TWI593009B - 基板處理裝置及方法 - Google Patents
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Description
本申請案主張2014年8月27日申請之韓國專利申請案第2014-0112152號及2014年8月27日申請之韓國專利申請案第2014-0112153號的權利，其內容藉參考方式完全併入於本案中。
本發明係關於一種基板處理裝置及方法，且特別地關於可於單一晶圓濕式製程中均勻地維持一基板之溫度以及可藉由調整液態化學品的供應而確保一基板處理製程中的均勻度及基板品質之一種基板處理裝置及方法。
於一基板處理裝置中，加熱基板的方法依據製程而有所變化。於一乾式製程中可採用使用一紅外燈之一直接加熱結構或防止熱損失之一密封結構，而於一濕式製程中可採用混合兩或更多種類液體及採用化學反應熱之一方法或直接加熱並供應液體之一方法。
此外，乾式製程的批次製程主要使用對流熱與輻射熱而供應熱能，而單一晶圓製程則採用輻射熱而供應熱能。自濕式製程同時處理數片基板之批次製程的情形下，可採用直
接加熱及供應液體之方法，而於處理單片基板的單一晶圓製程的情形下，可主要採用使用化學反應熱之方法。
於通常之乾式單一晶圓製程中，可採用紅外線燈具於短時間內供應大量的熱能，並進而完成了製程。此製程可通稱為一RTP(快速熱製程)。於RTP製程中，當採用均勻的熱能而加熱基板時，基板的中央部的溫度很可能會較其一週邊區的溫度為高。
另一方面，於濕式單一晶圓製程中，供應液體化學品至基板處，從而降低了供應有此液體化學品的區域之溫度，且因此基板的溫度依照基板的位置而變得不均勻。此外，基於由蒸發造成的液體化學品的成分改變、或一特定成分的分離、或調整殘留於基板上的液態化學品的困難，並無法確保基板的處理製程的均勻度，便導致了基板品質的劣化情形。
本發明之背景技術已揭露於韓國專利申請公開案第2007-0094674號(於2007年9月21日公開，標題為單一晶圓型基板處理裝置)內以及於韓國專利申請公開案第2014-0053823號(於2014年5月8日公開，標題為液體處理裝置及液體處理方法)內。
本發明係關於一種基板處理裝置與方法，其可藉由補償供應有一液體化學品之基板的一區域溫度而均勻地維持整個基板的溫度，藉由調整液體化學品的供應而消除由缺乏一腐蝕性藥劑等所造成的基板處理製成的非均勻性，並適當地供應基板處理製程所需之液體化學品。
依據本發明之一方面，提供了一種基板處理裝置，包括：一基板支撐件，支撐一基板；一液體化學品供應件，供應一液體化學品至該基板；以及一基板加熱件，藉由依照該液體化學品供應件所供應之該液體化學品至該基板的一位置以改變一加熱程度而加熱該基板。
在此，該基板加熱件可包括：一燈具安裝單元，設置於該基板之一側上；以及一加熱燈具單元，設置於該燈具安裝單元內，包括複數個加熱燈具，並藉由調整對應於噴灑有該液態化學品之該基板之一區域之該基板加熱件之一區域之每單位區域之一輸出而加熱該基板。
此外，該加熱燈具單元可依照一控制件調整用於加熱對應於噴灑有該液態化學品之該基板之一區域之該基板加熱件之一區域的該加熱燈具的一輸出之一方式調整該加熱燈具之各位置之一輸出。
此外，該加熱燈具單元可依照一控制件調整用於加熱對應於噴灑有該液態化學品之該基板之一區域之該基板加熱件之一區域的該些加熱燈具的每單位區域的數量之一方式調整該加熱燈具之各位置之一輸出。
此外，該基板處理裝置可更包括：一溫度量測件，量測該基板之一溫度，其中該控制件依據為該溫度量測件所量測到之該基板的溫度分佈而調整該加熱燈具的輸出。
此外，該液體供應件可間歇地供應該液體化學品至該基板。
此外，該液體化學品供應件可包括：一液體化學
