고, 측정된 온도값을 제어부재(500)에 전달한다. 본 실시예에서 온도측정부재(400)는 파이로미터로 예시되며, 척테이블부(110)에 장착되어 기판(S)의 온도를 측정하는 복수 개의 온도측정부(410)를 포함한다.
제어부재(500)는 온도측정부재(400)에서 측정한 기판(S)의 온도 분포에 따라 가열램프(331)의 출력을 조절한다. 본 실시예에서 제어부재(500)는 미리 지정하거나, 온도측정부재(400)에서 전달받은 기판(S)의 부위별 온도를 기초로, 가열램프(331)에 인가되는 전력을 조절하는 방식으로 가열램프(331)의 출력을 조절한다.
이하, 상기와 같은 구조를 가지는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치(1)의 작동원리 및 효과를 설명하면 다음과 같다.
척핀(115)이 대기위치에 있는 상태에서 기판(S)을 기판지지부재(100)의 고정핀(113)의 상측에 안착한 후 척핀(115)을 지지위치로 이동시켜 기판(S)을 견고하게 지지한다.
기판(S)을 처리하는 소정의 과정 중에 약액의 공급이 필요한 경우, 밸브(253)를 구동하고, 약액안내관(251)을 통하여 약액을 약액공급부(230)로 공급한다. 약액공급부(230)에 공급된 약액은 약액공급부재(200)를 통하여 기판에 분사된다.
약액이 기판(S)에 공급되면, 약액이 기판(S)에 공급되는 영역의 온도가 다른 부위에 비하여 낮아질 수 있다.
약액공급부(230)를 통하여 분사되는 약액이 기판(S)에 공급되는 부위가 일정한 경우에는 해당 부위에 대응되는 위치의 가열램프(331)의 출력을 상승시켜 온도가 낮아진 것을 보상한다.
약액이 공급된 부위의 온도를 보상하기 위하여 대응되는 위치의 가열램프(331)의 출력을 달리하는 내용은 상술한 바와 같다.
본 실시예에서 기판 처리장치(1)는, 약액이 공급되는 부위에 대응되는 위치의 가열램프(331)의 출력을 조절하여 온도를 보상함으로써, 기판(S)의 온도를 균일하게 유지할 수 있는 효과가 있다.
또한 본 실시예에서 기판 처리장치(1)는 온도측정부재(400) 및 제어부재(500)를 이용하여 가열램프부(330)의 출력을 조절함으로써, 기판(S)의 온도 불균일을 실시간으로 조정할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
1: 기판 처리장치 100: 기판지지부재
110: 척테이블부 111: 척테이블
113: 고정핀 115: 척핀
130: 회전축부 150: 구동부
200: 약액공급부재 210: 약액저장부
230, 230a, 230b, 230c: 약액공급부 250: 약액안내부
251: 약액안내관 253: 밸브
300: 기판가열부재 310: 램프장착부
330, 330a, 330b, 330c, 330d, 330e, 330f: 가열램프부
331: 가열램프 400: 온도측정부재
410: 온도측정부 500: 제어부재
S: 기판

Claims (5)

  1. 기판을 지지하는 기판지지부재;
    상기 기판에 약액을 공급하는 약액공급부재;
    상기 기판을 가열하기 위한 복수 개의 가열램프가 구비되는 기판가열부재; 및
    상기 기판 중 약액이 분사되는 일정 영역에 대응되는 상기 가열램프의 단위면적당 출력을, 상기 기판 중 약액이 분사되지 않는 영역에 대응되는 상기 가열램프의 단위면적당 출력과 상이하게 조절하는 제어부재;를 포함하고,
    상기 제어부재는,
    약액의 공급에 의해 상기 기판의 온도가 국소적으로 낮아지면, 상기 가열램프들 중에서 약액이 상기 기판에 분사될 때 닿는 부위의 연직선 상의 상측 또는 하측에 위치한 상기 가열램프들의 단위면적당 출력을 약액이 분사될 때 상기 기판에 닿지 않는 부위의 연직선 상의 상측 또는 하측에 위치한 상기 가열램프들에 대한 단위면적당 출력보다 상승시켜 상기 기판의 온도 불균일을 저감시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 기판가열부재는,
    상기 기판의 일측에 위치하는 램프장착부; 및
    상기 램프장착부에 위치하고, 복수 개의 상기 가열램프를 포함하여 상기 기판을 가열하는 가열램프부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제어부재는,
    약액이 상기 기판에 공급되는 영역에 대응되는 영역을 가열하는 상기 가열램프의 출력을, 약액이 상기 기판에 공급되지 않는 영역에 대응되는 영역을 가열하는 상기 가열램프의 출력과 상이하게 조절하여, 상기 가열램프의 위치별 출력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제어부재는,
    약액이 상기 기판에 공급되는 영역에 대응되는 영역을 가열하는 상기 가열램프의 단위면적당 개수를, 상기 기판에 공급되지 않는 영역에 대응되는 영역을 가열하는 상기 가열램프의 단위면적당 개수와 상이하게 조절하여, 상기 가열램프의 위치별 출력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 기판의 온도를 측정하는 온도측정부재;를 더 포함하고,
    상기 제어부재는, 상기 온도측정부재에서 측정한 상기 기판의 온도 분포에 따라 상기 가열램프의 출력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008177300A (ja) 2007-01-17 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 加熱装置、塗布、現像装置、加熱方法及び記憶媒体
JP2012023366A (ja) * 2010-07-15 2012-02-02 Semitool Inc 窒化シリコンをエッチングするシステム及び方法
JP2012119480A (ja) 2010-11-30 2012-06-21 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP2014090168A (ja) * 2012-10-12 2014-05-15 Lam Research Ag 円板状物品の液体処理装置およびかかる装置で用いる加熱システム

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5013044B2 (ja) * 2005-11-30 2012-08-29 ウシオ電機株式会社 光照射式加熱装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008177300A (ja) 2007-01-17 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 加熱装置、塗布、現像装置、加熱方法及び記憶媒体
JP2012023366A (ja) * 2010-07-15 2012-02-02 Semitool Inc 窒化シリコンをエッチングするシステム及び方法
JP2012119480A (ja) 2010-11-30 2012-06-21 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP2014090168A (ja) * 2012-10-12 2014-05-15 Lam Research Ag 円板状物品の液体処理装置およびかかる装置で用いる加熱システム

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