JP2014036120A - 可変容量素子、実装回路、共振回路、通信装置、通信システム、ワイヤレス充電システム、電源装置、及び、電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 可変容量素子10を、素子本体部11と、補正部12と、第1信号用外部端子13と、第2信号用外部端子16と、制御用外部端子14,15と、容量補正用外部端子17,18とを備える構成とする。補正部12は、強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部C9〜C11を有し、素子本体部11に接続され、制御電圧信号に応じて容量が変化する。
【選択図】 図4
Description
1.本開示に係る可変容量素子の概要
2.第1の実施形態:直列型の可変容量素子の第1の構成例
3.第2の実施形態:直列型の可変容量素子の第2の構成例
4.第3の実施形態:直列型の可変容量素子の第3の構成例
5.第4の実施形態:並列型の可変容量素子の構成例
6.各種応用例
[容量バラツキの影響]
まず、本開示に係る可変容量素子の概要を説明する前に、この技術分野で、可変容量素子の容量バラツキをさらに抑制することが求められている理由を簡単に説明する。
本開示に係る可変容量素子の概要を、図1(a)及び(b)、並びに、図2(a)及び(b)を参照しながら説明する。なお、図1(a)及び(b)は、本開示に係る可変容量素子の概略ブロック構成図であり、図2(a)及び(b)は、後述の補正部4の概略内部構成図である。また、ここでは、説明を簡略化するため、後述の補正部4が2つの補正コンデンサ部で構成される例を示す。
本開示では、上記構成の可変容量素子1,2を外部のシステムの回路基板等に実装した後、可変容量素子1,2の容量が所望の範囲の容量となるように、可変容量素子1,2の容量を次のようにして調整する。まず、可変容量素子1,2を外部のシステムの回路基板に実装し、その状態(制御電圧0Vの状態)で各補正用外部端子6の容量を測定する。
第1の実施形態では、コンデンサ本体部と補正部とが直列接続され、かつ、補正部内の複数の補正コンデンサ部が並列接続された可変容量素子、及び、それを備えた実装回路の構成例について説明する。
まず、第1の実施形態に係る可変容量素子の構成を、図3を参照しながら説明する。なお、図3は、第1の実施形態に係る可変容量素子の概略構成図である。
次に、本実施形態の実装回路の構成を、図4を参照しながら説明する。なお、図4は、図3に示した第1の実施形態に係る可変容量素子10を外部のシステムの回路基板等に実装した際の実装回路の概略構成図である。なお、図4には、説明を簡略化するため、可変容量素子10の各外部端子と接続される実装回路の回路部分のみを示す。
次に、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18間の接続状態(補正部12の接続状態)と、可変容量素子10全体の容量との関係を具体的に説明する。そこで、今、本実施形態の可変容量素子10において、第1可変コンデンサ部C1〜第8可変コンデンサ部C8の各容量を「9C」とし、第1補正コンデンサ部C9〜第3補正コンデンサ部C11の各容量を「4.5C」とする。また、可変容量素子10の容量は−10%〜+10%の範囲でばらつく場合を考える。
次に、実装回路20における可変容量素子10の容量バラツキの第1の補正処理を、図4、5、並びに、6(a)及び(b)を参照しながら説明する。なお、図6(a)及び(b)は、容量バラツキの第1の補正処理における、補正部12の接続状態の変更工程の様子を示す図である。
上述のように、本実施形態の実装回路20では、可変容量素子10を実装した後に、可変容量素子10の容量バラツキを低減することができる。それゆえ、本実施形態では、可変容量素子10を外部のシステム等に実装した後に発生する上記課題(容量バラツキにより、実際に利用できる容量の可変範囲が小さくなるという課題)を解消することができる。
上記第1の実施形態では、可変容量素子10を実装回路20に実装した際に、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18が、外部配線21で互いに接続された状態(高容量接続状態)となる例を説明したが、本開示はこれに限定されない。実装回路の構成を、可変容量素子10を実装回路に実装した際に、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18が、外部配線21で互いに接続されていない状態となるような構成にしてもよい。変形例1では、その一構成例を説明する。
図7に、図3に示した第1の実施形態に係る可変容量素子10を外部のシステムの回路基板等に実装した際の変形例1の実装回路の概略構成を示す。なお、図7には、説明を簡略化するため、可変容量素子10の各外部端子と接続される実装回路の回路部分のみを示す。また、図7に示す実装回路25において、図4に示す上記第1の実施形態の実装回路20と同様の構成には同じ符号を付して示す。
次に、実装回路25における可変容量素子10の容量バラツキの補正処理(第2の補正処理)を、図7、8、並びに、9(a)及び(b)を参照しながら説明する。なお、図9(a)及び(b)は、容量バラツキの第2の補正処理における、補正部12の接続状態の変更工程の様子を示す図である。