品儲存單元，儲存該液體化學品；一液體化學品供應單元，噴灑該液體化學品至該基板；以及一供應調整單元，連結該液體化學品儲存單元與該液體化學品供應單元，導引該液體化學品的流動及於一基板處理製程時讓使液體化學品儲存單元之該液體化學品間歇地供應至該液體化學品供應單元。
此外，該供應調整單元可包括：一液體化學品導管，連結該液體化學品儲存單元與該液體化學品供應單元，並導引該液體化學品的流動；以及一流速調節閥，連結該液體化學品導管，並調整傳輸至該液體化學品供應件之該液體化學品之一流速。
此外，該流速調節閥可控制了移動通過該液體化學品導管之該液體化學品的該流速，從而週期性地供應該液態化學品一預定時間。
此外，該基板處理裝置可更包括：一液體化學品量測件，設置於該基板支撐件之一側上，量測分離至該基板之外部之該液體化學品之一流速或一成分比，以及傳輸量測得到之該流速或該成分比至一控制件，其中當為該液體化學品量測單元所量測之該液體化學品之該流速或該成分比為一設定值或更少時，該控制件藉由控制該流速調節閥而供應該液體化學品至該基板。
依據本發明之一方面，可提供了一種基板處理方法，包括：放置一基板至一基板支撐件上及供應一液體化學品至該基板；以及藉由一控制件控制一液體化學品供應件而供應該液體化學品至該基板，以及依照自該液體化學品供應件所供
應之該液體化學品至該基板之一位置而藉由該控制件而控制該基板加熱件以改變加熱程度之一方式加熱該基板。
100‧‧‧基板支撐件
110‧‧‧吸附台單元
111‧‧‧吸附台
113‧‧‧固定銷
115‧‧‧吸附銷
130‧‧‧轉軸單元
150‧‧‧驅動單元
200‧‧‧液體化學品供應件
210‧‧‧液體化學品儲存單元
230‧‧‧液體化學品供應單元
230a‧‧‧液體化學品供應單元
230b‧‧‧液體化學品供應單元
230c‧‧‧液體化學品供應單元
250‧‧‧供應調整單元
251‧‧‧液體化學品導管
253‧‧‧流速調節閥
270‧‧‧液體化學品量測件
300‧‧‧基板加熱件
310‧‧‧燈具安裝單元
330‧‧‧加熱燈具單元
331‧‧‧加熱燈具
331a‧‧‧加熱燈具
331b‧‧‧加熱燈具
331c‧‧‧加熱燈具
331d‧‧‧加熱燈具
331e‧‧‧加熱燈具
331f‧‧‧加熱燈具
400‧‧‧溫度量測件
410‧‧‧溫度量測單元
500‧‧‧控制件
S‧‧‧基板
A‧‧‧區域
A’‧‧‧區域
B‧‧‧區域
B’‧‧‧區域
C‧‧‧區域
C’‧‧‧區域
S100‧‧‧製程準備操作
S110‧‧‧操作
S130‧‧‧操作
S150‧‧‧操作
S200‧‧‧製程操作
S210‧‧‧操作
S230‧‧‧操作
S300‧‧‧基板潔淨操作
S400‧‧‧基板傳輸操作
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能為本領域之技術人員更明顯易懂，下文特舉示例實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
第1圖為依據本發明之一實施例之一種基板處理裝置之一前視圖；第2圖繪示了依據本發明之一實施例之於一基板處理裝置內供應一液體化學品之一種狀態；第3圖繪示了依據本發明之第一實施例之於一基板處理裝置內噴灑一液體化學品之一種狀態；第4圖繪示了依據本發明之第一實施例之於一基板處理裝置內噴灑一液體化學品之一區域；第5圖繪示了依據本發明之第一實施例之於一基板處理裝置內之一加熱燈具的輸出變化之一種狀態；第6圖繪示了依據本發明之第一實施例之於一基板處理裝置內之一加熱燈具的密度變化之一種狀態；第7圖繪示了依據本發明之第一實施例之應用至一基板處理裝置之不同輸出的數個加熱燈具之一種狀態；第8圖繪示了依據本發明之第二實施例之於一基板處理裝置內噴灑一液體化學品之一種狀態；第9圖繪示了依據本發明之第二實施例之於一基板處理裝
置內噴灑一液體化學品之一區域；第10圖繪示了依據本發明之第二實施例之於一基板處理裝置內一加熱燈具的輸出變化之一種狀態；第11圖繪示了依據本發明之第二實施例之於一基板處理裝置內一加熱燈具的密度變化之一種狀態；第12圖繪示了依據本發明之第二實施例之應用一基板處理裝置之不同輸出的數個加熱燈具之一種狀態；第13圖繪示了依據本發明之第三實施例之於一基板處理裝置內噴灑一液體化學品之一種狀態；第14圖繪示了依據本發明之第三實施例之於一基板處理裝置內噴灑一液體化學品之一區域；第15圖繪示了依據本發明之第三實施例之於一基板處理裝置內一加熱燈具的輸出變化之一種狀態；第16圖繪示了依據本發明之第三實施例之於一基板處理裝置內一加熱燈具的密度變化之一種狀態；第17圖繪示了依據本發明之第三實施例之應用於一基板處理裝置內之不同輸出的數個加熱燈具之一種狀態；第18圖繪示了依據本發明之一實施例之一種基板處理方法；以及第19圖繪示了依據本發明之一實施例之於一種基板處理裝置與一種基板處理方法內之一液態化學品的供應與加熱。
於下文中，將配合所附圖式詳細說明依據本發明之數個實施例之一種基板處理裝置與方法。
為了方面與清楚的描述，於製程中之圖式內所示的線路的厚度與構件尺寸係經過誇大。以下描述的術語係考量到本發明之功用而定義，且可依照使用者或操作者的意向與通常作法而變化。因此，術語的意義可基於本發明的總體內容而解釋。
第1圖為依據本發明之一實施例之一種基板處理裝置之一前視圖，而第2圖繪示了依據本發明之一實施例之於一基板處理裝置內供應一液體化學品之一種狀態。
請參照第1圖與第2圖，依據本發明之一實施例之一種基板處理裝置1包括了一基板支撐件100、一液體化學品供應件200，以及一基板加熱件300。
基板支撐件100支撐與旋轉一基板S。依據本實施例，此基板支撐件100包括一吸附台單元(chuck table unit)110、一轉軸單元(rotary shaft unit)130、與一驅動單元(driving unit)150。
吸附台單元110支撐了基板S。依據本實施例，吸附台單元110包括一吸附台(chuck table)111、一固定銷(fixing pin)113與一吸附銷(chuck pin)115。
吸附台111的一中央部係耦接於轉軸單元130，而與轉軸單元130一起旋轉。依據本實施例，吸附台111係形成為一平板狀，而固定銷113與吸附銷115係設置於吸附台111之上方側。
固定銷113的一下端部係依照螺栓或相似方式而耦接於吸附台111，而基板S係座落於固定銷113的上端部。
吸附銷115支撐了基板S的一週邊部，而因此避免了基板S的分離。吸附銷115藉由一移動部(未顯示)而於一支撐位置(supporting position)與一待機位置(standby position)之間移動。在此，支撐位置係指吸附銷115而被帶至接觸基板S的週邊部之一位置，而待機位置係指吸附銷115與基板S的週邊部相分隔之一位置，使得基板S可設置於待機位置上或自待機位置處脫離。
轉軸單元130係連結於吸附台111的一旋轉中心，並藉由驅動單元150與吸附台110一起旋轉。
驅動單元150包括了轉換外部施加的電能成為旋轉能量之一電動馬達或相似物，並採用此旋轉能量旋轉了轉軸單元130。
液體化學品供應件200供應了液體化學品至基板S。依據本實施例，液體化學品供應件200包括一液體化學品儲存單元210、一液體化學品供應單元230與一供應調整單元250。
於液體化學品儲存單元210中，儲存了液體化學品。依據本實施例，液體化學品儲存單元210的形狀與材料可依照液體化學品的總類與成分而變化。此外，可依照欲儲存之液態化學品的種類而提供用於其各種類之液態化學品之複數個液體化學品儲存單元210，並包括用於分別地加熱液體化學品之一加熱裝置。
