JP2014087083A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】モーターを駆動するためのPWM波の指示値が変更される際の、PWM波のデューティー変化と時間経過との関係を定めたデータを複数有する半導体集積回路装置とする。これにより半導体集積回路装置は、駆動されるモーターに合わせたデータを選択して使用することができるので、色々な種類のモーター駆動を行う際のリンギングを防ぐことができる。
【選択図】図2
Description
のピエゾ素子の駆動パルスのデューティー比をデューティー設定値より変化させるようにし、保持期間における駆動パルスのデューティー比をデューティー設定値に固定して制御する発明が開示されている。
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
図1は実施の形態1の半導体集積回路装置の全体図である。
テーブルTBL1のデータDATA1は、Dが正の値の場合は、期間T0から期間T5に至るまでにサブ指令値X0〜X5は徐々にDに近づくように増える変化をしている。期間T0におけるサブ指令値X0は0である。それ以外は前の期間である期間T1におけるサブ指令値の増加量が大きく、後の期間である期間T5におけるサブ指令値の増加量が小さいようになっている。Dが負の値の場合は、上述した説明において増加が減少に入れ替わる形となる。
図5は補正指令値および指令値の時間変化を表した図である。(a)が指令値と時間変化の関係、(b)が補正指令値と時間変化の関係を表している。
(a)において、期間TAにおいて指令値IVは所定の値となっている。同じく(b)においても期間TAにおいて補正指令値CIVは期間TAにおける指令値IVと同じ値になっている。
この期間TAにおける補正指令値CIVに基づいてPWM波PWM−Wが生成される。補正指令値CIVの値が小さいので、PWM波PWM−Wのデューティーは小さい。このPWM波PWM−Wを積分化したものとVCMモーターVCMの駆動電圧とが比例する形となる。
図6は実施の形態2のモータードライバMTD1の構成を示した図である。
CPU 中央演算装置
FLASH 不揮発性メモリ
RAM ランダムアクセスメモリ
ADC AD変換回路
MTD、MTD1 モータードライバ
OSC 発振回路
BUS バス
DR ドライバ
PWM−GC PWM波生成回路
SQC シーケンサ
SL セレクタ
TBL1〜TBL3、TBL テーブル
TBL−S−REG テーブル選択レジスタ
IV 指令値
CIV 補正指令値
DATA1〜DATA3、DATAX データ
PWM−W、PWM−RW PWM波
T0〜Tk 期間
X0〜Xk サブ指令値
PWM−T PWM周期
Claims (5)
- PWM波を生成するPWM波生成回路と、
前記PWM波生成回路からの前記PWM波により駆動されるモーターを駆動するための出力段と、
前記PWM波のデューティーを定める指令値に基づいて、前記PWM波のデューティーを定める補正指令値を生成するシーケンサーと、
前記指令値が変更される際の、前記PWM波のデューティー変化と時間経過との関係を定める第一データおよび第二データを有し、
前記第一データおよび前記第二データのうちのいずれを用いるのかを外部から選択可能に構成されており、
前記シーケンサーが前記指令値を、外部から選択された前記第一または第二データに基づいて変更することで、前記補正指令値を生成して前記PWM波生成回路に出力する半導体集積回路装置。 - 前記第一または第二データを設定可能なテーブルを有し、
外部からの選択に従って不揮発性メモリに格納された前記第一または第二データが前記テーブルに格納され、
前記シーケンサーは前記テーブルに格納された前記第一または第二データを用いる請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第一データが設定された第一テーブルと、前記第二データを設定された第二テーブルを有し、
前記シーケンサーは外部から選択された前記第一または第二テーブルを用いる請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記指令値を出力する中央演算装置をさらに有し、
前記第一および第二データは、
前記PWM波の周期の自然数倍にて規定された第一期間および第二期間と、前記指令値が変更される前と後の間の差分の何倍であるかを示す第一サブ指令値および第二サブ指令値を有し、
前記指令値が変更される際の前記補正指令値は、前記指令値が変更される前の第一値から前記第一期間は前記第一サブ指令値に前記第一値を足した値に変更され、前記第一期間の後の前記第二期間は前記第二サブ指令値に前記第一値を足した値に変更され、前記第二期間の後には前記指令値が変更された後の第二値に変更されるように時間変化する請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記テーブルに設定可能なデータは外部から書き込み可能となっている請求項2に記載の半導体集積回路装置。
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