上述した可変容量素子10の容量バラツキの第1の補正処理(図5)及び第2の補正処理(図8)では、補正部12の接続状態を高容量、中容量及び低容量接続状態の3つの状態に変更する例を説明した。すなわち、上記第1の補正処理及び第2の補正処理では、可変容量素子10の容量を3段階で変更した。しかしながら、本開示はこれに限定されない。必要とする可変容量素子10の容量バラツキの範囲に応じて、補正部12の接続状態を、高容量、中容量及び低容量接続状態のうち、2つの接続状態間で変更して(可変容量素子10の容量を2段階で変更して)、容量バラツキを補正してもよい。
ここで、上述した第1〜第3の補正処理により得られる可変容量素子10の容量のバラツキ分布について説明する。通常、可変容量素子10の容量バラツキの分布は、選別を行わない場合、ほぼ正規分布になると考えられる。それゆえ、本実施形態の可変容量素子10では、上述した補正処理を行わない場合、補正部12の各接続状態における容量バラツキの分布も、ほぼ正規分布になると考えられる。
上記第1の実施形態では、補正部12を、3つの補正コンデンサ部を並列接続して構成し、可変容量素子10の容量を3段階で補正可能な構成例を説明した。しかしながら、本開示はこれに限定されず、補正部12に設ける補正コンデンサ部の数(容量の可変段数)及び各補正コンデンサ部の容量は、例えば、必要とする、容量の補正幅及び可変容量素子10全体の容量等を考慮して適宜設定することができる。第2の実施形態では、2つの補正コンデンサ部を用いて補正部を構成した可変容量素子及びそれが実装された実装回路の構成例を示す。
図13に、第2の実施形態に係る可変容量素子30の概略構成、及び、それが実装された実装回路40の概略構成を示す。なお、図13には、説明を簡略化するため、可変容量素子30の各外部端子と接続される回路部分のみを示す。なお、図13に示す実装回路40において、図4に示す上記第1の実施形態の実装回路20と同様の構成には同じ符号を付して示し、それらの構成の説明は省略する。
実装回路40は、図13に示すように、可変容量素子30と、可変容量素子30の第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17間を電気的に接続する外部配線21とを備える。また、実装回路40は、6つの第1バイアス抵抗R1と、5つの第2バイアス抵抗R2とを備える。
次に、第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17間の接続状態(補正部32の接続状態)と、可変容量素子30全体の容量との関係を具体的に説明する。今、本実施形態の可変容量素子30において、第1可変コンデンサ部C31〜第9可変コンデンサ部C39の各容量を「10C」とする。また、第1補正コンデンサ部C40及び第2補正コンデンサ部C41の各容量を「5C」とする。さらに、可変容量素子30の容量は−10%〜+10%の範囲でばらつく場合を考える。
次に、実装回路40における可変容量素子30の容量バラツキの補正手法を、図13、14、及び15を参照しながら説明する。なお、図15は、容量バラツキの補正処理における、補正部32の接続状態の変更工程の様子を示す図である。
上記第2の実施形態では、上記第1の実施形態で説明した第1の補正処理と同様に、補正用外部端子間を接続する外部配線21のパターンをカットして容量バラツキを補正する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。本実施形態においても、上記変形例1及び2で説明した第2及び第3の補正処理と同様に、外部配線21をパターン接続することにより、容量バラツキを補正してもよい。
上述した第1及び第2の実施形態では、複数の補正コンデンサ部を並列接続することにより補正部を構成する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。本開示では、複数の補正コンデンサ部を直列接続して補正部を構成してもよい(図2(a)参照)。第3の実施形態では、その一例を説明する。
図16に、本開示の第3の実施形態に係る可変容量素子の概略構成を示す。なお、図16に示す可変容量素子50において、図3に示す可変容量素子10と同様の構成には同じ符号を付して示し、それらの構成の説明は省略する。
図17に、図16に示した第3の実施形態に係る可変容量素子50を外部のシステムの回路基板等に実装した際の実装回路の概略構成を示す。なお、図17には、説明を簡略化するため、可変容量素子50の各外部端子と接続される回路部分のみを示す。また、図17に示す実装回路60において、図4に示す実装回路20と同様の構成には同じ符号を付して示し、それらの構成の説明は省略する。
次に、第1補正用外部端子16〜第3補正用外部端子18間の接続状態(補正部52の接続状態)と、可変容量素子50全体の容量との関係を具体的に説明する。今、本実施形態の可変容量素子50において、第1可変コンデンサ部C1〜第8可変コンデンサ部C8及び第1補正コンデンサ部C51〜第3補正コンデンサ部C53の各容量を「10C」とする。また、可変容量素子50の容量は−10%〜+10%の範囲でばらつく場合を考える。
次に、実装回路60における可変容量素子50の容量バラツキの第1の補正手法を、図17及び18を参照しながら説明する。なお、この第1の補正処理においても、上記各種実施形態と同様に、予め、例えば、用途等を考慮して、必要とする可変容量素子50の容量バラツキの範囲を決める。ここでは、一例として、補正後の可変容量素子50の容量が、0.94C以上1.05C未満の範囲で収まるように補正する例を説明する。
