JP2009074148A - 成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】載置台の下部側を支持している支持部材として、処理容器内に装着される前からその外周面が前記金属薄膜の放射率と同等の放射率を有する金属層で覆われている支持部材を用いる。このため、金属薄膜の成膜処理を重ねることで載置台の支持部材の外周面に金属薄膜が堆積しても、支持部材の外周面は、元々前記金属薄膜の放射率と同等の放射率を有する金属で覆われているため、支持部材の放射率が安定し、載置台の温度の経時変化が抑えられる。
【選択図】図1
Description
前記載置台の上方側から原料ガスを含む処理ガスを基板に供給するガス供給部と、
前記載置台の下部側を支持し、処理容器内に装着される前からその外周面が前記金属薄膜の放射率と同等の放射率を有する金属層で覆われている支持部材と、
前記載置台に設けられ、基板を予め設定された処理温度に加熱するための加熱手段と、
前記基板の温度を検出するための温度検出部と、
この温度検出部の温度検出値に基づいて前記加熱手段の発熱量を制御する制御部と、
前記処理容器内を排気する排気手段と、を備えたことを特徴とする。
前記載置台の上方側から原料ガスを含む処理ガスを基板に供給するガス供給部と、
前記載置台の下部側を支持する支持部材と、
この支持部材を保温するために取り囲み、前記載置台との間に隙間が形成されている保温部材と、
前記載置台に設けられ、基板を予め設定された処理温度に加熱するための加熱手段と、
前記基板の温度を検出するための温度検出部と、
この温度検出部の温度検出値に基づいて前記加熱手段の発熱量を制御する制御部と、
前記処理容器内を排気する排気手段と、を備えたことを特徴とする。
本発明に係る成膜装置2の全体構成について、図1〜図4を参照しながら、ウエハ10表面に熱CVDにより配線材料のタングステン(W)膜を成膜する場合を例にとって説明する。図1中の20は、例えばアルミニウムからなる真空チャンバーをなす処理容器である。この処理容器20は、上側の大径円筒部20aと、その下側の小径円筒部20bとが連設されたいわばキノコ形状に形成されており、その内壁を加熱するための図示しない加熱機構が内部に設けられている。処理容器20内には、例えば12インチのウエハ10を水平に載置するための例えばアルミニウム製の載置台である偏平な円柱状のステージ21が設けられており、このステージ21は小径円筒部20bの底部に例えばセラミックスである窒化アルミニウム(AlN)からなる厚さが例えば2mm、外径が例えば60mmの円筒状の支持部材であるシャフト22を介して支持されている。
(第2の実施の形態)
本発明に係る成膜装置の第2の実施の形態では、図6に示すように円筒状のシャフト22の外周面を金属膜5あるいは金属板で覆うと共に、ステージ21の裏面(下面)をウエハ10の表面に形成する金属薄膜の放射率と同等の放射率を有する金属層例えば成膜対象の金属膜と同じ材質であるタングステンからなる金属膜で覆う他は、第1の実施の形態で説明した成膜装置2と全く同じ構成にある。
(第3の実施の形態)
本発明に係る成膜装置の第3の実施の形態では、図7に示すようにシャフト22の外周面を金属膜あるいは金属板で覆う代わりに、シャフト22と小径円筒部20bの側壁との間において当該シャフト22を取り囲むように熱容量の大きい材質からなる筒状体例えば円筒体90を設置した他は、第1の実施の形態と全く同じ構成にある。この熱容量の大きい材質としては、例えば石英等のセラミックスを用いることができる。この円筒体90の下端部は小径円筒部20bの底壁に当接して固定されている。また円筒体90の上端部と前記ステージ21の裏面との間には処理容器20内に導入された原料ガスがシャフト22に到達しない程度の隙間91、具体的には例えば1mm以内、好ましくは0.2mmの隙間91が形成されており、ステージ21の熱が円筒体90に伝わらないように構成されている。
2 成膜装置
2a 第1のヒータ
2b 第2のヒータ
20 処理容器
21 ステージ
22 シャフト
23 熱電対
31 ガスシャワーヘッド
33 原料ガス供給路
43,44 電源部
45 加算部
46 演算部
47 掛算部
5,8 金属膜
60 筒状体
80 ヒータ
83 熱電対
84 制御部
90 円筒体
91 隙間
Claims (11)
- 処理容器内の載置台上に載置された基板に対して原料ガスを供給し、加熱によりこの原料ガスを反応させて金属薄膜を成膜する成膜装置において、
前記載置台の上方側から原料ガスを含む処理ガスを基板に供給するガス供給部と、
前記載置台の下部側を支持し、処理容器内に装着される前からその外周面が前記金属薄膜の放射率と同等の放射率を有する金属層で覆われている支持部材と、
前記載置台に設けられ、基板を予め設定された処理温度に加熱するための加熱手段と、
前記基板の温度を検出するための温度検出部と、
この温度検出部の温度検出値に基づいて前記加熱手段の発熱量を制御する制御部と、
前記処理容器内を排気する排気手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記金属層は、前記支持部材の表面に成膜されている金属膜であることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記金属層は、前記支持部材を取り囲む金属製の筒状体であることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 処理容器内の載置台上に載置された基板に対して原料ガスを供給し、加熱によりこの原料ガスを反応させて金属薄膜を成膜する成膜装置において、
前記載置台の上方側から原料ガスを含む処理ガスを基板に供給するガス供給部と、
前記載置台の下部側を支持する支持部材と、
この支持部材を保温するために取り囲み、前記載置台との間に隙間が形成されている保温部材と、
前記載置台に設けられ、基板を予め設定された処理温度に加熱するための加熱手段と、
前記基板の温度を検出するための温度検出部と、
この温度検出部の温度検出値に基づいて前記加熱手段の発熱量を制御する制御部と、
前記処理容器内を排気する排気手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記保温部材は、セラミックスからなることを特徴とする請求項4記載の成膜装置。
- 前記保温部材は、石英からなることを特徴とする請求項4記載の成膜装置。
- 前記支持部材は、セラミックスからなることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 前記載置台は、前記処理容器内に装着される前から裏面側が前記金属薄膜の放射率と同等の放射率を有する金属層で覆われていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 前記支持部材は、前記載置台の中央部を支持する筒状体であることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 前記加熱手段は、基板の中央部と周縁部とを夫々加熱するための第1のヒータ及び第2のヒータを備え、
前記制御手段は、載置台の中央部の温度検出値に基づいて前記第1のヒータの供給電力を制御すると共に第1のヒータの供給電力に対して予め定められた比率の電力を第2のヒータに供給するように構成されていることを特徴とする請求項9に記載の成膜装置。 - 基板上に成膜する金属薄膜はタングステン膜であることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか一つに記載の成膜装置。
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Cited By (8)
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