JP2014077959A - 光基板、光基板の製造方法、及び光モジュール構造 - Google Patents

Abstract

【課題】基材の厚みを薄くした場合においても、光の反射面積を確保することが可能な光基板、光基板の製造方法、及び光モジュール構造を提供する。
【解決手段】スリット状の光ファイバ収容部１００が形成された板状の樹脂からなる基材１０と、基材１０の第１の主面１０ａに形成された第１の金属層２１と、光ファイバ収容部１００に収容された光ファイバ９内を伝搬する光を反射する反射層１０２とを備え、基材１０には、第１の主面１０ａに対して傾斜した傾斜面１０１が光ファイバ収容部１００の終端に形成され、反射層１０２は、傾斜面１０１及び第１の金属層２１に亘って形成されている。
【選択図】図４

Description

本発明は、光ファイバを収容する光基板及びその製造方法、ならびに光基板を有する光モジュール構造に関する。

従来、光ファイバを保持する溝を有し、かつ光電変換素子が実装される光実装基板が知られている（特許文献１参照）。

特許文献１に記載の光実装基板には、高温加熱で軟化した基板材料に三角柱状の突起部を有する金型を押し付けて、金型の突起部に対応した形状のガイド溝、及びこのガイド溝の端部におけるテーパ面が形成されている。テーパ面には、金属層のメッキ又はミラーの貼り付けによって反射面が形成され、この反射面によってガイド溝に保持された光ファイバの出射光を受光素子側に反射する。

特開２００３−１６７１７５号公報

ところで、近年の情報処理装置や通信装置等の電子機器における部品の高密度化に伴い、光実装基板にも薄型化が要請されている。この薄型化の要請は高まる一方であり、例えば光ファイバの直径と同程度の厚さにまで基板を薄くすることが求められている。

特許文献１に記載の光実装基板は、ガイド溝の端部に形成されたテーパ面が反射面として形成されているが、この構成で基板の厚みを薄くしていくと、反射面の面積が狭くなり、光ファイバのコアから出射して広がった光を十分に受光素子側に反射することが難しくなる。

そこで、本発明の目的は、基材の厚みを薄くした場合においても、光の反射面積を確保することが可能な光基板、光基板の製造方法、及び光モジュール構造を提供することにある。

本発明は、上記課題を解決することを目的として、スリット状の光ファイバ収容部が形成された板状の樹脂からなる基材と、前記基材の表面に形成された金属層と、前記光ファイバ収容部に収容された光ファイバ内を伝搬する光を反射する反射層とを備え、前記基材には、前記表面に対して傾斜した傾斜面が前記光ファイバ収容部の終端に形成され、前記反射層は、前記金属層における前記傾斜面に連続して形成された平面をなす端面及び前記傾斜面に亘って形成されている光基板を提供する。

また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、前記光基板と、前記光ファイバを伝送媒体とする光信号と電気信号とを変換する光電変換素子とを備える光モジュール構造を提供する。

また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、板状の樹脂からなる基材の表面に第１の金属層を形成する工程と、前記基材の前記表面に対して傾斜した角度でレーザ光を照射して前記基材の一部をその表面における前記第１の金属層と共に除去することにより、前記基材にスリット状の光ファイバ収容部を形成する工程と、前記レーザ光の照射によって形成された前記第１の金属層の端面及び前記光ファイバ収容部の終端における傾斜面に反射層を形成する工程とを有する光基板の製造方法を提供する。

本発明に係る光基板、光基板の製造方法、及び光モジュール構造によれば、基材の厚みを薄くした場合においても、光の反射面積を確保することが可能である。

本発明の実施の形態に係る光基板、及びその光基板を備えた光モジュール構造の一構成例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、光基板の反射部及びその周辺部における形成過程を示す断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、光基板を表面としての第１の主面側から見た反射部及びその周辺部における形成過程を示す平面図である。 本発明の実施の形態に係る光モジュール構造の一例を示す断面図である。 実施の形態の変形例に係る光モジュール構造の一例を示し、図４のＡ−Ａ線断面図である。

［実施の形態］
図１は、本発明の実施の形態に係る光基板の要部、及び光基板を備えた光モジュール構造の一構成例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。

この光基板１は、互いに対向する第１の主面１０ａ（表面）及び第２の主面１０ｂ（裏面）を有する板状の基材１０を備えている。基材１０は、例えばポリイミド等の絶縁性の樹脂からなる。第１の主面１０ａ及び第２の主面１０ｂは互いに平行であり、基材１０の厚みは例えば７０μｍである。図１（ａ）は、光基板１を第１の主面１０ａ側から見た状態を示している。

また、光基板１は、基材１０の表面としての第１の主面１０ａに形成された導電性の金属層からなる複数の配線パターン２と、第２の主面１０ｂに形成された導電性の裏面側金属層３とを備えている。本実施の形態では、裏面側金属層３が第２の主面１０ｂの全体に設けられている。裏面側金属層３は、後述するように、下地金属層３１上にＮｉメッキ層３２及び金メッキ層３３を形成して構成されている（図４参照）。複数の配線パターン２の間には、基材１０の樹脂表面が露出している。なお、図１では、後述する光電変換素子４１及び押え部材８の裏側にあたる配線パターン２を破線で示している。

また、基材１０には、第１の主面１０ａ及び第２の主面１０ｂの間を基材１０の厚さ方向に貫通し、第１の主面１０ａ及び第２の主面１０ｂに平行に延びるスリット状の光ファイバ収容部１００が形成されている。光ファイバ収容部１００の一端（終端）には、光ファイバ９を伝送媒体として伝搬する光を反射する反射部１００ａが形成されている。反射部１００ａの詳細な構成については後述する。

この光ファイバ収容部１００には、光ファイバ９が収容されている。光ファイバ９は、第１の主面１０ａに貼り付けられた板状の押え部材８により、光ファイバ収容部１００から抜け出さないように保持されている。

光基板１の第１の主面１０ａ側には、配線パターン２の上に、光電変換素子４１と、光電変換素子４１に電気的に接続された半導体回路素子４２とが実装されている。光電変換素子４１は、電気信号を光信号に変換し、又は光信号を電気信号に変換する素子である。前者の例としては、半導体レーザ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode、発光ダイオード）等の発光素子が挙げられる。また、後者の例としては、フォトダイオード等の受光素子が挙げられる。光電変換素子４１は、基材１０側に形成された受発光部４１０ａ（図４参照）から、基材１０に垂直な方向に光を出射又は入射するように構成されている。

光電変換素子４１が電気信号を光信号に変換する素子である場合、半導体回路素子４２は、光電変換素子４１を駆動するドライバＩＣである。また、光電変換素子４１が光信号を電気信号に変換する素子である場合、半導体回路素子４２は、光電変換素子４１から入力される信号を増幅する受信ＩＣである。

本実施の形態では、光電変換素子４１がフリップチップ実装され、本体部４１０に４つの端子（バンプ）４１１が設けられている。４つの端子４１１は、それぞれ配線パターン２に接続されている。また、光電変換素子４１は、本体部４１０が反射部１００ａに対向する位置に実装されている。

光電変換素子４１が電気信号を光信号に変換する素子である場合、反射部１００ａは、光電変換素子４１から出射された光を光ファイバ９の端面側に反射する。また、光電変換素子４１が光信号を電気信号に変換する素子である場合、反射部１００ａは、光ファイバ９から出射された光を光電変換素子４１側に反射させる。

半導体回路素子４２は、本体部４２０の配線パターン２に向かい合う面の反対側に、複数（図１に示す例では１２個）の端子（電極パッド）４２１が設けられている。それぞれの端子４２１は、ボンディングワイヤ４２２によって配線パターン２に電気的に接続されている。また、複数の端子４２１のうち一部の端子４２１は、光電変換素子４１の端子４１１が接続された配線パターン２に接続され、これにより半導体回路素子４２と光電変換素子４１とが電気的に接続されている。

なお、図１では図示を省略しているが、光基板１には、光電変換素子４１及び半導体回路素子４２の他に、コネクタやＩＣ（Integrated Circuit）、あるいは能動素子（トランジスタ等）や受動素子（抵抗器、コンデンサ等）などの電子部品を実装することが可能である。

次に図２及び図３を参照して光基板１の製造方法を説明する。図２（ａ）〜（ｄ）は、光基板１の反射部１００ａ及びその周辺部における形成過程を示す断面図である。図３（ａ）〜（ｃ）は、光基板１を表面としての第１の主面１０ａ側から見た反射部１００ａ及びその周辺部における形成過程を示す平面図である。

光基板１の製造工程は、基材１０の第１の主面１０ａに第１の金属層２１を形成すると共に、第２の主面１０ｂに下地金属層３１を形成する工程と、基材１０の第１の主面１０ａに対して傾斜した角度でレーザ光Ｌを照射して基材１０の一部を第１の金属層２１と共に除去することにより、基材１０にスリット状の光ファイバ収容部１００を形成する工程と、レーザ光Ｌの照射によって形成された第１の金属層２１の端面２１０及び光ファイバ収容部１００の終端における傾斜面１０１に反射層１０２を形成する工程とを、少なくとも有している。

本実施の形態では、さらに第１の金属層２１、第２の金属層２２、及び第２の主面１０ｂ側における下地金属層３１にニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）のメッキを施す工程を有している。以下、光基板１の製造工程を第１〜第５の工程に分けて、より詳細に説明する。

第１の工程では、図２（ａ）及び図３（ａ）に示すように、基材１０の第１の主面１０ａの全体に第１の金属層２１を、第２の主面１０ｂの全体に下地金属層３１を、例えば接着、蒸着、又は無電解メッキによってそれぞれ形成する。本実施の形態では、第１の金属層２１及び下地金属層３１が、主として良導体である銅（Ｃｕ）からなる。なお、本実施の形態では、下地金属層３１が第１の金属層２１よりも厚く形成されているが、これらの厚みは同じであってもよい。

第２の工程では、図２（ｂ）に示すように、第１の主面１０ａに対して第１の金属層２１側から斜めにレーザ光Ｌを照射する。このレーザ光Ｌとして、より具体的には、例えばエキシマレーザやＵＶレーザ（紫外線レーザ）を用いることができる。レーザ光Ｌの照射によって、図２（ｂ）及び図３（ｂ）に示すように、第１の金属層２１には端面２１０が、基材１０には光ファイバ収容部１００及び光ファイバ収容部１００の終端における傾斜面１０１が、それぞれ形成される。このレーザ光Ｌは、第１の金属層２１及び基材１０を照削（光を照射して削ること）するが、下地金属層３１は除去し切らないように照射時間を設定して照射される。

端面２１０及び傾斜面１０１は、レーザ光Ｌの進行方向に沿って形成される。また、端面２１０は、傾斜面１０１に連続して形成された平面をなしている。換言すれば、端面２１０と傾斜面１０１とは一つの連続した平坦面として形成されている。

本実施の形態では、第１の金属層２１側からレーザ光Ｌを照射することにより、第１の金属層２１に端面２１０を、基材１０に傾斜面１０１を形成する。より具体的には、基材１０に形成すべき傾斜面１０１の第１の主面１０ａに対する角度を傾斜角θとすると、この傾斜角θに対応する角度（第１の主面１０ａに対する照射角が傾斜角θと一致する角度）で第１の金属層２１側からレーザ光Ｌを照射することにより、端面２１０及び傾斜面１０１を形成する。傾斜角θは鈍角（θ＞９０°）であり、図２に示す例では、傾斜角θが１３５°である。この場合、傾斜面１０１と第２の主面１０ｂとがなす角度は４５°である。

また、第２の主面１０ｂにおける下地金属層３１は、レーザ光Ｌの照射によって除去し切らずに残り、光ファイバ収容部１００の底面となる。この下地金属層３１は、光ファイバ９（図１に示す）を第２の主面１０ｂ側から支持する。

第３の工程では、図２（ｃ）に示すように、第２の工程で基材１０に形成された傾斜面１０１、第１の主面１０ａに形成された第１の金属層２１の表面２１ａ、及びその端面２１０の全体に亘って、第２の金属層２２を形成する。本実施の形態では、第２の金属層２２が主として銅（Ｃｕ）からなり、例えば無電解メッキによって第１の金属層２１の表面２１ａ、端面２１０、及び傾斜面１０１上に形成される。また、第２の金属層２２は、光ファイバ収容部１００における下地金属層３１の一方の面（第２の主面１０ｂ側の面）にも形成される。

第４の工程では、図３（ｃ）に示すように、第１及び第２の金属層２１，２２の一部をエッチングして、第１の主面１０ａに複数の配線パターン２を形成する。より具体的には、第１の金属層２１及び第２の金属層２２を除去する部分を除いて、第２の金属層２２上にレジスト膜を形成し、エッチングによってレジスト膜が形成されていない部分の第１の金属層２１及び第２の金属層２２を溶解させる。このレジスト膜は、第１の金属層２１の端面２１０及び傾斜面１０１に形成された第２の金属層２２上にも形成され、端面２１０及び傾斜面１０１における第２の金属層２２は除去されずに残る。

第５の工程では、図２（ｄ）に示すように、第４の工程においてエッチングにより除去されずに残った第２の金属層２２及び第２の主面１０ｂにおける下地金属層３１の上にニッケル（Ｎｉ）メッキを施してＮｉメッキ層２３，３２を形成し、さらにＮｉ層２３，３２の上に金（Ａｕ）メッキを施して金メッキ層２４，３３を形成する。このニッケルメッキ及び金メッキは、例えば無電解メッキによって行うことができる。

以上の第１〜第５の工程により、基材１０の第１の主面１０ａには、第１の金属層２１，第２の金属層２２，Ｎｉメッキ層２３，及び金メッキ層２４を有する４層構造の金属層からなる配線パターン２が形成される。第１及び第２の金属層２１，２２を合わせた厚みは例えば５〜２５μｍ、Ｎｉメッキ層２３の厚みは例えば１５μｍ以下、金メッキ層２４の厚みは例えば０．０３〜０．５μｍである。

また、第１の金属層２１の端面２１０及び傾斜面１０１には、第２の金属層２２，Ｎｉメッキ層２３，及び金メッキ層２４を有する３層構造の金属からなる反射層１０２が形成される。つまり、反射部１００ａは、第１の金属層２１の端面２１０及び傾斜面１０１に亘って反射層１０２を形成して構成されている。

この反射層１０２は、第３〜第５の工程で形成された金属層である。配線パターン２と反射層１０２とは、配線パターン２の最下層に第１の金属層２１が形成されている他は、共通の層構成を有している。また、配線パターン２及び反射層１０２は、その最表面が共に金（金メッキ層２４）によりメッキされている。

一方、基材１０の第２の主面１０ｂには、下地金属層３１，Ｎｉメッキ層３２，金メッキ層３３を有する３層構造の金属からなる裏面側金属層３が形成される。配線パターン２及び反射層１０２の第２の金属層２２は、光ファイバ収容部１００において裏面側金属層３の下地金属層３１の上に形成されているので、反射層１０２に連続して形成された配線パターン２と裏面側金属層３とは、反射層１０２によって電気的に接続されている。

本実施の形態では、反射層１０２に連続して形成された配線パターン２が、接地電位であるグランドパターン２ａ（図１参照）であり、裏面側金属層３の電位は接地電位となる。これにより、基材１０の第１の主面１０ａ側に実装された電子部品の動作が安定し、また基材１０にスルーホールを形成することにより、第１の主面１０ａ側に実装された図略のＩＣのＧＮＤ端子を接地電位に接続（接地）しやすくなる。

図４は、本発明の実施の形態に係る光モジュール構造の一例を示す断面図である。この光モジュール構造は、光基板１及び光電変換素子４１を備え、光電変換素子４１は、第１の金属層２１をその表面２１ａ側から覆うように、基材１０の第１の主面１０ａに実装されている。

光ファイバ９は、その一端部が光ファイバ収容部１００に収容され、その端面９ａが反射層１０２に面している。光ファイバ９は、コア９０の外周に筒状のクラッド層９１を有している。図４では、光ファイバ９を伝送媒体とする光の光路ＬＰを一点鎖線で示している。

反射層１０２は、光ファイバ９（コア９０）から光が出射されたとき、その出射光を第１の主面１０ａ側に反射する。光電変換素子４１が受光素子である場合、反射層１０２で反射した光は光電変換素子４１の本体部４１０に設けられた受発光部４１０ａから光電変換素子４１内に入射し、光電変換素子４１は、この入射光による光信号を電気信号に変換する。

また、光電変換素子４１が発光素子である場合、光電変換素子４１は、半導体回路素子４２から供給される電気信号を光信号に変換し、この光信号を表す光を受発光部４１０ａから出射する。この出射光は、反射層１０２で反射して、光ファイバ９のコア９０に入射し、光ファイバ９を伝搬する。

（実施の形態の作用及び効果）
以上説明した実施の形態によれば、以下のような作用及び効果が得られる。

（１）反射層１０２は、基材１０の傾斜面１０１及び第１の金属層２１の端面２１０に亘って形成されているため、光基板１の厚みを光ファイバ９の直径と同程度（例えば光基板１の厚みが光ファイバ９の直径の±２０％以内）まで薄くした場合においても、光を反射させる反射部１００ａの面積を確保することができる。

（２）第１の金属層２１の端面２１０及び基材１０の傾斜面１０１は、連続して形成された平面をなしているため、光電変換素子４１から出射された広がった光を光ファイバ９に、又は光ファイバ９から出射された広がった光を光電変換素子４１に、的確に反射させることが可能となる。

（３）光ファイバ収容部１００は、基材１０の第１の主面１０ａに対する傾斜面１０１の傾斜角θに対応した角度で第１の金属層２１側からレーザ光Ｌを照射して形成される。したがって、例えば金型を用いることなく基材１０に光ファイバ収容部１００及び傾斜面１０１を形成することができ、基材１０の加熱も不要である。これにより、製造コストの低減につながる。

（４）配線パターン２及び反射層１０２は、その最上層が金メッキされているので、腐食による反射層１０２における反射率の低下を抑制することができると共に、配線パターン２と光電変換素子４１との電気的な接続を良好とすることができる。

（５）反射層１０２は導電性であり、配線パターン２と連続して形成されているので、例えば基材１０にスルーホールを設けることなく、配線パターン２と裏面側金属層３とを電気的に接続することができる。

（６）反射層１０２の各層は、配線パターン２を形成する工程で第１の金属層２１及び基材１０の傾斜面１０１上に形成される。すなわち、反射層１０２を形成するための専用の工程が不要であるので、光基板１の製造時間を短縮できると共に、製造コストを低減することができる。

（変形例）
また、第１の実施の形態に係る光基板１は、例えば以下のように変形して実施することも可能である。

図５は、第１の実施の形態の変形例に係る光モジュール構造の一例を示し、図４のＡ−Ａ線断面図であり、光ファイバ９が光ファイバ収容部１００内で固定された状態を示している。

本変形例に係る光モジュール構造は、光ファイバ９の固定方法が第１の実施の形態に係る光モジュール構造とは異なり、それ以外の構成は第１の実施の形態に係る光モジュール構造と共通であるので、同一の機能を有する部材については共通する符号を付し、その重複した説明を省略する。

本変形例では、光ファイバ９は押え部材８を用いず、ハンダ５によって光ファイバ収容部１００内に固定されている。より具体的には、ハンダ５が、基材１０の第１の主面１０ａにおける光ファイバ収容部１００を挟んだ部位及び光ファイバ収容部１００の内面に亘って形成された金属層の最表面（具体的には、金メッキ層２４）に固着されることにより、光ファイバ９が光ファイバ収容部１００内に固定される。なお、ハンダ５は、少なくとも基材１０の第１の主面１０ａにおける光ファイバ収容部１００を挟んだ部位に形成された金メッキ層２４に固着し、光ファイバ収容部１００の第１の主面側の開口が封止されればよい。

この変形例の場合、別途押え部材８を用意する必要はなく、光基板１を製造する工程の中で光ファイバ９を固定することが可能である。

（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。

［１］スリット状の光ファイバ収容部（１００）が形成された板状の樹脂からなる基材（１０）と、前記基材（１０）の表面としての第１の主面（１０ａ）に形成された第１の金属層２１と、前記光ファイバ収容部（１００）に収容された光ファイバ（９）内を伝搬する光を反射する反射層（１０２）とを備え、前記基材（１０）には、前記第１の主面（１０ａ）に対して傾斜した傾斜面（１０１）が前記光ファイバ収容部（１００）の終端に形成され、前記反射層（１０２）は、前記第１の金属層（２１）における前記傾斜面（１０１）に連続して形成された平面をなす端面（２１０）及び前記傾斜面（１０１）に亘って形成されている光基板（１）。

［２］前記光ファイバ収容部（１００）は、前記基材（１０）の前記第１の主面（１０ａ）に対する前記傾斜面（１０１）の傾斜角θに対応した角度で前記第１の金属層（２１）側からレーザ光（Ｌ）を照射して形成された、［１］に記載の光基板（１）。

［３］前記反射層（１０２）は、その最表面が金（Ａｕ）によりメッキされている、［２］に記載の光基板（１）。

［４］前記第１の主面（１０ａ）に形成された金属からなる配線パターン（２）と、前記基材（１０）の裏面としての第２の主面（１０ｂ）に形成された裏面側金属層（３）とをさらに備え、前記配線パターン（２）と前記裏面側金属層（３）とが、前記反射層（１０２）によって電気的に接続された、［１］乃至［３］の何れか１項に記載の光基板（１）。

［５］前記光ファイバ（９）は、ハンダ（５）によって前記光ファイバ収容部（１００）内に固定されている、［１］乃至［４］の何れか１項に記載の光基板（１）。

［６］［１］乃至［５］の何れか１項に記載の光基板（１）と、前記光ファイバ（９）を伝送媒体とする光信号と電気信号とを変換する光電変換素子（４１）とを備える、光モジュール構造。

［７］板状の樹脂からなる基材（１０）の表面としての第１の主面（１０ａ）に第１の金属層（２１）を形成する工程と、前記基材（１０）の前記第１の主面（１０ａ）に対して傾斜した角度でレーザ光（Ｌ）を照射して前記基材（１０）の一部をその第１の主面（１０ａ）における前記第１の金属層（２１）と共に除去することにより、前記基材（１０）にスリット状の光ファイバ収容部（１００）を形成する工程と、前記レーザ光（Ｌ）の照射によって形成された前記第１の金属層（２１）の端面（２１０）及び前記光ファイバ収容部（１００）の終端における傾斜面（１０１）に反射層（１０２）を形成する工程とを有する、光基板（１）の製造方法。

［８］前記光ファイバ収容部（１００）を形成する工程の後、前記第１の金属層（２１）及び前記傾斜面（１０１）の上に第２の金属層（２２）を形成する工程と、前記第１及び第２の金属層（２１，２２）の一部をエッチングして前記第１の主面（１０ａ）に配線パターン（２）を形成する工程とをさらに有する、［７］に記載の光基板（１）の製造方法。

［９］前記レーザ光（Ｌ）を照射して前記第１の金属層（２１）の端面（２１０）及び前記傾斜面１０１を形成する工程は、前記レーザ光（Ｌ）の透過率が調節されたシャドーマスクを用いて、前記基材（１０）の前記第１の主面（１０ａ）に対して垂直に前記レーザ光（Ｌ）を照射する工程である、［７］又は［８］に記載の光基板（１）の製造方法。

［１０］前記レーザ光（Ｌ）を照射して前記第１の金属層（２１）の端面（２１０）及び前記傾斜面（１０１）を形成する工程は、機械加工によって前記端面（２１０）及び前記傾斜面（１０１）を形成する工程である、［７］乃至［９］の何れか１項に記載の光基板（１）の製造方法。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。

本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記の実施の形態では、傾斜面１０１の傾斜角θは鈍角である場合について説明したが、傾斜角θは鋭角でもよい。この場合、第２の主面１０ｂ側に光電変換素子４１等の電子部品を実装することになる。

また、上記の実施の形態では、第２の主面１０ｂに裏面側金属層３が形成されている場合について説明したが、第２の主面１０ｂに裏面側金属層３が形成されていなくともよい。

また、上記実施の形態では、光基板１に１つの光ファイバ収容部１００及び光モジュール構造を形成した場合について説明したが、これに限らず、光基板１に複数の光ファイバ収容部１００及び光モジュール構造を形成してもよい。

また、上記の実施の形態では、第１の金属層２１、第２の金属層２２、及び下地金属層３１が銅（Ｃｕ）である場合について説明したが、これに限らず、第１の金属層２１、第２の金属層２２、及び下地金属層３１の一部又は全部が例えばアルミニウム（Ａｌ）であってもよい。また、配線パターン２や裏面側金属層３の各層における材質も、上記したものに限らない。基材１０の材質も、ポリイミドに限らず、例えばＰＥＴ（Polyethylene terephthalate、ポリエチレンテレフタラート）であってもよい。

また、上記実施の形態では、第１の金属層２１の表面２１ａに対して斜めにレーザ光Ｌを照射することにより、端面２１０及び傾斜面１０１を形成したが、これに限らず、形成すべき端面２１０及び傾斜面１０１の第１の金属層２１の表面２１ａからの深さ（垂直距離）に応じてレーザ光Ｌの透過率が調節されたシャドーマスクを用いて、第１の金属層２１の表面２１ａに対してレーザ光Ｌを照射して端面２１０及び傾斜面１０１を形成してもよい。つまり、シャドーマスクを用いた場合、表面２１ａに対してレーザ光Ｌを照射する必要がないため、端面２１０及び傾斜面１０１の形成が容易になる。

また、上記実施の形態では、第１の金属層２１の表面２１ａに対して斜めにレーザ光Ｌを照射することにより端面２１０及び傾斜面１０１を形成したが、これに限らず、ダイシング等の機械加工によって端面２１０及び傾斜面１０１を形成してもよい。機械加工の場合、レーザ光による加工よりも低コストで端面２１０及び傾斜面１０１を形成することが可能である。

１…光基板、２…配線パターン、２ａ…グランドパターン、３…裏面側金属層、８…押え部材、９…光ファイバ、９ａ…端面、１０…基材、１０ａ…第１の主面（表面）、１０ｂ…第２の主面（裏面）、２１…第１の金属層、２１ａ…表面、２２…第２の金属層、２３，３２…Ｎｉメッキ層、２４，３３…金メッキ層、３１…下地金属層、４１…光電変換素子、４２…半導体回路素子、９０…コア、９１…クラッド層、１００…光ファイバ収容部、１００ａ…反射部、１０１…傾斜面、１０２…反射層、２１０…端面、４１０…本体部、４１０ａ…受発光部、４１１…端子、４２０…本体部、４２１…端子、４２２…ボンディングワイヤ、Ｌ…レーザ光、ＬＰ…光路、θ…傾斜角

Claims (10)

1. スリット状の光ファイバ収容部が形成された板状の樹脂からなる基材と、
   前記基材の表面に形成された金属層と、
   前記光ファイバ収容部に収容された光ファイバ内を伝搬する光を反射する反射層とを備え、
   前記基材には、前記表面に対して傾斜した傾斜面が前記光ファイバ収容部の終端に形成され、
   前記反射層は、前記金属層における前記傾斜面に連続して形成された平面をなす端面及び前記傾斜面に亘って形成されている、
   光基板。
2. 前記光ファイバ収容部は、前記基材の表面に対する前記傾斜面の傾斜角に対応した角度で前記金属層側からレーザ光を照射して形成された、
   請求項１に記載の光基板。
3. 前記反射層は、その最表面が金（Ａｕ）によりメッキされている、
   請求項１又は２に記載の光基板。
4. 前記表面に形成された金属からなる配線パターンと、
   前記基材の裏面に形成された裏面側金属層とをさらに備え、
   前記配線パターンと前記裏面側金属層とが、前記反射層によって電気的に接続された、
   請求項１乃至３の何れか１項に記載の光基板。
5. 前記光ファイバは、ハンダによって前記光ファイバ収容部内に固定されている、
   請求項１乃至４の何れか１項に記載の光基板。
6. 請求項１乃至５の何れか１項に記載の光基板と、
   前記光ファイバを伝送媒体とする光信号と電気信号とを変換する光電変換素子とを備える、
   光モジュール構造。
7. 板状の樹脂からなる基材の表面に第１の金属層を形成する工程と、
   前記基材の前記表面に対して傾斜した角度でレーザ光を照射して前記基材の一部をその表面における前記第１の金属層と共に除去することにより、前記基材にスリット状の光ファイバ収容部を形成する工程と、
   前記レーザ光の照射によって形成された前記第１の金属層の端面及び前記光ファイバ収容部の終端における傾斜面に反射層を形成する工程とを有する、
   光基板の製造方法。
8. 前記光ファイバ収容部を形成する工程の後、前記第１の金属層及び前記傾斜面の上に第２の金属層を形成する工程と、前記第１及び第２の金属層の一部をエッチングして前記表面に配線パターンを形成する工程とをさらに有する、
   請求項７に記載の光基板の製造方法。
9. 前記レーザ光を照射して前記第１の金属層の端面及び前記傾斜面を形成する工程は、前記レーザ光の透過率が調節されたシャドーマスクを用いて、前記基材の前記表面に対して垂直に前記レーザ光を照射する工程である、
   請求項７又は８に記載の光基板の製造方法。
10. 前記レーザ光を照射して前記第１の金属層の端面及び前記傾斜面を形成する工程は、機械加工によって前記端面及び前記傾斜面を形成する工程である、
    請求項７乃至９の何れか１項に記載の光基板の製造方法。

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