JP2014041961A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014041961A JP2014041961A JP2012184144A JP2012184144A JP2014041961A JP 2014041961 A JP2014041961 A JP 2014041961A JP 2012184144 A JP2012184144 A JP 2012184144A JP 2012184144 A JP2012184144 A JP 2012184144A JP 2014041961 A JP2014041961 A JP 2014041961A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- region
- distance
- impurity concentration
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 236
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 38
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 48
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 2
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7816—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
- H01L29/7835—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's with asymmetrical source and drain regions, e.g. lateral high-voltage MISFETs with drain offset region, extended drain MISFETs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0642—Isolation within the component, i.e. internal isolation
- H01L29/0649—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps
- H01L29/0653—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps adjoining the input or output region of a field-effect device, e.g. the source or drain region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0692—Surface layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
- H01L29/1029—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors
- H01L29/1033—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure
- H01L29/1041—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure with a non-uniform doping structure in the channel region surface
- H01L29/1045—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure with a non-uniform doping structure in the channel region surface the doping structure being parallel to the channel length, e.g. DMOS like
Abstract
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1導電形の第1半導体層と、相互に離隔した第1領域及び第2領域のそれぞれにおいて、前記第1半導体層上の一部に設けられた第2導電形の第2半導体層と、を備える。そして、前記第1領域における前記第4半導体層と前記第6半導体層とを結ぶ方向における前記第1絶縁膜の両端間の第1距離は、前記第2領域における前記第1距離よりも長く、前記第1領域における前記第2絶縁膜の前記第2半導体層の内周側の端縁と前記第3半導体層の前記第2半導体層の外周側の端縁との第2距離は、前記第2領域における前記第2距離よりも短い。
【選択図】図1
Description
先ず、第1の実施形態について説明する。
図1(a)及び(b)は、本実施形態に係る半導体装置を例示する断面図である。
図1(a)及び(b)は、同じ半導体基板上の相互に異なる領域を示している。
本実施形態に係る半導体装置は、耐圧水準が相互に異なる複数のDMOSが混載された半導体装置であり、例えば、モータドライバ若しくは電源等でスイッチング素子として用いられる半導体装置、又は、オーディオアンプでアナログ出力素子として用いられる半導体装置である。
ディープnウェル12上の一部には、n形ウェル13が設けられている。n形ウェル13の導電形はn形であり、n形ウェル13の実効的な不純物濃度は、ディープnウェル12の実効的な不純物濃度よりも高い。なお、本明細書において「実効的な不純物濃度」とは、半導体材料の導電に寄与する不純物の濃度をいい、例えば、半導体材料にドナーとなる不純物とアクセプタとなる不純物の双方が含有されている場合には、ドナーとアクセプタの相殺分を除いた分の濃度をいう。
上述の如く、DMOS領域Raに形成されたDMOS40aと、DMOS領域Rbに形成されたDMOS40bとの間で、層構造は同じである。但し、寸法の一部が異なっている。
図1(a)及び(b)に示すように、DMOS40aとDMOS40bとの間では、距離X、すなわち、SD方向におけるフィールド絶縁膜21の長さが相互に異なっており、Xa>Xbとなっている。このため、DMOS40aにおけるソース・ドレイン間の電流経路は、DMOS40bにおけるソース・ドレイン間の電流経路よりも長い。この結果、DMOS40aのソース・ドレイン間の耐圧(以下、「SD耐圧」ともいう)は、DMOS40bのSD耐圧よりも高い。これにより、半導体装置1には、SD耐圧が相互に異なる2種類のDMOSが混載されている。この結果、回路の使用用途によって適切な耐圧系のDMOSを使うことができるため、チップサイズの最適化を図ることができる。
図2に示すように、DMOS40の基板耐圧は、p形層11とディープnウェル12との間のpnジャンクション耐圧と、p形層11をコレクタとし、ディープnウェル12とベースとし、p形ウェル16及びp+形ドレイン層17をエミッタとした寄生pnpバイポーラトランジスタ41のコレクタ−エミッタ間耐圧のうち、低い方の耐圧によって決まる。pnジャンクション耐圧は、ディープnウェル12とp+形素子分離領域18との距離によって決まるため、この距離を充分に長くしておけばよい。
図3(a)〜(e)は、本実施形態に係る半導体装置の動作を例示するシミュレーション結果であり、(a)は不純物分布を示し、(b)は電界分布を示し、(c)はインパクトイオンによる電流分布を示し、(d)は正孔電流分布を示し、(e)は電子電流分布を示す。
図3(b)〜(e)は、パンチスルーが発生していない状態を示す。
図4は、本実施形態に係る半導体装置の動作を例示するシミュレーション結果であり、パンチスルーが発生した状態の正孔電流分布を示す。
図5に示すように、シミュレーションの結果、距離Xが一定であれば、距離Yが長くなるほど、基板耐圧が向上した。
図6(a)及び(b)は、本比較例に係る半導体装置を例示する断面図である。
図6(a)及び(b)は、同じ半導体基板上の相互に異なる領域を示している。
図6(a)及び(b)に示すように、本比較例に係る半導体装置101においては、DMOS領域RaとDMOS領域Rbとの間で、距離Yを固定している。このため、所望のSD耐圧を得るために、距離Xを調整すると、距離Zが距離Xに連動してしまう。すなわち、Ya=Ybとしているため、Xa>Xbとすると、Za>Zbとなってしまう。この結果、基板耐圧が変化してしまう。このように、本比較例に係る半導体装置101においては、SD耐圧と基板耐圧を独立して制御できず、SD耐圧を低く設定したDMOSほど、基板耐圧が低くなってしまう。このため、半導体装置101全体として、必要な基板耐圧を確保できなくなる可能性が高い。
図7(a)は、本実施形態に係る半導体装置を例示する平面図であり、(b)は(a)に示すA−A’線による断面図である。
図7(a)及び(b)に示すように、本実施形態に係る半導体装置2においては、前述の第1の実施形態と同様に、複数のDMOS領域が設定されている。
図8(a)〜(c)は、本実施形態に係る半導体装置を例示する断面図である。
図8(a)〜(c)は、同じ半導体基板上の相互に異なる領域を示している。
図8(a)〜(c)に示すように、本実施形態に係る半導体装置3においては、3つのDMOS領域Ra、Rb、Rcが設定されている。各DMOS領域には、前述の第1の実施形態で説明したようなDMOS40が形成されている。
なお、本実施形態においては、DMOS40のSD耐圧を3水準とする例を示したが、SD耐圧は4水準以上であってもよい。また、本実施形態においても、前述の第2の実施形態と同様に、各DMOS領域にn形ウェル13及びp形ウェル16を交互に配列させて、複数のDMOS40を形成してもよい。更に、前述の各実施形態においては、pチャネル形のDMOSを形成する例を示したが、nチャネル形のDMOSを形成してもよい。
Claims (9)
- 第1導電形の第1半導体層と、
相互に離隔した第1領域、第2領域及び第3領域のそれぞれにおいて、前記第1半導体層上の一部に設けられた第2導電形の第2半導体層と、
各前記第2半導体層上の一部に設けられ、第2導電形であり、実効的な不純物濃度が前記第2半導体層の実効的な不純物濃度よりも高い第3半導体層と、
前記第3半導体層上の一部に設けられた第1導電形の第4半導体層と、
第2半導体層上の他の一部に設けられ、前記第3半導体層から離隔し、第1導電形である第5半導体層と、
前記第5半導体層上の一部に設けられ、前記第2半導体層から離隔し、第1導電形であり、実効的な不純物濃度が前記第5半導体層の実効的な不純物濃度よりも高い第6半導体層と、
前記第3半導体層上に設けられ、第2導電形であり、実効的な不純物濃度が前記第3半導体層の実効的な不純物濃度よりも高い第7半導体層と、
前記第1半導体層上に設けられ、前記第2半導体層から離隔し、第1導電形であり、実効的な不純物濃度が前記第1半導体層の実効的な不純物濃度よりも高い第8半導体層と、
前記第5半導体層上の一部であって、前記第4半導体層と前記第6半導体層との間に設けられた第1絶縁膜と、
前記第3半導体層における前記第2半導体層の外周側の端部上から、前記第8半導体層上にわたって設けられた第2絶縁膜と、
前記第2半導体層及び前記第3半導体層のうち、前記第4半導体層と前記第5半導体層との間の部分上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記第4半導体層に接続された第1電極と、
前記第6半導体層に接続された第2電極と、
を備え、
各前記第2半導体層上において、前記第3半導体層及び前記第5半導体層が交互に配列されており、
各前記第5半導体層上において、前記第1絶縁膜は前記配列の方向において前記第6半導体層を挟むように配置されており、
前記第2絶縁膜は、前記第2半導体層の外縁上、及び、前記第3半導体層及び前記第5半導体層からなる列の両端に位置する前記第3半導体層上の一部に配置されており、
前記両端に位置する第3半導体層以外の前記第3半導体層上において、前記第4半導体層と前記第7半導体層が、前記配列の方向に対して直交する方向に沿って交互に配列されており、
前記第1領域における前記第4半導体層と前記第6半導体層とを結ぶ方向における前記第1絶縁膜の両端間の第1距離は、前記第2領域における前記第1距離よりも長く、前記第2領域における前記第1距離は、前記第3領域における前記第1距離よりも長く、
前記第1領域における前記第2絶縁膜の前記第2半導体層の内周側の端縁と前記第3半導体層の前記第2半導体層の外周側の端縁との第2距離は、前記第2領域における前記第2距離よりも短く、前記第2領域における前記第2距離は、前記第3領域における前記第2距離よりも短く、
前記第1領域、前記第2領域及び前記第3領域の相互間で、前記第1距離及び前記第2距離以外の寸法が相互に等しく、
前記第1領域、前記第2領域及び前記第3領域の相互間で、前記第2半導体層の不純物濃度は相互に等しく、前記第3半導体層の不純物濃度は相互に等しく、前記第4半導体層の不純物濃度は相互に等しく、前記第5半導体層の不純物濃度は相互に等しく、前記第6半導体層の不純物濃度は相互に等しく、前記第7半導体層の不純物濃度は相互に等しい半導体装置。 - 第1導電形の第1半導体層と、
相互に離隔した第1領域及び第2領域のそれぞれにおいて、前記第1半導体層上の一部に設けられた第2導電形の第2半導体層と、
各前記第2半導体層上の一部に設けられ、第2導電形であり、実効的な不純物濃度が前記第2半導体層の実効的な不純物濃度よりも高い第3半導体層と、
前記第3半導体層上の一部に設けられた第1導電形の第4半導体層と、
第2半導体層上の他の一部に設けられ、前記第3半導体層から離隔し、第1導電形である第5半導体層と、
前記第5半導体層上の一部に設けられ、前記第2半導体層から離隔し、第1導電形であり、実効的な不純物濃度が前記第5半導体層の実効的な不純物濃度よりも高い第6半導体層と、
前記第5半導体層上の一部であって、前記第4半導体層と前記第6半導体層との間に設けられた第1絶縁膜と、
前記第3半導体層における前記第2半導体層の外周側の端部上から、前記第1半導体層における前記第2半導体層の外側の部分上に設けられた第2絶縁膜と、
前記第2半導体層及び前記第3半導体層のうち、前記第4半導体層と前記第5半導体層との間の部分上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
を備え、
前記第1領域における前記第4半導体層と前記第6半導体層とを結ぶ方向における前記第1絶縁膜の両端間の第1距離は、前記第2領域における前記第1距離よりも長く、
前記第1領域における前記第2絶縁膜の前記第2半導体層の内周側の端縁と前記第3半導体層の前記第2半導体層の外周側の端縁との第2距離は、前記第2領域における前記第2距離よりも短い半導体装置。 - 前記第1領域及び前記第2領域から離隔した第3領域において、前記第1半導体層上に設けられた第2導電形の他の第2半導体層をさらに備え、
前記第3半導体層、前記第4半導体層、前記第5半導体層、前記第6半導体層、前記第1絶縁膜、前記第2絶縁膜、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極は、前記他の第2半導体層上にも設けられており、
前記第3領域における前記第1距離は、前記第1領域における前記第1距離よりも短く、前記第2領域における前記第1距離よりも長く、
前記第3領域における前記第2距離は、前記第1領域における前記第2距離よりも長く、前記第2領域における前記第2距離よりも短い請求項2記載の半導体装置。 - 各前記第2半導体層上において、前記第3半導体層及び前記第5半導体層が交互に配列されており、
各前記第5半導体層上において、前記第1絶縁膜は前記配列の方向において前記第6半導体層を挟むように配置されており、
前記第2絶縁膜は、前記第2半導体層の外縁上、及び、前記第3半導体層及び前記第5半導体層からなる列の両端に位置する前記第3半導体層上の一部に配置されている請求項2または3に記載の半導体装置。 - 前記第3半導体層上に設けられ、第2導電形であり、実効的な不純物濃度が前記第3半導体層の実効的な不純物濃度よりも高い第7半導体層をさらに備え、
前記両端に位置する第3半導体層以外の前記第3半導体層上において、前記第4半導体層と前記第7半導体層が、前記配列の方向に対して直交する方向に沿って交互に配列されている請求項4記載の半導体装置。 - 前記第3半導体層上に設けられ、第2導電形であり、実効的な不純物濃度が前記第3半導体層の実効的な不純物濃度よりも高い第7半導体層をさらに備えた請求項2〜4のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第1半導体層上に設けられ、前記第2半導体層から離隔し、第1導電形であり、実効的な不純物濃度が前記第1半導体層の実効的な不純物濃度よりも高い第8半導体層をさらに備え、
前記第2絶縁膜における前記第3半導体層上に位置する端部の反対側の端部は、前記第8半導体層上に位置している請求項2〜6のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記第1領域と前記第2領域との間で、前記第1距離及び前記第2距離以外の寸法が相互に等しい請求項2〜7のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第1領域と前記第2領域との間で、前記第2半導体層の平均不純物濃度は相互に等しく、前記第3半導体層の平均不純物濃度は相互に等しく、前記第4半導体層の平均不純物濃度は相互に等しく、前記第5半導体層の平均不純物濃度は相互に等しく、前記第6半導体層の平均不純物濃度は相互に等しい請求項8記載の半導体装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012184144A JP5904905B2 (ja) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | 半導体装置 |
US13/764,577 US8836025B2 (en) | 2012-08-23 | 2013-02-11 | Semiconductor device |
CN201310093453.9A CN103633142B (zh) | 2012-08-23 | 2013-03-22 | 半导体装置 |
US14/454,555 US9142613B2 (en) | 2012-08-23 | 2014-08-07 | Semiconductor device |
US14/826,884 US9337331B2 (en) | 2012-08-23 | 2015-08-14 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012184144A JP5904905B2 (ja) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014041961A true JP2014041961A (ja) | 2014-03-06 |
JP5904905B2 JP5904905B2 (ja) | 2016-04-20 |
Family
ID=50147250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012184144A Active JP5904905B2 (ja) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8836025B2 (ja) |
JP (1) | JP5904905B2 (ja) |
CN (1) | CN103633142B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016027622A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-02-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104701372B (zh) * | 2013-12-06 | 2017-10-27 | 无锡华润上华科技有限公司 | 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 |
JP2017117882A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008172112A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010086988A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2010157636A (ja) * | 2008-12-27 | 2010-07-15 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010278436A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Power Integrations Inc | パワー集積回路デバイス |
WO2011093953A2 (en) * | 2010-01-27 | 2011-08-04 | Texas Instruments Incorporated | High voltage scrmos in bicmos process technologies |
JP2011258840A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2012015354A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2012059912A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | On Semiconductor Trading Ltd | 半導体装置 |
JP2012146978A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012160510A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2013138098A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置とその製造方法、およびcanシステム |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5117274A (en) * | 1987-10-06 | 1992-05-26 | Motorola, Inc. | Merged complementary bipolar and MOS means and method |
US5219784A (en) * | 1990-04-02 | 1993-06-15 | National Semiconductor Corporation | Spacer formation in a bicmos device |
JP3634098B2 (ja) | 1997-01-29 | 2005-03-30 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH10335630A (ja) | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US7220633B2 (en) * | 2003-11-13 | 2007-05-22 | Volterra Semiconductor Corporation | Method of fabricating a lateral double-diffused MOSFET |
JP2006278832A (ja) | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および電子装置 |
DE102005022129B4 (de) * | 2005-05-12 | 2015-06-18 | Infineon Technologies Ag | Feldeffekttransistor und Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors |
CN101257047A (zh) * | 2008-04-03 | 2008-09-03 | 北京大学 | 一种耐高压的横向双扩散mos晶体管 |
US7994009B2 (en) * | 2009-06-26 | 2011-08-09 | Kamel Benaissa | Low cost transistors using gate orientation and optimized implants |
US8274114B2 (en) * | 2010-01-14 | 2012-09-25 | Broadcom Corporation | Semiconductor device having a modified shallow trench isolation (STI) region and a modified well region |
-
2012
- 2012-08-23 JP JP2012184144A patent/JP5904905B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-11 US US13/764,577 patent/US8836025B2/en active Active
- 2013-03-22 CN CN201310093453.9A patent/CN103633142B/zh active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008172112A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010086988A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2010157636A (ja) * | 2008-12-27 | 2010-07-15 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010278436A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Power Integrations Inc | パワー集積回路デバイス |
WO2011093953A2 (en) * | 2010-01-27 | 2011-08-04 | Texas Instruments Incorporated | High voltage scrmos in bicmos process technologies |
JP2013518431A (ja) * | 2010-01-27 | 2013-05-20 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | BiCMOSプロセス技術における高電圧SCRMOS |
JP2011258840A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2012015354A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2012059912A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | On Semiconductor Trading Ltd | 半導体装置 |
JP2012146978A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012160510A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2013138098A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置とその製造方法、およびcanシステム |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016027622A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-02-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5904905B2 (ja) | 2016-04-20 |
US20140054693A1 (en) | 2014-02-27 |
CN103633142A (zh) | 2014-03-12 |
US8836025B2 (en) | 2014-09-16 |
CN103633142B (zh) | 2016-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5898473B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8072029B2 (en) | High voltage semiconductor device with floating regions for reducing electric field concentration | |
US9190535B2 (en) | Bootstrap MOS for high voltage applications | |
JP6591312B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5530992B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP6277785B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6383325B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10262997B2 (en) | High-voltage LDMOSFET devices having polysilicon trench-type guard rings | |
US20150041883A1 (en) | Semiconductor device | |
US10217861B2 (en) | High voltage integrated circuit with high voltage junction termination region | |
US9337331B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5586546B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8299578B1 (en) | High voltage bipolar transistor with bias shield | |
JP2010258355A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5904905B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10978870B2 (en) | Electrostatic discharge protection device | |
JP6034268B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013247188A (ja) | 半導体装置 | |
US20140077866A1 (en) | Field device and method of operating high voltage semiconductor device applied with the same | |
US8466516B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2015176974A (ja) | 半導体装置 | |
JP2013041891A (ja) | 半導体装置 | |
JP6285831B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP6678615B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2010056246A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140902 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150717 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160315 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5904905 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |