JP2014045049A - 半導体装置の製造方法およびエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板110の主面の上に、バッファ層120と、GaN層130と、AlGaN層140と、を形成する。次に、ソース電極S1およびドレイン電極D1を形成する。次に、AlGaN層140の一部と、ソース電極S1およびドレイン電極D1を、マスク層M1で覆う。そして、基板110の温度を200℃以上600℃以下の範囲内とした状態で、AlGaN層140にCl2 を用いてドライエッチングを行うことにより、AlGaN層140の厚みの一部を除去して凹部を形成する。
【選択図】図1
Description
1.半導体装置(横型構造)
第1の実施形態について説明する。本実施形態のパワーデバイス100の構造を図1に示す。パワーデバイス100は、ノーマリオフ型のHEMTである。図1に示すように、パワーデバイス100は、横型構造の半導体装置である。パワーデバイス100は、基板110と、バッファ層120と、GaN層130と、AlGaN層140と、ゲート電極G1と、ソース電極S1と、ドレイン電極D1と、を有している。
次に、エッチング装置について説明する。エッチング装置は、AlGaN層140に凹部141を形成するために用いられるものである。エッチング装置1000の概略構成を図2に示す。エッチング装置1000は、反応室1100と、加熱ステージ1210と、電圧印加部1220と、隔壁1310と、ガス室1330と、ガス供給部1340と、を有している。
本実施形態ではエッチング方法に特徴がある。表1に示すように、エッチングガスとしてCl2 を含むガスを用いて、III 族窒化物系化合物半導体から成る半導体層にドライエッチングを施す。
エッチング処理を施す前に、マスク層を形成する。ここでは、半導体層の上に下部層を形成し、その下部層の上に上部層を形成する。下部層の材質として、カーボン膜が挙げられる。または、窒化膜であってもよい。基板温度を300℃以上600℃以下の範囲内とするため、この温度範囲でも耐熱性のある材質であればよい。上部層の材質として、有機レジストが挙げられる。
エッチングガスは、He、Ne、Ar、Kr、Xe、Rn等の希ガスを含んでいてもよい。そして、還元性を有するH2 、O2 、N2 、CCl3 、BCl3 、SiCl4 を含んでいてもよい。したがって、Cl2 を含むエッチングガスとして、Cl2 とArとの混合ガス、Cl2 とH2 とArとの混合ガス、Cl2 とBCl3 との混合ガス、Cl2 とN2 との混合ガス等、が挙げられる。もちろん、これらに限らない。
エッチング条件
エッチングガス Cl2 を含むガス
基板の温度 200℃以上600℃以下
次に、マスク層を除去する。水素を含むプラズマやプラズマで生成させた水素原子を用いることにより、マスク層を除去することができる。なお、GaNでは、エッチング後に温度を室温にして水素原子を曝露すると、フォトルミネッセンスの光学特性が改善する。
ここで、半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態の半導体装置の製造方法は、リセス構造を形成するためのエッチング方法に特徴がある。
基板110の主面に、バッファ層120、GaN層130、AlGaN層140の順に、半導体層を形成する。その際に、有機金属化学気相成長法(MOCVD法)を用いる。キャリアガスとして、水素ガスや窒素ガスを用いる。窒素源としてアンモニアを、Ga源としてトリメチルガリウム(TMG)を、Al源としてTMA(トリメチルアルミニウム)を、それぞれ用いる。これにより、図3に示すように、基板110の上に半導体層を形成した積層体が作製される。
次に、図4に示すように、AlGaN層140の上にソース電極S1およびドレイン電極D1を形成する。
次に、AlGaN層140に凹部141を形成する。まず、図5に示すように、凹部141を形成する箇所を除いて、マスク層M1を形成する。マスク層M1は、凹部141を形成する箇所を除いたAlGaN層140の表面と、ソース電極S1と、ドレイン電極D1と、を覆っている。
次に、AlGaN層140の凹部141の箇所にゲート電極G1を形成する。このとき、凹部141の内側の全体を埋めるように、ゲート電極G1を形成する。そして、ゲート電極G1の少なくとも一部は、AlGaN層140の表面に露出している。以上により、図1に示したパワーデバイス100が製造される。なお、適宜、熱処理工程を行うとよい。この熱処理により、電極と半導体層との間の接触抵抗が小さくなる。また、各半導体層を活性化することもできる。