上記第1の補正処理では、第3補正用外部端子18、第2補正用外部端子17及び第1補正用外部端子16の順で可変容量素子50の容量を測定する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。第2の補正処理では、第1補正用外部端子16、第2補正用外部端子17及び第3補正用外部端子18の順で可変容量素子50の容量を測定する例を説明する。
上記第3の実施形態では、3つの補正コンデンサ部を直列接続して補正部52を構成し、可変容量素子50の容量を3段階で補正可能な構成例を説明した。しかしながら、本開示はこれに限定されず、補正部に設ける補正コンデンサ部の数(容量の可変段数)及び各コンデンサ部の容量は、例えば、必要とする容量の補正幅、可変容量素子全体の容量等を考慮して適宜設定することができる。変形例4では、2つの補正コンデンサ部を直列接続して補正部を構成した可変容量素子及びそれが実装された実装回路の構成例を示す。
図20に、変形例4に係る可変容量素子70の概略構成、及び、それが実装された実装回路80の概略構成を示す。なお、図20には、説明を簡略化するため、可変容量素子70の各外部端子と接続される回路部分のみを示す。また、図20に示すこの例の実装回路80において、図17に示す上記第3の実施形態の実装回路60と同様の構成には同じ符号を付して示し、それらの構成の説明は省略する。
実装回路80は、可変容量素子70と、選択部81とを備える。また、実装回路80は、可変容量素子70の第1補正用外部端子16及び選択部81間を電気的に接続する第1外部配線82と、可変容量素子70の第2補正用外部端子17及び選択部81間を電気的に接続する第2外部配線83とを備える。さらに、実装回路80は、6つの第1バイアス抵抗R1と、6つの第2バイアス抵抗R2とを備える。
上記第3の実施形態では、実装回路に設けられた選択部により、補正部の接続状態を変更し、可変容量素子の容量バラツキを補正する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、上記第1及び第2の実施形態と同様に、複数の補正用外部端子間の外部配線のパターンをカットしたり、接続したりして、可変容量素子の容量バラツキを補正してもよい。変形例5では、その一例を説明する。
図21に、この例における可変容量素子50、及び、それが実装された実装回路の第1の構成例(変形例5−1)を示す。また、図21に示すこの例の実装回路90において、図17に示す上記第3の実施形態の実装回路60と同様の構成には同じ符号を付して示す。なお、図21と図17との比較から明らかなように、この例の可変容量素子50の構成は、上記第3の実施形態のそれと同様の構成であるので、ここでは、可変容量素子50の構成の説明は省略する。
図22に、この例における可変容量素子50、及び、それが実装された実装回路の第2の構成例(変形例5−2)を示す。なお、図22に示す変形例5−2の実装回路95において、図21に示す上記変形例5−1の実装回路90と同様の構成には同じ符号を付して示す。
第4の実施形態では、可変容量素子のコンデンサ本体部と補正部とを並列接続する構成例について説明する(図1(b)参照)。
図23に、第4の実施形態に係る可変容量素子100の概略構成、及び、それが実装された実装回路110の概略構成を示す。なお、図23には、説明を簡略化するため、可変容量素子100の各外部端子と接続される回路部分のみを示す。また、図23に示す本実施形態の可変容量素子100及び実装回路110において、図4に示す上記第1の実施形態の可変容量素子10及び実装回路20と同様の構成には同じ符号を付して示し、それらの構成の説明は省略する。
本実施形態の実装回路110は、図23に示すように、可変容量素子100と、可変容量素子100の第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17間を電気的に接続する外部配線111とを備える。また、実装回路110は、2つの第1バイアス抵抗R1と、2つの第2バイアス抵抗R2とを備える。
本実施形態の実装回路110における容量バラツキの補正処理は、次のようにして行われる。まず、図23に示す高容量接続状態において、第1補正用外部端子16及び第2補正用外部端子17の一方の端子の容量を測定する。そして、測定した容量が所定の容量バラツキの範囲内の値である場合には、図23に示す高容量接続状態を維持して補正処理を終了する。
(1)実装回路の構成
図24に、変形例6に係る可変容量素子100、及び、それが実装された実装回路の構成例を示す。なお、図24に示すこの例の実装回路115において、図23に示す上記第4の実施形態の実装回路110と同様の構成には同じ符号を付して示す。
この例の実装回路115における容量バラツキの補正処理は、次のようにして行われる。まず、図24に示す低容量接続状態において、第1補正用外部端子16の容量を測定する。そして、測定した容量が所定の容量バラツキの範囲内の値である場合には、図24に示す低容量接続状態を維持して補正処理を終了する。
上記各種実施形態及び各種変形例では、複数の補正コンデンサ部で補正部を構成する例を説明したが、本開示はこれに限定されず、1つの補正コンデンサ部で補正部を構成してもよい。
上記本開示に係る可変容量素子、及び、容量バラツキの補正処理の技術は、可変容量素子に直流の制御電圧を印加して、その容量を調整する必要のあるシステム及び装置(電子機器)であれば、任意のシステム及び装置に適用可能である。以下では、本開示の可変容量素子の各種応用例(適用例)について説明する。
まず、応用例1では、例えば非接触通信機能を備える情報処理端末等の通信装置に、上記各種実施形態及び各種変形例に係る可変容量素子を適用した例を説明する。
次に、非接触通信で情報の送受信を行う通信システムに、上記各種実施形態及び各種変形例に係る可変容量素子を適用した例(応用例2)を説明する。
送信装置221は、受信装置222に対して非接触でデータを読み書きするリーダライタ機能を有する装置である。送信装置221は、一次側アンテナ部(送信アンテナ部)223、可変インピーダンスマッチング部224、送信信号生成部225、変調回路226、復調回路227、送受信制御部228及び送信側システム制御部229を備える。さらに、送信装置221は、送信装置221の動作全般を制御するための制御部230を備える。
次に、受信装置222について説明する。なお、図26に示す例では、受信装置222を非接触ICカード(データキャリア)で構成した例を示す。また、この例では、受信装置222が、自身の共振周波数を調整する機能を備える例を説明する。
次に、非接触通信で電力の送受信(伝送)を行うワイヤレス充電システムに、上記各種実施形態及び各種変形例に係る可変容量素子を適用した例(応用例3)を説明する。
給電装置241は、所望の電子機器(受電装置242)に非接触で電力を供給する装置である。給電装置241は、一次側アンテナ部243(給電アンテナ部)、可変インピーダンスマッチング部244、送信信号生成部245、変調回路246、復調回路247、送受信制御部248、送信側システム制御部249及び制御部250を備える。
受電装置242は、例えば非接触通信機能を有する携帯機器等の装置で構成される。受電装置242は、二次側アンテナ部(受電アンテナ部)251、整流部252、充電制御部253、受信制御部254、復調回路255、受信側システム制御部256、変調回路257、バッテリー258及び制御部259を備える。
次に、電源装置に、上記各種実施形態及び各種変形例に係る可変容量素子(可変コンデンサ)を適用した例(応用例4)を説明する。
本開示の可変容量素子は、上記応用例2〜4で説明したそれぞれ通信システム、ワイヤレス充電システム及び電源装置を、適宜組み合わせて構成された各種電子機器にも適用可能である。なお、この場合、電子機器に組み込まれる通信システムの送信装置(通信装置部)及び受信装置の構成は、上記応用例2(図26)で説明した送信装置221及び受信装置222とそれぞれ同じ構成になるが、非接触通信は外部と行う。
(1)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し、外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部と、
前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部と、
前記素子本体部に接続され、交流信号が入力される第1信号用外部端子と、
前記素子本体部又は前記補正部に接続され、交流信号が入力される第2信号用外部端子と、
前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子と、
前記補正部に接続された容量補正用外部端子と
を備える可変容量素子。
(2)
前記素子本体部と、前記補正部とが直列に接続され、
前記第2信号用外部端子が前記補正部に接続されている
(1)に記載の可変容量素子。
(3)
前記補正部が、複数の第2の可変コンデンサ部を有し、該複数の第2の可変コンデンサ部が並列接続され、
各第2の可変コンデンサ部の一方の端部が前記素子本体部に接続され、
前記複数の第2の可変コンデンサ部のうち、一つの前記第2の可変コンデンサ部の他方の端部が前記第2信号用外部端子に接続され、
残りの前記第2の可変コンデンサ部の他方の端部毎に前記容量補正用外部端子が設けられ、該残りの前記第2の可変コンデンサ部の各他方の端部が対応する前記容量補正用外部端子に接続されている
(1)又は(2)に記載の可変容量素子。
(4)
前記補正部が、複数の第2の可変コンデンサ部を有し、該複数の第2の可変コンデンサ部が直列接続され、
前記複数の第2の可変コンデンサ部で構成される直列回路の一方の端部が前記素子本体部に接続され、
前記直列回路の他方の端部が前記第2信号用外部端子に接続され、
互いに隣り合う2つの前記第2の可変コンデンサ部の接続点毎に前記容量補正用外部端子が設けられ、各接続点が対応する前記容量補正用外部端子に接続されている
(1)又は(2)に記載の可変容量素子。
(5)
前記素子本体部と、前記補正部とが並列に接続され、
前記第2信号用外部端子が前記素子本体部に接続され、
前記補正部の一方の端部が前記第1信号用外部端子に接続され、他方の端部が前記容量補正用外部端子に接続されている
(1)に記載の可変容量素子。
(6)
前記補正部が、複数の第2の可変コンデンサ部を有し、該複数の第2の可変コンデンサ部が直列接続され、
前記複数の第2の可変コンデンサ部で構成される直列回路の一方の端部が前記第1信号用外部端子に接続され、他方の端部が前記容量補正用外部端子に接続されている
(1)又は(5)に記載の可変容量素子。
(7)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し、外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部と、
前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部と、
前記素子本体部に接続され、交流信号が入力される第1信号用外部端子と、
前記素子本体部又は前記補正部に接続され、交流信号が入力される第2信号用外部端子と、
前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子と、
前記補正部に接続された容量補正用外部端子と、
前記制御用外部端子に接続されたバイアス抵抗と
を備える実装回路。
(8)
さらに、前記第2信号用外部端子と前記容量補正用外部端子とを電気的に接続する外部配線を備える
(7)に記載の実装回路。
(9)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、
前記共振コンデンサに接続された共振コイルと
を備える共振回路。
(10)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、前記共振コンデンサに接続された共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部と、
前記可変容量素子の前記制御用外部端子に前記制御電圧信号を出力する電圧発生回路と
を備える通信装置。
(11)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、前記共振コンデンサに接続された共振コイルとを含む送信アンテナ部を有する送信装置と、
前記送信装置と非接触通信を行う受信装置と
を備える通信システム。
(12)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置と
を備えるワイヤレス充電システム。
(13)
電源供給部と、
前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部と
を備える電源装置。
(14)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、前記共振コンデンサに接続された共振コイルとにより構成され、外部と非接触通信を行う通信部と、
前記可変容量素子の前記制御用外部端子に前記制御電圧信号を出力する電圧発生回路と
を備える電子機器。
(15)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と
を備える電子機器。
(16)
電源供給部と、
前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部と
を備える電子機器。
(17)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部を有する通信装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第5誘電体層を含む第5の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第6誘電体層を含む第6の可変コンデンサ部を有し、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3補正部、前記第3素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第5信号用外部端子、前記第3素子本体部又は前記第3補正部に接続され且つ交流信号が入力される第6信号用外部端子、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号が入力される第3制御用外部端子、並びに、前記第3補正部に接続された第3容量補正用外部端子、を有する第3可変容量素子を含む第3共振コンデンサと、前記第3共振コンデンサに接続された第3共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と
を備える電子機器。
(18)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部を有する通信装置部と、
電源供給部と、前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部とを有する電源装置部と
を備える電子機器。
(19)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と、
電源供給部と、前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、強誘電体材料で形成された第5誘電体層を含む第5の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第6誘電体層を含む第6の可変コンデンサ部を有し、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3補正部、前記第3素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第5信号用外部端子、前記第3素子本体部又は前記第3補正部に接続され且つ交流信号が入力される第6信号用外部端子、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号が入力される第3制御用外部端子、並びに、前記第3補正部に接続された第3容量補正用外部端子、を有する第3可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部とを有する電源装置部と
を備える電子機器。
(20)
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部を有する通信装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第5誘電体層を含む第5の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第6誘電体層を含む第6の可変コンデンサ部を有し、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3補正部、前記第3素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第5信号用外部端子、前記第3素子本体部又は前記第3補正部に接続され且つ交流信号が入力される第6信号用外部端子、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号が入力される第3制御用外部端子、並びに、前記第3補正部に接続された第3容量補正用外部端子、を有する第3可変容量素子を含む第3共振コンデンサと、前記第3共振コンデンサに接続された第3共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と、
電源供給部と、前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、強誘電体材料で形成された第7誘電体層を含む第7の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第4制御電圧信号に応じて容量が変化する第4素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第8誘電体層を含む第8の可変コンデンサ部を有し、前記第4素子本体部に接続され且つ前記第4制御電圧信号に応じて容量が変化する第4補正部、前記第4素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第7信号用外部端子、前記第4素子本体部又は前記第4補正部に接続され且つ交流信号が入力される第8信号用外部端子、前記第4素子本体部に接続され且つ前記第4制御電圧信号が入力される第4制御用外部端子、並びに、前記第4補正部に接続された第4容量補正用外部端子、を有する第4可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部とを有する電源装置部と
を備える電子機器。
Claims (20)
- 強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し、外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部と、
前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部と、
前記素子本体部に接続され、交流信号が入力される第1信号用外部端子と、
前記素子本体部又は前記補正部に接続され、交流信号が入力される第2信号用外部端子と、
前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子と、
前記補正部に接続された容量補正用外部端子と
を備える可変容量素子。 - 前記素子本体部と、前記補正部とが直列に接続され、
前記第2信号用外部端子が前記補正部に接続されている
請求項1に記載の可変容量素子。 - 前記補正部が、複数の第2の可変コンデンサ部を有し、該複数の第2の可変コンデンサ部が並列接続され、
各第2の可変コンデンサ部の一方の端部が前記素子本体部に接続され、
前記複数の第2の可変コンデンサ部のうち、一つの前記第2の可変コンデンサ部の他方の端部が前記第2信号用外部端子に接続され、
残りの前記第2の可変コンデンサ部の他方の端部毎に前記容量補正用外部端子が設けられ、該残りの前記第2の可変コンデンサ部の各他方の端部が対応する前記容量補正用外部端子に接続されている
請求項2に記載の可変容量素子。 - 前記補正部が、複数の第2の可変コンデンサ部を有し、該複数の第2の可変コンデンサ部が直列接続され、
前記複数の第2の可変コンデンサ部で構成される直列回路の一方の端部が前記素子本体部に接続され、
前記直列回路の他方の端部が前記第2信号用外部端子に接続され、
互いに隣り合う2つの前記第2の可変コンデンサ部の接続点毎に前記容量補正用外部端子が設けられ、各接続点が対応する前記容量補正用外部端子に接続されている
請求項2に記載の可変容量素子。 - 前記素子本体部と、前記補正部とが並列に接続され、
前記第2信号用外部端子が前記素子本体部に接続され、
前記補正部の一方の端部が前記第1信号用外部端子に接続され、他方の端部が前記容量補正用外部端子に接続されている
請求項1に記載の可変容量素子。 - 前記補正部が、複数の第2の可変コンデンサ部を有し、該複数の第2の可変コンデンサ部が直列接続され、
前記複数の第2の可変コンデンサ部で構成される直列回路の一方の端部が前記第1信号用外部端子に接続され、他方の端部が前記容量補正用外部端子に接続されている
請求項5に記載の可変容量素子。 - 強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し、外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部と、
前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部と、
前記素子本体部に接続され、交流信号が入力される第1信号用外部端子と、
前記素子本体部又は前記補正部に接続され、交流信号が入力される第2信号用外部端子と、
前記素子本体部に接続され、前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子と、
前記補正部に接続された容量補正用外部端子と、
前記制御用外部端子に接続されたバイアス抵抗と
を備える実装回路。 - さらに、前記第2信号用外部端子と前記容量補正用外部端子とを電気的に接続する外部配線を備える
請求項7に記載の実装回路。 - 強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、
前記共振コンデンサに接続された共振コイルと
を備える共振回路。 - 強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、前記共振コンデンサに接続された共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部と、
前記可変容量素子の前記制御用外部端子に前記制御電圧信号を出力する電圧発生回路と
を備える通信装置。 - 強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、前記共振コンデンサに接続された共振コイルとを含む送信アンテナ部を有する送信装置と、
前記送信装置と非接触通信を行う受信装置と
を備える通信システム。 - 強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置と
を備えるワイヤレス充電システム。 - 電源供給部と、
前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部と
を備える電源装置。 - 強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含む共振コンデンサと、前記共振コンデンサに接続された共振コイルとにより構成され、外部と非接触通信を行う通信部と、
前記可変容量素子の前記制御用外部端子に前記制御電圧信号を出力する電圧発生回路と
を備える電子機器。 - 強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と
を備える電子機器。 - 電源供給部と、
前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、
強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される制御電圧信号に応じて容量が変化する素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号に応じて容量が変化する補正部、前記素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記素子本体部又は前記補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記素子本体部に接続され且つ前記制御電圧信号が入力される制御用外部端子、並びに、前記補正部に接続された容量補正用外部端子、を有する可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部と
を備える電子機器。 - 強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部を有する通信装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第5誘電体層を含む第5の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第6誘電体層を含む第6の可変コンデンサ部を有し、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3補正部、前記第3素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第5信号用外部端子、前記第3素子本体部又は前記第3補正部に接続され且つ交流信号が入力される第6信号用外部端子、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号が入力される第3制御用外部端子、並びに、前記第3補正部に接続された第3容量補正用外部端子、を有する第3可変容量素子を含む第3共振コンデンサと、前記第3共振コンデンサに接続された第3共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と
を備える電子機器。 - 強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部を有する通信装置部と、
電源供給部と、前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部とを有する電源装置部と
を備える電子機器。 - 強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と、
電源供給部と、前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、強誘電体材料で形成された第5誘電体層を含む第5の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第6誘電体層を含む第6の可変コンデンサ部を有し、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3補正部、前記第3素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第5信号用外部端子、前記第3素子本体部又は前記第3補正部に接続され且つ交流信号が入力される第6信号用外部端子、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号が入力される第3制御用外部端子、並びに、前記第3補正部に接続された第3容量補正用外部端子、を有する第3可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部とを有する電源装置部と
を備える電子機器。 - 強誘電体材料で形成された第1誘電体層を含む第1の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第2誘電体層を含む第2の可変コンデンサ部を有し、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号に応じて容量が変化する第1補正部、前記第1素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第1信号用外部端子、前記第1素子本体部又は前記第1補正部に接続され且つ交流信号が入力される第2信号用外部端子、前記第1素子本体部に接続され且つ前記第1制御電圧信号が入力される第1制御用外部端子、並びに、前記第1補正部に接続された第1容量補正用外部端子、を有する第1可変容量素子を含む第1共振コンデンサと、前記第1共振コンデンサに接続された第1共振コイルとを含み、外部と非接触通信を行う受信アンテナ部を有する通信装置部と、
強誘電体材料で形成された第3誘電体層を含む第3の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第4誘電体層を含む第4の可変コンデンサ部を有し、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号に応じて容量が変化する第2補正部、前記第2素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第3信号用外部端子、前記第2素子本体部又は前記第2補正部に接続され且つ交流信号が入力される第4信号用外部端子、前記第2素子本体部に接続され且つ前記第2制御電圧信号が入力される第2制御用外部端子、並びに、前記第2補正部に接続された第2容量補正用外部端子、を有する第2可変容量素子を含む第2共振コンデンサと、前記第2共振コンデンサに接続された第2共振コイルとにより構成される給電アンテナ部を有する給電装置部と、
強誘電体材料で形成された第5誘電体層を含む第5の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第6誘電体層を含む第6の可変コンデンサ部を有し、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号に応じて容量が変化する第3補正部、前記第3素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第5信号用外部端子、前記第3素子本体部又は前記第3補正部に接続され且つ交流信号が入力される第6信号用外部端子、前記第3素子本体部に接続され且つ前記第3制御電圧信号が入力される第3制御用外部端子、並びに、前記第3補正部に接続された第3容量補正用外部端子、を有する第3可変容量素子を含む第3共振コンデンサと、前記第3共振コンデンサに接続された第3共振コイルとにより構成され、前記給電アンテナ部と非接触通信を行う受電アンテナ部を有する受電装置部と、
電源供給部と、前記電源供給部から供給された交流電力を直流電力に変換する整流回路部と、強誘電体材料で形成された第7誘電体層を含む第7の可変コンデンサ部を有し且つ外部から印加される第4制御電圧信号に応じて容量が変化する第4素子本体部、前記強誘電体材料で形成された第8誘電体層を含む第8の可変コンデンサ部を有し、前記第4素子本体部に接続され且つ前記第4制御電圧信号に応じて容量が変化する第4補正部、前記第4素子本体部に接続され且つ交流信号が入力される第7信号用外部端子、前記第4素子本体部又は前記第4補正部に接続され且つ交流信号が入力される第8信号用外部端子、前記第4素子本体部に接続され且つ前記第4制御電圧信号が入力される第4制御用外部端子、並びに、前記第4補正部に接続された第4容量補正用外部端子、を有する第4可変容量素子を含み、前記電源供給部と前記整流回路部との間に設けられた可変インピーダンス部とを有する電源装置部と
を備える電子機器。
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