KR100970210B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 공정 챔버, 공정 챔버 하부에 형성되어 기판이 안착되는 척, 상기 가스 공급 유닛에 형성되며 기판 상에 기판 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 및 공정 챔버 상부에 형성되며 기판의 온도를 조절하기 위한 히터를 포함한다.
기판 온도 조절, 척

Description

기판 처리 장치{PLATE GENERATING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는, 생산성이 향상된 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 메모리 소자의 기판으로 사용되는 웨이퍼(wafer), 액정 디스플레이 또는 플라즈마 디스플레이 패널로 사용되는 평판 기판 등은 박막과 금속막 등을 형성하는 여러 공정을 거쳐 메모리 소자나 디스플레이 소자로 제조된다. 이러한 각 공정은 외부와는 격리된 환경을 제공하는 공정 챔버(process chamber)에서 진행된다. 즉, 공정 챔버 내에서는 메모리 소자나 디스플레이 소자를 제조하는 도포 공정, 노광 공정, 현상 공정, 식각 공정, 세정 공정, 스트립 공정 등이 진행될 수 있다.
한편, 일부 공정에서는 기판의 온도가 중요한 변수로 작용한다. 따라서,기판의 온도를 올리기 위한 보다 효율적인 방법이 요구된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 생산성이 향상된 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 하부에 형성되어 기판이 안착되는 척, 상기 공정 챔버 상부에 형성되며 상기 기판 상에 기판 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 및 상기 가스 공급 유닛에 형성되며 상기 기판의 온도를 조절하기 위한 히터를 포함한다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
상기한 바와 같은 기판 처리 장치에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 따르면, 기판을 원하는 온도로 가열한 후 기판 처리 공정을 진행하기 때문에, 기판이 보다 신속하면서도 효율적으로 처리될 수 있다. 또한, 기판 상부에 히터를 설치하여, 기판을 직접적으로 가열함으로써, 기판의 온도를 보다 빠르게 올릴 수 있다. 한편, 히터를 가스 공급 유닛의 잉여 공간에 형성함으로써, 기판과 보다 가까운 위치에 형성할 수 있으면서도, 히터를 설치하기 위한 별도의 공간을 구비하지 않아도 된다. 따라서, 시간이 절약되고 공정의 효율성이 높아지므로, 생산성이 향상될 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 및/또는 은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으 로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개념도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 가스 공급 유닛의 배면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 가스 공급 유닛의 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치는 공정 챔버(process chamber; 100), 공정 챔버(100) 내에 형성된 척(200) 및 공정 챔버 상부에 형성된 가스 공급 유닛(300)을 포함한다.
공정 챔버(100) 내에서는 기판 처리 공정이 진행되는데, 예를 들어 식각 공정, 세정 공정 등이 진행될 수 있다. 공정 챔버(100) 내부는 공정 진행을 위하여 적정한 온도 및 압력이 유지될 수 있다. 공정 챔버(100) 상부에는 척(200) 상에 안착된 기판(P)에 기판 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛이 형성되며, 처리된 기판 처리 가스가 배기되는 배기 유닛이 형성되어 있을 수도 있다. 또한, 기판이 공정 챔버(100) 내부로 출입할 수 있는 도어(미도시)가 형성된다. 기판(P)은 로봇 이송암(미도시)에 의해 도어를 통해 공정 챔버(100) 내외로 이동한다.
척(200)에는 기판(P)이 안착되어 공정이 진행되는데, 원활한 기판(P) 처리를 위해 척(200)이 회전할 수도 있다. 또한, 척(200) 상면에는 기판(P)을 안착하는 복 수개의 안착핀(240) 및 기판(P)의 측면을 지지하는 복수개의 지지핀(230)이 형성될 수 있다. 복수개의 안착핀(240)은 예를 들어, 척(200) 상면에 원 형태로 이격되어 형성되며, 기판(P)과 접촉하는 영역이 최대한 적어질 수 있도록 상부가 뾰족한 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 복수개의 지지핀(230)은 안착핀(240)보다 바깥쪽에 형성되며, 기판(P)을 지지하는 돌출부가 일측에만 형성되어 있어 회전에 의해 기판(P)과 돌출부가 맞닿으면 기판(P)을 지지하고, 돌출부와 기판(P)이 닿지 않으면 기판(P)을 지지하지 않는다. 따라서, 지지핀(230)의 회전에 의해 기판(P)을 척(200) 상부에 고정시킬 수도 있고, 고정시키지 않을 수도 있다. 미설명 부호 205는 척(200)을 지지하는 지지부이다.
공정 챔버(100) 상부에는 가스 공급 유닛(300)이 형성된다. 가스 공급 유닛(300)은 기판(P)을 처리하는 기판 처리 가스를 공급하는데, 바디부(310) 및 가스 공급관(320)을 포함한다.
바디부(310)는 가스 공급부(312)와 연결되어, 가스 공급부(312)에서 바디부(310) 내부로 가스를 공급한다. 이 때, 가스는 플라즈마화 되어 공급될 수 있는데, 바디부(310)로 공급되기 전에 플라즈마화 되어 바디부(310)로 유입될 수도 있고, 바디부(310)로 가스가 공급된 후, 일정 전압을 인가하여 플라즈마화될 수도 있다.
가스 공급관(320)은 가스 공급 유닛(300)의 일측면에 복수개가 형성되어 기판(P) 상에 가스를 공급한다. 이 때, 일 방향으로 나란하게 형성된 복수개의 가스 공급관(320)으로 정의되는 가스 공급관 그룹이 타 방향으로 소정 간격씩 이격되어 형성되어 있을 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
한편, 가스 공급 유닛(300) 상에는 히터(330)가 형성될 수 있다. 히터(330)는 기판(P)의 온도를 조절하기 위한 것으로써, 예를 들어, 할로겐 램프, 형광등, 백열등, 플라즈마 램프, 전열선 등일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
히터(330)는 가스 공급 유닛(300) 상에 하나 또는 그 이상이 형성될 수 있는데, 예를 들어, 가스 공급관(320)이 타 방향으로 소정 간격씩 이격되어 형성된 가스 공급관 그룹으로 형성된 경우, 복수개의 가스 공급관 그룹들 사이에 일 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
가스 공급 유닛(300)의 일측면은 요철(凹凸) 형상으로 형성될 수도 있다. 이러한 경우, 복수개의 요(凹)부에는 복수개의 히터(330)가 각각 형성되고, 복수개의 철(凸)부에는 복수개의 가스 공급관 그룹이 형성될 수 있다. 요부에 히터(330)가 형성되고, 철부에 가스 공급관 그룹이 형성된 경우, 가스 공급관(320)에서 공급되는 가스에 히터(330)가 직접적으로 노출되지 않는 장점이 있다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법을 설명한다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 우선, 척(200) 상에 기판(P)을 안착시킨다. 이 때, 로봇 이송암(미도시)을 이용하여 공정 챔버(100) 외부에 위치한 기판(P)을 도어(미도시)를 통해 공정 챔버(100) 내부로 이동할 수 있다. 이어서, 히터 온도 조절부(332)를 조절하여 히터(330)의 온도를 높인다. 그러면, 히터(330)에서 발생되는 열로 인하여 기판(P)의 온도가 상승한다. 이 때, 기판(P)의 온도는 히터(330)의 온도 및 가열 시간을 조절하여 컨트롤할 수 있다. 한편, 기판(P)의 온도를 상승시킨 후에, 또는 기판(P)의 온도를 상승시킴과 동시에 가스 공급 유닛(300)에서 기판 처리 가스를 공급한다. 이 때, 가스 공급부(312)에서 바디부(310)로 가스를 공급하면 바디부(310)에 소정 전압을 인가하여 가스를 플라즈마화 한 후, 가스 공급관(320)을 통해 공급할 수 있다. 그러면, 기판 처리 가스에 의해 소정 온도로 가열된 기판(P)의 처리 공정이 진행된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 따르면, 기판(P)을 원하는 온도로 가열한 후 기판 처리 공정을 진행하기 때문에, 기판(P)이 보다 신속하면서도 효율적으로 처리될 수 있다. 또한, 기판(P) 상부에 히터(330)를 설치하여, 기판(P)을 직접적으로 가열함으로써, 기판(P)의 온도를 보다 빠르게 올릴 수 있다. 한편, 히터(330)를 가스 공급 유닛(300)의 잉여 공간에 형성함으로써, 기판(P)과 보다 가까운 위치에 형성할 수 있으면서도, 히터(330)를 설치하기 위한 별도의 공간을 구비하지 않아도 된다.
따라서, 시간이 절약되고 공정의 효율성이 높아지므로, 생산성이 향상될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 가스 공급 유닛의 배면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 가스 공급 유닛의 단면도이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
100: 공정 챔버 200: 척
230: 지지핀 240: 안착핀
300: 가스 공급 유닛 310: 바디부
312: 가스 공급부 320: 가스 공급관
330: 히터 332: 히터 온도 조절부
P: 기판

Claims (6)

  1. 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 하부에 형성되어 기판이 안착되는 척;
    상기 공정 챔버 상부에 형성되며 상기 기판 상에 기판 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛으로, 원형 형상으로 가스 공급부와 연결되어 내부로 가스가 공급되는 바디부, 상기 바디부의 일면에 일 방향으로 연장되어 배열된 복수개의 가스 공급관이 타 방향으로 소정 간격씩 이격되어 형성된 가스 공급관 그룹 및 상기 가스 공급관 그룹들의 사이에 각각 일 방향으로 연장되어 형성된 복수개의 히터를 포함하는 가스 공급 유닛; 및
    상기 히터에 연결되어 상기 히터의 온도를 조절하는 히터 온도 조절부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 바디부는 가스 공급관과 연결되어 상기 바디부 내부로 가스가 공급되며, 상기 바디부 내에서 상기 가스 공급관 그룹으로 가스가 공급되는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛의 일측면은 요철(凹凸) 형상으로 형성되며, 복수개의 요(凹)부에는 상기 복수개의 히터가 각각 형성되고, 복수개의 철(凸)부에는 상기 복수개의 가스 공급관 그룹이 형성된 기판 처리 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 척 상에는 상기 기판이 안착되는 복수개의 안착핀 및 상기 기판의 측면을 지지하는 복수개의 지지핀이 형성된 기판 처리 장치.
  6. 삭제
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