図7に従来のパワーデバイスの一例を示す。従来では、図7に示すように、エッチングにより形成された凹部の箇所に損傷が見られる。具体的には、Gaが多いGa過剰領域や、Nが多いN過剰領域が凹部の表面近傍に形成されて、表面組成が変化している。また、結晶中に欠陥が生じて、半導体層の結晶性が劣化している。後述する実験のところで示すように、本実施形態のパワーデバイス100では、従来のパワーデバイスで生じるような損傷は、ほとんどみられない。
6−1.試料
次に、本実施形態のエッチング方法について行った実験について説明する。まず、試料について説明する。表2に示すように、試料は、サファイア基板にn型GaN層を形成したものである。そのために、有機金属化学気相成長法(MOCVD法)を用いた。ドーピングに、Siを用いた。n型GaN層の膜厚は、5μmである。
試料
基板 サファイア基板
半導体層 n型GaN層
半導体層の膜厚 5μm
次に、エッチング条件について説明する。表3に示すように、エッチングに用いたガスは、Cl2 ガスとArガスである。実施例では、Cl2 ガスを用いてエッチングした。この場合、エッチング処理を施すエッチング時間を、2分とした。比較例では、Arガスを用いてエッチングした。この場合、エッチング処理を施すエッチング時間を、10分とした。
エッチング条件1
エッチングガスの種類 エッチング時間
実施例 Cl2 2分
比較例 Ar 10分
エッチング条件2
ガスの流量 50sccm
反応室の内部の圧力 10Pa
RFパワー 60W
交流電圧の周波数 13.56MHz
基板温度 300℃以上600℃以下
この実験において、変化させたパラメータは、基板温度である。表4に示すように、基板温度を300℃以上600℃以下の範囲内で100℃刻みで変化させた。そして、それぞれの場合について、フォトルミネッセンス測定、XPS測定、AFM測定を実施した。
フォトルミネッセンス測定(PL測定)により、n型GaN層の凹部に生じる格子欠陥について調べた。その際に、励起光源として波長325nmのHe−Cdレーザーを用いた。実験環境は、室温である。図8にフォトルミネッセンス測定(PL測定)の結果を示す。なお、図8では、基板温度を600℃としてエッチングを施した場合を示している。図8に示すように、実施例では、BL成分(3.4eV周辺)の大きなピークがあるが、YL成分(2.3eV周辺)はほとんどない。比較例では、BL成分(3.4eV周辺)の大きなピークとともに、YL成分(2.3eV周辺)のなだらかなピークが存在する。
X線光電子分光による測定(XPS測定)により、表面組成比について調べた。図10にCl2 ガスを用いた場合、すなわち、実施例における表面組成比を示す。図10に示すように、この場合には、基板温度が300℃以上600℃以下の範囲内のいずれの場合もほぼ同様の傾向にある。つまり、Gaの組成比が40%程度である。また、Nの組成比が40%程度である。そして、Oの組成比が20%程度である。このためGaの組成比に対するNの組成比(Nの組成比/Gaの組成比)が、基板温度が300℃以上600℃以下の範囲内で80%以上である。なお、光電子脱出角度は90°である。
図14に原子間力顕微鏡(AFM)を用いた測定による凹部141の表面写真を示す。基板温度が300℃のときには、実施例(Cl2 ガス)および比較例(Arガス)のいずれの場合においても、凹部141の表面に荒れはほとんど生じなかった。一方、基板温度が600℃のときには、実施例(Cl2 ガス)では、ピットが発生し、比較例(Arガス)では、表面荒れが発生した。
実施例(Cl2 ガス)におけるエッチングレートを図15に示す。図15に示すように、基板温度が300℃のときには、エッチングレートは293nm/minである。基板温度が600℃のときには、エッチングレートは534nm/minである。このように、エッチング処理時における基板温度が高いほどエッチングレートは速い。
7−1.製造工程
本実施形態では、ソース電極S1およびドレイン電極D1を形成後に、マスク層を形成して、エッチングの実施によりAlGaN層140に凹部141を設けることとした。しかし、AlGaN層140に凹部141を形成した後に、ソース電極S1、ドレイン電極D1、ゲート電極G1を形成することとしてもよい。
本実施形態では、ゲート電極G1がAlGaN層140に接触しているパワーデバイス100について説明した。しかし、図16に示すように、絶縁ゲート型のパワーデバイス200についても同様に適用することができる。その場合には、本実施形態のエッチング処理を施してAlGaN層140に凹部241を形成する。そして、凹部241の底面および内側面に絶縁膜250を形成する(絶縁膜形成工程)。また、AlGaN層140の露出面をも絶縁膜で覆うこととしてもよい。そして、ゲート電極G2を、絶縁膜250の上に形成する(電極形成工程)。その形成する位置は、絶縁膜250を挟んで凹部241と対面する位置である。
また、上記の変形例を互いに組み合わせて用いてもよい。
以上詳細に説明したように、本実施形態のエッチング方法は、III 族窒化物系化合物半導体の表面に、III 族窒化物系化合物半導体の温度を300℃以上600℃以下の範囲内とした状態で、III 族窒化物系化合物半導体にCl2 を用いてドライエッチングを行う方法である。これにより、そのIII 族窒化物系化合物半導体の厚みの一部を除去するエッチング方法が実現されている。
1.半導体装置(縦型構造)
第2の実施形態について説明する。本実施形態のパワーデバイス300の構造を図17に示す。パワーデバイス300は、npn型トランジスタである。図17に示すように、パワーデバイス300は、縦型構造の半導体装置である。パワーデバイス300は、図17に示すように、基板310と、n型GaN層320と、p型GaN層330と、n型GaN層340と、絶縁膜350と、ゲート電極G3と、ソース電極S3と、ドレイン電極D3と、を有している。
パワーデバイス300を製造する場合も、基板310の上に各半導体層を形成する(半導体層形成工程)。そして、凹部341を形成する(エッチング工程)。また、凹部341の箇所に絶縁膜350を形成する(絶縁膜形成工程)。そして、ドレイン電極D3を形成するとともに、ソース電極S3およびゲート電極G3を形成する(電極形成工程)。
第2の実施形態においても、第1の実施形態で説明した全ての変形例を適用することができる。なお、絶縁膜のない縦型構造の半導体装置にも適用することができる。
以上詳細に説明したように、本実施形態のエッチング方法は、III 族窒化物系化合物半導体の表面に、III 族窒化物系化合物半導体の温度を300℃以上600℃以下の範囲内とした状態で、III 族窒化物系化合物半導体にCl2 を用いてドライエッチングを行う方法である。これにより、そのIII 族窒化物系化合物半導体の厚みの一部を除去するエッチング方法が実現されている。
110…基板
120…バッファ層
130…GaN層
140…AlGaN層
150…絶縁膜
G1…ゲート電極
S1…ソース電極
D1…ドレイン電極
200…パワーデバイス
G2…ゲート電極
300…パワーデバイス
310…基板
320…n型層
330…p型層
340…n型層
350…絶縁膜
G3…ゲート電極
S3…ソース電極
D3…ドレイン電極
Claims (4)
- 基板の主面にIII 族窒化物系化合物半導体から成る半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層に凹部を形成する凹部形成工程と、
を有する半導体装置の製造方法において、
前記凹部形成工程では、
前記基板の温度を200℃以上600℃以下の範囲内とした状態で、
Cl2 を含むガスを用いてドライエッチングを行うことにより前記半導体層の厚みの一部を除去して前記半導体層に凹部を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記凹部形成工程は、
前記半導体層の上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、
前記マスク層を形成した前記半導体層にエッチングを施すエッチング工程と、
前記マスク層を除去するマスク層除去工程と、
を有し、
前記マスク層形成工程では、
前記半導体層の上に下部層を形成した後に前記下部層の上に上部層を形成し、
前記上部層にパターニングを施し、
パターニング済みの前記上部層をマスクとして前記下部層にパターンを転写することにより前記マスク層を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記凹部形成工程の後に、
前記凹部に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜の上にゲート電極を形成する電極形成工程と、
を有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - III 族窒化物系化合物半導体をエッチングするエッチング方法において、
前記III 族窒化物系化合物半導体の温度を200℃以上600℃以下の範囲内とした状態で、
Cl2 を含むガスを用いてドライエッチングを行うことにより前記III 族窒化物系化合物半導体の厚みの一部を除去すること
を特徴とするエッチング方法。
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