JP6019558B2 - 窒化物電子デバイス、窒化物電子デバイスを作製する方法 - Google Patents
窒化物電子デバイス、窒化物電子デバイスを作製する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6019558B2 JP6019558B2 JP2011211456A JP2011211456A JP6019558B2 JP 6019558 B2 JP6019558 B2 JP 6019558B2 JP 2011211456 A JP2011211456 A JP 2011211456A JP 2011211456 A JP2011211456 A JP 2011211456A JP 6019558 B2 JP6019558 B2 JP 6019558B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- group iii
- electronic device
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 146
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 232
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 128
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 109
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 67
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 55
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 54
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 42
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 32
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 22
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N (2s)-2-aminopentanedioic acid;hydrochloride Chemical class Cl.OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 391
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 46
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 46
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000047 product Substances 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 11
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004140 HfO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 peroxide Hydrogen oxide Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
発明者らの実験において、導電性の基板を用いた縦型トランジスタ構造を形成している。この導電性基板上に、n−型GaNドリフト層、p型GaN電流ブロック層、n+型GaNコンタクト層のための3つのGaN膜を順に成長する。この後に、n+型GaN膜からn−型GaN膜に至る斜面を反応性イオンエッチング(RIE)により形成する。エッチングにより形成されたGaN傾斜面上に、成長炉でチャネル層及びバリア層を再成長する。チャネル層は、GaN傾斜面と再成長エピ界面を形成する。
窒化ガリウム膜を有機金属気相成長(MOCVD)法により成膜する。ガリウム原料としてトリメチルガリウム(TMG)、アルミニウム原料としてトリメチルアルミニウム(TMA)を用いる。窒素原料としては、高純度アンモニアを用いる。キャリアガスとしては、純化した水素を用いる。高純度アンモニアの純度は、99.999%以上、純化水素の純度は99.999995%以上である。n型ドーパントとして水素ベースのシランを用い、p型ドーパントとしてビスシクロペンタジエニルマグネシウムを用いる。
エピタキシャル基板の構造。
n型ドリフト層:厚さ5μm、キャリア濃度1×1016cm−3。
p型電流ブロック層:厚さ0.5μm、Mgドープ、Mg濃度1×1018cm−3。
n型キャップ層:厚さ0.2μm、Siドープ、キャリア濃度1×1018cm−3。
上記の成長により、エピタキシャル基板が作製され、このエピタキシャル基板は、上記のようなnpn構造を有する。npn構造には、開口のためのパターンを有するレジストマスクをフォトリソグラフィを用いてエピ表面に形成した後に、インダクティブ・カップリング・プラズマ−反応性イオンエッチング(ICP−RIE)によりnpn構造を加工して、斜面を有する基板生産物を形成する。レジストマスクを除去した後に基板洗浄を実施する。この後に、基板生産物を成長炉に配置して、チャネル層及びバリア層の再成長を行う。
・トランジスタの作製。
実験例1と同様にエピタキシャル成長によりnpn構造を成長する。この後に、反応性イオンエッチング(RIE)により、斜面を有する開口を上記のnpn構造に形成する。エッチングにより形成された斜面におけるドナー性欠陥の濃度を低減するために、発明者らは検討を行っている。
・トランジスタの作製。
実験例1と同様にnpn構造を成長した後に、RIEでnpn構造をエッチングして、npn構造に斜面を形成する。その後に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(濃度24パーセント)による第1処理及びフッ化水素及び過酸化水素(HF(50%):H2O2=5:1)の混合液による第2処理を行う。これらの処理を施した後に、実験例1と同様にアンドープGaN層及びアンドープAlGaN層の再成長を行ってHEMTエピ構造を形成する。このHEMTエピ構造に、実験例1と同様に電極を形成して、トランジスタを形成する。図13は、このトランジスタのId−Vd特性を示す。図13を参照すると、ドレインリークが改善されており、ゲートバイアス(Vg)に対してドレイン電流(Id)が変調される。優れた特性でトランジスタが動作している。再成長界面におけるドナー性欠陥の濃度を低減することにより、ドレイン耐圧が改善される。図11の(b)部に示されるように、低い濃度のドナー性欠陥を含む再成長界面におけるバンド構造では、ゲート電極からの電界が、チャネル層とキャリア供給層とのヘテロ界面において二次元電子ガスの生成を制御できる。また、このトランジスタは、第1及び第2処理を適用せずに作成されたトランジスタに比べて優れたサブスレシュホルド特性を示す。さらに、上記の実験例ではGaN基板上に多数のトランジスタが作成され、これらのトランジスタのId−Vd特性のばらつきが縮小される。
