JP2014045172A - 波長可変レーザの制御方法、波長可変レーザの制御データ構造、および波長可変レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 波長可変レーザの制御方法は、波長検知部による波長の検知結果と目標値との差に基づいて、発振波長を制御する波長可変レーザの制御方法であって、メモリから、第1波長でレーザ発振させるための前記波長可変レーザの駆動条件を取得する第1ステップと、前記第1波長の前記駆動条件と、前記第1波長と前記第1波長とは異なる第2波長との波長差分とを参照して、前記第2波長で前記波長可変レーザを駆動するための駆動条件を算出する第2ステップと、を含み、前記第2ステップによって得られた駆動条件に基づいて、前記波長可変レーザを駆動することを特徴とする。
【選択図】 図9
Description
Standardization Sector)によって定められたグリット波長(以下グリット波長とする)を得るための制御条件をメモリに格納し、この格納された制御条件を基にグリット波長の何れかの波長で発振させる制御を実施するものである。このためグリット波長以外の波長で発振させる制御を行うことはできない。グリット波長以外の波長で発振できるようにするためには、波長毎に制御条件をメモリに記憶させる必要があるが、データが膨大になるので現実的ではない。また、それら制御条件を取得するためには、出荷前の試験においてチューニングを行う必要があるが、そのために要する時間も膨大になることから現実的でない。
cooler)として機能する。第1サーミスタ32は、第1温度制御装置31上に配置されている。第1サーミスタ32は、第1温度制御装置31の温度を検出する。第1サーミスタ32の検出温度に基づいて、半導体レーザ30の温度を特定することができる。
cooler)として機能する。
Tetln_A=Tetln_B+ΔF/C1 (1)
第2温度制御装置54の温度を設定温度Tetln_Aに制御することによって、比Im3/Im2をそのまま利用して、要求波長を得ることが可能となる。
C2=A×f+B (2)
Tetln_A=Tetln_B+ΔF/C2 (3)
つぎに、ステップS7において、第1サーミスタ32の温度TH1が設定範囲に到達して「Yes」の判定がなされ、且つステップS8において、第2サーミスタ56の温度TH2が設定範囲に到達して「Yes」の判定がなされた場合、半導体レーザ30のSOAに駆動電流が注入され、半導体レーザ30から出力光が出力される。この動作は、シャッタオープン動作である(ステップS51)。
31 第1温度制御装置
32 第1サーミスタ
40 出力検知部
41 ビームスプリッタ
42 第1受光素子
50 波長ロッカ部
51 ビームスプリッタ
52 第2受光素子
53 エタロン
54 第2温度制御装置
55 第3受光素子
56 第2サーミスタ
60 メモリ
70 コントローラ
100 波長可変レーザ
Claims (17)
- 波長検知部による波長の検知結果と目標値との差に基づいて、発振波長を制御する波長可変レーザの制御方法であって、
メモリから、第1波長でレーザ発振させるための前記波長可変レーザの駆動条件を取得する第1ステップと、
前記第1波長の前記駆動条件と、前記第1波長と前記第1波長とは異なる第2波長との波長差分とを参照して、前記第2波長で前記波長可変レーザを駆動するための駆動条件を算出する第2ステップと、を含み、
前記第2ステップによって得られた駆動条件に基づいて、前記波長可変レーザを駆動することを特徴とする波長可変レーザの制御方法。 - 前記第2ステップは、前記波長検知部における波長特性の制御値あるいは前記目標値を算出するものであることを特徴とする請求項1記載の波長可変レーザの制御方法。
- 前記波長検知部は、エタロンを備え、
前記第2ステップは、前記第1波長を得るための前記目標値において、前記第2波長を得ることができる前記エタロンの波長特性の制御値を算出するステップであることを特徴とする請求項2記載の波長可変レーザの制御方法。 - 前記エタロンの波長特性の制御値を算出するステップは、前記エタロンの温度の制御値を算出するステップであることを特徴とする請求項3記載の波長可変レーザの制御方法。
- 前記波長可変レーザは、半導体利得素子を備え、
前記エタロンは、前記半導体利得素子と共通の温度制御装置に搭載されてなることを特徴とする請求項3または4記載の波長可変レーザの制御方法。 - 前記第1波長で前記波長可変レーザを発振させる制御を実行した後に、前記第2ステップで算出された駆動条件によって、前記波長可変レーザを駆動することを特徴とする請求項1乃至5記載の波長可変レーザの制御方法。
- 前記波長可変レーザは、温度によって波長を変化させることのできる半導体レーザを備え、
前記第2ステップにおいては、さらに前記第1波長を実現するための前記半導体レーザの温度条件に基づいて、前記第2波長を実現するための前記半導体レーザの温度条件を算出することを特徴とする請求項2乃至6記載の波長可変レーザの制御方法。 - 前記波長可変レーザは、光出力制御部を備え、
前記波長検知部は、前記光出力制御部の出力を検知するものであり、
前記波長検知部が前記第2波長を検知した後に、前記光出力制御部の光出力を増大させる制御をなすことを特徴とする請求項2乃至7記載の波長可変レーザの制御方法。 - 前記第2ステップは、前記目標値を算出するものであり、
前記波長検知部は、エタロンを備え、
前記算出された目標値に基づいて前記エタロンの検知レンジを切り替える制御をなすことを特徴とする請求項2乃至8記載の波長可変レーザの制御方法。 - 前記メモリは、レーザ発振させるための駆動条件を異なる波長ごとに複数格納してなり、
前記第1ステップは、前記格納された駆動条件の中から前記第1波長における駆動条件を選択するステップを含むことを特徴とする請求項1乃至9記載の波長可変レーザの制御方法。 - 前記第1ステップに先立ち、前記第2波長を指示する情報に基づいて前記第1波長を決定するステップが実行されることを特徴とする請求項10記載の波長可変レーザの制御方法。
- 前記第1ステップに先立ち、前記第1波長を指示する情報と前記第1波長と第2波長との波長差分を指示する情報とを得るステップが実行されることを特徴とする請求項10記載の波長可変レーザの制御方法。
- 波長可変レーザを発振させるための駆動条件を異なる波長ごとに複数格納してなる第1データテーブルと、
前記駆動条件の波長変化に対する変化率を格納してなる第2データテーブルと、を具備してなることを特徴とする波長可変レーザの制御データ構造。 - 前記第2データテーブルには、前記波長可変レーザの波長検知部が備えるエタロンの温度の波長変化量に対する変化率が格納されてなることを特徴とする請求項13記載の波長可変レーザの制御データ構造。
- 出力波長を制御可能な波長可変レーザであって、
第1波長でレーザ発振させるための波長可変レーザの駆動条件と、前記第1波長と前記第1波長とは異なる第2波長との波長差分とに基づき、前記第2波長で前記波長可変レーザを駆動するための駆動条件を算出する制御と、前記算出された駆動条件に基づいて、前記波長可変レーザを前記第2波長で発振させる制御と、を行うコントローラを含むことを特徴とする波長可変レーザ。 - 波長可変帯域内における離散的な複数の波長ごとに、その駆動条件を格納したメモリと、
指示された要求波長が、前記離散的な複数の波長の間の波長である場合には、当該波長を実現するための駆動条件を演算によって取得して、前記要求波長における駆動制御をなす制御部と、を備えることを特徴とする波長可変レーザ。 - 前記要求波長は、前記離散的な複数の波長の間の帯域全域において受容されることを特徴とする請求項16記載の波長可変レーザ。
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