液體化學品供應單元230係設置於基板S的上方側，使得液體化學品可供應至基板S的處理表面上，並噴灑(sprays)液體化學品至基板S處。依據本實施例，液體化學品供
應單元230可為噴灑液體化學品至基板S的處理表面之一噴嘴，並依照基板S的尺寸、液體化學品的種類等而採用具有不同型態與形狀的噴嘴。
供應調整單元250係連結了液體化學品儲存單元210以及液體化學供應單元230，並導引液體化學品儲存單元210之液體化學品被供應至液體化學品供應單元230。依據本實施例，供應調整單元250包括一液體化學品導管251及一流速調節閥253。
液體化學品導管251被製成兩個尾端分別連結於液體化學品儲存單元210及液體化學品供應單元230之一管線形狀，並導引液體化學品移動穿過形成於液體化學品導管251內側之一通孔。
流速調節閥253係連結於液體化學導管251，並調節通過液體化學品供應單元230之一液態化學品的流速。
依據本實施例，流速調節閥253控制了流通液體化學品導管251之液體化學品的流速，使得液體化學品可週期性地供應一預定時間。在此，預定時間係指施行於基板S之的蝕刻時間等之一處理製程內之處理基板S之一製程時間，而依據基板S的類型、液體化學品、加熱時間等而計算出之時間資訊可預先設定於一控制件500或相似物中。
此外，液體化學品的週期性供應意謂著當依照相同方式重複之預定量之液體化學品供應至基板S及於其液體化學品供應至基板S之一供應時間之一時間點。當假設於液體化學品與於基板S內之欲處理等之一物體之間的具有一特定溫度
之反應為固定不變的，噴灑液態化學品之時間點可同樣地設定做為一製程時間，而液體化學品可週期性地供應。
此外，當液體化學品與欲處理物體之間的反應速率為變化的，舉例來說，當欲處理之物體的剩餘量於處理製程中減少時，使得用於反應所需的液體化學品的量也減少，可以調整噴灑液體化學品的時間點以及這期間所噴灑的液體化學品的時間，例如延遲何時噴灑液體化學品之時間點或降低這期間噴灑液體化學品的時間，而調整的時間點以及時間可依照如時間、流速、或相似物之資訊而預先儲存於控制件500內。
依據本實施例，基板處理裝置1可更包括一液體化學品量測件270。
液體化學品量測件270係設置於基板支撐件100之一側，量測了供應至基板S之液體化學品的數量與成分，液體化學品係藉由基板S的旋轉、重力等而分離至基板S的外側，並傳遞量測數值至控制件500。
依據本實施例，當為液態化學品量測件270所量測之液態化學品的流速為一設定值或更少時，或當如水或腐蝕性試劑之液態化學品的一特定成分的含量係少於預先設定之一參考值，控制件500係藉由控制流速調節閥253而供應液體化學品至基板S。
基板加熱件300藉由依照自液態化學品供應單元230所噴灑而供應至基板S之液態化學品之一位置而改變一加熱程度而加熱基板S。此即為，基板加熱件300依照位於基板S上之位置而藉由改變加熱程度而加熱基板S上因液態化學品的
供應所造成的局部降低的溫度而加熱基板S，進而依照基板S的位置而平衡基板S的溫度。依照本實施例，基板加熱件300包括一燈具安裝單元310以及一加熱燈具單元330。
燈具安裝單元310係設置於基板S的上方側並支撐了加熱燈具單元330。依照本實施例，燈具安裝單元310係由形成平板狀之金屬材料所製成，並耦接於一處理製程腔室(未顯示)等。
加熱燈具單元330係耦接於燈具安裝單元310，包括複數個加熱燈具331，並調整對應於噴灑有液態化學品之基板S之一區之基板加熱件300之一區內的每單位區域的輸出而加熱基板S。
依據本實施例，加熱燈具單元330藉由調整設置於基板加熱件300之對應於供應有液體化學品之基板S的區域內之加熱燈具331的輸出而調整了單位區域的輸出，其為當液體化學品供應至基板S處時設置於對應於與液體化學品接觸之基板S之一區之基板加熱件300的區域，特別地為設置於與液體化學品接觸之基板S之區域之一垂直線的上方側或下方側之上之區域。
設置於基板加熱件300內對應於供應有液體化學品之基板S區域之一區域之基板加熱燈具330的輸出的調整方法可多樣化地施行。舉例來說，可能為介於複數個加熱燈具331間之部分加熱燈具331之輸出的調整方法、每單位區域之加熱燈具331的數量之調整方法、輸出、尺寸、及相似條件為不一樣的加熱燈具331之應用方法。
第一，於具有相同尺寸之數個加熱燈具331均勻地設置的狀態下，藉由調整設置於對應於基板S的供應有液體化學品區域之基板加熱件300的區域而調整加熱燈具331的輸出，液體化學品噴灑至基板S的區域可被集中加熱，進而依照液體化學品的供應而降低基板的溫度的不均勻性。
作為如此之加熱燈具331的輸出的調整情形，亦可能為於下文中所描述之預先決定自液體化學供應單元230噴灑液體化學品之位置以及基於所決定位置而調整用於加熱對應位置之加熱燈具331的輸出之一種方法，或為藉由控制件500基於藉由一溫度量測件400量測得到之基板S之即時溫度而調整部分之加熱燈具331的輸出之一種方法。
或者，亦可能為藉由改變此複數個加熱燈具331之設置而補償基板S溫度之一種方法。因此，便可能可以藉由調整加熱燈具331的密度而補償基板S溫度，其即為加熱燈具331的設置情形或配置加熱燈具331其輸出或形狀為不同的。
第3圖繪示了依據本發明之第一實施例之於一基板處理裝置內噴灑一液體化學品之一種狀態，而第4圖繪示了依據本發明之第一實施例之於一基板處理裝置內噴灑一液體化學品之一區域。
請參照第3圖與第4圖，當自一液體化學品供應單元230a噴灑之液體化學品被噴灑至基板S之一區域”A”時，降低了基板S的區域”A”的溫度。為了藉由補償所降低溫度或避免溫度免於降低而補償基板S的溫度，便需要較基板S的其他區域而更強烈地加熱基板S的區域”A”。
第5圖繪示了依據本發明之第一實施例之於一基板處理裝置內一加熱燈具的輸出變化之一種狀態，第6圖繪示了依據本發明之第一實施例之於一基板處理裝置內一加熱燈具的密度改變之一種狀態，第7圖繪示了依據本發明之第一實施例之應用於一基板處理裝置之不同輸出的數個加熱燈具之一種狀態。
請參照第5-7圖，繪示了一種調整加熱燈具單元330之輸出的方法。當施加至設置於對應基板S之區域”A”之基板加熱件300之一區域”A”之複數個加熱燈具331中之一加熱燈具331a的輸出增加時，增加了由基板加熱件300之區域”A”所加熱而傳輸至基板S之區域”A”之熱傳輸量，並進而升高了供應有液體化學品之基板S的區域”A”的溫度，使得基板S的區域”A”的溫度得到補償(請參照第5圖)。
由基板加熱件300之區域”A”所發出的熱量可如前所述(請參照第6圖)般增加每單位面積的加熱燈具331b的數量，或可採用具有大輸出或不同形狀的加熱燈具331c與331d以補償基板S的區域”A”的溫度(請參照第7圖)。
第8圖繪示了依據本發明之第二實施例之於一基板處理裝置內噴灑一液體化學品之一種狀態，以及第9圖繪示了依據本發明之第二實施例之於一基板處理裝置內噴灑一液體化學品之一區域。
請參照第8圖與第9圖，繪示了採用棒狀液體化學品供應單元230b之一範例。於第8圖中，此棒狀液體化學品供應單元230b係形成並自基板S之旋轉中心C而輻射狀地延伸，而
於此範例中，如第9圖所示之基板S之區域”B”可噴灑有液體化學品，使得基板S之區域”B”的溫度可能降低。
第10圖繪示了依據本發明之第二實施例之於一基板處理裝置內一加熱燈具的輸出變化之一種狀態，第11圖繪示了依據本發明之第二實施例之於一基板處理裝置內一加熱燈具的密度變化之一種狀態，第12圖繪示了依據本發明之第二實施例之應用於一基板處理裝置之不同輸出的數個加熱燈具之一種狀態。
請參照第10-12圖，繪示了調整了對應於基板S之區域”B”之基板加熱件300之一區域”B’”內設置之加熱燈具331的輸出之一範例。此即為，依據本發明之第二實施例，基板S之區域”B”的溫度的減低可藉由增加對應於基板加熱件300之區域”B”之加熱燈具331a的輸出(參照第10圖)、增加對應位置的加熱燈具331b的密度(參照第11圖)、或應用於對應位置之不同尺寸、形狀、輸出等之一加熱燈具331e(參照第12圖)而補償，以藉由加熱燈具331a增加基板加熱件300之區域”B’”的輸出。
第13圖繪示了依據本發明之第三實施例之於一基板處理裝置內噴灑一液體化學品之一種狀態，以及第14圖繪示了依據本發明之第三實施例之於一基板處理裝置內噴灑有一液體化學品之一區域。
請參照第13圖與第14圖，繪示了當沿著一特定路徑移動時噴灑一液體化學品之一液體化學品供應單元230c。於第13圖中，當應用此可移動液體化學品供應單元230c時，繪示了噴灑有液體化學品的基板S之區域”C”。
第15圖繪示了依據本發明之第三實施例之於一基板處理裝置內一加熱燈具的輸出變化之一種狀態，第16圖繪示了依據本發明之第三實施例之於一基板處理裝置內一加熱燈具的密度變化之一種狀態，以及第17圖繪示了依據本發明之第三實施例之應用於一基板處理裝置之不同輸出的數個加熱燈具之一種狀態。
請參照第15-17圖，繪示了調整對應於基板S之區域”C”之基板加熱件300之一區域”C’”內設置的加熱燈具331的輸出之一狀態。其為，依據本發明之第三實施例，基板S的區域”C”的溫度的降低可藉由增加對應於基板加熱件300之區域”C’”的加熱燈具331a的輸出(參照第15圖)、增加對應位置的加熱燈具331b的密度(參照第16圖)、或應用於對應位置之尺寸、形狀、輸出或相似物不同之一加熱燈具331f(參照第17圖)而補償，以藉由加熱燈具331增加基板加熱件300之區域”C’”的輸出。
依據本實施例，基板處理裝置1可更包括一溫度量測件400以及一控制件500。溫度量測件400量測了基板S的溫度，並傳輸經量測之溫度值至控制件500處。依據本實施例，溫度量測件400係繪示為一高溫溫度計(pyrometer)，且包括了安裝於吸附台單元110內並量測基板S的溫度之複數個溫度量測單元410。
控制件500依據藉由溫度量測件400所量測到之基板S的溫度分佈而調整了加熱燈具331的輸出。依據本實施例，控制件500藉由基於自溫度量測件400傳輸至基板S的每部分之
溫度而預先指派加熱燈具331的輸出或調整施加於燈具331的功率而調整了加熱燈具331的輸出。
第18圖繪示了依據本發明之一實施例之一種基板處理方法。
請參照第1圖與第18圖，依據本發明之一實施例之一種基板處理方法包括一製程準備操作S100、一製程操作S200、一基板潔淨操作S300，以及一基板傳輸操作S400。
製程準備操作S100為關於基板S之蝕刻等操作之一準備操作。基板S係座落於設置於一製程腔室之內側之一基板支撐件100上。於操作S110中，為了可使基板S座落於基板支撐件100上，吸附銷115係移動至待機位置，基板S則座落於固定銷113的上側，而接著吸附銷115係移至支撐位置，從而可避免基板S於對應製程免於分離。
於操作S130中，當基板S係固定於卡鉗工作台單元110時，控制件500轉動卡鉗工作台110以及轉動單元130藉由驅動單元150。
當旋轉時吸附台100時，控制件500藉由流速調節閥253的控制而透過液體化學品供應單元230噴灑液體化學品至基板S。於操作S150中，當基板S旋轉時，液體化學品依照噴灑到基板S之一方式而施加至基板S。
製程操作S200對應於於基板S上如蝕刻之施行製程之一種操作。當施加液體化學品時，控制件500採用基板加熱件300加熱基板S。於操作S210中，當於供應有包括腐蝕性藥劑或相似物之液體化學品之一狀態下加熱基板S時，可施行如
蝕刻之處理操作。
第19圖繪示了依據本發明之一實施例之於一種基板處理裝置與一種基板處理方法內之一液體化學品的供應與加熱。
請參照第19圖，於為蝕刻操作之一處理操作中，於基板S處間歇地供應一液體化學品。當於製程操作時液體化學品與欲處理物體之間的發生反應時，或當液體化學品流至基板S之外側時，液體化學品的數量會減少至低於一所需數量且因此基板S的處理操作會變得不均勻。
於處理操作中，控制件500可藉由液體化學品供應單元200的控制而週期性的提供液體化學品至基板S處一設定時間，或基於由用於量測液體化學品的成分或殘留量之液體化學品量測件270或相似物所量測到之一量測值而分析殘留於基板S上液體化學品的成分或殘留量，且當量測值為一設定值或更少時，噴灑液體化學品至基板S上。如此之基板S的加熱以及液體化學品的間歇性供應可施行一特定製程時間。
當液體化學品係供應至基板S時，供應有液體化學品之基板S之一區域的溫度會低於其他區域的溫度。
當透過液體化學品供應單元230而噴灑有液體化學品之基板S之一區域為固定的，基板S的區域的溫度降低可藉由增加對應於基板S之區域之基板加熱件300之區域內所設置之加熱燈具331的輸出而補償之。
如前所述，為了補償有液體化學品供應之基板的區域的溫度，可採用改變對應於基板的區域之基板加熱件300
內的區域設置的加熱燈具331的輸出的方法。
於操作S230中，當抵達一設定製程時間時，於操作S300中控制件500藉由供應一潔淨用試劑或相似物至基板S而潔淨了基板S，而當潔淨完成之後，於操作S400中控制件500採用一基板傳輸裝置(未顯示)傳輸了基板S至製程腔室的外側。
依據本實施例，基板處理裝置1可調整對應於供應有液體化學品之基板區域之基板加熱件的區域內設置之加熱燈具331的輸出，進而補償了溫度，且進而均勻地維持了基板S的溫度。
因此，依據本實施例，基板處理裝置1可採用溫度量測件400與控制件500調整加熱燈具單元330的輸出，進而即時地調整基板S的溫度的非均勻度。
此外，依據本實施例，基板處理裝置1及基板處理方法可間歇地供應液體化學品至基板並進而可確保基板的處理製程的均勻性以及避免因缺乏液體化學品或相似物所造成的基板品質的劣化，使得穩定之一基板處理製程成為可能。
如前所述，依據本發明之基板處理裝置與基板處理方法，可調整對應於供應有液體化學品之基板的區域之設置於基板加熱件的區域內之加熱燈具單元的輸出以補償溫度，並進而可均勻地維持基板的溫度。
此外，依據本發明，加熱燈具單元的輸出可採用溫度量測件以及控制件而調整，且因此可即時地調整基板溫度的非均勻性。
此外，依據本發明，可間歇地供應液體化學品至基板，因此可確保基板的處理製程的均勻性，以及避免因缺乏液體化學品或相似物所造成之基板的品質劣化，使得一穩定基板處理製程成為可能。
此外，依據本發明，連結液體化學品儲存單元與液體化學品供應單元之供應調整單元可控制液體化學品的供應，使得液體化學品的間歇供應到基板成為可能。
此外，依據本發明，液體化學品可間歇供應一預定時間，且進而預先地避免液體化學品的缺乏，進而可確保製程的均勻性。
此外，依據本發明，液體化學品量測單元可基於量測得到資訊而量測液體化學品的總量與成分及控制液體化學品的供應，進而可避免液體化學品內的數量或一特定組成物的缺乏。
顯然地，本領域技術人員於不脫離本發明的精神或範疇的前提下，可以對本發明的上述示例性實施例各種修改。因此，本發明覆蓋所有這樣的修改，只要其落在所附申請專利範圍及其等同物的範圍之內。
100‧‧‧基板支撐件
110‧‧‧吸附台單元
111‧‧‧吸附台
113‧‧‧固定銷
115‧‧‧吸附銷
130‧‧‧轉軸單元
150‧‧‧驅動單元
200‧‧‧液體化學品供應件
210‧‧‧液體化學品儲存單元
230‧‧‧液體化學品供應單元
250‧‧‧供應調整單元
251‧‧‧液體化學品導管
253‧‧‧流速調節閥
270‧‧‧液體化學品量測件
300‧‧‧基板加熱件
310‧‧‧燈具安裝單元
330‧‧‧加熱燈具單元
331‧‧‧加熱燈具
400‧‧‧溫度量測件
410‧‧‧溫度量測單元
500‧‧‧控制件
S‧‧‧基板
Claims (11)
- 一種基板處理裝置，包括：一基板支撐件，支撐一基板；一液體化學品供應件，供應較該基板溫度低之一液體化學品至該基板；以及一基板加熱件，相較於該基板之其它部分，該基板加熱件提供更多熱於該基板被該液體化學品供應件直接供應該液體化學品之部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中該基板加熱件包括：一燈具安裝單元，設置於該基板之一側上；以及一加熱燈具單元，設置於該燈具安裝單元內，包括複數個加熱燈具，並藉由調整對應於供應該液態化學品之該基板之一區域之該基板加熱件之一區域之每單位區域之一輸出而加熱該基板。
- 如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，其中該加熱燈具單元依照一控制件調整用於加熱對應於供應該液態化學品之該基板之一區域之該基板加熱件之一區域的該加熱燈具的一輸出之一方式調整該加熱燈具之各位置之一輸出。
- 如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，其中該加熱燈具單元依照一控制件調整用於加熱對應於供應該液態化學品之該基板之一區域之該基板加熱件之一區域的該些加熱燈具的每單位區域的數量之一方式調整該加熱燈具之各位置之一輸出。
- 如申請專利範圍第3項所述之基板處理裝置，更包括：一溫度量測件，量測該基板之一溫度，其中該控制件依據為該溫度量測件所量測到之該基板的溫度分佈而調整該加熱燈具的輸出。
- 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中該液體供應件間歇地供應該液體化學品至該基板。
- 如申請專利範圍第6項所述之基板處理裝置，其中該液體化學品供應件包括：一液體化學品儲存單元，儲存該液體化學品；一液體化學品供應單元，噴灑該液體化學品至該基板；以及一供應調整單元，連結該液體化學品儲存單元與該液體化學品供應單元，導引該液體化學品的流動及於一基板處理製程時讓使液體化學品儲存單元之該液體化學品間歇地供應至該液體化學品供應單元。
- 如申請專利範圍第7項所述之基板處理裝置，其中該供應調整單元包括：一液體化學品導管，連結該液體化學品儲存單元與該液體化學品供應單元，並導引該液體化學品的流動；以及一流速調節閥，連結該液體化學品導管，並調整傳輸至該液體化學品供應件之該液體化學品之一流速。
- 如申請專利範圍第8項所述之基板處理裝置，其中該流速調節閥控制了移動通過該液體化學品導管之該液體化學品的該流速，從而週期性地供應該液態化學品一預定時間。
- 如申請專利範圍第9項所述之基板處理裝置，其中更包括：一液體化學品量測件，設置於該基板支撐件之一側上，量測分離至該基板之外部之該液體化學品之一流速或一成分比，以及傳輸量測得到之該流速或該成分比至一控制件，其中當為該液體化學品量測單元所量測之該液體化學品之該流速或該成分比為一設定值或更少時，該控制件藉由控制該流速調節閥而供應該液體化學品至該基板。
- 一種基板處理方法，包括：放置一基板至一基板支撐件上及施加較該基板溫度低之一液體化學品至該基板；以及藉由一控制件控制一液體化學品供應件而供應該液體化學品至該基板，以及藉由該控制件控制一基板加熱件，而使該基板加熱件相較於該基板之其它部分提供更多熱於該基板被該液體化學品供應件直接供應該液體化學品之部分。
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