支持基体13:n型GaN(キャリア濃度:1×1019cm−3)。
薄い半導体層17:ドナー性欠陥を含むGaN(ドナー性欠陥濃度:5×1017cm−3以下)。
チャネル層19:アンドープGaN(キャリア濃度:1×1015m−3、厚さ:30nm)。
キャリア供給層21:アンドープAlGaN(厚さ:30nm、Al組成比0.25)。
n型半導体層29:n型GaN(キャリア濃度:1×1018m−3、厚さ:0.3μm)。
電流ブロックト層27:p+型GaN(キャリア濃度:1×1018m−3、厚さ:0.5μm)。
ドリフト層25:アンドープGaN(キャリア濃度:1×1015m−3、厚さ:5μm)。
このヘテロ接合トランジスタによれば、実用的な構造の一例が提供される。この窒化物半導体電子デバイスによれば、ソース電極31からドリフト層25までの電流経路における抵抗増加を避けることができる。なお、ヘテロ接合トランジスタ11は、キャリア供給層21とゲート電極23との間に設けられた絶縁膜を更に備えてもよい。この絶縁膜を介してキャリア供給層21及びチャネル層19に電界が及ぶ。
Claims (15)
- 窒化物電子デバイスを作製する方法であって、
n型III族窒化物半導体からなる自立基板の主面の上に、ドリフト層、電流ブロック層及びコンタクト層のための第1、第2及び第3のIII族窒化物半導体層を順に設けたエピタキシャル基板を準備する工程と、
前記第3のIII族窒化物半導体層から前記第2のIII族窒化物半導体層を介して前記第1のIII族窒化物半導体層に至る斜面を有する開口をエッチングにより前記エピタキシャル基板に形成して、前記ドリフト層、前記電流ブロック層及び前記コンタクト層並びに前記開口の斜面を含む半導体積層を形成する工程と、
前記半導体積層を形成した後に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む第1溶液を用いた第1処理を前記半導体積層に行って第1処理面を形成すると共に、該第1処理の後に、フッ化水素酸及び過酸化水素を含む第2溶液を用いた第2処理を前記半導体積層の前記第1処理面に行って、前記第1処理及び前記第2処理による処理面を前記半導体積層に形成する工程と、
前記半導体積層の前記処理面の上に、窒化ガリウム系半導体からなるチャネル層及びIII族窒化物からなるキャリア供給層をエピタキシャル成長して、基板生産物を形成する工程と、
を備え、
前記キャリア供給層の前記III族窒化物のバンドギャップは、前記チャネル層の前記窒化ガリウム系半導体のバンドギャップより大きく、
前記第1及び第3のIII族窒化物半導体層はn導電性を有し、
前記第2のIII族窒化物半導体層はp導電性を有する、窒化物電子デバイスを作製する方法。 - 前記電流ブロック層に到達するコンタクトホールを前記半導体積層に形成する工程と、
前記コンタクトホールを形成した後に、前記半導体積層の前記コンタクト層の上に電極を形成する工程と、
を備える、請求項1に記載された窒化物電子デバイスを作製する方法。 - 前記第2溶液では、フッ化水素酸及び過酸化水素の容量比に関して、(フッ化水素酸)/(過酸化水素)≧5である、請求項1又は請求項2に記載された窒化物電子デバイスを作製する方法。
- 前記自立基板の前記主面は、前記n型III族窒化物半導体のc面に対して−0.7度以上−0.1度以下又は+0.1度以上+0.7度以下の角度である、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載された窒化物電子デバイスを作製する方法。
- 前記自立基板の前記主面は実質的にc面である、請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載された窒化物電子デバイスを作製する方法。
- 前記第1処理において、前記第1溶液の温度は、摂氏50度以上であり、摂氏100度未満である、請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載された窒化物電子デバイスを作製する方法。
- 前記第1処理において、前記第1溶液の濃度は、5パーセント以上であり、50パーセント以下である、請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載された窒化物電子デバイスを作製する方法。
- 前記チャネル層及び前記キャリア供給層の材料の組み合わせは、チャネル層/キャリア供給層として記載したとき、InGaN/AlGaN、GaN/AlGaN及びAlGaN/AlNのいずれかである、請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載された窒化物電子デバイスを作製する方法。
- 前記第1〜第3のIII族窒化物半導体層の材料の組み合わせは、第3のIII族窒化物半導体層/第2のIII族窒化物半導体層/第1のIII族窒化物半導体層として記載したとき、n+型GaN/p型GaN/n型GaNまたはn+型GaN/p型AlGaN/n型GaNである、請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載された窒化物電子デバイスを作製する方法。
- 前記チャネル層及び前記キャリア供給層をエピタキシャル成長した後に、前記基板生産物の上に前記開口の前記斜面にゲート電極を形成する工程を備える、請求項1〜請求項9のいずれか一項に記載された窒化物電子デバイスを作製する方法。
- 前記チャネル層及び前記キャリア供給層をエピタキシャル成長した後に、前記基板生産物の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を形成した後に、前記開口の前記斜面にゲート電極を形成する工程と、
を備える、請求項1〜請求項10のいずれか一項に記載された窒化物電子デバイスを作製する方法。 - 前記半導体積層の前記処理面のドナー性不純物の濃度は5×1017cm−3以下である、請求項1〜請求項11のいずれか一項に記載された窒化物電子デバイスを作製する方法。
- 前記チャネル層はアンドープ窒化ガリウム系半導体層を含み、
前記チャネル層の厚さは20nm以上であり、400nm以下である、請求項1〜請求項12のいずれか一項に記載された窒化物電子デバイスを作製する方法。 - 前記電流ブロック層の第2のIII族窒化物半導体はp型GaNであり、
前記電流ブロック層の膜厚は0.1μm以上であり、2.0μm以下であり、
前記電流ブロック層のp型GaNにはマグネシウム(Mg)が添加されており、
前記電流ブロック層のMg濃度は、5×1016cm−3以上であり、5×1018cm−3 以下である、請求項1〜請求項13のいずれか一項に記載された窒化物電子デバイスを作製する方法。 - 前記自立基板の上にドレイン電極を形成する工程を備える請求項1〜請求項14のいずれか一項に記載された窒化物電子デバイスを作製する方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011211456A JP6019558B2 (ja) | 2011-09-27 | 2011-09-27 | 窒化物電子デバイス、窒化物電子デバイスを作製する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011211456A JP6019558B2 (ja) | 2011-09-27 | 2011-09-27 | 窒化物電子デバイス、窒化物電子デバイスを作製する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013074061A JP2013074061A (ja) | 2013-04-22 |
JP6019558B2 true JP6019558B2 (ja) | 2016-11-02 |
Family
ID=48478317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011211456A Expired - Fee Related JP6019558B2 (ja) | 2011-09-27 | 2011-09-27 | 窒化物電子デバイス、窒化物電子デバイスを作製する方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6019558B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6828595B2 (ja) * | 2017-05-29 | 2021-02-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008108844A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Toyota Central R&D Labs Inc | トレンチ構造またはメサ構造を有するiii族窒化物半導体装置およびその製造方法 |
JP5266679B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2013-08-21 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物電子デバイス |
JP2011035066A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物半導体素子、及び窒化物半導体素子を作製する方法 |
JP5353735B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2013-11-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-09-27 JP JP2011211456A patent/JP6019558B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013074061A (ja) | 2013-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2012164750A1 (ja) | 窒化物電子デバイス、窒化物電子デバイスを作製する方法 | |
JP5590874B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP4786730B2 (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
JP5495257B2 (ja) | Iii族窒化物系電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2007165431A (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
EP2346071A1 (en) | Compound semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US8030638B2 (en) | Quasi single crystal nitride semiconductor layer grown over polycrystalline SiC substrate | |
JP2010192633A (ja) | GaN系電界効果トランジスタの製造方法 | |
JP2009164235A (ja) | 窒化物半導体素子およびその製造方法 | |
JP2011044647A (ja) | Iii族窒化物系電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JP6731584B2 (ja) | 窒化物半導体装置および窒化物半導体基板 | |
JP4776162B2 (ja) | 高電子移動度トランジスタ及び高電子移動度トランジスタの製造方法 | |
JP2010166027A (ja) | GaN系電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2016207748A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
US9515146B2 (en) | Nitride semiconductor layer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor layer | |
JP5460751B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2012137309A1 (ja) | 窒化物電子デバイスを作製する方法 | |
JP2012004486A (ja) | 窒化物半導体装置及び窒化物半導体装置の製造方法 | |
JP2011129607A (ja) | GaN系MOS型電界効果トランジスタ | |
JP5560866B2 (ja) | 窒化物電子デバイス、窒化物電子デバイスを作製する方法 | |
JP6028970B2 (ja) | 半導体装置の製造方法およびエッチング方法 | |
JP6019558B2 (ja) | 窒化物電子デバイス、窒化物電子デバイスを作製する方法 | |
JP2010165783A (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
JP7057473B1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2013062442A (ja) | 窒化物半導体電子デバイス、窒化物半導体電子デバイスを作製する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160404 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6019558 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |