JP2014060315A - 有機固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
有機固体撮像素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014060315A JP2014060315A JP2012205368A JP2012205368A JP2014060315A JP 2014060315 A JP2014060315 A JP 2014060315A JP 2012205368 A JP2012205368 A JP 2012205368A JP 2012205368 A JP2012205368 A JP 2012205368A JP 2014060315 A JP2014060315 A JP 2014060315A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoelectric conversion
- counter electrode
- organic photoelectric
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 58
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 43
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 156
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
Abstract
【解決手段】基板10に行列状に配列形成された複数の画素電極12と、複数の画素電極12上に共通膜として順次積層された、有機光電変換層13、対向電極層14および透明絶縁層15とを備えた固体撮像素子1であって、有機光電変換層13、対向電極層14および透明絶縁層15が、複数の画素電極12が形成された有効画素領域30の端から200μm以上延伸形成されてなる額縁領域40を備え、額縁領域40の外周側壁40aが、有機光電変換層13、対向電極層14および透明絶縁層15がエッチングにより除去された痕を備えてなり、額縁領域40の外周側壁40aを覆う保護膜16を備える。
【選択図】図1A
Description
有機光電変換層、対向電極層および透明絶縁層が、複数の画素電極が形成された有効画素領域の端から200μm以上延伸形成されてなる、有効画素領域を囲む額縁領域を備え、
額縁領域の外周側壁は、有機光電変換層、対向電極層、および透明絶縁層がエッチングにより除去された痕を備えてなり、
さらに、額縁領域の外周側壁を覆う保護膜を備えていることを特徴とするものである。
有機光電変換層、対向電極層および透明絶縁層を、複数の画素電極が形成された基板の全面に順次成膜し、
有機光電変換層、対向電極層および透明絶縁層からなる積層膜の、複数の画素電極が形成されている有効画素領域の端から200μm以上離れた外周領域をエッチング除去し、
エッチング除去の後に残されている積層膜の少なくとも外周壁を覆うように、保護膜を成膜することを特徴とする。
図1Aは、本発明の実施形態の固体撮像素子を示す断面模式図であり、図1Bはその平面模式図である。
固体撮像素子の製造工程は大きく分けて、駆動回路形成工程、電極およびパッド形成工程、有機光電変換部形成工程、カラーフィルタ形成工程からなる。各工程について順次説明する。
駆動回路形成工程では、先ず半導体基板にCCDあるいはCMOS等の信号読出回路が公知の半導体集積回路製造技術によって形成される。この駆動回路および駆動回路の形成工程については図示していない。
本実施形態においては、半導体基板としては、n型Si基板と、このn型Si基板上にpウェル層が形成されたものを使用する。半導体基板としては、p型Si基板を使用しても良い。なお、本実施形態では基板として半導体基板を用いているが、この基板は、ガラス基板や石英基板等、基板内部及び基板上に電子回路を設置できるものであれば良い。
なお、以下において、基板と称しているのは、本工程により駆動回路が形成された基板である。
駆動回路形成工程の次に、画素電極および電極パッド形成工程が行われる。
本工程では、図2のaに示すように、基板10の上面に各種PVD法やCVD法などにより画素電極12および対向電極パッド17を形成する。なお、画素電極12および対向電極パッド17をより微細なパターンで形成する場合は、各種PVD法やCVD法などで基板10の全面に電極層を形成した後、ドライエッチング法によって画素電極および対向電極パッドを残し、それ以外の領域を除去するようにパターン形成するようにしてもよい。なお、画素電極12および対向電極パッド17は、基板10に設けられている駆動回路と接続される。
基板10の表面に電極12および電極パッド17を形成した後、それらの隙間には絶縁性の平坦化層11を埋め込み、平坦化層11と電極12および対向電極パッド17の表面が面一となるように処理する。
光電変換部形成工程では、電極が形成された基板上全面に蒸着法で有機光電変換材料からなる有機光電変換層13、対向電極層14、第1の透明絶縁層15を連続して成膜する(図2のb参照)。
次に、図4のhに示すように、第2の透明絶縁層16および金属配線18上を含む全面に、スピンコータを用いて平坦化層19を形成する。平坦化層19は塗布後、200℃にて硬化させる。
ここでは、本発明の固体撮像素子の製造方法の一例を示したが、本発明の固体撮像素子は、光電変換部形成工程において、従来のようなメタルマスクを用いることなく、全面への有機光電変換層、対向電極層および透明電極層の成膜後、その積層体の有効領域および額縁領域を残してエッチングにより除去する工程を用いれば、他の工程については特に制限されるものではなく、本願発明の効果を得ることができる。
また、メタルマスクを用いる場合、メタルマスクの作製精度はフォトリソグラフィおよびエッチングによる微細加工技術の精度ほど高くないため、有効画素領域に対して十分に広い額縁領域を設ける必要があった。少なくとも有効画素領域との境界から400μmを超える幅の額縁領域が必要とされているため、メタルマスクを用いる場合には、上述したコンタミ、塵挨の付着の他、サイズの小型化が十分にできないという問題もあった。
(1)大気(酸素、水)にさらされる。
(2)ドライエッチングを行った場合、フッ素系ガスやアルゴンイオン等にさらされると共に、基板温度が上昇する。
(3)ウェットエッチングを行った場合、酸・アルカリ・有機溶剤にさらされる。
(4)ウェットによるレジスト剥離を行った場合有機溶剤にさらされると共に、洗浄後の乾燥ベークで100℃程度の高温処理がある。
(5)工程の時間が長くなる。
(1)酸素、水、酸、アルカリ、有機溶剤の存在により端面から50〜100μmに亘る領域で劣化が生じる。
(2)高温処理により端面から200μm程度に亘る領域で有機材料の結晶化が生じる。
10 半導体回路基板
11 平滑化層
12 画素電極
13 有機光電変換層
14 対向電極層
15 第1の透明絶縁層
16 第2の透明絶縁層(保護膜)
17 対向電極用パッド
18 金属配線
19 平坦化層
20 カラーフィルタ
21 遮蔽層
22 マイクロレンズ
25 メタルマスク
26 フォトレジスト
30 有効画素領域
40 額縁領域
Claims (2)
- 信号読出回路を有する基板と、該基板上に行列状に配列形成された複数の画素電極と、該複数の画素電極上に共通膜として順次積層された、有機光電変換層、対向電極層および透明絶縁層とを備えた固体撮像素子であって、
前記有機光電変換層、前記対向電極層および前記透明絶縁層が、前記複数の画素電極が形成された有効画素領域の端から200μm以上延伸形成されてなる、前記有効画素領域を囲む額縁領域を備え、
該額縁領域の外周側壁は、前記有機光電変換層、前記対向電極層、および前記透明絶縁層がエッチングにより除去された痕を備えてなり、
さらに、前記額縁領域の外周側壁を覆う保護膜を備えていることを特徴とする固体撮像素子。 - 信号読出回路を有する基板と、該基板上に行列状に配列形成された複数の画素電極と、該複数の画素電極上に共通膜として順次積層された、有機光電変換層、対向電極層および透明絶縁層とを備えた固体撮像素子の製造方法であって、
前記有機光電変換層、前記対向電極層および前記透明絶縁層を、前記複数の画素電極が形成された基板の全面に順次成膜し、
前記有機光電変換層、前記対向電極層および前記透明絶縁層からなる積層膜の、前記複数の画素電極が形成されている有効画素領域の端から200μm以上離れた外周領域をエッチング除去し、
前記エッチング除去の後に残されている前記積層膜の少なくとも外周壁を覆うように、保護膜を成膜することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012205368A JP5728451B2 (ja) | 2012-09-19 | 2012-09-19 | 有機固体撮像素子およびその製造方法 |
PCT/JP2013/005295 WO2014045540A1 (ja) | 2012-09-19 | 2013-09-06 | 有機固体撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012205368A JP5728451B2 (ja) | 2012-09-19 | 2012-09-19 | 有機固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014060315A true JP2014060315A (ja) | 2014-04-03 |
JP5728451B2 JP5728451B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=50340882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012205368A Active JP5728451B2 (ja) | 2012-09-19 | 2012-09-19 | 有機固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5728451B2 (ja) |
WO (1) | WO2014045540A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016072591A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | イメージセンサー構造 |
JP2019121804A (ja) * | 2018-01-10 | 2019-07-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | イメージセンサ |
JP2019140386A (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2019149542A (ja) * | 2018-02-26 | 2019-09-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光電変換素子、およびその製造方法 |
JPWO2019239851A1 (ja) * | 2018-06-14 | 2020-12-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 制御電極と、透明電極と、前記制御電極と前記透明電極の側面とを電気的に接続する接続層と、を備えるイメージセンサ |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102653046B1 (ko) | 2017-12-28 | 2024-04-01 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 수광 소자 및 전자 기기 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000133792A (ja) * | 1998-10-19 | 2000-05-12 | Hewlett Packard Co <Hp> | 相互接続構造を含む能動画素センサ |
JP2007012796A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Fujifilm Holdings Corp | 有機と無機のハイブリッド光電変換素子 |
JP2008244251A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | アモルファスシリコンフォトダイオード及びその製造方法ならびにx線撮像装置 |
US20090134485A1 (en) * | 2007-11-28 | 2009-05-28 | Lee Kang-Hyun | Image sensor and method of manufacturing the same |
WO2011027745A1 (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-10 | ローム株式会社 | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
-
2012
- 2012-09-19 JP JP2012205368A patent/JP5728451B2/ja active Active
-
2013
- 2013-09-06 WO PCT/JP2013/005295 patent/WO2014045540A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000133792A (ja) * | 1998-10-19 | 2000-05-12 | Hewlett Packard Co <Hp> | 相互接続構造を含む能動画素センサ |
JP2007012796A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Fujifilm Holdings Corp | 有機と無機のハイブリッド光電変換素子 |
JP2008244251A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | アモルファスシリコンフォトダイオード及びその製造方法ならびにx線撮像装置 |
US20090134485A1 (en) * | 2007-11-28 | 2009-05-28 | Lee Kang-Hyun | Image sensor and method of manufacturing the same |
WO2011027745A1 (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-10 | ローム株式会社 | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016072591A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | イメージセンサー構造 |
JP2019121804A (ja) * | 2018-01-10 | 2019-07-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | イメージセンサ |
JP2019140386A (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP7357262B2 (ja) | 2018-01-31 | 2023-10-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2019149542A (ja) * | 2018-02-26 | 2019-09-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光電変換素子、およびその製造方法 |
US11031568B2 (en) | 2018-02-26 | 2021-06-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Photoelectric conversion element including first electrode, second electrodes, photoelectric conversion film, and conductive layer and method for manufacturing the same |
JP7233005B2 (ja) | 2018-02-26 | 2023-03-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光電変換素子、およびその製造方法 |
US11711932B2 (en) | 2018-02-26 | 2023-07-25 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Photoelectric conversion element including first electrode, second electrodes, photoelectric conversion film, and conductive layer and method for manufacturing the same |
JPWO2019239851A1 (ja) * | 2018-06-14 | 2020-12-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 制御電極と、透明電極と、前記制御電極と前記透明電極の側面とを電気的に接続する接続層と、を備えるイメージセンサ |
JP7162275B2 (ja) | 2018-06-14 | 2022-10-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 制御電極と、透明電極と、前記制御電極と前記透明電極の側面とを電気的に接続する接続層と、を備えるイメージセンサ |
US11955493B2 (en) | 2018-06-14 | 2024-04-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Image sensor including control electrode, transparent electrode, and connection layer electrically connecting control electrode to side surface of transparent electrode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5728451B2 (ja) | 2015-06-03 |
WO2014045540A1 (ja) | 2014-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5728451B2 (ja) | 有機固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP5253799B2 (ja) | フォトセンサー、及びフォトセンサーの製造方法 | |
KR101578574B1 (ko) | 고체 촬상 디바이스, 고체 촬상 디바이스의 제조 방법, 디지털 스틸 카메라, 디지털 비디오 카메라, 휴대 전화, 및 내시경 | |
JP4280085B2 (ja) | ウエハーソーイング方法 | |
JP5537135B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JP2018081903A (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
US7268009B2 (en) | Method for fabricating a CMOS image sensor | |
US20120049169A1 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
CN109461745B (zh) | 图像感测器及其制造方法 | |
JP2014060380A (ja) | 光電変換装置 | |
TWI548084B (zh) | 有機發光裝置 | |
US20150132919A1 (en) | Photomask and method for forming dual sti structure by using the same | |
US20160035769A1 (en) | Imaging apparatus and imaging system | |
US9093578B2 (en) | Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and camera | |
JP2005167215A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP5262212B2 (ja) | フォトセンサーアレイ基板 | |
JP2008251609A (ja) | フォトセンサーおよびその製造方法 | |
US20060141654A1 (en) | Method for fabricating a CMOS image sensor | |
WO2016078248A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
JP6168915B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US11158657B2 (en) | Ray detector array substrate, manufacturing method thereof, and ray detector | |
JP2008251610A (ja) | フォトセンサーおよびその製造方法 | |
JP5488525B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
US20100167459A1 (en) | Method for fabricating cmos image sensor | |
US8039286B2 (en) | Method for fabricating optical device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141024 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150324 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5728451 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |